DE102006059046B4 - Vorrichtung zum beschleunigten nasschemischen Behandeln von Oberflächen - Google Patents
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft die nasschemische Behandlung der Oberfläche von Gut mittels gesprühter oder gespritzter Behandlungsflüssigkeit. Bei den hierzu erforderlichen Anlagen kann es sich um Tauchbadanlagen oder um Durchlaufanlagen handeln. Aus ruhenden, bewegten oder oszillierenden Düsen oder Düsenstöcken strömt die Behandlungsflüssigkeit gegen die Oberfläche des zu behandelnden Gutes. Dabei ist es das Ziel, dass bei möglichst kleiner Behandlungszeit ein präzises Behandlungsergebnis erzielt wird. Dies ist in der Praxis der Oberflächenbehandlung ein Widerspruch. Mit zunehmender Behandlungsintensität, d. h. kürzerer Behandlungszeit, nimmt die Präzision des Ergebnisses ab. Typische Anwendungsbeispiele zur Oberflächenbehandlung bestehen in der Leiterplattentechnik. Hier gibt es mehrere Prozesse, bei denen die Erfindung vorteilhaft angewendet werden kann. Als Beispiel sollen das Reinigen oder Spülen, Film- oder Resistentwickeln, Kupferätzen, Film- oder Resiststrippen und das Metallresistätzen genannt werden. Diese Verfahren erfolgen in der Regel durch Besprühen oder Bespritzen des Gutes. Dabei erfolgt der erforderliche Stoffaustausch in der Diffusionsschicht an der zu behandelnden Oberfläche. Mit zunehmendem Spritzdruck kann dieser Stoffaustausch beschleunigt werden, was die Behandlungszeit verringert. Allerdings treten dabei unerwünschte Nebeneffekte auf, die die Präzision des Behandlungsergebnisses negativ beeinflussen. Als Beispiel sei hier das Ätzen von allgemeinen Strukturen auf einem Gut, oder des Leiterbildes von Leiterplatten genannt. Die nicht zu ätzenden Bereiche sind mit einem Film oder Resist abgedeckt. Dieser Resist ist beständig gegen die Ätzflüssigkeit. Beim Sprüh- oder Spritzätzen aus Düsen oder Düsenstöcken werden nicht nur die freien Stellen des Ätzkanales zwischen den mit Resist abgedeckten Bereichen geätzt, sondern auch die Flanken des Ätzkanales. Dies bewirkt ein so genanntes Unterätzen der Resistschicht, das nur sehr begrenzt zulässig ist. Das Behandlungsergebnis der verbleibenden Strukturen bzw. Leiterzüge ist in Folge des Unterätzens letztendlich unvorhersehbar bezüglich ihrer Abmessungen und der Form der Strukturquerschnitte. Insbesondere in der Feinleitertechnik ist eine zunehmend größere und reproduzierbare Präzision der Behandlungsergebnisse erforderlich. Aus gleichen Gründen ist auch bei den anderen genannten Prozessen eine unvorhersehbare Flankenbearbeitung der Strukturen unzulässig. Im Allgemeinen wird zur Erzielung der erforderlichen Präzision der Behandlung die Behandlungszeit verringert, was jedoch aus wirtschaftlichen Gründen unerwünscht ist.
- Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Lösung der genannten Probleme bei der Behandlung von Oberflächen ist in der Druckschrift
DE 195 24 523 A1 beschrieben. In speziellen Düsen wird unter hohem Druck ein mit Kavitationsblasen behafteter Flüssigkeitsstrahl erzeugt. Der Strahl führt den erforderlichen unverbrauchten Stoff zur Diffusionsschicht an der Oberfläche des Gutes. Dort implodieren die Kavitationsblasen und bewirken den Stoffaustausch. Dieses Verfahren ist für die oben genannten Anwendungen und besonders für die Leiterplattentechnik geeignet. Der technische Aufwand, der für die Hochdruckaggregate erforderlich ist, ist jedoch sehr hoch. - Zum nasschemischen Ätzen von Strukturen beschreibt die Druckschrift
DE 31 04 522 A1 einen Inhibitor, der der Ätzlösung zugesetzt wird. Der Inhibitor bildet eine schützende Haut als Flankenschutz an den Ätzflanken der Strukturen, wodurch der seitliche Ätzangriff verringert werden soll. Dieses Verfahren erfordert für die jeweiligen Prozesse individuelle Inhibitoren, was einer allgemeinen Verbreitung entgegensteht. - Ein weiteres Verfahren zum Ätzen von unterschiedlich dicken Schichten auf den beiden Seiten eines flachen Trägergegenstandes beschreibt die Druckschrift
DE 199 08 960 C2 . Hier wird die individuelle Behandlungszeit an jeder Seite des Trägergegenstandes proportional zur Dicke der zu ätzenden Schicht eingestellt. - Dies geschieht durch zeitliche Unterbrechungen der Behandlung, wenn eine kleinere Zeit im Vergleich zur längsten erforderlichen Behandlungszeit nötig ist. Für die maximal zu bearbeitende Schichtdicke kann die Dauer der Unterbrechungen Null sein.
- In
DE 199 08 960 C2 wird in Absatz [0021] darauf hingewiesen, dass bei jeder Unterbrechung des Ätzvorganges durch die anhaftende Ätzlösung ein zeitlich begrenztes Nachätzen erfolgt. Unterbrechungszeiten, die kleiner sind als dieses Nachätzen, sind für die genannte Anwendung nicht sinnvoll. Die Verringerung der Ätzzeiten zur Anpassung an die dünnere zu ätzende Schichtdicke kann unter Beachtung der Nachätzzeit auch periodisch erfolgen. - Ein Verfahren zur Verringerung des Flankenangriffs beim Ätzen beschreibt die Druckschrift
DE 101 54 886 A1 . Der Metallabtrag erfolgt in zwei Verfahrensschritten. Zunächst wird das Metall unter Anlegen eines gepulsten elektrischen Feldes elektrolytisch abgetragen. Dieses Ätzen erfolgt bevorzugt in die Tiefe des Ätzkanales. Die Flanken werden weniger angegriffen. Für das vollständige elektrolytische Ätzen der Kanäle geht bei Erreichen einer bestimmten Tiefe der Ätzkanäle die elektrische Verbindung einzelner Strukturen verloren. Deshalb müssen die Bereiche am Boden der Ätzkanäle chemisch in einem weiteren Prozeß nachgeätzt werden, was einen zusätzlichen technischen Aufwand erfordert. - In
DE 44 16 747 A1 ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Leiterplatten offenbart. Auf einer Welle sind Abdeckkörper montiert, die mit Ausnehmungen versehen sind. Eine Flüssigkeit, die durch Eintrittsöffnungen vor den Abdeckkörpern in die Vorrichtung eindringt, gelangt mit Hilfe der Ausnehmungen an Öffnungen in einem Rohr, welches um die Abdeckkörper angebracht ist. Die Öffnungen in dem Rohr sind als Düsen ausgebildet, so dass Flüssigkeit auf eine unterhalb des Rohres und der Düsen angeordnete Leiterplatte gepulst zugeführt werden kann. - In
US 6,307,240 B1 ist ein Pulsätzverfahren und ein zugehöriges System offenbart. Das System weist eine Fluid-Steuervorrichtung auf, die entweder die Fluidströmung oder den Fluiddruck steuert. Die Vorrichtung kann eine Pumpe, ein Ventil oder ein gepulst arbeitendes Ventil sein. Das Fluid wird durch die Pumpe zu einem Düsenkörper zugeführt, so dass das Fluid auf eine unterhalb des Düsenkörpers angeordnete Leiterplatte gesprüht werden kann. -
US 2004/0060906 A1 - Nachteilig an den drei letztgenannten Vorrichtungen ist, dass nur mit relativ geringen Pulsfrequenzen gearbeitet werden kann, so dass relativ lange Behandlungszeiten erforderlich sind.
- Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung vorzuschlagen, die nasschemische Prozesse zur präzisen Behandlung von Strukturen an Oberflächen bei gleichzeitig kleiner Behandlungszeit ermöglicht.
- Gelöst wird die Aufgabe durch die Vorrichtung gemäß Patentanspruch 1. Vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Die Erfindung wird an Hand der Beispiele in den
1 bis5 detailliert beschrieben. -
1 zeigt schematisch das grundsätzliche Prinzip zur beschleunigten nasschemischen Behandlung von Oberflächen. -
2a zeigt im Ausschnitt eine erste Ausführung mit einem rotierenden Unterbrechungsmittel als Scheibe vor den Düsen. -
2b zeigt das Unterbrechungsmittel der2a im Detail. -
3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel in zwei Ansichten mit einem rotierenden Zylinder als Unterbrechungsmittel. -
4 zeigt die Abwicklung des rotierenden Zylinders der3 in zwei Ansichten. -
5 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einem vibrierenden Unterbrechungsmittel in zwei Positionen desselben. - In
1 strömt aus einer Öffnung oder Düse1 ein Strahl2 der Behandlungsflüssigkeit, der von einem bewegten und mit Durchbrüchen versehenen Unterbrechungsmittel3 zerhackt, d. h. regelmäßig wiederkehrend unterbrochen wird. Der zyklisch unterbrochene Strahl gelangt als Wirkstrahl4 hydrodynamisch pulsierend an die zu behandelnde Oberfläche5 des Gutes6 . Diese Flüssigkeit wird nachfolgend Wirkflüssigkeit8 genannt. Die in den Pulspausen am Unterbrechungsmittel3 anfallende und nicht genutzte Behandlungsflüssigkeit soll als Blindflüssigkeit9 bezeichnet werden. Diese Blindflüssigkeit9 wird vom Unterbrechungsmittel3 weitgehend von der Oberfläche5 des zu behandelnden Gutes6 fern gehalten. Dies verringert anhaftende Behandlungsflüssigkeit an der Oberfläche5 des Gutes6 . Dadurch wird der dynamische Einfluß des unterbrochenen und pulsierenden Wirkstrahles4 bei der chemischen Behandlung wesentlich erhöht. Durch diesen Wirkstrahl4 wird nämlich an der zu behandelnden Oberfläche5 des Gutes6 ein ständiges Einschlagen und Durchschlagen der mit Behandlungsflüssigkeit benetzten Oberfläche5 erreicht. Diese Schlagwirkung fördert ganz entscheidend den eigentlichen nasschemischen Prozess durch die Verringerung der Dicke der Diffusionsschicht. Diese hydrodynamische Unterstützung ist für alle oben genannten Prozesse einschließlich der Spülprozesse hilfreich. Durch die Schlagwirkung ist es möglich, die Behandlungszeit nahezu zu halbieren. Dabei liegt ein wesentlicher Vorteil darin, dass die Präzision bei einer Strukturbehandlung nicht nachteilig beeinflußt wird. Dies ist sehr überraschend, weil sich bisherige Verfahren zur Beschleunigung der nasschemischen Prozesse nachteilig auf die Qualität der Behandlungsergebnisse auswirken. - Die zyklische Unterbrechung der Behandlungsstrahlen erfolgt mit einer Frequenz, die mindestens 0,5 Hz beträgt, bevorzugt 10 Hz bis 100 Hz oder größer. Das Puls/Pause Verhältnis beträgt 10:1 bis 1:10, bevorzugt 2:1 bis 1:2. Hierzu kann der Antrieb des Unterbrechungsmittels elektromotorisch, elektromagnetisch, pneumatisch, hydraulisch oder durch andere Aktorbetätigungsmittel erfolgen. Die Erfindung kann in Kombination mit anderen bekannten Maßnahmen zur Verbesserung des nasschemischen Behandlungsergebnisses kombiniert werden, z. B. mit Inhibitoren in der Behandlungsflüssigkeit.
- Mit dem Verfahren wurde z. B. beim Ätzen von Feinleitern auf Leiterplatten trotz Verringerung der bisher üblichen Behandlungszeit um 33% kein stärkeres Unterätzen des Resistes festgestellt, als dies beim Stand der Technik der Fall ist. Die Flanken in den Ätzkanälen blieben auch bei dem intensiveren Ätzen beim Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtung stehen. Als Ursache hierfür wird vermutet, dass die Schlagwirkung am Boden des Ätzkanales im Gegensatz zur Wirkung an den Flanken der Strukturen sehr viel größer ist. Ferner ist anzunehmen, dass durch das pulsartige Ätzen in den Pulspausen einerseits die Behandlungsflüssigkeit nicht zur Oberfläche des Gutes strömt und andererseits die Behandlungsflüssigkeit aus den Ätzkanälen ungehindert abfließen kann. Beim darauf folgenden Ätzpuls ist die im Ätzkanal verbliebene Behandlungsflüssigkeit drucklos und der Wirkstrahl
4 durchdringt die dünnere Diffusionsschicht in einer größeren Tiefe. Besonders bei der Feinleitertechnik, der so genannten HDI Technik, erreicht die erforderliche Ätztiefe der Ätzkanäle die Breite der Leiterzüge. Dies stellt für alle Prozesse der Leiterplattentechnik eine große Herausforderung dar. Durch das pulsierende Behandeln der tiefen Strukturkanäle wird der sonst übliche seitliche Druckaufbau der Behandlungsflüssigkeit weitgehend vermieden. Dadurch werden die Flanken der Strukturen deutlich weniger nasschemisch bearbeitet als der Grund der Strukturkanäle. Damit ist es mit dem Verfahren möglich, bei gegebener Behandlungszeit die Präzision der nasschemischen Behandlung wesentlich zu erhöhen und/oder die Behandlungszeit wesentlich zu verringern, ohne Einbußen bei der Qualität der Behandlung in Kauf nehmen zu müssen. - Der Abstand der Düsen
1 zur Oberfläche5 des Gutes6 betrug bei den Ätzversuchen mit Leiterplatten 100 mm. Bei einem Druck von 3 bar betrug die Durchflussmenge der Behandlungsflüssigkeit durch jede der 30°-Kegeldüsen 1,6 Liter pro Minute. - Die
2a zeigt partiell einen rohrförmigen Sprühstock10 , der mit mindestens einer Reihe von Düsen1 ausgerüstet ist An Stelle der Düsen können sich kostengünstig auch nur Löcher mit z. B. 0,5 mm bis 3 mm Durchmesser als Düsenöffnungen befinden. Die Behandlungsflüssigkeit strömt durch den Zulauf7 unter Druck in den Düsenstock10 ein und aus den Düsen1 unter Druck verteilt wieder aus. Der Druck kann in einem großen Bereich variieren. Abhängig vom Prozeß, den Strukturabmessungen und von der Positionierung an der Unterseite oder Oberseite des zu transportierenden Gutes kann er 1,1 bis 100 bar betragen. Vor den Düsen1 befindet sich ein rotierend gelagertes Unterbrechungsmittel als gelochte oder geschlitzte Lochscheibe11 . Die Lochscheibe11 ist mit aufgestellten Mitnehmern12 versehen, gegen die ein Teil des Strahles2 der Behandlungsflüssigkeit gerichtet ist. Dadurch wird die Lochscheibe in Rotation versetzt. Die Lochscheibe11 zerhackt den Strahl2 , so dass die Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl4 pulsförmig die Oberfläche5 des Gutes6 erreicht. Dargestellt ist eine Lochscheibe11 für je zwei Düsen1 . Die jeweils zwei Düsen1 sind entsprechend der Drehrichtung des Lochscheibe11 unterschiedlich geneigt am Düsenstock10 angeordnet, damit beide zum Antrieb der Lochscheibe beitragen. In der Lochscheibe11 befinden sich Öffnungen13 als Löcher oder Schlitze. Details der Lochscheibe11 zeigt die2b in zwei Ansichten. - Das Unterbrechungsmittel kann auch als gelochte oder geschlitzte Leiste axial vor den Düsen oder Löchern über der gesamten Länge eines Düsenstockes angeordnet sein. Die Leiste wird in axialer Richtung zyklisch zur Unterbrechung des Strahles
2 bewegt. - Die Düsenstöcke
10 können z. B. in einer Durchlaufanlage mit horizontalem oder vertikalem Transport des Gutes6 ortsfest im Abstand von z. B. 100 mm in Transportrichtung angeordnet werden. Sie können jedoch auch bewegt angeordnet sein, wie es in derartigen nasschemischen Anlagen bekannt ist. Hierzu können die erfindungsgemäßen Düsenstöcke10 zusammen mit den Unterbrechungsmitteln3 z. B. radial und/oder axial schwenkende oder oszillierende Bewegungen ausführen. Durch diese Kombinationen kann bei Anwendung des Verfahrens u. a. der bekannte Pfützeneffekt an der Oberseite des Gutes verringert oder vermieden werden. -
3 zeigt im Ausschnitt einen weiteren Düsenstock10 mit Düsenlöchern14 , der jedoch auch mit Düsen bestückt sein könnte. Koaxial zum Düsenstock10 ist ein Zylinder15 drehbar gelagert angeordnet, der mit Schlitzen16 oder Löchern versehen ist. Die Löcher im Zylinder15 sind an dessen Umfang kongruent zu den Löchern im Düsenstock10 angeordnet. Die Schlitze16 oder Löcher sind innerhalb des Zylinders15 beidseitig mit einem Kragen17 versehen. Diese Kragen17 dienen als Angriffsfläche für die geringfügig schräg gerichteten Strahlen2 , wodurch der Zylinder in Rotation versetzt wird. Des Weiteren fangen die Kragen17 sehr vorteilhaft die Behandlungsflüssigkeit auf, die in den Pulspausen nicht an die Oberfläche5 des Gutes6 gelangen soll. Sie würde dort die Benetzung der Oberfläche des Gutes nachteiligerweise vergrößern. Die Behandlungsflüssigkeit wird seitlich aus dem Zylinder ausgeleitet. Durch geringfügige Schrägstellung des Düsenstockes10 und des Zylinders15 kann das seitliche Abfließen dieser Behandlungsflüssigkeit beschleunigt werden. Somit gelangt diese Behandlungsflüssigkeit nicht auf die Oberfläche des Gutes. Dadurch wird die Benetzung der zu behandelnden Oberfläche auf ein Mindestmaß verringert, was die beschriebene Schlagwirkung verstärkt. Diese Vorrichtung eignet sich besonders vorteilhaft zur nasschemischen Behandlung der Oberseite von Gut, wenn dieses horizontal durch eine Durchlaufanlage transportiert wird. Nicht benötigte Behandlungsflüssigkeit wird von der Oberseite des Gutes ferngehalten. - Der Zylinder kann an den Enden des Düsenstockes gelagert werden. Hierzu kann je ein Wälzlager
18 dienen, das in der jeweils verwendeten Behandlungsflüssigkeit chemisch resistent ist. Geeignet sind z. B. Kugellager aus Kunststoff oder Keramik. - Auch motorisch kann das zylinderförmige Unterbrechungsmittel ebenso wie andere Unterbrechungsmittel durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb in Bewegung versetzt werden. Dadurch wird die Drehzahl unabhängig von den physikalischen Eigenschaften der Strahlen
2 . Insbesondere lassen sich große Drehzahlen und damit eine schnellere Pulsfolge einstellen, z. B. 1000 Impulse pro Sekunde. Dadurch geht der Wirkstrahl bei hohem Druck des Zulaufes7 in eine schnelle Folge von hoch beschleunigten Tropfen der Behandlungsflüssigkeit über. Dies ist für den nasschemischen Prozess besonders wirksam. Als Motoren eignen sich wegen der rauhen Atmosphäre besonders luftgekühlte Motoren oder entsprechend geschützte Elektromotoren. - Elektrische und elektronische Steuerungsmittel der nasschemischen Anlage stellen die Prozeßparameter in Abhängigkeit der erforderlichen Behandlung des Gutes ein, einschließlich der Wahl der Unterbrechungsfrequenz und des Puls/Pause Verhältnisses des Wirkstrahles
4 . - Die
4 zeigt die Abwicklung des Zylinders15 in zwei Ansichten. Zur Stabilisierung des mit Schlitzen16 versehenen Zylinders15 können Stege19 so zwischen Düsenpositionen angeordnet werden, dass die Strahlen2 nicht behindert werden. Im die Behandlungsflüssigkeit auffangenden Bereich des Zylinders15 kann am Boden ein elastischer Werkstoff als Dämpfer20 eingelegt sein. Dieser Dämpfer20 verringert ein unkontrolliertes Spritzen der Behandlungsflüssigkeit beim Auftreffen auf die Innenwand des Zylinders. Dies beschleunigt zugleich das seitliche Abfliegen der Behandlungsflüssigkeit aus dem Zylinder15 . - Die
5a und5b zeigen eine Düse1 mit einem Unterbrechungsmittel3 als vibrierendes Plättchen21 . Dieses elastische Konstruktionselement ist in einem Festpunkt23 eingespannt. Es ist so vor der Düse1 angeordnet, dass der Strahl2 das obere Ende des Plättchens21 trifft. Der Strahl wird ablenkt. Dadurch wird das Plättchen in Strahlrichtung gebogen, wodurch ein Durchlaß22 im Plättchen21 in die Strahlrichtung gelangt. Diese Situation zeigt die5b . Der Durchlaß22 gibt den Weg zur Oberfläche des Gutes6 frei. Das Gut wird von der Behandlungsflüssigkeit als Wirkstrahl schlagartig erreicht. Zugleich geht der Staudruck auf das Plättchen21 verloren. Es geht dadurch schlagartig in die Ausgangsposition zurück, wie sie die5a zeigt. In dieser Position wird der Strahl2 der Behandlungsflüssigkeit als Blindstrahl abgelenkt und von einer Auffangrinne24 aufgefangen. Die Auffangrinne24 leitet die Behandlungsflüssigkeit, die nicht auf die Oberfläche des Gutes gelangen soll seitlich und quer zum Düsenstock ab. Deshalb eignet sich auch diese Ausführungsform der Erfindung zur beidseitigen Behandlung von Gut bei horizontalem Transport desselben. Die elastischen Eigenschaften und Abmessungen des Plättchens sowie die hydrodynamischen Bedingungen der Behandlungsflüssigkeit bestimmen die optimale Frequenz der pulsförmigen nasschemischen Behandlung. - Dieses Unterbrechungsmittel eignet sich sinngemäß mit entsprechend kleinen Abmessungen auch zum Einbau in die Düsen selbst. Mit derartig oder ähnlich ausgerüsteten Düsen wird das Ausströmen der Behandlungsflüssigkeit in den Pulspausen vermieden. Damit eignen sich diese speziellen Düsen ebenfalls zur Anordnung an der Oberseite des horizontal transportierten Gutes.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Düse, Öffnung
- 2
- Strahl, Strahl der Behandlungsflüssigkeit
- 3
- Unterbrechungsmittel
- 4
- Wirkstrahl, pulsierender Strahl
- 5
- Oberfläche, die zu behandeln ist
- 6
- Gut, Behandlungsgut
- 7
- Zulauf
- 8
- Wirkflüssigkeit
- 9
- Blindflüssigkeit
- 10
- Sprühstock, Düsenstock
- 11
- Lochscheibe, rotierend
- 12
- Mitnehmer
- 13
- Öffnungen
- 14
- Düsenlöcher
- 15
- Zylinder
- 16
- Schlitze
- 17
- Kragen
- 18
- Wälzlager, Lager
- 19
- Steg
- 20
- Dämpfer
- 21
- Plättchen, vibrierend
- 22
- Durchlass
- 23
- Festpunkt
- 24
- Auffangrinne
Claims (3)
- Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Oberfläche eines Gutes (
6 ), wie einer Leiterplatte, eines Wafers oder eines Hybridmaterials mittels einer Behandlungsflüssigkeit in einer Tauchbadanlage oder Durchlaufanlage, wobei mittels der Vorrichtung die Behandlungsflüssigkeit als Spritzstrahl (2 ) in Richtung zum Gut (6 ) transportierbar ist, wobei die Vorrichtung mindestens ein Spritzstrahl-Unterbrechungsmittel (3 ) aufweist, welches so verlagerbar ist, dass sich der Spritzstrahl (2 ) als pulsierender Strahl (4 ) diskontinuierlich auf das Gut (6 ) lenken lässt, wobei sich der Spritzstrahl (2 ) mittels einer Düse (1 ) erzeugen lässt, wobei das Unterbrechungsmittel (3 ), bezogen auf die Strömungsrichtung der Behandlungsflüssigkeit, nach der Düse (1 ) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Unterbrechungsmittel (3 ) eine mit Öffnungen (13 ) versehene Lochscheibe (11 ) mit Mitnehmern (12 ) oder ein um die Düse (1 ) drehbarer und mit Öffnungen (16 ) versehener Zylinder (15 ) mit Kragen (17 ) ist, wobei die Behandlungsflüssigkeit (2 ) vor dem Unterbrechungsmittel und der nach dem Unterbrechungsmittel strömende pulsierende Strahl (4 ) in einer Linie verlaufen. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch eine Kraft erreichbar ist, welche von dem mit Überdruck strömenden Spritzstrahl (2 ) der Behandlungsflüssigkeit ausgeübt wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlagerung des Unterbrechungsmittels (
3 ) durch einen elektrischen, pneumatischen oder hydrodynamischen Antrieb erzielbar ist.
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---|---|---|---|---|
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CN104815777A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-05 | 苏州杰东纺织新材料科技有限公司 | 一种电气石负载纳米TiO2复合织物的复合装置 |
CN205393066U (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-27 | 成都京东方光电科技有限公司 | 喷淋设备 |
DE102016112797B3 (de) * | 2016-07-12 | 2017-12-21 | Eisenmann Se | Vorrichtung und Verfahren zum Maskieren von Befestigungsbohrungen in Felgen |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3104522A1 (de) * | 1980-11-05 | 1982-06-09 | Philip A. Hunt Chemical Corp., Palisades Park, N.J. | Ammoniakalische aetzloesung fuer kupfer und kupferlegierungen |
DE4416747A1 (de) * | 1994-05-12 | 1995-11-16 | Schmid Gmbh & Co Geb | Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen |
DE19524523A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-09 | Atotech Deutschland Gmbh | Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik |
US6307240B1 (en) * | 2000-12-22 | 2001-10-23 | Visteon Global Technologies, Inc. | Pulsed etching manufacturing method and system |
DE19908960C2 (de) * | 1999-03-02 | 2003-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Ätzverfahren |
DE10154886A1 (de) * | 2001-11-05 | 2003-07-31 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen |
US20040060906A1 (en) * | 2001-08-17 | 2004-04-01 | Bachrach Robert Z. | Method for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1468961A (en) * | 1973-09-04 | 1977-03-30 | Teledyne Ind | Spray nozzle |
US3937175A (en) * | 1973-12-26 | 1976-02-10 | American Hoechst Corporation | Pulsed spray of fluids |
JPS6166938A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Bridgestone Corp | 押付け力測定方法 |
US4875067A (en) * | 1987-07-23 | 1989-10-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Processing apparatus |
JPH01142091A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-02 | Hitachi Ltd | エッチング方法および装置 |
JPH01297162A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Noritz Corp | 多機能シャワーヘッド |
DE3923405A1 (de) * | 1989-07-14 | 1991-01-24 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung zum transportieren und positionieren von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung derselben |
JPH0598552A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 不織布の製法 |
JPH05226810A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Nippon Tec Kk | プリント基板のエッチング装置 |
JPH07249376A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | ブラウン管部材の脱脂洗浄方法 |
JP2000104182A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | ウェットエッチング方法および装置、インクジェットヘッドの振動板の製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット記録装置 |
JP3706770B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-10-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板メッキ装置 |
WO2001001197A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Applied Science Fiction, Inc. | Slot coating device for electronic film development |
US6375088B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-04-23 | International Business Machines Corp. | Fluid delivery device with pulsating linear discharge and fluid cleaning method |
JP4478251B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2010-06-09 | 学校法人トヨタ学園 | レーザとウォータジェットの複合加工装置 |
TW512131B (en) * | 2000-06-08 | 2002-12-01 | Mosel Vitelic Inc | Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment |
JP2002027099A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コードレス電話装置 |
JP3700085B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2005-09-28 | ミネベア株式会社 | フェライト薄膜の製造方法 |
JP2005223363A (ja) * | 2001-03-30 | 2005-08-18 | Minebea Co Ltd | Ni−Znフェライト薄膜の製造方法 |
JP3981874B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2007-09-26 | 日立化成工業株式会社 | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
JP2004111444A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Canon Inc | Ic部品の外装樹脂の除去装置 |
US7582180B2 (en) * | 2004-08-19 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for processing microfeature workpieces |
KR100882910B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2009-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 식각장치 |
-
2006
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-
2007
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-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3104522A1 (de) * | 1980-11-05 | 1982-06-09 | Philip A. Hunt Chemical Corp., Palisades Park, N.J. | Ammoniakalische aetzloesung fuer kupfer und kupferlegierungen |
DE4416747A1 (de) * | 1994-05-12 | 1995-11-16 | Schmid Gmbh & Co Geb | Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit Flüssigkeit in Naßprozessen |
DE19524523A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-09 | Atotech Deutschland Gmbh | Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik |
DE19908960C2 (de) * | 1999-03-02 | 2003-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Ätzverfahren |
US6307240B1 (en) * | 2000-12-22 | 2001-10-23 | Visteon Global Technologies, Inc. | Pulsed etching manufacturing method and system |
US20040060906A1 (en) * | 2001-08-17 | 2004-04-01 | Bachrach Robert Z. | Method for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
DE10154886A1 (de) * | 2001-11-05 | 2003-07-31 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren zur Behandlung von elektrisch leitfähigen Substraten wie Leiterplatten und dergleichen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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---|---|---|
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