DE102005006717B3

DE102005006717B3 - Kettenverstärker

Info

Publication number: DE102005006717B3
Application number: DE102005006717A
Authority: DE
Inventors: Mojtaba Dr. Joodaki
Original assignee: Atmel Germany GmbH
Current assignee: Microchip Technology Munich GmbH
Priority date: 2005-02-04
Filing date: 2005-02-04
Publication date: 2006-08-03
Anticipated expiration: 2025-02-05
Also published as: US7414477B2; US20060176116A1

Abstract

Vorgestellt wird ein Kettenverstärker (10) mit einem Eingangsnetzwerk (12), das eine Eingangssignal-Übertragungsleitung nachbildet, und einem Ausgangsnetzwerk (14), das eine Ausgangssignal-Übertragungsleitung nachbildet, sowie mit mehreren Verstärkereigenschaften aufweisenden Einheitszellen (16, 18, 20; 82), die zueinander parallel zwischen das Eingangsnetzwerk (12) und das Ausgangsnetzwerk (14) geschaltet sind, ein im Eingangsnetzwerk (12) fortschreitendes Signal verstärken und mit fester Phasenbeziehung zu einem im Ausgangsnetzwerk (14) fortschreitenden Signal in das Ausgangsnetzwerk (14) einspeisen. Der Kettenverstärker zeichnet sich dadurch aus, dass jede Einheitszelle (16, 18, 20; 82) einen Frequenz-Vervielfacher mit einem Eingangsverstärker (60) und einem Ausgangsverstärker (62) aufweist, ein Steueranschluss (64) des Eingangsverstärkers (60) an das Eingangsnetzwerk (12) angeschlossen ist, ein Stromanschluss (66) des Eingangsverstärkers (60) an einen Steueranschluss (68) des Ausgangsverstärkers (62) und über eine Diode (70) an einen Stromanschluss (72) des Ausgangsverstärkers (62) angeschlossen ist und Stromausgänge (74, 76) des Eingangsverstärkers (60) und des Ausgangsverstärkers (62) miteinander verbunden sind.

Description

Die Erfindung betrifft einen Kettenverstärker mit einem Eingangsnetzwerk, das eine Eingangssignal-Übertragungsleitung nachbildet, und einem Ausgangsnetzwerk, das eine Ausgangssignal-Übertragungsleitung nachbildet, sowie mit mehreren, Verstärkereigenschaften aufweisenden Einheitszellen, die zueinander parallel zwischen das Eingangsnetzwerk und das Ausgangsnetzwerk geschaltet sind, ein im Eingangsnetzwerk fortschreitendes Signal verstärken und mit vorbestimmter Phasenbeziehung zu einem im Ausgangsnetzwerk fortschreitenden Signal in das Ausgangsnetzwerk einspeisen.

Solche auch als „distributed amplifier" oder „traveling wave amplifier" bezeichneten Verstärkerstrukturen sind zum Beispiel aus der Veröffentlichung „A Novel HBT Distributed Amplifier Design Topology Based on Attenuation Compensation Techniques", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol 42, No. 12, December 1994, bekannt. Die Eingangsnetzwerke und Ausgangsnetzwerke werden auch als „artificial transmission lines" oder „synthetic transmission lines" bezeichnet. Ihre Aufgabe besteht darin, parasitäre Elemente der Einheitszellen zu absorbieren. Dabei wird unter einer Absorption in diesem Zusammenhang verstanden, dass die phasenverschiebende Wirkung von parasitären Elementen, also zum Beispiel von Eingangskapazitäten und Ausgangskapazitäten der Einheitszellen, durch darauf abgestimmte phasenverschiebende Bauelemente in den genannten Netzwerken so verändert wird, dass durch die aktiven Zellen verstärkte Eingangssignale phasengleich zu einem im Ausgangsnetzwerk fortschreitenden Signal in das Ausgangsnetzwerk eingespeist werden und das Signal dadurch verstärken.

Als Einheitszellen sind Einzeltransistoren oder mehrere Transistoren aufweisende Schaltungen bekannt. So zeigt zum Beispiel die oben genannte Veröffentlichung dort als „gain cell topologies" bezeichnete Einheitszellen mit einem „Conventional Bipolar Transistor", einem „Emitter Follower/Common Emitter" oder einem „Emitter Follower/Cascode with negative Feedback". Nach dieser Veröffentlichung ist mit den dort vorgestellten Strukturen eine im Vergleich zu „conventional common-emitter distributed amplifier configurations" eine Verbesserung des „gain-bandwidth products" um 200 % erzielt worden. Das "gain-bandwidth-product" wird auch als Transitfrequenz bezeichnet (die Verstärkung besitzt keine Dimension). Vgl. Tietze/Schenk, 9. Aufl., ISBN 3-540, 19475-4, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Seite 488.

Bei Kettenverstärkern wird im Allgemeinen ein möglichst großes Produkt der Größen Bandbreite und Verstärkung angestrebt. Zur Erhöhung der Transitfrequenz (d. h. zur Erhöhung des genannten Produkts) sind bereits sogenannte Transitfrequenz-Vervielfacher als f_T-Doubler oder f_T-Multiplier bekannt. Vgl. z. B. WO 0184706 und US 5331289. Das Produkt, d. h. die Transitfrequenz wird durch Einflüsse von parasitären Kapazitäten, insbesondere durch die Eingangskapazitäten c_i der Einheitszellen, durch eine im Eingangsnetzwerk auftretende Signalabschwächung und durch eine im Ausgangsnetzwerk auftretende Signalabschwächung beschränkt.

So folgt die aus Eingangskapazitäten resultierende Grenzfrequenz f_ci dem Zusammenhang

wobei L_in die induktive Komponente des Eingangsnetzwerks, also der „artificial input transmission line" bezeichnet.

Die im Eingangsnetzwerk auftretende Signalabschwächung und die im Ausgangsnetzwerk auftretende Signalabschwächung beschränken insbesondere die Zahl der Einheitszellen, die in sinnvoller Weise für eine Vergrößerung der Ausgangsleistung und ein maximales Verstärkungs-Bandbreiten-Produkt parallel zu schalten sind.

Ein ähnlicher Zusammenhang gilt für die Grenzfrequenz des Ausgangsnetzwerks. Da die am Eingang der Einheitszellen wirksamen Kapazitäten in der Regel größer sind als die am Ausgang wirksamen Kapazitäten, wird die Grenzfrequenz und damit die Bandbreite des Kettenverstärkers im Allgemeinen durch Einflüsse auf der Eingangsseite dominiert.

Die Verstärkung (gain) folgt im Idealfall eines jeweils verlustlosen Eingangsnetzwerks und Ausgangsnetzwerks dem Zusammenhang

wobei Z₀ die charakteristische Impedanz des Eingangsnetzwerkes und/oder Ausgangsnetzwerkes, g_m die Transkonduktanz einer Einheitszelle und n die Zahl der Einheitszellen angibt. Im Idealfall kann die Verstärkung G durch Vergrößerung der Zahl der Einheitszellen vergrößert werden. In der Realität ist die Zahl der sinnvoll verwendbaren Einheitszellen jedoch durch die genannten Verluste des Eingangsnetzwerks und Ausgangsnetzwerks beschränkt.

Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung in der Angabe eines Kettenverstärkers mit weiter vergrößertem Produkt aus Verstärkung und Bandbreite mit einem möglichst einfachen Aufbau der beteiligten Einheitszellen.

Diese Aufgabe wird durch einen Kettenverstärker mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Messungen haben gezeigt, dass eine solche Frequenz-Vervielfacher-Konfiguration die auf eine Treiberstromdichte bezogenen Eingangskapazitäten und Ausgangskapazitäten um bis zu 30 % reduziert, und, im Vergleich zu einem Einzeltransistor, die Transkonduktanz einer Einheitszelle verdoppelt. Daher ergibt sich nach den oben genannten Gleichungen eine größere Verstärkung und eine größere Bandbreite, was insgesamt zu einer deutlichen Vergrößerung des Verstärkungs-Bandbreiten-Produkts jeder Einheitszelle und damit des gesamten Kettenverstärkers mit einem einfachen Schaltungsaufbau führt. Neben diesen Effekten ergibt sich bei dieser Frequenz-Vervielfacher-Konfiguration insgesamt eine verbesserte Annäherung an das Ideal eines rechteckförmigen Verlaufs der Verstärkung über dem Treiberstromfluss.

Mit Blick auf Ausgestaltungen der Erfindung ist bevorzugt, dass der Eingangsverstärker und der Ausgangsverstärker jeweils als Einzeltransistor realisiert ist.

Die Realisierung mit Einzelverstärkern stellt eine schaltungstechnisch besonders einfache Ausgestaltung dar.

Ferner ist bevorzugt, dass die zweiten Stromanschlüsse des Eingangsverstärkers und des Ausgangsverstärkers über einen mit dem Ausgangsverstärker in Reihe liegenden weiteren Verstärker an das Ausgangsnetzwerk angeschlossen sind.

Durch diese Ausgestaltung wird die Spannungsfestigkeit der Anordnung erhöht.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung sieht vor, dass der weitere Verstärker als Basisschaltung oder Gate-Schaltung eines Transistors realisiert ist.

Eine solche Basisschaltung oder Gate-Schaltung eines Transistors am Ausgang des Transitfrequenz-Vervielfachers verringert die durch den Miller-Effekt zu erwartende Erhöhung der Eingangskapazität der Einheitszelle. Da mit dem dritten Transistor außerdem nur ein einzelner Transistor als Ausgang benutzt wird, verringert sich die Ausgangskapazität ebenfalls. Darüber hinaus besitzt diese Struktur eine verbesserte elektrische Isolation zwischen Eingang und Ausgang. Wegen der Basisschaltung des dritten Transistors tritt insgesamt ein niedrigerer Ausgangsleitwert der Gesamtschaltung auf.

Bevorzugt ist auch, dass die Einzeltransistoren als bipolare Transistoren realisiert sind.

Allgemein wird die Transitfrequenz sowohl durch die Laufzeit der Ladungsträger durch Bauelemente als auch durch parasitäre Kapazitäten der Bauelemente begrenzt. Die Erfindung entfaltet ganz allgemein immer dann ihre Vorteile, wenn die Transitfrequenzbegrenzung weniger durch Laufzeiteffekte und mehr durch die parasitären Kapazitäten dominiert wird. Da dies bei Bipolartransistoren in der Regel der Fall ist, führt die Erfindung in Verbindung mit diesen Bauelementen zu einer besonders ausgeprägten Erhöhung der Transitfrequenz. Es versteht sich aber, dass die Erfindung nicht auf eine Realisierung mit Bipolartransistoren beschränkt ist, sondern auch Realisierungen mit anderen Transistortypen erlaubt, von denen ohne Anspruch auf Vollständigkeit MOSFET, JFET (Junction-FET), HFET (Heterostructure-FET), etc. als Beispiele dienen können.

Ferner ist bevorzugt, dass die Einzeltransistoren als bipolare SiGe-Heterojunction-Transistoren realisiert sind.

Ein solcher SiGe-Heterojunction-Transistor zeichnet sich durch eine dünne, p-dotierte SiGe-Schicht als Basisschicht aus. Dadurch kann die aktive Basisschicht sehr dünn gehalten werden, was die Durchtrittszeit von Ladungsträgern verringert und damit die Transitfrequenz erhöht. SiGe-Heterojunction-Transistoren eignen sich also besonders zur Erhöhung der Transitfrequenz in Verbindung mit der Erfindung. Es versteht sich aber, dass die Erfindung auch in Verbindung mit anderen Transistortypen ihre Vorteile entfaltet.

Eine alternative Ausgestaltung sieht daher vor, dass die Einzeltransistoren als Feldeffekttransistoren realisiert sind.

Die Ausgestaltung mit Feldeffekttransistoren stellt ebenfalls eine hohe Verstärkung in Verbindung mit einem niedrigen Ausgangsleitwert und guter Isolation zwischen Eingangsnetzwerk und Ausgangsnetzwerk bereit.

Weitere Vorteile ergeben sich aus der Beschreibung und den beigefügten Figuren.

Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Zeichnungen

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen, jeweils in schematischer Form:
1 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Kettenverstärkers;
2 eine erste Ausgestaltung eines Eingangsverstärkers und/oder Ausgangsverstärkers aus der 1;
3 eine zweite Ausgestaltung eines Eingangsverstärkers und/oder Ausgangsverstärkers aus der 1;
4 eine Ausgestaltung einer Einheitszelle aus der 1; und
5 eine Ausgestaltung eines weiteren Verstärkers der Einheitszelle aus der 4.
Im Einzelnen zeigt die 1 einen Kettenverstärker 10 mit einem Eingangsnetzwerk 12, einem Ausgangsnetzwerk 14 und n = 3 Einheitszellen 16, 18, 20, die zueinander parallel zwischen das Eingangsnetzwerk 12 und das Ausgangsnetzwerk 14 geschaltet sind. Das Eingangsnetzwerk 12 weist eine Reihenschaltung von induktiven Elementen 22, 24, 26, 28 auf, die einen Eingang 30 des Kettenverstärkers 10 über einen Ohm'schen Widerstand 32 mit einem Bezugspotential 34 verbindet. Das Ausgangsnetzwerk 14 weist ebenfalls eine Reihenschaltung induktiver Elemente 36, 38, 40, 42 auf, die dort einen Bezugspotentialanschluss 34 über einen Ohm'schen Widerstand 44 mit einem Ausgang 46 des Kettenverstärkers 10 verbinden.
Jede Einheitszelle 16, 18, 20 ist über je einen Einheitszellen-Eingang 48, 50, 52 an das Eingangsnetzwerk 12 und über je einen Einheitszellen-Ausgang 54, 56, 58 an das Ausgangsnetzwerk 14 angeschlossen. Je zwei aufeinander folgende Einheitszellen-Eingänge 48, 50, 52 sind über je eines der induktiven Elemente 24, 26 miteinander verbunden. Entsprechend sind je zwei aufeinander folgende Einheitszellen-Ausgänge 54, 56, 58 über je eines der induktiven Elemente 38, 40 miteinander verbunden.
Ein Hochfrequenzsignal, das dem Kettenverstärker 10 über den Eingang 30 zugeführt wird, wird durch die Einheitszellen 16, 18, 20 verstärkt und in das Ausgangsnetzwerk 14 eingespeist. Dabei breitet sich das Hochfrequenzsignal wellenförmig über die Anordnung aus, so dass individuelle Phasenverschiebungen zwischen einzelnen Knoten des Kettenverstärkers 10 auftreten. Dabei umfasst der Begriff des Knotens hier den Eingang 30, den Ausgang 46, die Einheitszellen-Eingänge 48, 50, 52 und die Einheitszellenausgänge 54, 56, 58. Durch parasitäre Kapazitäten der Einheitszellen 16, 18, 20 kommt es insbesondere zu einer Phasenverschiebung zwischen jedem Einheitszellen-Eingang 48, 50, 52 und jedem zugehörigen Einheitszellen-Ausgang 54, 56, 58 der Einheitszellen 16, 18, 20.
Die induktiven Elemente 22, 24, 26, 28 des Eingangsnetzwerks 12 und die induktiven Elemente 36, 38, 40, 42 des Ausgangsnetzwerks 14 besitzen ebenfalls eine phasenverschiebende Wirkung, die beim Schaltungsentwurf des Kettenverstärkers 10 so dimensioniert wird, dass sie parasitäre Elemente der Einheitszellen 16, 18, 20 absorbiert. Mit anderen Worten: Die phasenverschiebende Wirkung von parasitären Elementen, also zum Beispiel von Eingangskapazitäten und Ausgangskapazitäten der Einheitszellen 16, 18, 20, wird durch darauf abgestimmte Induktivitäten 22, 24, 26, 28, 36, 38, 40, 42 in den genannten Netzwerken 12, 14 so verändert, dass durch die aktiven Zellen 16, 18, 20 verstärkte Eingangssignale jeweils phasengleich zu einem im Ausgangsnetzwerk fortschreitenden Signal in das Ausgangsnetzwerk eingespeist werden und das Signal dadurch auf seinem Weg vom Eingang 30 zum Ausgang 46 verstärken.
Es versteht sich, dass die gezeigte Anordnung von induktiven Elementen 22, 24, 26, 28 und 36, 38, 40, 42 lediglich Beispielcharakter besitzt. Wesentlich ist immer, dass das Eingangsnetzwerk 12 eine Eingangssignal-Übertragungsleitung und das Ausgangsnetzwerk 14 eine Ausgangssignal-Übertragungsleitung jeweils unter der Randbedingung einer Absorption der parasitären Wechselstromwiderstände der Einheitszellen nachbildet. Daher kann sowohl das Eingangsnetzwerk 12 als auch das Ausgangsnetzwerk 14 im allgemeinen Fall jede Art von Wechselstromwiderständen in jeder beliebigen Anordnung aufweisen, die diese Randbedingung erfüllt.
Es versteht sich ferner, dass in den Figuren lediglich die für eine Wechselstromverstärkung wesentlichen Komponenten dargestellt sind. Versorgungspotentiale sowie Schaltungsteile und Bauelemente für eine Arbeitspunkteinstellung der Verstärker und Transistoren sind aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Die mehreren, Verstärkereigenschaften aufweisenden Einheitszellen 16, 18, 20 sind zueinander parallel zwischen das Eingangsnetzwerk 12 und das Ausgangsnetzwerk 14 geschaltet und verstärken unter den genannten Voraussetzungen ein im Eingangsnetzwerk 12 fortschreitendes Signal und speisen es mit für eine Verstärkung korrekter Phasenbeziehung zu einem im Ausgangsnetzwerk fortschreitenden Signal in das Ausgangsnetzwerk ein. 1 zeigt drei solcher Einheitszellen 16, 18, 20. Es versteht sich aber, dass die Zahl n der Einheitszellen auch von der Zahl 3 abweichen kann, so dass 1 als Darstellung eines Kettenverstärkers 10 mit einer ersten Einheitszelle 16, einer zweiten Einheitszelle 18 und n – 2 weiteren Einheitszellen zu verstehen ist, von denen eine n-te Einheitszelle mit der Ziffer 20 bezeichnet ist.
Dabei zeichnet sich der Kettenverstärker 10 durch Einheitszellen 16, 18, 20 aus, die jeweils einen Frequenz-Vervielfacher mit einem Eingangsverstärker 60 und einem Ausgangsverstärker 62 aufweisen. Ein Steueranschluss 64 des Eingangsverstärkers 60 ist an das Eingangsnetzwerk 12 angeschlossen, während ein Stromanschluss 66 des Eingangsverstärkers 60 an einen Steueranschluss 68 des Ausgangsverstärkers 62 und über eine Diode 70 an einen Stromanschluss 72 des Ausgangsverstärkers 62 sowie das Bezugspotential 34 angeschlossen ist. Stromausgänge 74, 76 des Eingangsverstärkers 60 und des Ausgangsverstärkers 62 sind miteinander und dem Ausgangsnetzwerk 14 verbunden. Der innere Aufbau der anderen Einheitszellen 18, 20 ist mit dem inneren Aufbau der ersten Einheitszelle identisch.
Die 2 und 3 zeigen alternative Ausgestaltungen des Eingangsverstärkers 60 als Einzeltransistoren 78 oder 80. Dabei ist der Einzeltransistor 78 ein Bipolartransistor, zum Beispiel ein bipolarer SiGe-Heterojunction-Transistor. Der Einzeltransistor 80 ist ein Feldeffekttransistor. Der Ausgangsverstärker 62 weist jeweils den gleichen Aufbau auf. Es versteht sich, dass der Eingangsverstärker 60 und/oder der Ausgangsverstärker 62 auch ein Netzwerk von Transistoren und/oder Operationsverstärkern aufweisen kann. Dargestellt sind jeweils Transistoren vom N-Leitfähigkeitstyp. Dies ist mit einem Massepotential als Bezugspotential 34 kompatibel. Es versteht sich aber, dass bei einer Invertierung von Massepotentialen und Versorgungspotentialen auch Transistoren vom P-Leitfähigkeitstyp verwendet werden können.
4 zeigt eine Ausgestaltung einer Einheitszelle 82, die sich von der Einheitszelle 16 der 1 durch einen weiteren Verstärker 84 unterscheidet. Der weitere Verstärker 84 ist in Reihe zwischen das Ausgangsnetzwerk 14 und den Ausgangsverstärker 62 geschaltet, so dass die Stromausgänge 74, 76 des Eingangsverstärkers 60 und des Ausgangsverstärkers 62 an einen Stromanschluss 85 des weiteren Verstärkers 84 angeschlossen sind und ein Stromausgang 87 des weiteren Verstärkers 84 über den Einheitszellen-Ausgang 54 an das Ausgangsnetzwerk 14 angeschlossen ist.
Eine Ausgestaltung des weiteren Verstärkers 84 der Einheitszelle 82 aus der 4 ist in der 5 dargestellt. Danach ist der weitere Verstärker 84 als Einzeltransistor 86 realisiert, dessen Steuereingang durch eine Steuergleichspannungsquelle 88 gespeist wird. 5 zeigt damit einen Bipolartransistor in Basisschaltung als weiterer Verstärker 84. Es versteht sich aber, dass der weitere Verstärker 84 auch durch einen Feldeffekttransistor in Gateschaltung oder durch ein Netzwerk aus Transistoren und/oder Operationsverstärkern aufgebaut sein kann.
So kann der weitere Verstärker 84 zum Beispiel einen Transitfrequenz-Vervielfacher aufweisen, der die gleiche Schaltungstopologie besitzt wie die Restschaltung aus Eingangsverstärker 60, Ausgangsverstärker 62 und einer Diode 70, wobei ein Steueranschluss des Eingangsverstärkers dieses Transitfrequenz-Vervielfachers dann an ein konstantes Bezugspotential anzuschließen ist. Eine solche Ausgestaltung des weiteren Verstärkers 84 als Transitfrequenz-Vervielfacher bewirkt eine weitere Erhöhung der Grenzfrequenz.

Claims

Kettenverstärker (10) mit einem Eingangsnetzwerk (12), das eine Eingangssignal-Übertragungsleitung nachbildet, und einem Ausgangsnetzwerk (14), das eine Ausgangssignal-Übertragungsleitung nachbildet, sowie mit mehreren, Verstärkereigenschaften aufweisenden Einheitszellen (16, 18, 20; 82), die zueinander parallel zwischen das Eingangsnetzwerk (12) und das Ausgangsnetzwerk (14) geschaltet sind, ein im Eingangsnetzwerk (12) fortschreitendes Signal verstärken und mit vorbestimmter Phasenbeziehung zu einem im Ausgangsnetzwerk (14) fortschreitenden Signal in das Ausgangsnetzwerk (14) einspeisen, dadurch gekennzeichnet, dass jede Einheitszelle (16, 18, 20; 82 ) einen Frequenz-Vervielfacher mit einem Eingangsverstärker (60) und einem Ausgangsverstärker (62) aufweist, ein Steueranschluss (64) des Eingangsverstärkers (60) an das Eingangsnetzwerk (12) angeschlossen ist, ein Stromanschluss (66) des Eingangsverstärkers (60) an einen Steueranschluss (68) des Ausgangsverstärkers (62) und über eine Diode (70) an einen Stromanschluss (72) des Ausgangsverstärkers (62) angeschlossen ist, und Stromausgänge (74, 76) des Eingangsverstärkers (60) und des Ausgangsverstärkers (62) miteinander verbunden sind.
Kettenverstärker (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Eingangsverstärker (60) und der Ausgangsverstärker (62) jeweils als Einzeltransistor (78; 80) realisiert ist.
Kettenverstärker (10) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromausgänge (74, 76) des Eingangsverstärkers (60) und des Ausgangsverstärkers (62) über einen mit dem Ausgangsverstärker (62) in Reihe liegenden weiteren Verstärker (84) an das Ausgangsnetzwerk (14) angeschlossen sind.
Kettenverstärker (10) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Verstärker (84) als Basisschaltung oder Gate-Schaltung eines Transistors (86) realisiert ist.
Kettenverstärker (10) nach wenigstens einem Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzeltransistoren (78, 80) als bipolare Transistoren realisiert sind.
Kettenverstärker (10) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzeltransistoren (78, 80) als bipolare SiGe-Heterojunction-Transistoren realisiert sind.
Kettenverstärker (10) nach wenigstens einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzeltransistoren (78, 80) als Feldeffekttransistoren realisiert sind.