DE10134900A1 - Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen - Google Patents

Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen

Info

Publication number
DE10134900A1
DE10134900A1 DE10134900A DE10134900A DE10134900A1 DE 10134900 A1 DE10134900 A1 DE 10134900A1 DE 10134900 A DE10134900 A DE 10134900A DE 10134900 A DE10134900 A DE 10134900A DE 10134900 A1 DE10134900 A1 DE 10134900A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diffusion barrier
marked
semiconductor device
holding device
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10134900A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10134900B4 (de
Inventor
Andreas Kyek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10134900A priority Critical patent/DE10134900B4/de
Priority to US10/198,574 priority patent/US20030015795A1/en
Publication of DE10134900A1 publication Critical patent/DE10134900A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10134900B4 publication Critical patent/DE10134900B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung (HV) für Halbleitereinrichtungen (W), bei der eine zusätzliche Diffusionssperrschicht (SpS) das Diffundieren von Atomen aus einem Grundkörper (GK) der Haltevorrichtung (HV) in eine Halbleiterschicht (HLS) und damit in die Halbleitereinrichtung (W) verhindert.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung für mindestens eine Halbleitereinrichtung, umfassend einen Grundkörper mit einer zur Aufnahme der Halbleitereinrichtung ausgerüsteten Oberfläche. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Haltevorrichtung.
  • Im Verlauf von Fertigungsprozessen, denen die Halbleitereinrichtung unterworfen wird, wird die Halbleitereinrichtung von einer Haltevorrichtung gehalten.
  • Durch Festkörperdiffusion können dabei Atome aus der Haltevorrichtung in die Halbleitereinrichtung übertreten. Dort wirken die übergetretenen Atome als Verunreinigungen und beeinträchtigen die Qualität von aus den Halbleitereinrichtungen gefertigten Produkten.
  • Dies gilt im Besonderen für eine Haltevorrichtungen aus Aluminium und eine Halbleitereinrichtung aus Silizium, da Aluminium in Silizium vergleichsweisweise gut beweglich ist.
  • Um die Diffusion von Aluminium-Atomen in die Halbleitereinrichtung zu verringern, werden herkömmlicherweise die Haltevorrichtungen mit einer Deckschicht aus Silizium versehen.
  • Dies wird etwa im Custom Report der Fa. EATON, "Siemens Microelectronics Center Silicon Coated Disk Qualification" beschrieben. Darin wird eine Verringerung der Verunreinigung eines Silizium-Wafers durch Aluminium bei Verwendung von mit Silizium beschichteten Haltevorrichtungen aus Aluminium gegenüber nicht mit Silizium beschichteten Haltevorrichtungen an Ionenimplantationsanlagen beschrieben.
  • Es wurde jedoch festgestellt, dass die Verunreinigung von Wafern nach mehrmonatiger Verwendung von mit Silizium beschichteten Haltevorrichtungen wieder steigt. Dies ist darauf zurückzuführen, dass Aluminium-Atome durch Festkörperdiffusion aus der Haltevorrichtung in das Silizium der Deckschicht übertreten und dort langsam in Richtung der Oberfläche der Deckschicht wandern. Sobald diese erreicht wird, bewirkt der gleiche Mechanismus ein Übertreten der Aluminium- Atome aus der Deckschicht auf der Haltevorrichtung in den Wafer.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung zur Verfügung zu stellen, die verhindert, dass Atome aus der Haltevorrichtung in die von der Haltevorrichtung gehaltene Halbleitereinrichtung diffundieren.
  • Diese Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Das diese Aufgabe lösende Verfahren ist im Patentanspruch 9 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Bei der Erfindung ist also wesentlich, dass auf der zur Aufnahme der Halbleitereinrichtung ausgerüsteten Oberfläche der Haltevorrichtung eine als Diffusionssperre wirksame Schicht aufgebracht ist.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist auf dieser Diffusionssperrschicht eine weitere Deckschicht aufgebracht, in bevorzugter Weise aus einem Halbleitermaterial.
  • Die erfindungsgemäße Ausführungsform der Haltevorrichtung ist im Besonderen als Haltevorrichtung für Wafer an Ionenimplantationsanlagen geeignet.
  • Als Material für die Diffusionssperrschicht eignen sich vor allem Nitride, also Wolfram- und Titannitrid, sowie Metalloxide.
  • Die Diffusionssperrschicht wird auf dem Grundkörper der Haltevorrichtung aufgebracht. In bevorzugter Weise wird auf die Diffusionssperrschicht eine weitere Deckschicht aus einem Halbleitermaterial aufgebracht.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert, deren einzige Figur ein schematischer Querschnitt der erfindungsgemäßen Vorrichtung in einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist.
  • Fig. 1 zeigt eine Haltevorrichtung HV, deren Grundkörper GK aus Aluminium auf der einer Halbleitereinrichtung W aus Silizium gegenüberliegenden Oberfläche mit einer Diffusionssperrschicht SpS und diese wiederum mit einer Deckschicht HLS bedeckt ist.
  • Das Material der Deckschicht HLS ist Silizium. Die zwischen der Deckschicht HLS und dem Grundkörper GK befindliche Diffusionssperrschicht SpS besteht aus Titannitrid.
  • Bereits eine wenige Atomlagen dicke Diffusionssperrschicht SpS aus Titannitrid verhindert das Diffundieren von Aluminium-Atomen aus dem Grundkörper GK in die Deckschicht HLS.
  • Bleibt die Deckschicht HLS frei von Aluminium-Atomen, dann diffundieren auch keine Aluminium-Atome mehr in die Halbleitereinrichtung W.
  • Zur Vereinfachung ist in der Fig. 1 nur eine Halbleitereinrichtung W dargestellt. Bezugszeichenliste W Halbleitereinrichtung
    HV Haltevorrichtung
    HLS Deckschicht
    GK Grundkörper
    SpS Diffusionssperrschicht
    •

Claims (10)

1. Haltevorrichtung (HV) für mindestens eine Halbleitereinrichtung (W), umfassend:
einen Grundkörper (GK) mit einer zur Aufnahme der Halbleitereinrichtung ausgerüsteten Oberfläche,
gekennzeichnet durch
eine Diffusionssperrschicht (SpS) auf mindestens Teilen von den die Halbleitereinrichtung kontaktierenden Bereichen der Oberfläche des Grundkörpers.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 gekennzeichnet durch eine zusätzliche Deckschicht (HLS) auf mindestens Teilen der Diffusionssperrschicht und/oder Teilen der nicht von der Diffusionssperrschicht bedeckten Bereiche der Oberfläche des Grundkörpers.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Halbleiter als Material der Deckschicht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen Wafer als Halbleitereinrichtung und eine Haltevorrichtung an Ionenimplantationsvorrichtungen als Haltevorrichtung.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch ein Metallnitrid als Material der Diffusionssperrschicht.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Titannitrid als Metallnitrid.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Wolframnitrid als Metallnitrid.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch ein Metalloxid als Material der Diffusionssperrschicht.
9. Verfahren zum Herstellen einer Haltevorrichtung für mindestens eine Halbleitereinrichtung, umfassend einen Grundkörper mit einer zur Aufnahme der Halbleitereinrichtung ausgerüsteten Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens auf Teilen von den die Halbleitereinrichtung kontaktierenden Bereichen der Oberfläche des Grundkörpers eine Diffusionssperrschicht aufgebracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9 dadurch gekennzeichnet, dass mindestens auf Teilen der Diffusionssperrschicht und/oder Teilen der nicht von der Diffusionssperrschicht bedeckten Bereiche der Oberfläche des Grundkörpers eine zusätzliche Deckschicht aus einem Halbleitermaterial aufgebracht wird.
DE10134900A 2001-07-18 2001-07-18 Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen Expired - Fee Related DE10134900B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10134900A DE10134900B4 (de) 2001-07-18 2001-07-18 Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen
US10/198,574 US20030015795A1 (en) 2001-07-18 2002-07-18 Holding apparatus with diffusion barrier layer for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10134900A DE10134900B4 (de) 2001-07-18 2001-07-18 Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10134900A1 true DE10134900A1 (de) 2003-02-06
DE10134900B4 DE10134900B4 (de) 2007-03-15

Family

ID=7692191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10134900A Expired - Fee Related DE10134900B4 (de) 2001-07-18 2001-07-18 Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20030015795A1 (de)
DE (1) DE10134900B4 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68921591T2 (de) * 1988-12-28 1995-11-09 Sony Corp Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
DE19751784A1 (de) * 1996-11-22 1998-05-28 Trikon Equip Ltd Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht
DE19844451A1 (de) * 1998-02-09 1999-08-26 United Microelectronics Corp Sperrschicht und Herstellungsverfahren dafür
DE69701408T2 (de) * 1996-02-01 2000-08-03 Ppg Industries Ohio, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetall-Diffusionsbarriere-Schicht
DE19803423C2 (de) * 1998-01-29 2001-02-08 Siemens Ag Substrathalterung für SiC-Epitaxie und Verfahren zum Herstellen eines Einsatzes für einen Suszeptor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4978567A (en) * 1988-03-31 1990-12-18 Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same
SE511721C2 (sv) * 1997-06-18 1999-11-15 Ericsson Telefon Ab L M Substrat för integrerade högfrekvenskretsar samt förfarande för substratframställning
US5882738A (en) * 1997-12-19 1999-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method to improve electromigration performance by use of amorphous barrier layer
EP1039555A1 (de) * 1999-03-05 2000-09-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung der Gruppe III
US6589889B2 (en) * 1999-09-09 2003-07-08 Alliedsignal Inc. Contact planarization using nanoporous silica materials
US6509270B1 (en) * 2001-03-30 2003-01-21 Cypress Semiconductor Corp. Method for polishing a semiconductor topography

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68921591T2 (de) * 1988-12-28 1995-11-09 Sony Corp Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
DE69701408T2 (de) * 1996-02-01 2000-08-03 Ppg Industries Ohio, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetall-Diffusionsbarriere-Schicht
DE19751784A1 (de) * 1996-11-22 1998-05-28 Trikon Equip Ltd Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht
DE19803423C2 (de) * 1998-01-29 2001-02-08 Siemens Ag Substrathalterung für SiC-Epitaxie und Verfahren zum Herstellen eines Einsatzes für einen Suszeptor
DE19844451A1 (de) * 1998-02-09 1999-08-26 United Microelectronics Corp Sperrschicht und Herstellungsverfahren dafür

Also Published As

Publication number Publication date
DE10134900B4 (de) 2007-03-15
US20030015795A1 (en) 2003-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0600063B1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen in cmos-technik mit 'local interconnects'
DE2153103A1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE1967363C2 (de)
EP0841561B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung
DE102006056598B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Transistorbauelements für eine integrierte Schaltung
DE3743591C2 (de)
DE2916364A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3024084A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE69728205T2 (de) Herstellungsverfahren von Verbindungen in einer integrierten Schaltung
DE3346239C2 (de)
DE69113673T2 (de) Halbleiterbauelement mit MOS-Transistoren und Verfahren zu dessen Herstellung.
DE19756409A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente
DE10134900A1 (de) Haltevorrichtung mit Diffusionssperrschicht für Halbleitereinrichtungen
DE10327618B4 (de) Verfahren zur Ausbildung von Aluminiummetallverdrahtungen
DE102004009336A1 (de) Verfahren zum Unterdrücken eines Lithographievorgangs am Rand einer Halbleiterscheibe
DE4137341C1 (de)
DE10236896A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern
DE112018003432T5 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung vonhalbleiterbauelementen
DE19703223B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrode einer Halbleitereinrichtung
DE4444681C2 (de) Keramik-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE4329837B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterbauelements
DE102007007096A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2641334C2 (de) Verfahren zur Herstellung integrierter MIS-Schaltungen
DE19927748A1 (de) Transportvorrichtung für elektronische Bauelemente mit kontaminationsverhindernder Beschichtung
WO2002050878A1 (de) Verfahren zum herstellen eines eine mikrostruktur aufweisenden festkörpers

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee