DE102004010299A1 - Infrarot-Empfänger-Chip - Google Patents

Infrarot-Empfänger-Chip Download PDF

Info

Publication number
DE102004010299A1
DE102004010299A1 DE102004010299A DE102004010299A DE102004010299A1 DE 102004010299 A1 DE102004010299 A1 DE 102004010299A1 DE 102004010299 A DE102004010299 A DE 102004010299A DE 102004010299 A DE102004010299 A DE 102004010299A DE 102004010299 A1 DE102004010299 A1 DE 102004010299A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
infrared receiver
receiver chip
point
peripheral edge
contact surfaces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004010299A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004010299B4 (de
Inventor
Alexander Dipl.-Ing. Kurz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Atmel Corp
Original Assignee
Atmel Germany GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atmel Germany GmbH filed Critical Atmel Germany GmbH
Priority to DE102004010299A priority Critical patent/DE102004010299B4/de
Priority to TW094105700A priority patent/TWI370554B/zh
Priority to CN200510051818A priority patent/CN100578822C/zh
Priority to US11/070,167 priority patent/US7538437B2/en
Publication of DE102004010299A1 publication Critical patent/DE102004010299A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004010299B4 publication Critical patent/DE102004010299B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/025—Interfacing a pyrometer to an external device or network; User interface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Infrarot-Empfänger-Chip für einen Einbau in einen standardisierten Leadframe eines Infrarot-Empfangsmoduls mit mehreren Kontaktflächen für einen Anschluss von zugeordneten Funktionsstellen des Leadframes über Bonddrähte, wobei mindestens eine Kontaktfläche von dem Umfangsrand des Infrarot-Empfänger-Chips derart beabstandet und alle Kontaktflächen derart zueinander positioniert sind, dass sich die jeweiligen Bonddrähte bei einem Einbau des Infrarot-Empfänger-Chips in irgendeinen standardisierten Leadframe bei direktem Laufweg der Bonddrähte von der jeweils zugeordneten Kontaktfläche zu der entsprechend zugeordneten Funktionsstelle nicht schneiden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Infrarot-Empfänger-Chip für einen Einbau in einen standartisiertem Leadframe eines Infrarot-Empfangsmoduls.
  • Beispielsweise finden die Infrarot-Empfänger der vorgenannten Art Verwendung für Datenverbindungen in trägerfrequenzmodulierten Übertragungsanwendungen. Infrarot-Empfänger sind insbesondere bekannt in elektronischen Unterhaltungsgeräten, wie zum Beispiel Fernseher, DVD-Player, Sat-Receiver, Video-Recorder, CD-Player, oder dergleichen. Dabei sendet beispielsweise eine Fernbedienung IR Lichtsignale in Richtung des Infrarot-Empfangsmoduls, in welchem die empfangenen Lichtsignale in Stromsignale umgewandelt werden.
  • Im allgemeinen existieren unterschiedlich ausgestaltete Infrarot-Empfangsmodule, wobei bisher mindestens zwei unterschiedlich ausgestaltete Infrarot-Empfänger-Chips Verwendung finden, um den Einbauanforderungen der unterschiedlich ausgebildeten Leadframes der einzelnen Infrarot-Empfangsmodule gerecht zu werden. Generell existieren drei standardisierte Leadframe-Ausgestaltungen, welche im Folgenden unter Bezugnahme auf die 5 bis 7 näher erläutert werden.
  • 5 illustriert eine Draufsicht auf einen in einen ersten standardisierten Leadframe 2 eingesetzten Infrarot-Empfänger-Chip 1. Wie in 5 ersichtlich ist, weist der Infrarot-Empfänger-Chip 1 für einen geeigneten Einbau in den ersten standardisierten Leadframe 2 zumindest eine Signaleingabe-Kontaktfläche 5, eine Masse-Kontaktfläche 6, eine Signalausgabe-Kontaktfläche 7 sowie eine Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 auf. Die Signaleingabe-Kontaktfläche 5 dient einem Anschluss einer leadframe-seitigen Signaleingabestelle IN, die Masse-Kontaktfläche 6 dient einem Anschluss einer lead frame-seitigen Massestelle GND, die Signalausgabe-Kontaktfläche 7 dient einem Anschluss einer leadframeseitigen Signalausgabestelle OUT und die Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 dient einem Anschluss einer leadframeseitigen Stromversorgungsstelle VCC. Die einzelnen Anschlüsse bzw. Verbindungen sind mittels Bonddrähte 9 verbunden.
  • Ferner weist der Infrarot-Empfänger-Chip 1 weitere Kontaktflächen 10 für eine Anschweißung des Infrarot-Empfänger-Chips 1 in dem zugeordneten Leadframe 2 auf.
  • Die 6 und 7 illustrieren eine Draufsicht eines Infrarot-Empfänger-Chips 1, welcher in einen zweiten standardisierten Leadframe 3 bzw. in einen dritten standardisierten Leadframe 4 eingesetzt ist. Die Infrarot-Empfänger-Chips 1 weisen wiederum die oben beschriebenen Kontaktflächen 5, 6, 7, 8 und 10 für einen Anschluss der zugeordneten Leadframe-seitigen Signaleingabestelle, Massestelle, Signalausgabestelle sowie Stromversorgungsstelle auf.
  • Dabei unterscheiden sich die drei standardisierten Leadframes 2, 3 und 4 darin, dass die einzelnen Anschlussstellen IN, GND, OUT und VCC an verschiedenen Positionen vorgesehen sind, wie in den 5, 6 und 7 ersichtlich ist.
  • Der zweite standardisierte Leadframe 3 gemäß 6 unterscheidet sich vom ersten standardisierten Leadframe 2 gemäß 5 darin, dass die Stromversorgungsstelle VCC an gegenüberliegender Seite der Signalausgabestelle OUT bezüglich des eingesetzten Infrarot-Empfänger-Chips 1 angeordnet ist, anstatt auf derselben Seite positioniert zu sein.
  • Der dritte standardisierte Leadframe 4 gemäß 7 unterscheidet sich von dem ersten standardisierten Leadframe 2 gemäß 5 darin, dass die Signalausgabestelle OUT bezüglich des eingesetzten Infrarot-Empfänger-Chips 1 gegenüberliegend der Massestelle GND angeordnet ist und zwischen der Signaleingabestelle IN und der Stromversorgungsstelle VCC positioniert ist. Im Vergleich zu dem zweiten standardisierten Leadframe 3 gemäß 6 ist zusätzlich die Stromversorgungsstelle an einer anderen Seitenkante des Chips 1 angeordnet.
  • Ein grundlegendes Problem von Verbindungen derartiger Anschlussstellen mit den auf dem Infrarot-Empfänger-Chip 1 vorgesehenen Kontaktflächen besteht darin, dass die Bonddrähte 9 möglichst direkt von der jeweiligen Anschlussstelle zu der zugeordneten Kontaktfläche verlaufen müssen, um die Länge der Bonddrähte möglichst gering zu halten, damit elektromagnetische Störungseffekte minimiert werden können. Ferner dürfen sich die einzelnen Bonddrähte 9 der einzelnen Verbindungen nicht kreuzen bzw. schneiden, um einen Kurzschluss dieser Leitungen zu verhindern.
  • Um diese Anforderungen bei einem Einbau in die unterschiedlich ausgebildeten standardisierten Leadframes 2, 3, 4 zu erfüllen, existieren augenblicklich mehrere verschieden ausgebildete Infrarot-Empfänger-Chips 1 mit unterschiedlichen geometrischen Anordnungen der einzelnen Kontaktflächen.
  • Für einen Einbau eines Infrarot-Empfänger-Chips 1 in den ersten standardisierten Leadframe 2 gemäß 5 und den zweiten standardisierten Leadframe 3 gemäß 6 kann ein einheitlicher Infrarot-Empfänger-Chip 1 verwendet werden, welcher lediglich durch Drehung eine geeignete Ausrichtung der einzelnen Kontaktflächen bzgl. der zugeordneten Anschlussstellen ermöglicht.
  • Bei einem Einbau eines Infrarot-Empfänger-Chips 1 in den dritten standardisierten Leadframe 4 gemäß 7 allerdings genügt ein derartiger Empfänger-Chip nicht den oben beschriebenen Anforderungen, so dass ein andersartig ausgebildeter Empfänger-Chip 1 notwendig ist, auf dem die einzelnen Kon taktflächen eine andersartige geometrische Anordnung aufweisen, wie in 7 ersichtlich ist.
  • An diesem Ansatz hat sich jedoch die Tatsache als nachteilig herausgestellt, dass eine logistische Handhabe von zwei unterschiedlich ausgebildeten Empfänger-Chips, welche unter Umständen noch unterschiedliche Übertragungsprotokolle aufweisen, sehr aufwendig ist und zu einem erhöhten logistischen Aufwand und somit zu einem gesteigerten Verkaufspreis führen.
    •
  • Somit liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Infrarot-Empfänger-Chip zu schaffen, welcher für einen Einsatz in den drei gemäß den 5, 6 und 7 standardisierten Leadframes 2, 3 und 4 gleichermaßen geeignet ist und die oben beschriebenen Anforderungen erfüllt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Infrarot-Empfänger-Chip mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Demgemäß ist ein Infrarot-Empfänger-Chip für einen Einbau in einen standardisierten Leadframe eines Infrarot-Empfangsmoduls mit mehreren Kontaktflächen für einen Anschluss von zugeordneten Funktionsstellen des Leadframes über Bonddrähte vorgesehen, wobei mindestens eine Kontaktfläche von dem Umfangsrand des Infrarot-Empfänger-Chips derart beabstandet und alle Kontaktflächen derart zueinander positioniert sind, dass sich die jeweiligen Bonddrähte bei einem Einbau des Infrarot-Empfänger-Chips in irgendeinen standardisierten Leadframe bei direktem Laufweg der Bonddrähte von der jeweils zugeordneten Kontaktfläche zu der entsprechend zugeordneten Funktionsstelle nicht schneiden.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, die Kontaktflächen neuartig derart auf dem Infrarot-Empfänger-Chip zu positionieren, dass sich die jeweiligen Bonddrähte bei einem geeigneten Einbau des Infrarot-Empfänger-Chips in irgendeinen standardisierten Leadframe bei direktem Laufweg von der jeweils zugeordneten Kontaktfläche zu der entsprechend zugeordneten Funktionsstelle bzw. Anschlussstelle nicht kreuzen. Dabei sind die einzelnen Kontaktflächen nicht allesamt im Umfangsbereich des Infrarot-Empfänger-Chips angeordnet, sondern zumindest teilweise in Richtung der Oberflächenmitte des Infrarot-Empfänger-Chips verschoben. Mit anderen Worten ist zumindest eine Kontaktfläche derart von dem Umfangsrand des Infrarot-Empfänger-Chip beabstandet und alle Kontaktflächen derart zueinander positioniert, dass sich die jeweiligen Bonddrähte, welche möglichst kurz ausgebildet sind, nicht gegenseitig schneiden.
  • Somit weist die vorliegende Erfindung gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil auf, dass lediglich ein einheitlicher Infrarot-Empfänger-Chip in die drei standardisierten Leadframes derart einsetzbar ist, dass die Anforderungen an möglichst kurze Bonddrähte und ein sich Nicht-Schneiden der einzelnen Bonddrähte erfüllt werden. Somit entfällt das bei unterschiedlich ausgestalteten Infrarot-Empfänger-Chips bestehende Logistikproblem, wodurch Kosten eingespart werden können.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Ausgestaltungen und Verbesserungen des im Anspruch 1 angegebenen Infrarot-Empfänger-Chips.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung sind die Kontaktflächen für einen Anschluss einer Massestelle, einer Ausgabesignalstelle und einer Versorgungsstelle auf einer gemeinsamen Geraden positioniert, welche auf der Oberfläche des Infrarot-Empfänger-Chips einen schrägen Verlauf von einer in etwa mittigen Position einer Seitenkante zu einer in etwa mittigen Position einer weiteren Seitenkante, vorzugsweise einer benachbarten Seitenkante, des Infrarot-Empfänger-Chips aufweist, wobei die Kontaktfläche für einen Anschluss einer Eingabesignalstelle auf einer Geraden mit der Kontaktfläche für einen Anschluss der Massestelle positioniert ist, welche einen zu der der Massestelle oder der Eingabesignalstelle zuge ordneten Seitenkante des Infrarot-Empfänger-Chips parallelen Verlauf aufweist.
  • Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Kontaktflächen allesamt auf einer gemeinsamen Geraden positioniert, welche auf der Oberfläche des Infrarot-Empfänger-Chips einen schrägen Verlauf von einer Seitenkante zu einer weiteren, vorteilhaft einer benachbarten, Seitenkante desselben aufweist.
  • Beispielsweise können die Kontaktflächen auch gemeinsam auf der Diagonalen des Infrarot-Empfänger-Chips oder leicht bzgl. dieser versetzt positioniert sein.
  • Der Infrarot-Empfänger-Chip ist vorzugsweise als Halbleiter-Chip ausgebildet.
    •
  • Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der schematischen Figuren der Zeichnung detaillierter erläutert. Dabei zeigt:
  • 1 eine Draufsicht auf ein Infrarot-Empfangsmodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welcher in einen ersten standardisierten Leadframe eingebaut ist;
  • 3 eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welcher in einen zweiten standardisierten Leadframe eingebaut ist;
  • 4 eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welcher in einen dritten standardisierten Leadframe eingebaut ist;
  • 5 eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip gemäß einem ersten Ansatz nach dem Stand der Technik, welcher in einen ersten standardisierten Leadframe eingebaut ist;
  • 6 eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip gemäß dem ersten Ansatz nach dem Stand der Technik, welcher in einen zweiten standardisierten Leadframe eingebaut ist; und
  • 7 eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip gemäß einem zweiten Ansatz nach dem Stand der Technik, welcher in einen dritten standardisierten Leadframe eingebaut ist.
  • In den Figuren der Zeichnung sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente und Komponenten – sofern nichts anderes angegeben ist – mit denselben Bezugszeichen versehen worden.
  • 1 illustriert eine Draufsicht auf ein Infrarot-Empfangsmodul gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, in welchem ein erfindungsgemäßer Infrarot-Empfänger-Chip 1 integriert ist. Wie in 1 ersichtlich ist, weist das Empfangsmodul nach außen gerichtete Kontaktstifte 11 auf, welche beispielsweise mit den entsprechend zugeordneten Massestellen, Signalempfangsstellen und Stromversorgungsstellen des Endgerätes verbindbar sind.
  • 2 illustriert eine schematische Draufsicht auf einen Infrarot-Empfänger-Chip 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welcher in einen ersten standardisierten Leadframe 2, welcher lediglich teilweise dargestellt ist, eingesetzt ist.
  • Der Infrarot-Empfänger-Chip 1 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist eine Signaleingabe-Kontaktfläche 5, eine Masse-Kontaktfläche 6, eine Signalausgabe-Kontaktfläche 7 sowie eine Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 auf. Wie unter Bezugnahme auf die 5, 6 und 7 gemäß dem Stand der Technik bereits erläutert, sind die einzelnen Kontaktflächen 5, 6, 7 und 8 über Bonddrähte 9, mit zugeordneten Anschlussstellen des Leadframes 2 zu verbinden bzw. verbunden.
  • Beim ersten standardisierten Leadframe 2 ist die Signaleingabestelle IN oberhalb der Chipeinsetzstelle, d.h. der oberen Kante des Infrarot-Empfänger-Chips 1 angeordnet. Die Massestelle GND, die Signalausgabestelle OUT und die Stromversorgungsstelle VCC sind links von der Chipeinsetzstelle, d.h. im Bereich der linken Kante des Infrarot-Empfänger-Chips 1 vorgesehen.
  • Der zweite standardisierte Leadframe, wie in 3 in einer schematischen Draufsicht dargestellt ist, weist im Unterschied dazu die Stromversorgungsstelle VCC rechts von der Chipeinsetzstelle, d.h. im Bereich der rechten Kante des Infrarot-Empfänger-Chips 1 auf.
  • Im Gegensatz dazu wiederum besitzt der dritte standardisierte Leadframe 4, wie in 4 in einer schematischen Draufsicht dargestellt ist, eine Stromversorgungsstelle VCC, welche unterhalb der Chipeinsetzstelle, d.h. im Bereich der unteren Kante des Infrarot-Empfänger-Chips 1 angeordnet ist, sowie eine Signalausgabestelle OUT, welche rechts von der Chipeinsetzstelle, d.h. im Bereich der rechten Kante des Infrarot-Empfänger-Chips 1 positioniert ist.
  • Der erfindungsgemäße Infrarot-Empfänger-Chip gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist eine spezielle Anordnung der einzelnen Kontaktflächen 5, 6, 7 und 8 derart auf, das bei einem Einbau des Infrarot-Empfänger-Chips 1 in irgendeinen der drei standardisierten Leadframes 2, 3 oder 4 eine möglichst kurze Ausgestaltung der Bond-Drähte 9 bewerkstelligt ist, d.h. einen in etwa direkten Verlauf der einzelnen Bond-Drähte von der jeweiligen Kontaktfläche zu den zugeordneten Anschlussstellen, wobei sich die einzelnen Bond-Drähte 9 in keinem der dargestellten Einbauzustände in einem der standardisierten Leadframes 2, 3 oder 4 kreuzen bzw. schneiden.
  • Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Signaleingabe-Kontaktfläche 5 und die Masse-Kontaktfläche 6 benachbart zueinander im Bereich einer ersten Umfangskante 12 positioniert, wobei die Stromversorgungs-Kontaktstelle 8 im Bereich einer dazu benachbarten zweiten Umfangskante 13 angeordnet ist. Die Signalausgabe-Kontaktfläche 7 ist vorzugsweise zwischen der Masse-Kontaktfläche 6 und der Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 derart angeordnet, dass sie von der ersten Umfangskante 12 sowie der zweiten Umfangskante 13 beabstandet ist. Beispielsweise können die Masse-Kontaktfläche 6, die Signalausgabe-Kontaktfläche 7 und die Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 auf einer gemeinsamen Geraden angeordnet sein, welche von der ersten Umfangskante 12 schräg zu der zweiten Umfangskante 13 verläuft, wie in den 2, 3 und 4 ersichtlich ist.
  • Somit schafft die vorliegende Erfindung einen Infrarot-Empfänger-Chip mit einer vorteilhaften Anordnung der einzelnen Kontaktflächen auf dem Chip, mit welcher derselbe Empfänger-Chip in die drei unterschiedlich ausgebildeten standardisierten Leadframes derart einsetzbar ist, dass die Anforderungen an kurze Bond-Drahtverbindungen und ein sich Nicht-Schneiden der einzelnen Bond-Drärte gewährleistet wird.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels vorstehend beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.
  • Beispielsweise können sich die Signaleingabe-Kontaktfläche 5, die Masse-Kontaktfläche 6, die Signalausgabe-Kontaktfläche 7 sowie die Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 auf einer gemeinsamen Geraden befinden, welche von der ersten Umfangskante 12 schräg in Richtung der zweiten Umfangskante 13 verläuft.
  • Ferner ist es möglich, die Kontaktflächen 5, 6, 7 und 8 auf einer geeigneten Diagonale des Infrarot-Empfänger-Chips anzuordnen. Ferner ist für einen Fachmann offensichtlich, dass die einzelnen Kontaktflächen 5, 6, 7 und 8 nicht notwendigerweise auf einer gemeinsamen Geraden angeordnet werden müssen, sondern dass geringfügige Versetzungen relativ zueinander vorteilhaft sein können. Entscheidend ist lediglich, dass die Signalausgabe-Kontaktfläche 7 bezüglich der Stromversorgungs-Kontaktfläche 8 derart verschoben positioniert ist, dass sich die Bond-Drähte bei direktem Verbindungsweg bei einem Einbau des Infrarot-Empfänger-Chips in die drei unterschiedlich ausgebildeten standardisierten Leadframes 2, 3 und 4 nicht kreuzen.
    • 1
    Infrarot-Empfänger-Chip
    2
    erster standardisierter Leadframe
    3
    zweiter standardisierter Leadframe
    4
    dritter standardisierter Leadframe
    5
    Signaleingabe-Kontaktfläche
    6
    Masse-Kontaktfläche
    7
    Signalausgabe-Kontaktfläche
    8
    Stromversorgungs-Kontaktfläche
    9
    Leiterbahn
    10
    Schweißkontaktflächen
    11
    Kontaktstifte
    12
    erste Umfangskante
    13
    zweite Umfangskante
    IN
    Signaleingabestelle
    GND
    Massestelle
    OUT
    Signalausgabestelle
    VCC
    Stromversorgungsstelle

Claims (6)

  1. Infrarot-Empfänger-Chip (1) für einen Einbau in einen standardisierten Leadframe (2, 3, 4) eines Infrarot-Empfangsmoduls mit mehreren Kontaktflächen (5, 6, 7, 8) für einen Anschluss von zugeordneten Funktionsstellen (IN, GND, OUT, VCC) des Leadframes (2, 3, 4) über Bonddrähte (9), wobei mindestens eine Kontaktfläche (7) von dem Umfangsrand des Infrarot-Empfänger-Chips (1) derart beabstandet und alle Kontaktflächen (5, 6, 7, 8) derart zueinander positioniert sind, dass sich die jeweiligen Bonddrähte (9) bei einem Einbau des Infrarot-Empfänger-Chips (1) in irgendeinen standardisierten Leadframe (2, 3, 4) bei direktem Laufweg der Bonddrähte (9) von der jeweils zugeordneten Kontaktfläche (5, 6, 7, 8) zu der entsprechend zugeordneten Funktionsstelle (IN, GND, OUT, VCC) nicht schneiden.
  2. Infrarot-Empfänger-Chip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Infrarot-Empfänger-Chip (1) zumindest Kontaktflächen (5, 6, 7, 8) für einen Anschluss einer Eingabesignalstelle (IN), einer Massestelle (GND), einer Signalausgabestelle (OUT) und/oder einer Stromversorgungsstelle (VCC) vorgesehen sind.
  3. Infrarot-Empfänger-Chip nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktflächen (6, 7, 8) für einen Anschluss einer Massestelle (GND), einer Signalausgabestelle (OUT) und einer Stromversorgungsstelle (VCC) auf einer gemeinsamen Geraden positioniert sind, welche einen schrägen Verlauf von einer ersten Umfangskante (12) zu einer zweiten Umfangskante (13) des Infrarot-Empfänger-Chips (1) aufweist, wobei die Kontaktfläche (5) für einen Anschluss einer Signaleingabestelle (IN) auf einer Geraden mit der Kontaktfläche (6) für einen Anschluss der Massestelle (GND) positioniert ist, welche einen in etwa parallelen Verlauf zu der der Massestelle oder der Eingabestelle zugeordneten ersten Umfangskante (12) des Infrarot-Empfänger-Chips (1) aufweist.
  4. Infrarot-Empfänger-Chip nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktflächen (5, 6, 7, 8) auf einer gemeinsamen Geraden positioniert sind, welche einen schrägen Verlauf von einer ersten Umfangskante (12) zu einer zweiten Umfangskante (13) des Infrarot-Empfänger-Chips (1) aufweist, wobei die zweite Umfangskante (13) vorzugsweise benachbart zur ersten Umfangskante (12) angeordnet ist.
  5. Infrarot-Empfänger-Chip nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens drei Kontaktflächen (5, 6, 7, 8) gemeinsam auf einer Diagonalen des Infrarot-Empfänger-Chips (1) oder leicht gegenüber der Diagonalen versetzt positioniert sind.
  6. Infrarot-Empfänger-Chip nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Infrarot-Empfänger-Chip (1) als Halbleiter-Chip ausgebildet ist.
DE102004010299A 2004-03-03 2004-03-03 Infrarot-Empfänger-Chip Expired - Lifetime DE102004010299B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004010299A DE102004010299B4 (de) 2004-03-03 2004-03-03 Infrarot-Empfänger-Chip
TW094105700A TWI370554B (en) 2004-03-03 2005-02-25 Infrared receiver chip
CN200510051818A CN100578822C (zh) 2004-03-03 2005-03-02 红外接收器芯片
US11/070,167 US7538437B2 (en) 2004-03-03 2005-03-03 Infrared receiver chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004010299A DE102004010299B4 (de) 2004-03-03 2004-03-03 Infrarot-Empfänger-Chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004010299A1 true DE102004010299A1 (de) 2005-10-13
DE102004010299B4 DE102004010299B4 (de) 2008-03-06

Family

ID=34894927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004010299A Expired - Lifetime DE102004010299B4 (de) 2004-03-03 2004-03-03 Infrarot-Empfänger-Chip

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7538437B2 (de)
CN (1) CN100578822C (de)
DE (1) DE102004010299B4 (de)
TW (1) TWI370554B (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI357647B (en) * 2007-02-01 2012-02-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor substrate structure
TWI325622B (en) * 2007-02-06 2010-06-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package substrate
US8680656B1 (en) * 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
CN102437203A (zh) * 2011-12-07 2012-05-02 吴江市恒得利电子有限公司 一种光敏电阻的新型连接结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265449A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JPH01196138A (ja) * 1988-01-29 1989-08-07 Nec Corp マスタスライス集積回路
DE19652395A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-18 Samsung Electronics Co Ltd Integrierte Schaltkreisanordnung
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
US6686580B1 (en) * 2001-07-16 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Image sensor package with reflector

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664620B2 (en) * 1999-06-29 2003-12-16 Intel Corporation Integrated circuit die and/or package having a variable pitch contact array for maximization of number of signal lines per routing layer

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265449A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JPH01196138A (ja) * 1988-01-29 1989-08-07 Nec Corp マスタスライス集積回路
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
DE19652395A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-18 Samsung Electronics Co Ltd Integrierte Schaltkreisanordnung
US6686580B1 (en) * 2001-07-16 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Image sensor package with reflector

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WALACH,A.Z.:Diagonally Shaped Chip Pad Arrangement. In:IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol.26,No.1, June 1983,S.204-205 *

Also Published As

Publication number Publication date
TWI370554B (en) 2012-08-11
US20050194538A1 (en) 2005-09-08
DE102004010299B4 (de) 2008-03-06
US7538437B2 (en) 2009-05-26
CN100578822C (zh) 2010-01-06
TW200531302A (en) 2005-09-16
CN1665036A (zh) 2005-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60026905T2 (de) Chipträger
DE60208579T2 (de) Mehrchip-verbindungssystem
DE10126310B4 (de) Leiterplattenvorrichtung, deren Verwendung und Halbleiterspeichervorrichtung
WO2005091366A2 (de) Halbleitermodul mit einem kopplungssubstrat und verfahren zur herstellung desselben
DE102015225119A1 (de) Anzeigebedienfeld und Verfahren zum Bilden eines Arraysubstrats eines Anzeigebedienfelds
DE102005055761A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit Halbleiterchipstapel in Brückenschaltung und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007034342A1 (de) Halbleitervorrichtung mit Leistungshalbleiter
DE102005060081B4 (de) Elektronisches Bauteil mit zumindest einer Leiterplatte und mit einer Mehrzahl gleichartiger Halbleiterbausteine und Verfahren
DE19519796C2 (de) Halbleiterschaltung mit einem Überspannungsschutzkreis
DE10339770B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer FBGA-Anordnung
DE202010008460U1 (de) Modulierte LED-Anzeigetafelanordnung und deren System
DE10145752B4 (de) Nicht-leitendes, ein Band oder einen Nutzen bildendes Substrat, auf dem eine Vielzahl von Trägerelementen ausgebildet ist
DE19735170A1 (de) Chipmodul, insbesondere für kontaktbehaftete Chipkarten, mit nebeneinander angeordneten Chips
DE10153666B4 (de) Kontaktanordnung mit hoher Dichte und Verfahren zum Anordnen von Kontakten
EP1368833B1 (de) Integrierte schaltung mit elektrischen verbindungselementen
DE102006003377B3 (de) Halbleiterbaustein mit einem integrierten Halbleiterchip und einem Chipgehäuse und elektronisches Bauteil
DE69231117T2 (de) Flüssigkristallanzeige-Anordnung
DE102004010299A1 (de) Infrarot-Empfänger-Chip
DE112016000586T5 (de) Schaltungsanordnung
DE19821916C2 (de) Halbleitereinrichtung mit einem BGA-Substrat
DE102004064118B4 (de) Infrarot-Empfänger-Chip
EP0969288B1 (de) Prüfanordnung für Bondpad
DE102004041961B3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit integrierter Kapazität zwischen Kontaktanscluss und Substrat und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102005001590B4 (de) BOC-Package
DE102005014176B4 (de) Verfahren zum Erstellen einer Schutzanordnung zum Schutz eines Elektronikbausteins vor elektrostatischen Entladungen und entsprechend ausgebildeter Elektronikbaustein

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8369 Partition in:

Ref document number: 102004064118

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

Q171 Divided out to:

Ref document number: 102004064118

Country of ref document: DE

Kind code of ref document: P

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: ATMEL AUTOMOTIVE GMBH, 74072 HEILBRONN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: ATMEL CORP., SAN JOSE, US

Free format text: FORMER OWNER: ATMEL AUTOMOTIVE GMBH, 74072 HEILBRONN, DE

Effective date: 20130529

Owner name: ATMEL CORP., US

Free format text: FORMER OWNER: ATMEL AUTOMOTIVE GMBH, 74072 HEILBRONN, DE

Effective date: 20130529

R082 Change of representative

Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE

Effective date: 20130529

Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE

Effective date: 20130529

R071 Expiry of right