DE102004005694B3 - Grabenkondensator mit Isolationskragen und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft einen Grabenkondensator, insbesondere zur Verwendung in einer Halbleiter-Speicherzelle, mit einem Graben (2), der in einem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist; einer im und/oder neben dem Graben (2) befindlichen ersten leitenden Kondensatorplatte (60); einer im Graben (2) befindlichen zweiten leitenden Kondensatorplatte (80); einer zwischen der ersten und zweiten Kondensatorplatte (60, 80) befindlichen dielektrischen Schicht (70) als Kondensatordielektrikum und einem Isolationskragen (5'') im oberen Bereich des Grabens (2). Mindestens eine Schicht der ersten leitenden Kondensatorplatte (60) und/oder der zweiten leitenden Kondensatorplatte (80) besteht aus einem Material aus der Klasse der Metall-Boride, Metall-Phospide und Metall-Antimonide der Übergangsmetalle aus den Nebengruppen IV, V bzw. VI des Periodensystems.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Grabenkondensator mit Isolationskragen und ein entsprechendes Herstellungsverfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. 9, wie aus der DE 199 44 012 A1 bekannt.
  • Die US 2002/0079531 A1 lehrt die Verwendung von Titan-Borid, Zirkon-Borid oder Hafnium-Borid als Elektroden und/oder Diffusionsbarrieren bei Speicherkondensatoren.
  • Aus der DE 197 43 268 A1 ist die Verwendung von Übergangsmetall-Phosphiden als alternative Barriereschichten zum Einsatz bei Kondensatordielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante bekannt.
  • R. Leutenecker, B. Fröschle, P. Ramm: Titanium monophosphide (TiP) layers as potential diffusion barriers, in: Microelectronic Engineering Vol. 37/38, 1997, Seiten 397 bis 402, lehrt die Umwandlung einer Schicht eines Films aus TiN in eine Schicht aus TiP durch Annealen des Films aus TiN in phosphorhaltiger Atmosphäre.
  • Obwohl auf beliebige Grabenkondensatoren anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik nachstehend in bezug auf einen in einer DRAM-Speicherzelle verwendeten Grabenkondensator erläutert. Solche Speicherzellen werden in integrierten Schaltungen (ICs), wie beispielsweise Speichern mit wahlfreiem Zugriff (RAMs), dynamischen RAMs (DRAMs), synchronen DRAMs (SDRAMs), statischen RAMs (SRAMs) und Nur-Lese-Speichern (ROMs) verwendet. Andere integrierte Schaltungen enthalten Logikvorrichtungen, wie z.B. programmierbare Logikarrays (PLAs), anwenderspezifische ICs (ASICs), Mischlogik/Speicher-ICs (eingebettete DRAMs) oder sonstige Schaltungsvorrichtungen. Üblicherweise wird eine Vielzahl von ICs auf einem Halbleitersubstrat, wie z.B. einem Siliziumwafer, parallel hergestellt. Nach der Verarbeitung wird der Wafer zerteilt, um die ICs in eine Vielzahl individueller Chips zu separieren. Die Chips werden dann in Endprodukte verpackt, beispielsweise zur Verwendung in Verbraucherprodukten, wie z.B. Computersystemen, zellulären Telefonen, persönlichen digitalen Assistenten (PDAs) und weiteren Produkten. Zu Diskussionszwecken wird die Erfindung hinsichtlich der Bildung einer einzelnen Speicherzelle beschrieben.
  • Integrierte Schaltungen (ICs) oder Chips verwenden Kondensatoren zum Zwecke der Ladungsspeicherung. Ein Beispiel eines IC, welcher Kondensatoren zum Speichern von Ladungen verwendet, ist ein Speicher-IC, wie z.B. ein Chip für einen dynamischen Schreib-/Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM). Der Ladungszustand ("0" oder "1") in dem Kondensator repräsentiert dabei ein Datenbit.
  • Ein DRAM-Chip enthält eine Matrix von Speicherzellen, welche in Form von Zeilen und Spalten verschaltet sind. Üblicherweise werden die Zeilenverbindungen als Wortleitungen und die Spaltenverbindungen als Bitleitungen bezeichnet. Das Auslesen von Daten von den Speicherzellen oder das Schreiben von Daten in die Speicherzellen wird durch die Aktivierung geeigneter Wortleitungen und Bitleitungen bewerkstelligt.
  • Üblicherweise enthält eine DRAM-Speicherzelle einen mit einem Kondensator verbundenen Transistor. Der Transistor enthält zwei Diffusionsbereiche, welche durch einen Kanal getrennt sind, oberhalb dessen ein Gate angeordnet ist. Abhängig von der Richtung des Stromflusses bezeichnet man den einen Diffusionsbereich als Drain und den anderen als Source. Die Bezeichnungen "Drain" und "Source" werden hier hinsichtlich der Diffusionsbereiche gegenseitig austauschbar verwendet. Die Gates sind mit einer Wortleitung verbunden, und einer der Diffusionsbereiche ist mit einer Bitleitung verbunden. Der andere Diffusionsbereich ist mit dem Kondensator verbunden. Das Anlegen einer geeigneten Spannung an das Gate schaltet den Transistor ein, ermöglicht einen Stromfluß zwischen den Diffusionsbereichen durch den Kanal, um so eine Verbindung zwischen dem Kondensator und der Bitleitung zu bilden. Das Ausschalten des Transistors trennt diese Verbindung, indem der Stromfluß durch den Kanal unterbrochen wird.
  • Die in dem Kondensator gespeicherte Ladung baut sich mit der Zeit aufgrund eines inhärenten Leckstroms ab. Bevor sich die Ladung auf einen unbestimmten Pegel (unterhalb eines Schwellwerts) abgebaut hat, muß der Speicherkondensator aufgefrischt werden.
  • Das fortlaufende Bestreben nach Verkleinerung der Speichervorrichtungen fördert den Entwurf von DRAMs mit größerer Dichte und kleinerer charakteristischer Größe, d.h. kleinerer Speicherzellenfläche. Zur Herstellung von Speicherzellen, welche eine geringeren Oberflächenbereich besetzen, werden kleinere Komponenten, beispielsweise Kondensatoren, verwendet. Jedoch resultiert die Verwendung kleinerer Kondensatoren in einer erniedrigten Speicherkapazität, was wiederum die Funktionstüchtigkeit und Verwendbarkeit der Speichervorrichtung widrig beeinflussen kann. Beispielsweise erfordern Leseverstärker einen ausreichenden Signalpegel zum zuverlässigen Auslesen der Information in den Speicherzellen. Das Verhältnis der Speicherkapazität zur Bitleitungskapazität ist entscheidend bei der Bestimmung des Signalpegels. Falls die Speicherkapazität zu gering wird, kann dieses Verhältnis zu klein zur Erzeugung eines hinreichenden Signals sein. Ebenfalls erfordert eine geringere Speicherkapazität eine höhere Auffrischfrequenz.
  • Ein Kondensatortyp, welcher üblicherweise in DRAMs verwendet wird, ist ein Grabenkondensator. Ein Grabenkondensator hat eine dreidimensionale Struktur, welche in dem Siliziumsubstrat ausgebildet ist. Eine Erhöhung des Volumens bzw. der Kapazität des Grabenkondensators kann durch tieferes Ätzen in das Substrat erreicht werden. In diesem Fall bewirkt die Steigerung der Kapazität des Grabenkondensators keine Vergrößerung der von der Speicherzelle belegten Oberfläche.
  • Ein üblicher Grabenkondensator enthält einen in das Substrat geätzten Graben. Dieser Graben wird typischerweise mit p+- oder n+-dotiertem Polysilizium gefüllt, welches als eine Kon densatorelektrode dient (auch als Speicherkondensator bezeichnet). Die zweite Kondensatorelektrode ist das Substrat oder eine "vergrabene Platte". Ein Kondensatordielektrikum, welches z.B. Nitrid enthält, wird üblicherweise zur Isolation der zwei Kondensatorelektroden verwendet.
  • In dem oberen Bereich des Grabens wird ein dielektrischer Kragen (vorzugsweise ein Oxidbereich) erzeugt, um einen Leckstrom zu verhindern bzw. den oberen Teil des Kondensators zu isolieren.
  • Das Kondensatordielektrikum wird in dem oberen Bereich des Grabens, wo der Kragen zu bilden ist, üblicherweise vor dessen Bildung entfernt, da dieser obere Teil des Kondensatordielektrikums für nachfolgende Prozeßschritte hinderlich ist.
  • Um die Speicherdichte für zukünftige Speichertechnologie-Generationen weiter zu erhöhen, wird die Strukturgröße von Generation zu Generation verkleinert.
  • Mit immer kleineren Strukturen steigt der Zuleitungswiderstand der oberen Grabenkondensator-Elektrode immer stärker an. Als Folge des steigenden Zuleitungswiderstandes erhöht sich die Zugriffszeit (RC-Verzögerung). Aus diesem Grund ist es notwendig, den Elektroden-Widerstand zu verringern.
  • Bisher wurde zum einen versucht, die Dotierungskonzentration des üblicherweise verwendeten Polysiliziums zu erhöhen. Zum anderen wurde vorgeschlagen, das dotierte Polysilizium durch Metalle mit geringerem spezifischen Widerstand zu ersetzen. Eine entscheidende Voraussetzung für die Eignung derartiger Metalle ist eine sehr hohe thermische Stabilität, insbesondere in Kontakt mit Silizium. Bisher vorgeschlagene Metalle entstammen folgenden Materialklassen:
    • a) elementare Metalle, wie z.B. Wolfram, Ruthenium, ...
    • b) Metall-Nitride, wie z.B. TiN, TaN, ...
    • c) Metall-Silizide, wie z.B. WSi, TiSi, ...
    • d) Metall-Karbide, wie z.B. WC, TaC, ...
    • e) ternäre Metalle, wie z.B. TiSiN, TiAln, ...
    • f) leitende Metalloxide, wie z.B. RuO2, IrO2, ...
  • Elementare Metalle besitzen zwar einen sehr geringen elektrischen Widerstand, beispielsweise ist der spezifische Widerstand von Ruthenium < 20 μOhm cm, sie besitzen aber nicht die geforderte thermische Stabilität. Andere Materialien, wie z.B. unter Punkt b) bis f) genannt, zeigen eine sehr gute thermische Stabilität, zeigen allerdings deutlich höhere elektrische Widerstandswerte (z.B. TiN: ca. 200 μOhm cm).
    •
  • Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen verbesserten Grabenkondensator mit einem Isolationskragen zu schaffen, welcher einen erniedrigten Elektrodenwiderstand aufweist und trotzdem thermische Stabilität aufweist.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch den in Anspruch 1 angegebenen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen gelöst. Weiterhin wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 9 angegebene Verfahren gelöst.
  • Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
  • Die erfindungsgemäße Vorgehensweise gemäß Anspruch 1 bzw. 9 weist gegenüber den bekannten Lösungsansätzen den Vorteil auf, dass der Elektrodenwiderstand reduzierbar ist, ohne die Fertigungskomplexität zu erhöhen. Durch die Verwendung von niederohmigen Metallelektroden ist die parasitäre Kapazität der Raumladungszone eliminierbar.
  • Als spezielle Metallelektrodenmaterialien werden Materialien aus der Klasse der Metall-Antimonide vorgeschlagen. Speziell werden die Antimonide der Übergangsmetalle aus den Neben gruppen IV, V und VI des Periodensystems vorgeschlagen (insbesondere Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Niob, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram).
  • Diese zeichnen sich nicht nur durch mechanische Härte und chemische Widerstandsfähigkeit, sondern auch durch hohe thermische Stabilität (Schmelzpunkte zum Teil größer 2500°C), auch in Kontakt mit Silizium sowie exzellente metallische Leitfähigkeit (spezifischer Widerstand < 20 μOhm cm) aus.
  • Die speziellen Metallelektrodenmaterialien können unter anderem mit CVD-Verfahren ohne Probleme in Strukturen mit sehr hohen Aspektverhältnissen mit sehr guter Kantenbedeckung abgeschieden werden. Insbesondere können diese Elektrodenmaterialien deshalb sehr gut mit Verfahren zur Oberflächenvergrößerung, zum Beispiel Wet Bottle, Aufrauhung der Oberfläche im Graben etc., kombiniert werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist das Material aus folgender Gruppe ausgewählt: TiSb2, ZrSb2, HfSb2.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die erste leitende Kondensatorplatte eine Schicht erhöhter Dotierung im Halbleitersubstrat im unteren Bereich des Grabens auf, wobei die zweite leitende Kondensatorplatte eine Füllung des Grabens aus dem Material aufweist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die zweite leitende Kondensatorplatte einen auf der dielektrischen Schicht im Grabeninnern vorgesehenen ersten Film aus dem Material auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die erste leitende Kondensatorplatte einen zwischen der dielektrischen Schicht und dem Halbleitersubstrat vorgesehenen zweiten Film aus dem Material auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die zweite leitende Kondensatorplatte einen auf der dielektrischen Schicht im Grabeninnern vorgesehenen dritten Film aus dem Material auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die dielektrische Schicht und der zweite und dritte Film in den Bereich des Isolationskragens geführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Graben einen unteren aufgeweiteten Bereich auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Schicht durch Vorsehen einer Füllung im Graben aus dem Material und anschliessendes Rückätzen der Füllung hergestellt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Schicht durch Abscheiden eines Films im Graben aus dem Material und anschliessendes Rückätzen des Films hergestellt.
    •
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • In den Figuren zeigen:
  • 1a–m die zum Verständnis der Erfindung wesentlichen Verfahrensschritte zur Herstellung eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Grabenkondensators; und
  • 2a–g die zum Verständnis der Erfindung wesentlichen Verfahrensschritte zur Herstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Grabenkondensators.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
  • 1a–m zeigen die zum Verständnis der Erfindung wesentlichen Verfahrensschritte zur Herstellung eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Grabenkondensators.
  • Bei der vorliegenden ersten Ausführungsform werden zunächst auf einem Siliziumsubstrat 1 eine Padoxidsschicht 5 und eine Padnitridschicht 10 abgeschieden, wie in 1a gezeigt. Dann wird eine weitere (nicht dargestellte) Oxidschicht abgeschieden und diese Schichten werden dann mittels einer ebenfalls nicht gezeigten Photolackmaske und einem entsprechenden Ätzverfahren zu einer sogenannten Hartmaske strukturiert. Unter Verwendung dieser Hartmaske werden Gräben 2 mit einer typischen Tiefe von circa 1–10 μm in das Siliziumsubstrat 1 geätzt. Danach wird die oberste Oxidschicht entfernt, um zum in 1a dargestellten Zustand zu gelangen.
  • In einem folgenden Prozessschritt wird, wie in 1b gezeigt, Arsensilikatglas (ASG) 20 auf der resultierenden Struktur abgeschieden, so dass das ASG 20 insbesondere die Gräben 2 vollständig auskleidet.
  • Wie in 1c dargestellt, erfolgt nach der Abscheidung der ASG-Schicht 20 ein Auffüllen der resultierenden Struktur mit undotiertem polykristallinem Silizium 90, welches danach zur Erreichung des in 2d gezeigten Zustandes im oberen Bereich des Grabens durch isotropes trockenchemisches Ätzen entfernt wird.
  • In einem weiteren Prozessschritt wird das ASG 20 im oberen freigelegten Grabenbereich durch einen nasschemischen isotropen Ätzschritt entfernt, wie in 1e gezeigt. Es folgt die ganzflächige Abscheidung des Kragenoxids 5'', wie in 1f gezeigt.
  • Im nächsten Prozessschritt gemäß 1g wird Arsen aus dem ASG 20 in den umliegenden Bereich des Siliziumsubstrats 1 ausdiffundiert, um die Buried Plate 60 zu bilden.
  • Es folgt ein anisotropes Ätzen des Kragenoxids 5'', um dies von der Oberfläche der resultierenden Struktur zu entfernen, so dass es nur noch an den Seitenwänden im oberen Bereich der Gräben 2 zurückbleibt. Danach wird das Polysilizium 90 durch isotropes Ätzen entfernt, und in einem weiteren Schritt das ASG 20 ebenfalls durch einen isotropen nasschemischen Ätzprozess entfernt. Dies führt zum in 1h gezeigten Zustand.
  • In einem weiteren Prozessschritt erfolgt nunmehr die Bildung eines aufgeweiteten unteren Grabenbereichs 3 durch einen im Stand der Technik bekannten Ätzprozess, bzw. Wet Bottle Ätzprozess, was zu der in 1i gezeigten Struktur führt.
  • Im nächsten Prozessschritt gemäß 1j erfolgt die Abscheidung des Dielektrikums 70 mit hoher Dielektrizitätskonstanten mittels eines ALD- bzw. ALCVD-Verfahrens bzw. CVD-Verfahrens. Als Materialien für das Dielektrikum 70 mit hoher Dielektrizitätskonstante kommen beispielsweise in Betracht: Al2O3, Ta2O5, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, TiO2; Al-Ta-O, Al-Zr-O, Al-Hf-O, Al-La-O, Al-Ti-O, Zr-Y-O, Zr-Si-O, Hf-Si-O, Si-O-N, Ta-O-N und ähnliche Materialien. Auch können Seltenerdoxide, Seltenerdmischoxide mit zwei oder mehr Seltenerdmetallen, Metall-Silizium-Oxinitride oder Metall-Aluminium-Oxinitride als Dielektrikum 70 verwendet werden.
  • Diese Abscheidung kann aufgrund des ALD- bzw. ALCVD- bzw. CVD-Verfahrens mit sehr guter Gleichmäßigkeit und Konformalität durchgeführt werden.
  • Wie aus 1j ersichtlich, ist aufgrund des verwendeten Abscheideverfahrens die Abdeckung der Struktur mit dem Dielektrikum 70 mit hoher Dielektrizitätskonstanten sehr gleichmäßig, was dafür sorgt, dass keine ungewollten Leckströme an kritischen Stellen, wie zum Beispiel Kanten oder stärkeren Krümmungen auftreten.
  • Im nächsten Prozessschritt erfolgt eine CVD-Abscheidung von einer Füllung 80 aus einem speziellen Metallelektrodenmaterial, was zur in 1k gezeigten Struktur führt.
  • Als Metallelektrodenmaterial für die Füllung 80 wird bei dieser Ausführungsform generell ein Material aus der Klasse der Metall-Antimonide verwendet. Speziell werden die Antimonide der Übergangsmetalle aus den Nebengruppen IV, V und VI des Periodensystems vorgeschlagen (insbesondere Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Niob, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram).
  • Diese zeichnen sich nicht nur durch mechanische Härte und chemische Widerstandsfähigkeit, sondern auch durch hohe thermische Stabilität (Schmelzpunkte zum Teil größer 2500°C), auch in Kontakt mit Silizium sowie exzellente metallische Leitfähigkeit (spezifischer Widerstand < 20 μΩcm) aus.
  • Durch ein Zurückätzen der Metallelektrodenfüllung 80 mit H2O2 wird die in 11 dargestellte Struktur erhalten.
  • Schließlich erfolgt ein nasschemisches isotropes Ätzen des Dielektrikums 70 mit hoher Dielektrizitätskonstante und des Kragenoxids 5'' im oberen Bereich der Gräben 2, um die in 1m dargestellte Struktur zu erhalten.
  • 2a–g zeigen die zum Verständnis der Erfindung wesentlichen Verfahrensschritte zur Herstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Grabenkondensators.
  • Der in 2a gezeigte Zustand entspricht dem Zustand gemäß 1i, dessen Vorgeschichte bereits ausführlich in Zusammenhang mit der obigen ersten Ausführungsform erläutert wurde.
  • Zum Erreichen des in 2b gezeigten Zustands wird auf der resultierenden Struktur ein Film 100'' aus einem speziellen Metallelektrodenmaterial, wie oben im ersten Ausführungsbeispiel angegeben, mittels eines CVD-Verfahrens abgeschieden.
  • Es folgt ein Auffüllen der Struktur mit Photolack 30 und ein Zurückätzen des Photolacks 30, um zu der in 2c gezeigten Struktur zu gelangen. Danach erfolgt ein Zurückätzen der Metallelektrodenschicht 100'' im freigelegten Bereich und danach ein Entfernen des Photolacks 30. Dies ist in 2d dargestellt.
  • Anschließend werden gemäss 2e das spezielle Dielektrikum 70 mit hoher Dielektrizitätskonstante sowie ein weiterer Film 100''' aus einem speziellen Metallelektrodenmaterial, wie oben im ersten Ausführungsbeispiel angegeben, mittels eines CVD-Verfahrens auf der resultierenden Struktur abgeschieden.
  • Es folgt ein Abscheiden und Zurückätzen von Arsen-dotiertem Polysilizium 80 oder Polysilizium-Germanium. Dies führt zu der in 2f gezeigten Struktur.
  • Schließlich werden die beiden Metallelektrodenschichten 100'' und 100''', die Dielektrikumschicht 70 und das Kragenoxid 5'' im oberen Bereich zurückgeätzt, um die in 2g gezeigte Struktur zu erhalten.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
  • Insbesondere sind die angeführten Materialien nur beispielhaft und durch andere Materialien mit geeigneten Eigenschaften ersetzbar. Dasgleiche gilt für die genannten Ätzprozesse und Abscheidungsprozesse.
  • Weitere Beispiele für das Metallelektrodenmaterial sind insbesondere TiSb2, ZrSb2, HfSb2.
    • 1
    Siliziumsubstrat
    2
    Graben
    3
    aufgeweiteter Bereich
    5
    Padoxid
    5''
    Kragenoxid
    10
    Padnitrid
    20
    ASG
    30
    Photolack
    60
    Buried Plate
    70
    Dielektrikum
    80
    dotiertes Polysilizium
    90
    undotiertes Polysilizium
    100'', 100'''
    Metallelektrodenschicht

Claims (11)

  1. Grabenkondensator mit: einem Graben (2), der in einem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist; einer im und/oder neben dem Graben (2) befindlichen ersten leitenden Kondensatorplatte (60; 60, 100''); einer im Graben (2) befindlichen zweiten leitenden Kondensatorplatte (80; 80, 100'''); einer zwischen der ersten und zweiten Kondensatorplatte (60, 80; 100'', 100''') befindlichen dielektrischen Schicht (70) als Kondensatordielektrikum; und einem Isolationskragen (5'') im oberen Bereich des Grabens (2); dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Schicht der ersten ersten leitenden Kondensatorplatte (60; 60, 100'') und/oder der zweiten leitenden Kondensatorplatte (80; 80, 100''') aus einem Material aus der Klasse der Metall-Antimonide der Übergangsmetalle aus den Nebengruppen IV, V oder VI des Periodensystems besteht.
  2. Grabenkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Material aus folgender Gruppe ausgewählt ist: TiSb2, ZrSb2, HfSb2.
  3. Grabenkondensator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitende Kondensatorplatte (60; 60, 100'') eine Schicht (60) erhöhter Dotierung im Halbleitersubstrat (1) im unteren Bereich des Grabens (2) aufweist und die zweite leitende Kondensatorplatte (80; 80, 100''') eine Füllung (80) des Grabens (2) aus dem Material aufweist.
  4. Grabenkondensator nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite leitende Kondensatorplatte (80; 80, 100''') einen auf der dielektrischen Schicht (70) im Grabeninnern vorgesehenen ersten Film (100) aus dem Material aufweist.
  5. Grabenkondensator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitende Kondensatorplatte (60; 60, 100'') einen zwischen der dielektrischen Schicht (70) und dem Halbleitersubstrat (1) vorgesehenen zweiten Film (100'') aus dem Material aufweist.
  6. Grabenkondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite leitende Kondensatorplatte (80; 80, 100''') einen auf der dielektrischen Schicht (70) im Grabeninnern vorgesehenen dritten Film (100''') aus dem Material aufweist.
  7. Grabenkondensator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Schicht (70) und der zweite und dritte Film (100''; 100''') in den Bereich des Isolationskragens (5'') geführt sind.
  8. Grabenkondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Graben (2) einen unteren auf geweiteten Bereich (3) aufweist.
  9. Verfahren zur Herstellung eine Grabenkondensators mit den Schritten: Vorsehen eines Grabens (2) in einem Halbleitersubstrat (1); Vorsehen einer im und/oder neben dem Graben (2) befindlichen ersten leitenden Kondensatorplatte (60; 60, 100''); Vorsehen einer im Graben (2) befindlichen zweiten leitenden Kondensatorplatte (80; 80, 100'''); Vorsehen einer zwischen der ersten und zweiten Kondensatorplatte (60, 80; 100'', 100''') befindlichen dielektrischen Schicht (70) als Kondensatordielektrikum; und Vorsehen eines Isolationskragens (5") im oberen Bereich des Grabens (2); dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Schicht der ersten ersten leitenden Kondensatorplatte (60; 60, 100'') und/oder der zweiten leitenden Kondensatorplatte (80; 80, 100''') aus einem Material aus der Klasse der Metall-Antimonide der Übergangsmetalle aus den Nebengruppen IV, V oder VI des Periodensystems hergestellt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht durch Vorsehen einer Füllung (80) im Graben (2) aus dem Material und anschliessendes Rückätzen der Füllung (80) hergestellt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht durch Abscheiden eines Films im Graben (2) aus dem Material und anschliessendes Rückätzen des Films hergestellt wird.
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