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Die
Erfindung betrifft eine Hochstrom-Leistungsendstufe, die Leistungstransistoren
umfasst, insbesondere MOSFET-Leistungstransistoren.
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Hochstrom-Leistungsendstufen
werden beispielsweise in Steuergeräten von Kraftfahrzeugen zum
Ansteuern von Elektromotoren genutzt, z.B. für eine elektrische Servolenkvorrichtung
oder eine elektrische Bremskraftverstärkervorrichtung. Die Hochstrom-Leistungsendstufen
arbeiten in einem Normalbetrieb z.B. mit Strömen in der Größenordnung
von 100 Ampere. Die erforderliche elektrische Energie wird durch
eine Generatorvorrichtung oder eine Batterie bereitgestellt. Bei
einem Auswechseln der Batterie kann die Batterie versehentlich verpolt
mit der Hochstrom-Leistungsendstufe gekoppelt werden. Der dadurch
verursachte Stromfluss in der Hochstrom-Leistungsendstufe kann diese
beschädigen oder
zerstören.
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In
der
DE 102 08 981
A1 ist ein Kraftfahrzeug mit zwei Bordnetzen offenbart.
Für jedes
der zwei Bordnetze ist ein Stromverteiler mit Powermanagement vorgesehen.
Einer der Stromverteiler umfasst eine Endstufe und einen Mikrocomputer.
Die Endstufe umfasst einen Messwiderstand. Der Stromfluss in der
Endstufe wird durch den Mikrocomputer aus einem Spannungsabfall über dem
Messwiderstand ermittelt. Der Stromfluss in der Endstufe kann unterbrochen
werden durch entsprechendes Ansteuern der Endstufe durch den Mikrocomputer.
In einer Zuleitung der Endstufe ist eine Schmelzsicherung angeordnet,
um bei einem Kurzschluss und gleichzeitigem Durchlegieren der Endstufe
einem Brand vorzubeugen. Als ein Verpolschutz ist ein Relais vorgesehen, das
den Stromfluss bei dem Verpolen unterbricht.
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In
der
DE 195 01 985
A1 ist ein Verpolschutz für eine gleichspannungsversorgte
elektronische Schaltung vor Beschädigung durch Verpolen offenbart.
Eine Suppressordiode ist parallel zu einer Batterie und zu elektrischen
Verbrauchern angeordnet. In einer Zuleitung zwischen der Batterie
und der Suppressordiode bzw. den elektrischen Verbrauchern ist eine
Schmelzsicherung angeordnet. Bei dem Verpolen wird die Suppressordiode
leitend und die Schmelzsicherung löst durch den dadurch verursachten
Stromfluss aus.
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Die
Aufgabe der Erfindung ist, eine Hochstrom-Leistungsendstufe zu schaffen,
die gegen Verpolen geschützt
ist und die einfach und preisgünstig ist.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch die Merkmale der unabhängigen
Patentansprüche.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
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Die
Erfindung zeichnet sich aus durch eine Hochstrom-Leistungsendstufe,
die mindestens vier Leistungstransistoren, zwei elektrische Zuleitungen, und
mindestens eine Schmelzsicherung umfasst. Die mindestens vier Leistungstransistoren
weisen jeweils eine Diode auf, die bei Normalbetrieb des jeweiligen Leistungstransistors
gesperrt ist. Die zwei elektrischen Zuleitungen koppeln die mindestens
vier Leistungstransistoren so mit einem Versorgungspotenzial und
einem Bezugspotenzial, dass jeweils zwei der mindestens vier Leistungstransistoren
zueinander in Reihe angeordnet sind, und zwar elektrisch zwischen dem
Versorgungspotenzial und dem Bezugspotenzial. Die mindestens eine
Schmelzsicherung ist in mindestens einer der zwei elektrischen Zuleitungen
elektrisch in Reihe zu den mindestens vier Leistungstransistoren
angeordnet. Die mindestens eine Schmelzsicherung ist auslösbar durch
einen Strom, der bei Vertauschen des Versorgungspotenzials und des
Bezugspotenzials durch die dann jeweils in Durchlassrichtung angeordnete
Diode der mindestens vier Leistungstransistoren fließt.
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Die
Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass Leistungstransistoren,
insbesondere MOSFET-Leistungstransistoren, jeweils die Diode aufweisen.
Diese ist bei Normalbetrieb der Hochstrom-Leistungsendstufe, also
bei unverpoltem Betrieb, gesperrt. Bei dem Verpolen durch Vertauschen
des Versorgungspotenzials und des Bezugspotenzials ist die Diode
jedoch leitend. Dadurch fließt
bei dem Verpolen ein Strom durch die Dioden der Leistungstransistoren
und durch die Schmelzsicherung. Dieser Strom ist so hoch, dass die
Schmelzsicherung durch diesen ausgelöst wird. Die zwei elektrischen
Zuleitungen sind dimensioniert, den Strom für eine Tragzeitdauer zu tragen,
die länger
ist als eine Auslösezeitdauer
der Schmelzsicherung.
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Dadurch,
dass mindestens vier Leistungstransistoren vorgesehen sind, durch
deren Dioden bei dem Verpolen der Strom fließt, ist die entstehende Verlustleistung
auf die mindestens vier Leistungstransistoren verteilt. Dadurch
sinken die Anforderungen an die Stromtragfähigkeit der Leistungstransistoren.
Dies hat den Vorteil, dass preisgünstige Leistungstransistoren
genutzt werden können.
Ferner ist die Absicherung der Hochstrom-Leistungsendstufe gegen
Verpolen durch die Schmelzsicherung einfach und preisgünstig. Es
müssen
keine weiteren Bauelemente für
den Verpolschutz vorgesehen werden. Insbesondere kann auf ein Relais
zum Unterbrechen des Stromflusses bei dem Verpolen verzichtet werden.
Die Hochstrom-Leistungsendstufe
ist z.B. als H-Brücke
mit vier Leistungstransistoren ausgebildet oder weist entsprechend
sechs Leistungstransistoren auf zum Bereitstellen von dreiphasigem
Drehstrom. Die Hochstrom-Leistungsendstufe kann jedoch auch mehr
als sechs Leistungstransistoren aufweisen.
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In
einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind die mindestens
vier Leistungstransistoren jeweils als Halbleiterchip unmittelbar
auf einem gemeinsamen Träger
angeordnet. Mindestens eine der zwei elektrischen Zuleitungen umfasst
mindestens einen Bond-Draht. Der Vorteil ist, dass Leistungs transistoren
in Form der Halbleiterchips besonders preisgünstig sind und eine besonders
gute Wärmeabführung ermöglichen.
Die Stromtragfähigkeit der
elektrischen Zuleitung in dem Bereich des mindestens einen Bond-Drahts
kann sehr einfach über die
geeignete Wahl der Dicke des jeweiligen Bond-Drahts oder über die
Anzahl der Bond-Drähte dimensioniert
werden. Ferner ist die Hochstrom-Leistungsendstufe durch den gemeinsamen
Träger
kompakt und preisgünstig
in der Herstellung.
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In
einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist mindestens
eine zusätzliche
Diode so parallel zu den mindestens vier Leistungstransistoren elektrisch
zwischen dem Versorgungspotenzial und dem Bezugspotenzial angeordnet,
dass diese bei dem Normalbetrieb der Hochstrom-Leistungsendstufe
gesperrt ist und bei dem Vertauschen des Versorgungspotenzials und
des Bezugspotenzials leitend ist. Dies hat den Vorteil, dass die
entstehende Verlustleistung durch den Strom bei dem Verpolen auch
auf die mindestens eine zusätzliche
Diode verteilt ist, so dass die Anforderungen an die Stromtragfähigkeit
der Dioden der mindestens vier Leistungstransistoren und der mindestens
einen zusätzlichen Diode
weiter verringert ist. Die Leistungstransistoren und die mindestens
eine zusätzliche
Diode können so
besonders preisgünstig
sein.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindungen sind im Folgenden anhand der schematischen Zeichnungen
erläutert.
Es zeigen:
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1 eine
Schaltungsanordnung mit einer Hochstrom-Leistungsendstufe,
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2 ein
Ersatzschaltbild der Schaltungsanordnung bei einem Verpolen einer
Batterie und
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3 eine
Ausführungsform
der Hochstrom-Leistungsendstufe.
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Elemente
gleicher Konstruktion oder Funktion sind figurenübergreifend mit den gleichen
Bezugszeichen versehen.
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Eine
Schaltungsanordnung umfasst eine Batterie Bat, eine Hochstrom-Leistungsendstufe
PA und einen Elektromotor M (1). Die
Hochstrom-Leistungsendstufe PA ist über eine erste Zuleitung Z1
mit einem Versorgungspotenzial Up und über eine zweite Zuleitung Z2
mit einem Bezugspotenzial Un der Batterie Bat gekoppelt. Die Batterie
Bat stellt eine Batteriespannung Ubat für den Betrieb der Hochstrom-Leistungsendstufe
bereit. Die Hochstrom-Leistungsendstufe PA ist elektrisch gekoppelt mit
dem Elektromotor M. Der Elektromotor M wird mittels Drehstrom betrieben
und die Hochstrom-Leistungsendstufe PA ist ausgebildet, aus der
Batteriespannung Ubat die drei Phasen des Drehstroms für den Betrieb
des Elektromotors M zu erzeugen.
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Die
Hochstrom-Leistungsendstufe PA umfasst für jede der drei Phasen des
Drehstroms jeweils eine Reihenschaltung zweier Leistungstransistoren T,
die jeweils eine Diode D aufweisen. Die Leistungstransistoren T
sind bevorzugt als MOSFET-Leistungstransistoren ausgebildet. Die
jeweilige Reihenschaltung der Leistungstransistoren T ist mit der
ersten Zuleitung Z1 und der zweiten Zuleitung Z2 gekoppelt und somit
elektrisch zwischen dem Versorgungspotenzial Up und dem Bezugspotenzial
Un angeordnet. Bei einem Normalbetrieb der Hochstrom-Leistungsendstufe
PA sind die Dioden D jeweils in Sperrrichtung angeordnet, d.h.,
die Kathode der Diode D ist mit dem gegenüber dem Bezugspotenzial Un
positiven Versorgungspotenzial Up gekoppelt und die Anode der Diode
D ist mit dem Bezugspotenzial Un gekoppelt.
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Die
Leistungstransistoren T werden angesteuert durch eine nicht dargestellte
Steuereinrichtung. Die Hochstrom-Leistungsendstufe PA kann auch
als ein Teil der Steuereinrichtung ausgebildet sein.
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In
der ersten elektrischen Zuleitung Z1 ist eine Schmelzsicherung S
vorgesehen. Die Schmelzsicherung S ist so dimensioniert, dass diese
bei dem Normalbetrieb der Hochstrom-Leistungsendstufe PA nicht ausgelöst wird.
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Parallel
zu den drei Reihenschaltungen der Leistungstransistoren T kann mindestens
eine zusätzliche
Diode DZ vorgesehen sein, die bei dem Normalbetrieb entsprechend
den Dioden D mit ihrer Kathode mit dem Versorgungspotenzial Up und
mit ihrer Anode mit dem Bezugspotenzial Un elektrisch gekoppelt
ist.
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Da
die Dioden D der Leistungstransistoren T und die gegebenenfalls
vorgesehene zusätzliche
Diode DZ bei dem Normalbetrieb gesperrt sind, ist der Stromfluss
durch die Schmelzsicherung S und die erste und die zweite elektrische
Zuleitung Z1, Z2 abhängig
von der Ansteuerung der Leistungstransistoren T.
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Werden
jedoch das Versorgungspotenzial Up und das Bezugspotenzial Un miteinander
vertauscht durch Verpolen der Batterie Bat, dann sind die Dioden
D der Leistungstransistoren T und die gegebenenfalls vorgesehene
zusätzliche
Diode DZ in Durchlassrichtung angeordnet und somit leitend.
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2 zeigt
ein Ersatzschaltbild der Schaltungsanordnung gemäß 1 bei dem
Verpolen der Batterie Bat. Ein Strom I durch die Schmelzsicherung S
und durch die erste und die zweite elektrische Zuleitung Z1, Z2
ist dann deutlich höher
als der Strom in dem Normalbetrieb, z.B. um einen Faktor zwischen etwa
drei und zehn. Der Strom I ist im Wesentlichen durch den Innenwiderstand
der Batterie Bat vorgegeben und ist abhängig von einem Ladezustand
der Batterie Bat. Die Schmelzsicherung S ist so dimensioniert, dass
diese bei dem Strom I auslöst
und die Hochstrom-Leistungsendstufe PA so elektrisch von der Batterie
Bat trennt. Dadurch ist die Hochstrom-Leistungsendstufe PA vor Beschädigung durch
das Verpolen der Batterie Bat geschützt.
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Voraussetzung
für den
Schutz der Hochstrom-Leistungsendstufe PA bei dem Verpolen der Batterie
Bat ist, dass die Verlustleistung in den Dioden D und der gegebenenfalls
vorgesehenen zusätzlichen
Diode DZ bis zum Auslösen
der Schmelzsicherung S so gering bleibt, dass die Dioden D und die
gegebenenfalls vorgesehene zusätzliche
Diode DZ nicht beschädigt
werden.
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Versuche
haben gezeigt, dass der Schutz eines elektrischen Verbrauchers vor
Verpolen durch Parallelschalten nur einer Diode entsprechend der zusätzlichen
Diode DZ nicht möglich
oder sehr teuer ist, wenn bei dem Verpolen der Strom durch diese
Diode mehrere hundert Ampere beträgt und dieser Strom für beispielsweise
etwa zehn Sekunden ohne Zerstörung
der Diode getragen werden muss, um das Auslösen der Schmelzsicherung S
gewährleisten
zu können.
Die Anforderungen an die Stromtragfähigkeit dieser Diode und entsprechend
auch ihr Preis sind dadurch sehr hoch.
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Durch
Verteilen der Verlustleistung auf mindestens vier Leistungstransistoren
T bzw. deren Dioden D und durch geeignetes Dimensionieren der ersten
und der zweiten Zuleitung Z1, Z2 werden die Anforderungen an die
Stromtragfähigkeit
jedes einzelnen Leistungstransistors T bzw. deren Diode D reduziert.
Der Strom I teilt sich auf die drei elektrisch parallel zueinander
angeordneten Reihenschaltungen der jeweils zwei Leistungstransistoren
T und auf die gegebenenfalls vorgesehene zusätzliche Diode DZ. Ferner sinkt
der Stromfluss durch jede der drei Reihenschaltungen der Leistungstransistoren
T aufgrund der Verdoppelung des Spannungsabfalls über den
Reihenschaltungen der Leistungstransistoren T gegenüber dem
Spannungsabfall über
jeder einzelnen Diode D, der einer Diodenspannung UD entspricht.
Dadurch wird die Batterie Bat weniger belastet, d.h. der Strom I
ist geringer, wenn die Batteriespannung Ubat auf die doppelte Diodenspannung UD
begrenzt ist, als wenn die Batteriespannung Ubat auf die einfache
Diodenspannung UD begrenzt ist. Entsprechend dem geringeren Strom
I ist auch die Verlustleistung reduziert, die jede einzelne Diode
D aushalten muss. Dadurch sind die Anforderungen an die Dioden D
und entsprechend an die Leistungstransistoren T geringer, so dass
preisgünstige
Leistungstransistoren T gewählt
werden können.
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Die
zusätzliche
Diode DZ ist so ausgebildet, dass über dieser ebenfalls die doppelte
Diodenspannung UD abfällt.
Die zusätzliche
Diode DZ ist dazu beispielsweise als eine Reihenschaltung zweier
Einzeldioden mit der Diodenspannung UD ausgebildet.
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3 zeigt
eine Ausführungsform
der Hochstrom-Leistungsendstufe PA. Auf einem Träger 1 sind die sechs
Leistungstransistoren T in Form von jeweils einem Halbleiterchip 2 aufgebracht,
d.h., die Leistungstransistoren T weisen bevorzugt kein Gehäuse auf.
Die erste und die zweite Zuleitung Z1, Z2 umfassen Bond-Drähte W, über die
der jeweilige Halbleiterchip 2 mit Leiterbahnen gekoppelt
ist, die auf dem Träger 1 angeordnet
sind. Ferner sind die Leiterbahnen des Trägers 1 über Bond-Drähte W mit weiteren
Leiterbahnen gekoppelt, die z.B. auf einer Leiterplatte angeordnet
sind. Die Leiterbahnen, die weiteren Leiterbahnen und die Bond-Drähte W sind so
dimensioniert, dass sie den Strom I bei dem Vertauschen des Versorgungspotenzials
Up und des Bezugspotenzials Un für
eine Tragzeitdauer tragen können,
die länger
ist als eine Auslösezeitdauer
der Schmelzsicherung S.
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Die
Auslösezeitdauer
kann mehrere Sekunden betragen, da der bei dem Normalbetrieb der Hochstrom-Leistungsendstufe
PA, also bei dem unverpolten Betrieb, fließende Strom bereits sehr hoch ist,
z.B. in der Größenordnung
von 100 Ampere, und der bei dem Verpolen fließende Strom I deshalb nur um
einen Faktor von z.B. etwa drei bis zehn größer ist als dieser. Die Schmelzsicherung
S muss jedoch so dimensioniert sein, dass sie bei dem Normalbetrieb
der Hochstrom-Leistungsendstufe PA sicher nicht auslöst.
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Da
die Leistungstransistoren T als Halbleiterchip 2 ohne Gehäuse auf
dem Träger 1 angeordnet sind,
besteht die Möglichkeit,
die Stromtragfähigkeit der
ersten und der zweiten Zuleitung Z1, Z2 in dem Bereich der Bond-Drähte W sehr
einfach durch die Wahl geeigneter Bond-Drähte W, z.B. bezüglich ihrer Dicke,
oder durch die Wahl einer geeigneten Anzahl von zueinander parallel
angeordneter Bond-Drähte W
zu dimensionieren. Beispielsweise werden jeweils fünf zueinander
parallel angeordnete Bond-Drähte
W vorgesehen, um den Strom I tragen zu können, wenn für den Normalbetrieb,
also den unverpolten Betrieb, bereits drei zueinander parallel angeordnete Bond-Drähte W ausreichend
sind. Es können
jedoch abhängig
von den Anforderungen an die Stromtragfähigkeit auch mehr oder weniger
Bond-Drähte
W vorgesehen sein.
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- 1
- Träger
- 2
- Halbleiterchip
- Bat
- Batterie
- D
- Diode
- DZ
- zusätzliche
Diode
- I
- Strom
- M
- Elektromotor
- PA
- Hochstrom-Leistungsendstufe
- S
- Schmelzsicherung
- T
- Leistungstransistor
- Ubat
- Batteriespannung
- UD
- Diodenspannung
- Un
- Bezugspotenzial
- Up
- Versorgungspotenzial
- W
- Bond-Draht
- Z1
- erste
elektrische Zuleitung
- Z2
- zweite
elektrische Zuleitung