DE102005031469A1 - Medium for the etching of oxidic, transparent, conductive layers - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues dispensierfähiges Medium zur Ätzung von dotierten Zinnoxidschichten mit nichtnewtonschem Fließverhalten zum Ätzen von Oberflächen in der Herstellung von Displays und/oder Solarzellen sowie dessen Verwendung. Insbesondere handelt es sich um entsprechende partikelfreie Zusammensetzungen, durch die selektiv feine Strukturen geätzt werden können, ohne angrenzende Flächen zu beschädigen oder anzugreifen.The present invention relates to a new dispensable medium for the etching of doped tin oxide layers with non-Newtonian flow behavior for the etching of surfaces in the production of displays and / or solar cells and its use. In particular, these are corresponding particle-free compositions through which fine structures can be selectively etched without damaging or attacking adjacent surfaces.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues dispensierfähiges, homogenes Ätzmedium mit nichtnewtonschem Fließverhalten zum Ätzen von oxidischen, transparent, leitfähigen Schichten, beispielsweise für die Herstellung von Flüssigkristallanzeigen (LCD) oder organischen lichtemittierenden Anzeigen (OLED).The The present invention relates to a novel dispensable, homogeneous etching medium with non-Newtonian flow behavior for etching of oxidic, transparent, conductive layers, for example for the Production of liquid crystal displays (LCD) or organic light-emitting displays (OLED).

Im speziellen handelt es sich um partikelfreie Zusammensetzungen, durch die selektiv feine Strukturen in oxidische transparente und leitfähige Schichten geätzt werden können, ohne angrenzende Flächen zu beschädigen oder anzugreifen.in the special are particle-free compositions, by the selectively fine structures in oxidic transparent and conductive layers etched can be without adjoining surfaces to damage or attack.

Die Aufgabe der Strukturierung von oxidischen transparent leitfähigen Schichten auf einem Trägermaterial, wie beispielsweise auf Dünnglas, stellt sich u.a. bei der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen. Ein LC Display besteht im wesentlichen aus zwei mit oxidischen transparenten leitfähigen Schichten, meist Indium-Zinn-Oxid (ITO), versehenen Glasplatten, zwischen denen sich eine Flüssigkristallschicht befindet, welche durch Anlegen einer Spannung ihre Lichtdurchlässigkeit verändern. Durch die Verwendung von Abstandshaltern wird die Berührung der ITO Vorderseite und Rückseite verhindert. Für die Darstellung von Zeichen, Symbolen oder sonstigen Mustern ist es erforderlich, die ITO Schicht auf der Glasscheibe zu strukturieren. Dadurch wird es möglich, selektiv Bereiche innerhalb des Displays anzusteuern.The Task of structuring of oxide transparent conductive layers on a carrier material, as for example on thin glass u.a. in the manufacture of liquid crystal displays. An LC Display consists essentially of two with oxidic transparent conductive layers, mostly indium tin oxide (ITO), provided with glass plates between which a liquid crystal layer which, by applying a voltage their light transmittance change. Through the use of spacers, the touch of the ITO front and back prevented. For is the representation of signs, symbols or other patterns it is necessary to structure the ITO layer on the glass pane. This will make it possible to selectively control areas within the display.

1. Stand der Technik und Aufgabe der Erfindung1. Stand the Technology and object of the invention

Die für die Displayherstellung verwendeten Glasscheiben haben üblicherweise eine einseitige ITO Schichtdicke im Bereich von 20 bis 200 nm, in den meisten Fällen im Bereich von 30 bis 130 nm.The for the Glass panels used in display manufacturing usually have a one-sided ITO layer thickness in the range of 20 to 200 nm, in the most cases in the range of 30 to 130 nm.

Im Verlauf der Displayfertigung wird in mehreren Prozessschritten die transparente leitfähige Schicht auf den Glasscheiben strukturiert.in the History of the display production is in several process steps the transparent conductive layer structured on the glass panes.

Hierzu wird das dem Fachmann bekannte Verfahren der Photolithographie eingesetzt.For this the method of photolithography known to those skilled in the art is used.

Unter anorganischen Oberflächen werden in der vorliegenden Beschreibung oxidische Verbindungen verstanden, welche durch Zusatz eines Dotierstoffes eine erhöhte elektrische Leitfähigkeit und Beibehaltung der optischen Transparenz aufweisen. Hierzu fallen die dem Fachmann bekannten Schichtsysteme aus:

  • – Indium-Zinnoxid In2O3:Sn (ITO)
  • – Fluor dotiertes Zinnoxid SnO2:F (FTO)
  • – Antimon dotiertes Zinnoxid SnO2:Sb (ATO)
  • – Aluminium dotiertes Zinkoxid ZnO:Al (AZO)
In the present description, inorganic surfaces are understood as meaning oxidic compounds which have an increased electrical conductivity and retention of optical transparency by addition of a dopant. For this purpose, the layer systems known to the person skilled in the art are omitted:
  • Indium Tin Oxide In 2 O 3 : Sn (ITO)
  • Fluorine-doped tin oxide SnO 2 : F (FTO)
  • - Antimony-doped tin oxide SnO 2: Sb (ATO)
  • Aluminum doped zinc oxide ZnO: Al (AZO)

Dem Fachmann ist bekannt, Indiumzinnoxid per Kathodenzerstäubung (Inlinesputtern) abzuscheiden.the One skilled in the art is aware of indium-tin oxide by sputtering (in-line sputtering) deposit.

Auch durch nasschemische Beschichtung (Sol-Gel Tauchverfahren) unter Verwendung eines flüssigen oder gelösten festen Presursors in einem Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemisch können ITO-Schichten mit einer ausreichenden Leitfähigkeit erhalten werden. Diese flüssigen Zusammensetzungen werden meist per Spin-Coating auf das zu beschichtende Substrat aufgetragen. Dem Fachmann sind diese Zusammensetzungen als Spin-on-Glass Systeme (SOG) bekannt.Also by wet-chemical coating (sol-gel dipping method) under Use of a liquid or dissolved solid presursors in a solvent or solvent mixture can ITO layers with a obtained sufficient conductivity become. This liquid Compositions are usually by spin coating on the coated Substrate applied. The person skilled in the art is aware of these compositions known as spin-on-glass systems (SOG).

Ätzen von StrukturenEtching of structures

Durch Anwendung von Ätzmitteln, d.h. von chemisch aggressiven Verbindungen kommt es zur Auflösung des dem Angriff des Ätzmittels ausgesetzten Materials. In den meisten Fällen ist es das Ziel, die zu ätzende Schicht vollständig zu entfernen. Das Ende der Ätzung wird durch das Auftreffen auf eine gegenüber dem Ätzmittel weitgehend resistente Schicht erreicht.By Application of etchants, i.e. of chemically aggressive compounds it comes to the dissolution of the the attack of the etchant exposed material. In most cases, the goal is the layer to be etched Completely to remove. The end of the etching is due to the impact with respect to the etchant largely resistant layer reached.

Die Photolithographie beinhaltet materialintensive, sowie zeit- und kostenaufwendige Prozessschritte:
Nach bekannten Verfahren sind zur Herstellung eines Negativs oder Positivs der Ätzstruktur (abhängig vom Photolack) folgende Schritte erforderlich:

  • – Belackung der Substratoberfläche (z. B. durch Schleuderbelackung mit einem flüssigen Fotolack),
  • – Trocknen des Fotolacks,
  • – Belichtung der belackten Substratoberfläche,
  • – Entwicklung,
  • – Spülen
  • – ggf. Trocknen
  • – Ätzen der Strukturen beispielsweise durch – Tauchverfahren (z.B. Nassätzen in Nasschemiebänken) Eintauchen der Substrate in das Ätzbad, Ätzvorgang – Spin-on oder Sprühverfahren: Die Ätzlösung wird auf ein sich drehendes Substrat aufgebracht, der Ätzvorgang kann ohne/mit Energieeintrag (z.B. IR- oder UV-Bestrahlung) erfolgen – Trockenätzverfahren wie z.B. Plasmaätzen in aufwendigen Vakuumanlagen oder Ätzen mit reaktiven Gasen in Durchflussreaktoren
  • – Entfernen des Fotolackes, beispielsweise durch Lösungsmittel
  • – Spülen
  • – Trocknen
Photolithography involves material-intensive, time-consuming and costly process steps:
According to known processes, the following steps are required for producing a negative or positive of the etching structure (depending on the photoresist):
  • Lacquering of the substrate surface (eg by spin coating with a liquid photoresist),
  • - drying the photoresist,
  • Exposure of the coated substrate surface,
  • - development,
  • - Do the washing up
  • - if necessary, dry
  • - Etching of the structures, for example by - Dipping method (eg wet etching in wet chemical benches) immersion of the substrates in the etching bath, etching process - spin-on or spray method: the etching solution is applied to a rotating substrate, the etching process can with / without energy input (eg IR- or UV irradiation) - dry etching processes such as plasma etching in complex vacuum systems or etching with reactive gases in flow reactors
  • - Removal of the photoresist, for example by solvents
  • - Do the washing up
  • - Dry

Alternativ zur Photolithographie hat sich in den letzten Jahren die Strukturierung mit Hilfe eines LASER-Strahls als Verfahren etabliert.As an alternative to photolithography, in recent years structuring has been carried out with the aid of a LASER beam established as a method.

Bei den lasergestützten Strukturierungsverfahren rastert der Laserstrahl die zu entfernenden Bereiche Punkt für Punkt bzw. Linie für Linie in einem vektororientierten System ab. An den mit dem LASER-Strahl abgetasteten Stellen wird die transparente leitfähige Schicht durch die hohe Energiedichte des LASER-Strahls spontan verdampft. Das Verfahren ist recht gut zur Strukturierung einfacher Geometrien geeignet. Weniger geeignet ist es bei komplexeren Strukturen und v.a. bei dem Entfernen größerer Flächen transparent leitfähiger Schichten. Hierbei sind die erzielbaren Durchsatzzeiten für höhere Stückzahlen völlig unzureichend.at the laser-assisted Structuring method, the laser beam scans the areas to be removed Point for Point or line for Line in a vector-oriented system. At the with the LASER beam Scanned points, the transparent conductive layer through the high Energy density of the LASER beam spontaneously evaporated. The procedure is quite suitable for structuring simple geometries. Less suitable it is with more complex structures and v.a. at transparent to remove larger areas conductive Layers. Here are the achievable throughput times for higher quantities completely insufficient.

In einigen Anwendungen, wie beispielsweise der Strukturierung von transparenten leitfähigen Schichten für OLED-Displays, ist die LASER-Strukturierung prinzipiell schlecht geeignet: Verdampfendes transparent leitfähiges Material schlägt sich in unmittelbarer Umgebung auf dem Substrat nieder und erhöht in diesen Randbereichen die Schichtdicke der transparenten leitfähigen Beschichtung. Dies ist für die weiteren Prozessschritte, bei denen eine möglichst plane Oberfläche gefordert ist, ein erhebliches Problem.In some applications, such as the structuring of transparent conductive layers for OLED displays, is the LASER structuring in principle poorly suited: evaporating transparent conductive Material beats settles in the immediate vicinity of the substrate and increases in these Edge regions, the layer thickness of the transparent conductive coating. This is for the Further process steps, in which a surface as flat as possible required is a significant problem.

Einen Überblick über verschiedene Ätzverfahren findet man in

  • [1] D.J. Monk, D.S. Soane, R.T. Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1;
  • [2] J. Bühler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1
  • [3] M. Köhler „Ätzverfahren für die Mikrotechnik", Wiley VCH 1983.
An overview of various etching processes can be found in
  • [1] DJ Monk, DS Soane, RT Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1;
  • [2] J. Bühler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1
  • [3] M. Köhler "Etching Techniques for Microtechnology", Wiley VCH 1983.

Die Nachteile der beschriebenen Ätzverfahren liegen in den zeit-, material-, kostenintensiven und in teilweise technologisch und sicherheitstechnisch aufwendigen und häufig diskontinuierlich durchgeführten Prozessschritten begründet.The Disadvantages of the described etching methods lie in the time, material, cost intensive and in part Technologically and safety-technically complex and often discontinuously carried out process steps founded.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, neue, kostengünstige Ätzpasten zum Ätzen von sehr gleichmäßigen, dünnen Linien mit einer Breite von weniger als 500 μm, insbesondere von weniger als 100 μm, und von feinsten Strukturen dotierter Zinnoxidschichten, welche für die Herstellung von LC Displays verwendet werden, zur Verfügung zu stellen. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es auch, neue Ätzmedien zur Verfügung zu stellen, die sich nach dem Ätzen unter Einwirkung von Wärme in einfacher Weise ohne Rückstände zu hinterlassen von den behandelten Oberflächen entfernen lassen.task It is therefore the object of the present invention to provide new, inexpensive etching pastes for etching very even, thin lines with a width of less than 500 μm, in particular less as 100 μm, and fine structures of doped tin oxide layers which for the Production of LC displays can be used to provide. It is also an object of the present invention to provide novel etching media to disposal to ask, after the etching under the influence of heat in a simple way without leaving any residue from the treated surfaces have it removed.

2. Beschreibung der Erfindung2. Description of the invention

Durch Versuche wurde gefunden, dass sich durch die Verwendung ausgewählter Verdicker vergleichbare Druck- und Dispenseigenschaften erzielen ließen wie mit partikelhaltigen Pasten. Es kann durch chemische Wechselwirkungen mit den übrigen Bestandteilen des Ätzmediums ein gelartiges Netzwerk ausgebildet werden. Diese neuen gelartigen Pasten zeigen besonders hervorragende Eigenschaften für die Pastenapplikation mittels Dispensertechnik – kontaktloser Pastenauftrag.By Experiments have been found that through the use of selected thickeners comparable pressure and dispensing properties could be achieved with particulate pastes. It can be due to chemical interactions with the other components the etching medium a gel-like network can be formed. These new gel-like pastes show especially excellent properties for paste application by means of Dispenser technology - contactless Paste job.

Bei geeigneter Wahl der zugesetzten partikulären Komponenten kann gegebenenfalls sogar ganz auf die Zugabe eines Verdickungsmittels verzichtet werden, welches üblicherweise in bekannten partikelfreien Pasten homogen verteilt ist.at suitable choice of the added particulate components may optionally even completely dispensed with the addition of a thickener, which usually is homogeneously distributed in known particle-free pastes.

Die erfindungsgemäße Aufgabe wird durch Bereitstellung eines neuen druckbaren Ätzmediums mit nicht-Newtonschen Fließverhalten in Form einer Ätzpaste zum Ätzen von dotierten oxidischen, transparenten leitfähigen Schichten gelöst, welche Verdicker, bestehend aus einem Material, ausgewählt aus der Gruppe Polystyrol, Polyacryl, Polyamid, Polyimid, Polymethacrylat, Melamin-, Urethan-, Benzoguanine-, Phenolharz, Siliconharz, fluorierte Polymere (PTFE, PVDF u. a.), und mikronisiertes Wachs, enthält in Gegenwart von mindestens einer ätzenden Komponente, mindestens eines Lösungsmittels, mindestens eines Verdickungsmittels, gegebenenfalls mindestens einer anorganischen und/oder organischen Säure, sowie gegebenenfalls von Additiven wie Entschäumer, Thixotropiermittel, Verlaufsmittel, Entlüfter, Haftvermittler. Das erfindungsgemäße Ätzmedium ist bereits bei Temperaturen von 15 bis 50 °C wirksam bzw. kann gegebenenfalls durch Energieeintrag aktiviert werden. Bevorzugte Formen der erfindungsgemäßen Pasten und deren Verwendung ergeben sich aus den Ansprüchen 2-18.The inventive task is provided by providing a new printable etching medium non-Newtonian flow behavior in the form of an etching paste for etching of doped oxide, transparent conductive layers dissolved, which Thickener consisting of a material selected from the group of polystyrene, Polyacrylic, polyamide, polyimide, polymethacrylate, melamine, urethane, Benzoguanine, phenolic resin, silicone resin, fluorinated polymers (PTFE, PVDF u. a.), and micronized wax, in the presence of at least a corrosive component, at least one solvent, at least one thickening agent, optionally at least one inorganic and / or organic acid, and optionally of Additives such as defoamers, Thixotropic agents, leveling agents, deaerators, adhesion promoters. The etching medium according to the invention is already effective at temperatures of 15 to 50 ° C or may optionally be activated by energy input. Preferred forms of the pastes according to the invention and their use will be apparent from claims 2-18.

Ausführliche Beschreibung der ErfindungFull Description of the invention

Erfindungsgemäß werden die neuen Ätzpasten mit thixotropen, nichtnewtonschen Eigenschaften dazu verwendet, oxidische, transparente, leitfähige Schichten während des Herstellungsprozesses von Produkten für OLED Displays, LC Displays oder für die Photovoltaik, Halbleitertechnik, Hochleistungselektronik, von Solarzellen oder Photodioden in geeigneter Weise zu strukturieren. Hierzu wird die Paste in einem einzigen Verfahrensschritt auf die zu ätzende Oberfläche aufgedruckt und nach einer vorgegebenen Einwirkzeit wieder entfernt. Auf diese Weise wird die Fläche an den bedruckten Stellen geätzt und strukturiert, während nicht bedruckte Flächen im Originalzustand erhalten bleiben.According to the invention the new etching pastes used with thixotropic, non-Newtonian properties oxidic, transparent, conductive layers while the manufacturing process of products for OLED displays, LC displays or for the Photovoltaics, semiconductor technology, high-performance electronics, solar cells or pattern photodiodes in a suitable manner. For this purpose is the paste is printed on the surface to be etched in a single process step and removed again after a predetermined exposure time. To this Way becomes the area Etched at the printed areas and structured while non-printed areas preserved in original condition.

Die zu ätzende Oberfläche kann dabei eine Fläche oder Teilfläche aus oxidischem, transparentem, leitfähigem Material sein, und/oder eine Fläche oder Teilfläche einer porösen und nichtporösen Schicht aus oxidischem, transparentem, leitfähigem Material auf einem Trägermaterial sein.The surface to be etched can be a Surface or partial surface of oxide, transparent, conductive material, and / or a surface or partial surface of a porous and non-porous layer of oxide, transparent, conductive material on a support material.

Für die Übertragung der Ätzpaste auf die zu ätzende Substratobetfläche wird ein geeignetes Verfahren der Drucktechnik mit hohem Automatisierungsgrad und Durchsatz genutzt. Insbesondere sind dem Fachmann hierfür als geeignete Druckverfahren die Dispensertechnik, Sieb-, Schablonen-, Tampon-, Stempel-, Ink-Jet-Druckverfahren bekannt. Ein manuelles Auftragen ist ebenfalls möglich.For the transmission the etching paste on the one to be etched Substratobetfläche becomes a suitable method of printing technology with a high degree of automation and throughput used. In particular, those skilled in the art are suitable for this purpose Printing process the dispensing technique, screen, stencil, tampon, stamp, Ink-jet printing process known. A manual application is also possible.

In Abhängigkeit von der Dispensertechnik, Sieb-, Schablonen-, Klischee-, Stempelgestaltung bzw. Patronenansteuerung ist es möglich, die erfindungsgemäß beschriebenen druckfähigen, homogenen, partikelfreien Ätzpasten mit nichtnewtonschem Fließverhalten ganzflächig bzw. gemäß der Ätzstrukturvorlage selektiv nur an den Stellen aufzutragen, an denen eine Ätzung erwünscht ist. Damit entfallen sämtliche sonst notwendigen Maskierungs- und Lithografieschritte. Der Ätzvorgang kann mit oder ohne Energieeintrag, z.B. in Form von Wärmestrahlung (mit IR-Strahler) stattfinden.In dependence from the dispensing technique, screen, stencil, cliché, stamp design or Cartridge control it is possible the invention described printable, homogeneous, particle-free etching pastes with non-Newtonian flow behavior the whole area or according to the etching structure template selectively apply only at the places where an etching is desired. This eliminates all otherwise necessary masking and lithography steps. The etching process can be with or without energy input, e.g. in the form of heat radiation (with IR emitter) take place.

Der eigentliche Ätzprozess wird anschließend durch Waschen der Oberflächen mit Wasser und/oder einem geeigneten Lösungsmittel beendet. Und zwar werden nach erfolgter Ätzung die druckfähigen, Ätzpasten mit nichtnewtonschem Fließverhalten von den geätzten Flächen mit einem geeigneten Lösungsmittel abgespült.Of the actual etching process will follow by washing the surfaces terminated with water and / or a suitable solvent. In fact become after etching the printable, etching pastes with non-Newtonian flow behavior from the etched surfaces with a suitable solvent rinsed.

Durch Verwendung der erfindungsgemäßen Ätzpasten lassen sich also große Stückzahlen kostengünstig in einem geeigneten, automatisierten Prozess im industriellen Maßstab ätzen.By Use of the etching pastes according to the invention can be so big numbers economical Etch in an appropriate automated process on an industrial scale.

In einer bevorzugten Ausführungsform weist die erfindungsgemäße Ätzpaste eine Viskosität im Bereich von 5 bis 100 Pa·s, bevorzugt von 10 bis 50 Pa·s, auf. Die Viskosität ist dabei der stoffabhängige Anteil des Reibungswiderstands, der beim Verschieben benachbarter Flüssigkeitsschichten der Bewegung entgegenwirkt. Nach Newton ist der Scherwiderstand in einer Flüssigkeitsschicht zwischen zwei parallel angeordneten und relativ zueinander bewegten Gleitflächen proportional dem Geschwindigkeits- bzw. Schergefälle G. Der Proportionalitätsfaktor ist eine Stoffkonstante, die als dynamische Viskosität bezeichnet wird und die Dimension m Pa·s hat. Bei newtonschen oder reinviskosen Flüssigkeiten ist der Proportionalitätsfaktor druck- und temperaturabhängig. Dabei wird der Abhängigkeitsgrad von der stofflichen Zusammensetzung bestimmt. Inhomogen zusammengesetzte Flüssigkeiten oder Substanzen haben nicht-newtonsche oder strukturviskose Eigenschaften. Die Viskosität dieser Stoffe ist zusätzlich vom Schergefälle abhängig.In a preferred embodiment has the etching paste according to the invention a viscosity in the range of 5 to 100 Pa · s, preferably from 10 to 50 Pa · s, on. The viscosity is the substance-dependent fraction the frictional resistance when moving adjacent liquid layers counteracts the movement. According to Newton, the shear resistance is in a liquid layer between two parallel and moving relative to each other sliding surfaces proportional to the speed or shear gradient G. The proportionality factor is a substance constant called dynamic viscosity becomes and the dimension m Pa · s Has. For Newtonian or pure viscous liquids, the proportionality factor is pressure and temperature dependent. At the same time the degree of dependency becomes determined by the material composition. Inhomogeneous composite liquids or substances have non-Newtonian or pseudoplastic properties. The viscosity these substances are additionally from shear rate dependent.

Die ausgeprägteren strukturviskosen, bzw. thixotropen Eigenschaften der Ätzpaste wirken sich besonders vorteilhaft für den Sieb- bzw. Schablonendruck aus und führen zu erheblich verbesserten Ergebnissen. Insbesondere zeigt sich dieses in einer verkürzten Ätzzeit, bzw. bei gleichbleibender Ätzzeit in einer erhöhten Ätzrate und vor allem in einer größeren Ätztiefe bei dickeren Schichten.The pronounced pseudoplastic or thixotropic properties of the etching paste have a particularly advantageous effect on screen or stencil printing out and lead to significantly improved results. In particular, this shows up in a shortened etching time, or with constant etching time in an increased etch rate and especially in a larger etch depth for thicker layers.

Es wurde gefunden, dass Eisen(III)-chlorid, Eisen(III)-chlorid-Hexahydrat, und/oder Salzsäurelösungen, bei Temperaturen oberhalb 50°C in der Lage sind dotierte Zinnoxid Oberflächen (ITO) von 200 nm Schichtdicke innerhalb weniger Sekunden bis Minuten vollständig wegzuätzen. Bei 100°C beträgt die Ätzzeit ca. 60 Sekunden.It was found to contain ferric chloride, ferric chloride hexahydrate, and / or Hydrochloric acid solutions, at temperatures above 50 ° C capable of doped tin oxide surfaces (ITO) of 200 nm layer thickness completely etch away within a few seconds to minutes. At 100 ° C, the etching time is approx. 60 seconds.

Zur Herstellung der erfindungsgemäßen, partikelfreien Medien werden die Lösungsmittel, Ätzkomponenten, Verdickungsmittel und Additive nacheinander miteinander vermischt und ausreichend lange gerührt bis sich eine viskose Paste mit thixotropen Eigenschaften gebildet hat. Das Verrühren kann unter Erwärmen auf eine geeignete Temperatur erfolgen. Üblicherweise werden die Komponenten bei Raumtemperatur miteinander verrührt.to Production of the Particle-Free Inventive Media are the solvents, etching components, Thickener and additives successively mixed together and stirred for a long time until a viscous paste with thixotropic properties is formed Has. The stirring can under heating to a suitable temperature. Usually the components stirred together at room temperature.

Bevorzugte Verwendungen der erfindungsgemäßen, druckfähigen Ätzpasten ergeben sich für die beschriebenen Verfahren zur Strukturierung von auf einem Trägermaterial (Glas oder Siliziumschicht) aufgebrachten ITO, zum Herstellen von OLED Displays, TFT Displays oder Dünnschicht-Solarzellen.preferred Uses of the printable etching pastes according to the invention arise for the described method for structuring on a substrate (Glass or silicon layer) applied ITO, for the production of OLED displays, TFT displays or thin-film solar cells.

Die Pasten können mittels Dispensertechnik aufgetragen werden. Hierbei wird die Paste in eine Kunststoffkartusche gefüllt. Auf die Kartusche wird eine Dispensernadel aufgedreht. Die Kartusche wird über einen Druckluftschlauch mit der Dispensersteuerung verbunden. Die Paste kann dann mittels Druckluft durch die Dispensernadel gedrückt werden. Hierbei kann die Paste als feine Linie auf ein Substrat beispielsweise ein mit ITO beschichtetes Glas) aufgetragen werden. Je nach Wahl des Nadelinnendurchmessers können verschieden breite Pastenlinien erzeugt werden.The Pastes can be applied by means of dispenser technology. Here is the paste filled in a plastic cartridge. A dispenser needle is turned on the cartridge. The cartouche will over a compressed air hose connected to the dispenser control. The Paste can then be forced through the dispenser needle by means of compressed air. in this connection For example, you can paste the paste as a fine line on a substrate coated with ITO glass) are applied. Depending on the choice of Needle inside diameter can different width paste lines are generated.

Eine weitere Möglichkeit des Pastenauftrags ist der Siebdruck.A another possibility the paste application is screen printing.

Zum Aufbringen der Pasten auf die zu behandelnden Flächen können die Ätzpasten durch ein feinmaschiges Sieb, das die Druckschablone enthält (oder geätzte Metallsiebe), gedruckt werden. In einem weiteren Schritt kann beim Siebdruckverfahren nach der Dickschichttechnik (Siebdruck von leitfähigen Metallpasten) ein Einbrennen der Pasten erfolgen, wodurch die elektrischen und mechanischen Eigenschaften festgelegt werden können. Statt dessen kann bei Verwendung der erfindungsgemäßen Ätzpasten auch das Einbrennen (durchfeuern durch die dielektrischen Schichten) entfallen und die aufgebrachten Ätzpasten nach einer bestimmten Einwirkzeit mit einem geeigneten Lösungsmittel, bzw. Lösungsmittelgemisch abgewaschen werden. Dabei wird der Ätzvorgang durch das Abwaschen gestoppt.To apply the pastes to the surfaces to be treated, the etch pastes may be printed through a fine mesh screen containing the stencil sheet (or etched metal screens). In a further step, in the screen printing process according to the thick-film technique (screen printing of conductive metal pastes), a stoving of the pastes success conditions whereby the electrical and mechanical properties can be determined. Instead, if the etching pastes according to the invention are used, stoving (firing through the dielectric layers) can also be dispensed with and the applied etching pastes can be washed off after a certain exposure time with a suitable solvent or solvent mixture. The etching process is stopped by the washing.

Zur Durchführung des Ätzens wird eine Ätzpaste, wie beispielsweise in Beispiel 1 beschrieben, hergestellt. Mit einer solchen Ätzpaste kann nach dem Siebdruckverfahren eine Schicht aus dotierten Zinnoxid (ITO) von ca. 120 nm Dicke innerhalb von 60 Sekunden bei 120 °C selektiv entfernt werden. Die Ätzung wird anschließend durch Eintauchen des Si-Wafers in Wasser und anschließendes Spülen mit Hilfe eines fein verteilten Wasserstrahls beendet.to execution of the etching becomes an etching paste, as described for example in example 1. With a such etching paste may be a layer of doped tin oxide by the screen printing method (ITO) of about 120 nm thickness within 60 seconds at 120 ° C selective be removed. The etching will follow by immersing the Si wafer in water and then rinsing with help finished a finely divided water jet.

Zum besseren Verständnis und zur Verdeutlichung der Erfindung werden im folgenden Beispiele gegeben, die im Rahmen des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung liegen. Diese Beispiele dienen auch zur Veranschaulichung möglicher Varianten. Aufgrund der allgemeinen Gültigkeit des beschriebenen Erfindungsprinzips sind die Beispiele jedoch nicht geeignet, den Schutzbereich der vorliegenden Anmeldung nur auf diese zu reduzieren.To the better understanding and to illustrate the invention examples are given below, which are within the scope of the present invention. These examples also serve to illustrate possible Variants. Due to the general validity of the described However, the Examples are not suitable for the invention Protection of the present application only to reduce this.

Die in den Beispielen gegebenen Temperaturen gelten immer in °C. Es versteht sich weiterhin von selbst, dass sich sowohl in der Beschreibung als auch in den Beispielen die zugegebenen Mengen der Komponenten in den Zusammensetzungen immer zu insgesamt 100% addieren.The Temperatures given in the examples always apply in ° C. It understands continue to be self-evident, both in the description as well as in the examples the added amounts of the components always add up to a total of 100% in the compositions.

Beispiel 1example 1

Ätzpaste bestehend aus homogenem VerdickungsmittelEtching paste consisting of homogeneous thickener

Zu einem Lösungsmittelgemisch bestehend aus
40 g Wasser
20 g Sal
20 g Wasser

Figure 00100001

20 g Salzsäure
wird unter Rühren
20 g Eisen(III) chlorid
zugegeben. Danach werden portionsweise
4 g Finnfix 700
unter kräftigem Rühren langsam zu der Lösung gegeben und für 30 Minuten nachgerührt. Die klare Paste wird nun in eine Dispenserkartusche gefüllt.To a solvent mixture consisting of
40 g of water
20 g sal
20 g of water
Figure 00100001

20 g of hydrochloric acid
is stirring
20 g of iron (III) chloride
added. After that, in portions
4 g Finnfix 700
added slowly with vigorous stirring to the solution and stirred for 30 minutes. The clear paste is now filled in a dispenser cartridge.

Die nun gebrauchsfertige Paste kann nun mittels Dispenser auf ITO Oberflächen aufgetragen werden.The Now ready-to-use paste can now be applied to ITO surfaces using a dispenser.

Beispiel 2Example 2

Ätzpaste bestehend aus homogenem VerdickungsmittelEtching paste consisting of homogeneous thickener

Zu einem Lösungsmittelgemisch bestehend aus
30 g Wasser
10 g Ethylenglycol
20 g Wasser

Figure 00100002

20 g Salzsaure
wird unter Rühren
20 g Eisen(III) chlorid
zugegeben. Danach werden portionsweise
4 g Finnfix 2000
unter kräftigem Rühren langsam zu der Lösung gegeben und für 30 Minuten nachgerührt. Die klare Paste wird nun in eine Dispenserkartusche gefüllt.To a solvent mixture consisting of
30 g of water
10 g of ethylene glycol
20 g of water
Figure 00100002

20 g of hydrochloric acid
is stirring
20 g of iron (III) chloride
added. After that, in portions
4 g of Finnfix 2000
added slowly with vigorous stirring to the solution and stirred for 30 minutes. The clear paste is now filled in a dispenser cartridge.

Die nun gebrauchsfertige Paste kann nun mittels Dispenser auf ITO Oberflächen aufgetragen werden.The Now ready-to-use paste can now be applied to ITO surfaces using a dispenser.

Beispiel 3Example 3

Ätzpaste bestehend aus homogenem VerdickungsmittelEtching paste consisting of homogeneous thickener

Zu einem Lösungsmittelgemisch bestehend aus
15 g Wasser
15 g Milchsäure
10 g Ethylenglycol
20 g Wasser
20 g Salzsäure
wird unter Rühren
20 g Eisen(III) chlorid
zugegeben. Danach werden portionsweise
4 g Finnfix 2000
unter kräftigem Rühren langsam zu der Lösung gegeben und für 30 Minuten nachgerührt. Die klare Paste wird nun in eine Dispenserkartusche gefüllt.To a solvent mixture consisting of
15 g of water
15 g of lactic acid
10 g of ethylene glycol
20 g of water
20 g of hydrochloric acid
is stirring
20 g of iron (III) chloride
added. After that, in portions
4 g of Finnfix 2000
added slowly with vigorous stirring to the solution and stirred for 30 minutes. The clear paste is now filled in a dispenser cartridge.

Die nun gebrauchsfertige Paste kann nun mittels Dispenser auf ITO Oberflächen aufgetragen werden.The Now ready-to-use paste can now be applied to ITO surfaces using a dispenser.

Applikationsbeispielapplication example

Für die Pastenapplikation durch Dispensen und ätzen werden folgende Parameter verwendet:
Auftragsgeschwindigkeit XY-Tisch (JR 2204) : 100mm/s
Dosiergerät (EFD 1500XL) – Arbeitsdruck : 2-3bar
Dosiernadel-Innendurchmesser : 230-260 μm
Ätzparameter : 120°C für 1 min (Hotplate)
Spülen: 30 sec in Ultraschallbad
Trocknen: Mit DruckluftFor paste application by dispensing and etch the following parameters are used:
Order speed XY table (JR 2204): 100mm / s
Dosing device (EFD 1500XL) - Working pressure: 2-3bar
Dispensing needle inside diameter: 230-260 μm
Etching parameters: 120 ° C for 1 min (hotplate)
Rinse: 30 sec in ultrasonic bath
Drying: With compressed air

Ergebnis einer geätzten 125nm dicken ITO Schicht auf GlasResult of an etched 125nm thick ITO layer on glass

  • Geätzte Linienbreiten von 450 bis 550 μm.etched Line widths from 450 to 550 μm.

Claims (23)

Druckbares Ätzmedium in Form einer Paste zum Ätzen von transparenten, leitfähigen, oxidischen Schichten, enthaltend a) eine ätzende Komponente b) Lösungsmittel c) gegebenenfalls ein homogen gelöstes organisches Verdickungsmittel d) gegebenenfalls mindestens eine anorganische und/oder organische Säure, sowie gegebenenfalls e) Additive wie Entschäumer, Thixotropiermittel, Verlaufsmittel, Entlüfter, Haftvermittler.Printable etching medium in the form of a paste for etching transparent, conductive, oxide layers, containing a) a corrosive component b) solvent c) optionally a homogeneously dissolved organic thickener d) optionally at least an inorganic and / or organic acid, and optionally e) Additives such as defoamers, Thixotropic agents, leveling agents, deaerators, adhesion promoters. Druckbares Ätzmedium gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ätzende Komponente in einer Menge von 12 bis 30 Gew.-%, vorzugsweise 2 bis 20 Gew.-% und besonders bevorzugt von 5 bis 15 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge enthalten ist.Printable etching medium according to claim 1, characterized in that the corrosive component in a Amount of 12 to 30 wt .-%, preferably 2 to 20 wt .-% and especially preferably from 5 to 15 wt .-%, based on the total amount is. Druckbares Ätzmedium gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verdickungsmittel in einer Menge von 3 bis 20 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmenge enthalten ist.Printable etching medium according to claim 1, characterized in that the thickening agent in an amount from 3 to 20 wt .-% based on the total amount is included. Druckbares Ätzmedium gemäß der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass es als ätzende Komponente Eisen(III)-chlorid oder Eisen(III)-chlorid-Hexahydrat und gegebenenfalls eine anorganische Mineralsäure ausgewählt aus der Gruppe Salzsäure, Phosphorsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und/oder mindestens eine organische Säure, welche einen geradkettigen oder verzweigten Alkylrest mit 1-10 C-Atomen aufweisen kann, ausgewählt aus der Gruppe der Alkylcarbonsäuren, der Hydroxycarbonsäuren und der Dicarbonsäurenlösungen enthält.Printable etching medium according to claims 1 to 3, characterized in that it is used as a corrosive component iron (III) chloride or iron (III) chloride hexahydrate and optionally an inorganic mineral acid selected from the group of hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid, nitric acid and / or at least one organic acid, which is a straight-chain or branched alkyl radical having 1-10 C atoms may have selected from the group of alkylcarboxylic acids, the hydroxycarboxylic acids and the dicarboxylic acid solutions. Verwendung des druckfähigen Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4 zum Ätzen von Oberflächen von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten, welche neben SnO2 oder Zinkoxid eine oder mehrere dotierende Komponenten enthalten.Use of the printable etching medium according to one or more of Claims 1 to 4 for etching surfaces of oxidic, transparent, conductive layers, which in addition to SnO 2 or zinc oxide contain one or more doping components. Ätzmedium gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass es eine organische Säure ausgewählt aus der Gruppe Ameisensäure, Essigsäure, Milchsäure und Oxalsäure enthält.etching medium according to claim 4, characterized in that it comprises an organic acid selected from the group formic acid, Acetic acid, lactic acid and oxalic acid contains. Ätzmedium gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der organischen und/oder anorganischen Säuren in einem Konzentrationsbereich von 0 bis 80 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmenge des Mediums liegt, wobei die hinzugefügte Säure oder deren Gemische jeweils einen pKs-Wert zwischen 0 bis 5 besitzen.Etching medium according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the proportion of organic and / or inorganic acids in a concentration range of 0 to 80 wt .-% based on the total amount of the medium, wherein the added acid or mixtures thereof each have a pK s value between 0 to 5. Ätzmedium gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß es als Lösungsmittel Wasser, ein- oder mehrwertige Alkohole ausgewählt aus der Gruppe Glycerin, 1.2 Propandiol, 1,4-Butandiol, 1,3-Butandiol, 1,5-Pentandiol, 2-Ethyl-1-hexenol, Ethylenglykol, Diethylenglykol und Dipropylenglykol, Ether ausgewählt aus der Gruppe Ethylenglycolmonobutylether, Triethylenglykolmonomethylether, Diethylenglykolmonobutylether und Dipropylenglykolmonomethylether, Ester ausgewählt aus der Gruppe [2,2-Butoxy-(Ethoxy)]-Ethylacetat, Propylencarbonat, Ketone, wie Acetophenon, Methyl-2-hexanon, 2-Octanon, 4-Hydroxy-4-methyl-2-pentanon und 1-Methyl-2-pyrrolidon, als solche oder im Gemisch in einer Menge von 10 bis 90 Gew.-%, vorzugsweise in einer Menge von 15 bis 85 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge des Mediums enthält.etching medium according to one or more of the claims 1 to 7, characterized in that it is water as solvent, mono- or polyvalent Alcohols selected from the group glycerol, 1.2 propanediol, 1,4-butanediol, 1,3-butanediol, 1,5-pentanediol, 2-ethyl-1-hexenol, Ethylene glycol, diethylene glycol and dipropylene glycol, ethers selected from the group ethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, Diethylene glycol monobutyl ether and dipropylene glycol monomethyl ether, Ester selected from the group [2,2-butoxy- (ethoxy)] - ethyl acetate, propylene carbonate, Ketones such as acetophenone, methyl-2-hexanone, 2-octanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and 1-methyl-2-pyrrolidone, as such or in admixture in an amount from 10 to 90% by weight, preferably in an amount of from 15 to 85 Wt .-%, based on the total amount of the medium. Ätzmedium gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es ein oder mehrere homogen gelöste Verdickungsmittel aus der Gruppe Cellulose/Cellulosederivate und/oder Stärke/Stärkderivate und/oder Xanthan und/oder Polyvinylpyrollidon Polymere auf der Basis von Acrylaten oder funktionalisierten Vinyleinheiten enthält.etching medium according to one or more of the claims 1 to 8, characterized in that it is one or more homogeneous dissolved Thickener from the group Cellulose / cellulose derivatives and or Starch / starch derivatives and or Xanthan and / or polyvinylpyrollidone polymers based on acrylates or functionalized vinyl units contains. Ätzmedium gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es ein homogen verteiltes Verdickungsmittel gemäß Anspruch 9 in Mengen 0,5 bis 25 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmenge des Ätzmediums enthält.etching medium according to one or more of the claims 1 to 8, characterized in that it is a homogeneously distributed Thickener according to claim 9 in amounts of 0.5 to 25% by weight based on the total amount of the etching medium contains. Ätzmedium gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es 0 bis 5 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmenge Additive, ausgewählt aus der Gruppe Entschäumer, Thixotropiermittel, Verlaufsmittel, Entlüfter und Haftvermittler enthält.etching medium according to claim 1, characterized in that it 0 to 5 wt .-% based on the total amount of additives selected from the group defoamer, Thixotropic, leveling agent, deaerator and adhesion promoter contains. Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass es bei 20 °C eine Viskosität in einem Bereich von 6 bis 35 Pa·s bei einer Scherrate von 25 s–1 aufweist, vorzugsweise im Bereich von 10 bis 25 Pa·s bei einer Scherrate von 25 s–1 und ganz besonders bevorzugt bei 15 bis 20 Pa·s bei einer Scherrate von 25 s–1 aufweist.Etching medium according to one or more of claims 1 to 11, characterized in that it has a viscosity in a range at 20 ° C. from 6 to 35 Pa · s at a shear rate of 25 s -1 , preferably in the range of 10 to 25 Pa · s at a shear rate of 25 s -1 and most preferably at 15 to 20 Pa · s at a shear rate of 25 s -1 . Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1-12 in einem Ätzverfahren, indem es auf die zu ätzende Oberfläche aufgebracht wird und nach einer Einwirkzeit von 10 s-15 min, bevorzugt nach 30 s bis 2 min, wieder entfernt wird.Use of an etching medium according to a or more of the claims 1-12 in an etching process, by pointing to the one to be etched surface is applied and after a contact time of 10 s-15 min, preferably after 30 s to 2 min, is removed again. Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1-12 in der Displaytechnologie (TFT), OLED Beleuchtungen, OLED Displays, Photovoltaik, Halbleitertechnik, Hochleistungselektronik, Mineralogie oder Glasindustrie, sowie zur Herstellung von Photodioden, zur Strukturierung von ITO Gläsern für Flachbildschirmanwendungen (Plasmadisplays).Use of an etching medium according to a or more of the claims 1-12 in display technology (TFT), OLED lighting, OLED displays, Photovoltaics, semiconductor technology, high-performance electronics, mineralogy or glass industry, as well as for the production of photodiodes, for structuring of ITO glasses for flat screen applications (Plasma displays). Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 in Dispensern, Sieb-, Schablonen-, Tampon-, Stempel-, Ink-Jet- und manuellen Druckverfahren.Use of an etching medium according to a or more of the claims 1 to 12 in dispensers, screen, stencil, tampon, stamp, ink jet and manual printing. Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 zum Ätzen von SiO2- oder Siliziumnitridhaltigen Gläsern als einheitliche massive nichtporöse und poröse Festkörper oder von entsprechenden nichtporösen und porösen Glasschichten variabler Dicke, die auf anderen Substraten erzeugt worden sind.Use of an etching medium according to one or more of claims 1 to 12 for etching SiO 2 or silicon nitride-containing glasses as uniform solid non-porous and porous solids or of corresponding non-porous and porous glass layers of variable thickness, which have been produced on other substrates. Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1-12 zum Ätzen von einheitlichen, massiven, nichtporösen oder porösen dotierten Zinnoxid Oberflächen (ITO und/oder FTO)-Systemen sowie von Schichten variabler Dicke solcher Systeme.Use of an etching medium according to a or more of the claims 1-12 for etching uniform, massive, non-porous or porous doped Tin oxide surfaces (ITO and / or FTO) systems as well as layers of variable thickness such Systems. Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 zur Öffnung von Schichten aus dotierten Zinnoxid Oberflächen (ITO und/oder FTO) im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen und deren Schaltkreisen.Use of an etching medium according to a or more of the claims 1 to 12 to the opening of layers of doped tin oxide surfaces (ITO and / or FTO) in the Manufacturing process of semiconductor devices and their circuits. Verwendung eines Ätzmediums gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 zur Öffnung von Schichten aus dotierten Zinnoxid Oberflächen (ITO und/oder FTO) im Herstellungsprozess von Bauelementen für die HochleistungselektronikUse of an etching medium according to a or more of the claims 1 to 12 to the opening of layers of doped tin oxide surfaces (ITO and / or FTO) in the Manufacturing process of components for high-performance electronics Verfahren zum Ätzen von anorganischen, glasartigen, kristallinen Oberflächen, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ätzmedium gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1-12 ganzflächig oder gemäß der Ätzstrukturvorlage gezielt nur an den Stellen aufgetragen wird, an denen eine Ätzung erwünscht ist und nach erfolgter Ätzung mit einem Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemisch abgespült oder durch Erhitzen abgebrannt wird.Method of etching of inorganic, glassy, crystalline surfaces, thereby characterized in that an etching medium according to one or several of the claims 1-12 over the entire surface or according to the etch structure template is selectively applied only in those places where an etching is desired and after etching with a solvent or solvent mixture rinsed off or is burned off by heating. Verfahren gemäß Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmedium nach erfolgter Ätzung bevorzugt mit Wasser abgespült wird.Method according to claim 20, characterized in that the etching medium after etching is preferred rinsed with water becomes. Ätzverfahren gemäß Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzung bei erhöhten Temperaturen im Bereich von 30 bis 330 °C, vorzugsweise im Bereich von 40 bis 200 °C und ganz besonders bevorzugt 50 bis 120 °C stattfindet.etching according to claim 20, characterized in that the etching at elevated temperatures in the range of 30 to 330 ° C, preferably in the range of 40 to 200 ° C and most preferably 50 to 120 ° C takes place. Ätzverfahren gemäß Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Ätzung von dotierten Zinnoxid Oberflächen (ITO und/oder FTO) bei erhöhten Temperaturen im Bereich von 50 bis 120 °C mit Ätzraten von 0,5 bis 8 nm/s geätzt wird, vorzugsweise mit Ätzraten von 1 bis 6 nm/s und ganz besonders bevorzugt mit Ätzraten von 3 bis 4 nm/s.etching according to claim 20, characterized in that in the etching of doped tin oxide surfaces (ITO and / or FTO) at elevated Temperatures in the range of 50 to 120 ° C with etching rates of 0.5 to 8 nm / s etched is, preferably with etch rates from 1 to 6 nm / s, and most preferably with etch rates from 3 to 4 nm / s.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009003524A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Agc Flat Glass Europe Sa Glass product
DE102011016881A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Forschungszentrum Jülich GmbH Etching solution and method for structuring a zinc oxide layer and zinc oxide layer

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005035255A1 (en) * 2005-07-25 2007-02-01 Merck Patent Gmbh Etching media for oxide, transparent, conductive layers
DE102006051735A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Printable medium for the etching of oxidic, transparent, conductive layers
JP2011503910A (en) * 2007-11-19 2011-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Solar cell contact formation process using patterned etchant
TW200939509A (en) * 2007-11-19 2009-09-16 Applied Materials Inc Crystalline solar cell metallization methods
US8183081B2 (en) * 2008-07-16 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a metal layer mask
EP2324509A2 (en) * 2008-08-27 2011-05-25 Applied Materials, Inc. Back contact solar cells using printed dielectric barrier
JP5299648B2 (en) * 2008-10-29 2013-09-25 三菱瓦斯化学株式会社 Textile processing liquid for transparent conductive film mainly composed of zinc oxide and method for producing transparent conductive film having irregularities
US8518277B2 (en) * 2009-02-12 2013-08-27 Tpk Touch Solutions Inc. Plastic capacitive touch screen and method of manufacturing same
US8486282B2 (en) * 2009-03-25 2013-07-16 Intermolecular, Inc. Acid chemistries and methodologies for texturing transparent conductive oxide materials
CN102369258B (en) 2009-03-30 2014-12-10 东丽株式会社 Agent for removing conductive film and method for removing conductive film
US8263427B2 (en) * 2009-06-02 2012-09-11 Intermolecular, Inc. Combinatorial screening of transparent conductive oxide materials for solar applications
CN101958361A (en) * 2009-07-13 2011-01-26 无锡尚德太阳能电力有限公司 Method for etching transparent thin-film solar cell component
CN102097536B (en) * 2009-12-11 2012-12-12 杜邦太阳能有限公司 Method of making monolithic photovoltaic module
CN102108512B (en) * 2009-12-25 2013-09-18 比亚迪股份有限公司 Chemical etching liquid for metals and etching method
JP5718449B2 (en) * 2010-03-23 2015-05-13 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション Etching pattern formation of transparent conductor with metal nanowires
KR101872040B1 (en) 2010-04-09 2018-06-27 쯔루미소다 가부시끼가이샤 Ink for conductive polymer etching and method for patterning conductive polymer
US20130092657A1 (en) * 2010-06-14 2013-04-18 Nano Terra, Inc. Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning
JP2012043897A (en) * 2010-08-17 2012-03-01 Dnp Fine Chemicals Co Ltd Etchant for conductive film and etching method
US20140021400A1 (en) 2010-12-15 2014-01-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
US20140120027A1 (en) 2011-06-24 2014-05-01 Kuraray Co., Ltd. Conductive film formation method, conductive film, insulation method, and insulation film
US20140166613A1 (en) * 2011-07-18 2014-06-19 Merck Patent Gmbh Structuring of antistatic and antireflection coatings and of corresponding stacked layers
CN102569038A (en) * 2011-12-29 2012-07-11 映瑞光电科技(上海)有限公司 Method for manufacturing patterned substrate
CN104011882A (en) 2012-01-12 2014-08-27 应用材料公司 Methods of manufacturing solar cell devices
KR20130084717A (en) * 2012-01-18 2013-07-26 솔브레인 주식회사 Etchant composition and method of manufacturing a display substrate using the etchant composition
WO2013136624A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 株式会社Adeka Etching solution composition and etching method
WO2015168881A1 (en) * 2014-05-07 2015-11-12 佛山市中山大学研究院 Novel etching solution used in oxide material system, etching method and application thereof
CN103980905B (en) * 2014-05-07 2017-04-05 佛山市中山大学研究院 A kind of etching solution and its engraving method and application for oxide material system
WO2016096083A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Merck Patent Gmbh Agent for increasing etching rates
US10372246B2 (en) 2015-07-16 2019-08-06 Hailiang Wang Transferable nanocomposites for touch sensors
US10294422B2 (en) 2015-07-16 2019-05-21 Hailiang Wang Etching compositions for transparent conductive layers comprising silver nanowires
KR101922289B1 (en) * 2015-11-26 2018-11-27 삼성에스디아이 주식회사 Cmp slurry composition and polishing method of organic film using the same
JP2017216444A (en) * 2016-05-31 2017-12-07 ナガセケムテックス株式会社 Etchant
US9824893B1 (en) * 2016-06-28 2017-11-21 Lam Research Corporation Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing
KR20180093798A (en) 2017-02-13 2018-08-22 램 리써치 코포레이션 Method to create air gaps
JP7110216B2 (en) 2017-09-22 2022-08-01 株式会社カネカ Method for manufacturing patterned sheet and etched structure
CN107673627B (en) * 2017-11-01 2020-06-16 南京大学 Preparation method of porous conductive glass
CN110922971A (en) * 2018-09-20 2020-03-27 深圳新宙邦科技股份有限公司 Etching solution composition for aluminum-doped zinc oxide film
CN114270479B (en) 2019-06-27 2022-10-11 朗姆研究公司 Alternating etch and passivation process
US11964874B2 (en) * 2020-06-09 2024-04-23 Agilent Technologies, Inc. Etched non-porous particles and method of producing thereof
CN112981403A (en) * 2020-12-29 2021-06-18 苏州运宏电子有限公司 Metal sheet surface fine grain etching process
CN113969173B (en) * 2021-09-23 2022-05-13 易安爱富(武汉)科技有限公司 Etching solution for ITO/Ag/ITO composite metal layer film

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63125683A (en) * 1986-11-14 1988-05-28 Taiyo Yuden Co Ltd Etching solution for electrically conductive film containing metallic element
JPH01147078A (en) * 1987-12-02 1989-06-08 Ricoh Co Ltd Etching ink composition for forming transparent electrode pattern and method for using same
JPH02135619A (en) * 1988-11-17 1990-05-24 Asahi Glass Co Ltd Wet etching method
JPH0342829A (en) * 1989-07-11 1991-02-25 Citizen Watch Co Ltd Etchant for transparent conductive film
JPH03239377A (en) * 1990-02-16 1991-10-24 Canon Inc Solar cell module
CN1058051A (en) * 1990-07-10 1992-01-22 虞凌 One-step technology for fast carving on steel
CN1031747C (en) * 1993-10-27 1996-05-08 高平 Steel mould intaglio etching liquid specially for transfer machine electronic
US5688366A (en) * 1994-04-28 1997-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor
JP3173318B2 (en) * 1994-04-28 2001-06-04 キヤノン株式会社 Etching method and method for manufacturing semiconductor device
US5457057A (en) * 1994-06-28 1995-10-10 United Solar Systems Corporation Photovoltaic module fabrication process
JP3057599B2 (en) * 1994-07-06 2000-06-26 キヤノン株式会社 Cleaning device and cleaning method
JPH10110281A (en) * 1996-10-03 1998-04-28 Asahi Denka Kogyo Kk Etching method for metallic oxide thin film
JPH11117080A (en) * 1997-10-15 1999-04-27 Asahi Denka Kogyo Kk Etching of metal oxide thin film
WO2000011107A1 (en) * 1998-08-18 2000-03-02 Ki Won Lee Ito etching composition
JP2001307567A (en) * 2000-04-25 2001-11-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd Substrate with transparent conductive film and its manufacturing method
IL152497A0 (en) * 2000-04-28 2003-05-29 Merck Patent Gmbh Etching pastes for inorganic surfaces
EP1187225B1 (en) * 2000-09-08 2006-11-15 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Etching liquid composition
KR100442026B1 (en) * 2000-12-22 2004-07-30 동우 화인켐 주식회사 Etchant for ito layer and method for the same therewith
DE10150040A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-17 Merck Patent Gmbh Etching passivating and antireflection layers made from silicon nitride on solar cells comprises applying a phosphoric acid and/or etching medium containing a salt of phosphoric acid the surface regions to be etched
JP3791597B2 (en) * 2001-10-19 2006-06-28 三菱瓦斯化学株式会社 Etching composition for transparent conductive film

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009003524A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Agc Flat Glass Europe Sa Glass product
DE102011016881A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Forschungszentrum Jülich GmbH Etching solution and method for structuring a zinc oxide layer and zinc oxide layer

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Publication number Publication date
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