DE10128772B4 - Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen Download PDF

Info

Publication number
DE10128772B4
DE10128772B4 DE10128772A DE10128772A DE10128772B4 DE 10128772 B4 DE10128772 B4 DE 10128772B4 DE 10128772 A DE10128772 A DE 10128772A DE 10128772 A DE10128772 A DE 10128772A DE 10128772 B4 DE10128772 B4 DE 10128772B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
push
output stage
pull
current
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10128772A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10128772A1 (de
Inventor
Holger Wenske
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Germany Holding GmbH
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10128772A priority Critical patent/DE10128772B4/de
Priority to US10/480,629 priority patent/US6911866B2/en
Priority to PCT/EP2002/006285 priority patent/WO2003005572A1/de
Publication of DE10128772A1 publication Critical patent/DE10128772A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10128772B4 publication Critical patent/DE10128772B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H03F1/523Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/305Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3022CMOS common source output SEPP amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100), die einen ersten Endstufentransistor (102a) und einen zweiten Endstufentransistor (102b) aufweist, mit den Schritten:
a) Anlegen eines ersten analogen Gegentaktsignals (101a) an den ersten Endstufentransistor (102a) und einen ersten Steuertransistor (103a), mit welchem ein erster Steuerstrom (104a) gesteuert wird;
b) Anlegen eines zweiten analogen Gegentaktsignals (101b) an den zweiten Endstufentransistor (102b) und einen zweiten Steuertransistor (103b), mit welchem ein zweiter Steuerstrom (104b) gesteuert wird;
c) Erzeugen eines ersten Referenzstroms mittels einer ersten Referenzstromeinrichtung (109a), wobei
c1) ein erster Referenzspannungspegel (107a) an einem ersten Referenzspannungsanschluss (108a) von einem niedrigen Pegel (logischen L-Pegel) zu einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) wechselt, wenn der erste Steuerstrom (104a) größer als der erste Referenzstrom wird;
d) Erzeugen eines zweiten Referenzstroms mittels einer zweiten Referenzstromeinrichtung (109b), wobei
d1) ein zweiter Referenzspannungspegel (107b) an einem zweiten Referenzspannungsanschluss (108b) von einem...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen mit einer Gegentaktverstärkerendstufe, und betrifft insbesondere ein Verfahren zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktendstufen.
  • In drahtgebundenen Übertragungssystemen wie beispielsweise bei ISDN und xDSL werden Leitungstreiber eingesetzt, um analoge Signale mit der benötigten Sendeleistung in eine Leitung einzuspeisen. Die analogen Signale liegen häufig in der Form von analogen Gegentaktsignalen vor, wobei die genutzten Leistungsoperationsverstärker eine Leistungsendstufe aufweisen, um die erforderlichen Ausgangsströme bereitzustellen. Im allgemeinen werden aus technologischen Gründen niedrige Versorgungsspannungen für eine zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen bereitgestellte Gegentaktverstärkerstufe eingesetzt, wodurch eine Endstufe bei gleichbleibender Ausgangsleistung entsprechend höhere Ausgangsströme bereitstellen muss.
  • 2 zeigt eine Prinzip-Schaltungsanordnung einer herkömmlichen Gegentaktverstärkerendstufe, die aus zwei Endstufentransistoren ausgebildet ist. Die komplementär angeordneten Endstufentransistoren sind in dem in 2 gezeigten Beispiel ein p-Kanal(pMOS)-Endstufentransistor und ein n-Kanal(nMOS)-Endstufentransistor (MOS = Metall-Oxid-Silizium). Zur Veranschaulichung der prinzipiellen Nachteile und Probleme herkömmlicher Gegentaktverstärkerendstufen sind in 2 aus Gründen der Übersichtlichkeit die elektronischen Schaltkreise der Vorstufeneinrichtungen sowie der Verstärkerausgangsstufen (Ausgangsanschluss) weggelassen.
  • Von den Vorstufeneinrichtungen (Pfeile in der 2) werden die Gate-Anschlüsse der beiden Endstufentransistoren angesteuert. Eine Versorgungsspannung wird über einen Messfühler MF an den Source-Anschluss des pMOS-Endstufentransistors angelegt, während Masse über einen zweiten Messfühler MF an den Source-Anschluss des nMOS-Endstufentransistors MN angelegt ist. Entsprechend einer korrekten Ansteuerung der Gate-Anschlüsse in der Gegentaktverstärkerendstufe fließen wechselseitig die Ströme IMP und IMN zu dem Ausgangsanschluss. Aufgrund der erwähnten, aus technologischen Gründen niedrig gehaltenen Versorgungsspannung sind die Ströme IMP und IMN entsprechend erhöht.
  • Im normalen Verstärkerbetrieb liefert die Gegentaktverstärkerendstufe abwechselnd Ströme zur Last bzw. nimmt Ströme von der Last auf. Im Moment eines Einschaltens der Schaltungsanordnung sind die elektrischen Verhältnisse nicht definiert. Bis zu einem Einstellen eines vorgegebenen Arbeitspunktes kann die Schaltung unterschiedliche Zustände einnehmen, die von inneren und äußeren Faktoren abhängig sind. Insbesondere ist es ein Nachteil herkömmlicher Schaltungsanordnungen, dass beide Endstufentransistoren im Einschaltmoment gleichzeitig durchschalten können, wodurch sehr große Einschaltströme auftreten. Unzweckmäßigerweise können die hohen Einschaltströme eine Stromtragfähigkeit der Transistoren überschreiten, bzw. es können durch sehr hohe Einschaltströme elektronische Komponenten der Gegentaktverstärkerendstufe zerstört werden.
  • Es ist weiterhin nachteilig, dass auch elektronische Komponenten einer Einrichtung zur Bereitstellung der Versorgungsspannung und des Versorgungsstroms durch einen zu hohen Einschaltstrom zerstört werden können. Unzweckmäßigerweise kann eine Elektromigration auftreten, welche eine Lebensdauer elektronischer Komponenten beträchtlich verringert.
  • Wie in 2 gezeigt, sind die Drain-Anschlüsse der beiden Endstufentransistoren untereinander und mit einem Ausgangsanschluss verbunden. Um zu gewährleisten, dass zu hohe Einschaltströme erfasst werden, sind in der herkömmlichen Schaltungsanordnung zwei Messfühler MF eingebracht, die durch ohmsche Widerstände ausgebildet sein können. Durch eine Erfassung eines über den Messfühlern MF auftretenden Spannungsabfalls, der durch die Ströme IMP bzw. IMN verursacht wird, kann mittels einer Steuerelektronik (nicht gezeigt) eine Abschaltung der Gegentaktverstärkerendstufe (oder eine andere geeignete Massnahme bei zu hohen Einschaltströmen herbeigeführt werden.
  • Ein Nachteil eines Einsatzes von Messfühlern MF zur Stromüberwachung besteht darin, dass bei hohen Strömen auch in den Messfühlern selbst erhebliche Leistungen umgesetzt werden können, die einen Wirkungsgrad der Gegentaktverstärkerendstufe verringern.
  • In herkömmlichen Schaltungsanordnungen werden vielfach Steuerspannungen der Endstufentransistoren auf einen Maximalwert begrenzt, was in nachteiliger Weise zur Folge hat, dass auch ein maximaler Ausgangsstrom in einem Normalbetrieb begrenzt ist.
  • Aus der DE 4329865 C2 ist eine Schaltungsanordnung zum Einstellen eines Querstroms einer Gegentaktendstufe bekannt. Dabei wird eine steuerbare Last eingesetzt, die über eine Auswerteeinrichtung angesteuert wird. Die steuerbare Last wird so eingestellt, dass ein Querstrom gleich einem durch eine Stromquelle erzeugten Referenzstrom ist.
  • Aus der EP 0427557 A1 ist eine Verstärkerschaltung mit einer Gegentakt-Anordnung bekannt. Dabei steuert eine Rückführschaltung eine erste Verstärkerstufe. Ziel ist es, einen „Cutoff” eines Ausgangstransistors auch dann zu verhindern, wenn ein übermäßiges Eingangssignal angelegt wird, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu ermöglichen.
  • Die US 4,857,861 offenbart eine hohe Stromsteuerung in einer aus einem ersten und einem zweiten Ausgangstransistor bestehenden Verstärkeranordnung. Ein Ziel dieser Anordnung besteht darin, den harmonischen Mittelwert der Ströme, die durch die beiden Transistoren fließen, gleich einem Referenzwert zu halten.
  • Die EP 0479704 A2 offenbart einen Linearverstärker, der eine Schutzschaltung gegenüber einem Spannungsdurchbruch aufweist. Dabei wird eine Treiberschaltung ohne Modifikation verwendet, um den Spannungsdurchbruch zu verhindern.
  • Aus der EP 0772273 A1 ist eine Messeinrichtung zum Erfassen einer dissipierten Leistung in einem Leistungstransistor bekannt. Mit Hilfe einer Messung dieser Messeinrichtung ist es möglich, den Leistungstransistor zu schützen.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Schaltungsanordnung zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen mit einer Gegentaktverstärkerendstufe bereitzustellen, bei dem ein Einschaltstrom sicher begrenzt wird. Hierbei wird sichergestellt, dass jeweils nur einer der beiden Endstufentransistoren durchschaltet.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das im Patentanspruch 1 angegebene Verfahren sowie durch eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 16 gelöst.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung besteht darin, bei einem gleichzeitigen Durchschalten der beiden Endstufentransistoren ein Fehlersignal bereitzustellen, welches zu einem Begrenzertransistor derart zurückgeführt wird, dass ein Einschaltstrom begrenzt wird.
  • Es ist somit ein Vorteil der vorliegenden Erfindung, dass auf resistive, durch ohmsche Widerstände ausgebildete Messfühler verzichtet werden kann, die einen Wirkungsgrad der Gegentaktverstärkerendstufe verringern.
  • Ein weiterer Vorteil der Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass sehr niedrige Versorgungsspannungen und damit verbunden sehr hohe Ströme in der Gegentaktverstärkerendstufe genutzt werden können, da ein gleichzeitiges Durchschalten der beiden Endstufentransistoren verhindert wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen mit einer Gegentaktverstärkerendstufe, die einen ersten Endstufentransistor und einen zweiten Endstufentransistor aufweist, umfasst im Wesentlichen die folgenden Schritte:
    • a) Anlegen eines ersten analogen Gegentaktsignals an den ersten Endstufentransistor und einen ersten Steuertransistor, mit welchem ein erster Steuerstrom gesteuert wird;
    • b) Anlegen eines zweiten analogen Gegentaktsignals an den zweiten Endstufentransistor und einen zweiten Steuertransistor, mit welchem ein zweiter Steuerstrom gesteuert wird;
    • c) Erzeugen eines ersten Referenzstroms mittels einer ersten Referenzstromeinrichtung, wobei
    • c1) ein erster Referenzspannungspegel an einem ersten Referenzspannungsanschluss von einem niedrigen Pegel (logischen L-Pegel) zu einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) wechselt, wenn der erste Steuerstrom größer als der erste Referenzstrom wird;
    • d) Erzeugen eines zweiten Referenzstroms mittels einer zweiten Referenzstromeinrichtung, wobei
    • d1) ein zweiter Referenzspannungspegel an einem zweiten Referenzspannungsanschluss von einem niedrigen Pegel (logischen L-Pegel) zu einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) wechselt, wenn der zweite Steuerstrom größer als der zweite Referenzstrom wird;
    • e) Ausgeben eines Fehlersignals, wobei das Fehlersignal bereitgestellt wird durch:
    • e1) Verknüpfen des ersten Referenzspannungspegels und des zweiten Referenzspannungspegels in einer logischen Schaltungseinheit mittels einer UND-Verknüpfung derart, dass das Fehlersignal ausgegeben wird, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel als auch der zweite Referenzspannungspegel einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) entspricht;
    • f) Rückführen des Fehlersignals derart, dass ein Einschaltstrom dadurch begrenzt wird, dass mindestens eine Steuerspannung mindestens eines Endstufentransistors begrenzt wird; und
    • g) Ausgeben der verstärkten analogen Gegentaktsignale als Ausgangsströme über einen Ausgangsanschluss.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das erste analoge Gegentaktsignal komplementär zu dem zweiten analogen Gegentaktsignal eingegeben.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird der zweite Steuerstrom mit einer Strom spiegeleinrichtung in einen gespiegelten zweiten Steuerstrom gespiegelt.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird anstelle des zweiten Steuerstroms der erste Steuerstrom in der Stromspiegeleinrichtung gespiegelt.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das von einem Ausgangsanschluss des UND-Gatters ausgegebene Fehlersignal für Diagnose- und Prüfzwecke verwendet, indem es an einen Fehlerausgabeanschluss weitergeleitet wird.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung entspricht das Verhältnis des ersten Steuerstroms zu dem gespiegelten zweiten Steuerstrom einem Verhältnis des ersten Ausgangsstroms zu dem zweiten Ausgangsstrom.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das Verhältnis des ersten Steuerstroms zu dem ersten Ausgangsstrom bzw. ein Verhältnis des gespiegelten zweiten Steuerstroms zu dem zweiten Ausgangsstrom derart eingestellt, dass ein durch die beiden Steuerströme verursachter Energieverbrauch vernachlässigbar ist und den Wirkungsgrad der Gegentaktverstärkerendstufe nicht verringert, so dass das Fehlersignal mit einem vernachlässigbaren Energieverbrauch bereitgestellt wird.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird durch das dem Gate-Anschluss des Begrenzertransistors zugeführte Fehlersignal eine Steuerspannung des zweiten Endstufenstransistors begrenzt.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird durch das dem Gate-Anschluss des Begrenzertransistors zugeführte Fehlersignal eine Steuerspannung des ersten Endstufentransistors begrenzt.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird das von einem Ausgangsanschluss des UND-Gatters ausgegebene Fehlersignal einem externen Prozessor zugeführt, wodurch eine Weiterverarbeitung des Fehlersignals beispielsweise für Test- und Analyse-Zwecke bereitgestellt werden kann.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird ein Querstrom über die Gegentaktverstärkerendstufe, d. h. ein Durchschalten beider Endstufentransistoren bei einem Einschalten verhindert.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung werden digitale Schaltungselemente bzw. logische Schaltungseinrichtungen, wie beispielsweise das UND-Gatter, und analoge Schaltungselemente kombiniert.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird ein Gate-Anschluß des Begrenzertransistors mit dem Fehlersignal beaufschlagt, um den Einschaltstrom durch mindestens einen Endstufentransistor zu begrenzen.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung das Fehlersignal zu elektronischen Schaltkreisen von Vorstufeneinrichtungen derart zurückgeführt, dass ein Einschaltstrom dadurch begrenzt wird, dass mindestens eine Steuerspannung mindestens eines Endstufentransistors begrenzt wird.
  • Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen weist weiterhin auf:
    • a) einen ersten Endstufentransistor;
    • b) einen zweiten Endstufentransistor;
    • c) einen ersten Steuertransistor, mit welchem ein erster Steuerstrom gesteuert wird;
    • d) einen zweiten Steuertransistor, mit welchem ein zweiter Steuerstrom gesteuert wird;
    • e) eine erste Referenzstromeinrichtung zur Erzeugung eines ersten Referenzstroms, an welcher ein erster Referenzspannungspegel anliegt, der von einem niedrigen Pegel (L) zu einem hohen Pegel (H) wechselt, wenn der erste Steuerstrom größer als der erste Referenzstrom wird;
    • f) eine zweite Referenzstromeinrichtung zur Erzeugung eines zweiten Referenzstroms, an welcher ein zweiter Referenzspannungspegel anliegt, der von einem niedrigen Pegel (L) zu einem hohen Pegel (H) wechselt, wenn der zweite Steuerstrom größer als der zweite Referenzstrom wird;
    • f1) eine logische Schaltungseinheit zur logischen UND-Verknüpfung eines ersten Referenzspannungspegels und eines zweiten Referenzspannungspegels;
    • g) eine Begrenzereinrichtung zur Ansteuerung des mindestens einen Endstufentransistors derart, dass ein Einschaltstrom dann begrenzt wird, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel als auch der zweite Referenzspannungspegel einen hohen Pegel (H) aufweisen; und
    • h) einen Ausgangsanschluss zur Ausgabe der verstärkten analogen Gegentaktsignale als Ausgangsströme, wobei durch die Begrenzereinrichtung ein Einschaltstrom dann begrenzt wird, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel als auch der zweite Referenzspannungspegel einen hohen Pegel (H) aufweisen.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen mit einer Gegentaktverstärkerendstufe, wobei ein Einschaltstrom begrenzt ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 2 ein Prinzipschaltbild einer herkömmlichen Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten oder Schritte.
  • Ausführungsbeispiel
  • In der in 1 gezeigten Schaltungsanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden einer Gegentaktverstärkerendstufe 100 ein erstes analoges Gegentaktsignal 101a und ein zweites analoges Gegentaktsignal 101b zugeführt, wobei jeweils die Gate-Anschlüsse eines ersten Endstufentransistors 102a und eines zweiten Endstufentransistors 102b, die beide die Gegentaktverstärkerendstufe 100 ausbilden, mit den ersten und zweiten analogen Gegentaktsignalen beaufschlagt werden.
  • Im Normalbetrieb ist wechselseitig nur einer der beiden Endstufentransistoren 102a bzw. 102b durchgeschaltet, so dass jeweils entweder ein erster Ausgangsstrom 113a einer an einen Ausgangsanschluss 114 angeschlossenen Last zugeführt wird, oder ein zweiter Ausgangsstrom 113b von der an dem Ausgangsanschluss 114 angeschlossenen Last (nicht gezeigt) aufgenommen wird. Der erste Endstufentransistor 102a ist als ein p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor ausgebildet, während der zweite Endstufentransistor 102b als ein n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor ausgebildet ist.
  • Der Source-Anschluss des ersten Endstufentransistors 102a ist mit einer Versorgungsspannung 116 verbunden, während der Source-Anschluss des zweiten Endstufentransistors 102b mit einer Masse 115 verbunden ist.
  • Die beiden Drain-Anschlüsse des ersten Endstufentransistors 102a und des zweiten Endstufentransistors 102b sind untereinander und mit dem Ausgangsanschluss 114 verbunden. Um zu verhindern, dass beide Endstufentransistoren 102a, 102b gleichzeitig, beispielsweise bei einem Einschalten, in einen leitenden Zustand übergehen, werden die Ausgangsströme 113a, 113b in Steuerströme 104a, 104c abgebildet, wie untenstehend detaillierter beschrieben werden wird.
  • Das erste analoge Gegentaktsignal 101a wird weiterhin dem Gate-Anschluss des ersten Steuertransistors 103a zugeführt, während das zweite analoge Gegentaktsignal 101b dem Gate-Anschluss eines zweiten Steuertransistors 103b zugeführt wird. Der Source-Anschluss des ersten Steuertransistors 103a (p-Kanal-Feldeffekttransistor) ist mit der Versorgungsspannung verbunden, während der Source-Anschluss des zweiten Steuertransistors 103b (n-Kanal-Feldeffekttransistor) mit Masse verbunden ist. Die durch die Ansteuerung der Steuertransistoren 103a bzw. 103b hervorgerufenen Steuerströme 104a bzw. 104b stehen in einem festen Verhältnis zu den beiden Ausgangsströmen 113a bzw. 113b derart, dass die Steuerströme gegenüber den Ausgangsströmen vernachlässigbar sind und somit ein Energieverbrauch infolge der Steuerströme vernachlässigt werden kann.
  • Um die beiden Steuerströme, welche ein Auftreten der Ausgangsströme widerspiegeln, logisch verknüpfen zu können, muss einer der beiden Steuerströme in einer Stromspiegeleinrichtung gespiegelt werden.
  • In dem hier veranschaulichten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird der zweite Steuerstrom 104b in einer Stromspiegeleinrichtung 105, die aus einem ersten Stromspiegeltransistor 105a und einem zweiten Stromspiegeltransistor 105b besteht, gespiegelt, um so einen gespiegelten zweiten Steuerstrom 104c zu erzeugen. Der erste Steuerstrom 104a wird anschließend mit einem durch eine erste Referenzstromeinrichtung 109a erzeugten ersten Referenzstrom derart verglichen, dass ein erster Referenzspannungspegel 107a von einem niedrigen Pegel (L-Pegel) zu einem hohen Pegel (H-Pegel) wechselt, wenn der erste Steuerstrom 104a den ersten Referenzstrom überschreitet.
  • In gleicher Weise wird der gespiegelte zweite Steuerstrom 104c in einer zweiten Referenzstromeinrichtung 109b mit einem zweiten Referenzstrom verglichen. Überschreitet der gespiegelte zweite Steuerstrom 104c den zweiten Referenzstrom, so wechselt ein zweiter Referenzspannungspegel 107b von einem niedrigen Pegel zu einem hohen Pegel.
  • Der erste Referenzspannungspegel 107a wird an einem ersten Referenzspannungsanschluss 108a abgegriffen und einem ersten Eingangsanschluss einer logischen Schaltungseinheit 110 (in diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die logische Schaltungseinheit 110 als ein UND-Gatter ausgebildet, sie ist aber nicht darauf beschränkt) zugeführt, während der zweite Referenzspannungspegel 107b von einem zweiten Referenzspan nungsanschluss 108b einem zweiten Eingangsanschluss des UND-Gatters 110 zugeführt wird. In dem UND-Gatter 110 wird eine logische Verknüpfung des ersten Referenzspannungspegels 107a mit dem zweiten Referenzspannungspegel 107b durchgeführt.
  • Im Folgenden wird die Erzeugung eines Fehlersignals 111 beschrieben werden. Durch die Verknüpfung der beiden Referenzspannungspegel 107a, 107b in dem UND-Gatter 110 wird ein hoher Pegel (logischer H-Pegel) dann erhalten, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel 107a als auch der zweite Referenzspannungspegel 107b ein H-Pegel ist. Dies entspricht genau dem Fehlerfall, dass ein zu hoher Einschaltstrom fließt, wenn beide Endstufenstransistoren 102a und 102b in einem leitfähigen Zustand sind, da die beiden Steuerströme 104a, 104c exakt die Verhältnisse der Ausgangsströme 113a, 113b wiederspiegeln. Ist hingegen nur einer der beiden Referenzspannungspegel 107a, 107b ein H-Pegel oder sind beide ein L-Pegel, so wird die Endstufe durch einen zu hohen Einschaltstrom nicht überlastet, so dass das Fehlersignal 111 ein logischer L-Pegel ist. Im Fehlerfall, wenn das Fehlersignal 111 ein logischer H-Pegel ist, wird eine Fehlerbedingung über einen Fehlersignalausgabeanschluss 117 bereitgestellt.
  • Diese Fehlerbedingung kann für Diagnose- und Testzwecke verwendet werden, wobei gemäß der Schaltungsanordnung des Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung das Fehlersignal 111 zurückgeführt wird, um einen Fehlerfall aktiv zu verhindern. Das Fehlersignal 111 wird dem Gate-Anschluss des Begrenzertransistors 112 zugeführt, dessen Drain-Anschluss mit dem Gate-Anschluss des ersten Endstufentransistors 102a verbunden ist, und dessen Source-Anschluss mit Masse verbunden ist.
  • Im Falle eines Auftretens eines Fehlersignals wird der Begrenzertransistor 112 durchschalten und eine Steuerspannung des zweiten Endstufentransistors 102b verringern bzw. auf ein Massepotential legen. Dadurch wird erreicht, dass nur einer der beiden Endstufentransistoren, in diesem Fall der erste Endstufentransistor 102a, in einem leitfähigen Zustand ist, wodurch ein Einschaltstrom begrenzt wird.
  • In der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen 101a, 101b mit einer Gegentaktverstärkerendstufe 100 können die ersten und zweiten Endstufentransistoren 102a, 102b sowie die ersten und zweiten Steuertransistoren 103a, 103b als Feldeffekttransistoren (FET) oder als Bipolartransistoren ausgebildet sein.
  • Die Stromspiegeleinrichtung ist aus mindestens einem ersten Stromspiegeltransistor 105a und mindestens einem zweiten Stromspiegeltransistor 105b gebildet.
  • Weiterhin sind der erste Stromspiegeltransistor 105a und der zweite Stromspiegeltransistor 105b der Stromspiegeleinrichtung 105 als Feldeffekttransistoren (FET) oder als Bipolartransistoren ausgebildet.
  • Die ersten und zweiten Referenzstromeinrichtungen 109a, 109b sind ebenfalls als Feldeffekttransistoren (FET) oder als Bipolartransistoren ausgebildet.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass das Fehlersignal 111 in gleicher Weise dazu verwendet werden kann, die Steuerspannung des ersten Endstufentransistors 102a zu begrenzen, so dass ein definierter Zustand dadurch entsteht, dass nur der zweite Endstufentransistor 102b in einen leitfähigen bzw. einen durchgeschalteten Zustand versetzt werden kann. Durch das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist es somit möglich, ein Fehlersignal bei Überschreitung eines gewählten Maximalstroms in einem oder beiden Endstufentransistoren zu erzeugen, wodurch eine niedrige Einschaltstromschwelle bereitgestellt wird.
  • Weiterhin ermöglicht die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung einen Einsatz bei niedrigen Versorgungsspannungen und hohen Ausgangsströmen. Es sei darauf hingewiesen, dass die ersten und zweiten Endstufentransistoren 102a, 102b als Feldeffekttransistoren (FET) oder als Bipolartransistoren ausgebildet sein können. Weiterhin können die beiden Referenzstromeinrichtungen 109a, 109b als Feldeffekttransistoren (FET) ausgeführt sein.
  • Bezüglich der in 2 dargestellten, herkömmlichen Schaltungsanordnung wird auf die Beschreibungseinleitung verwiesen.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten oder Schritte.
  • 100
    Gegentaktverstärkerendstufe
    101a
    Erstes analoges Gegentaktsignal
    101b
    Zweites analoges Gegentaktsignal
    102a
    Erster Endstufentransistor
    102b
    Zweiter Endstufentransistor
    103a
    Erster Steuertransistor
    103b
    Zweiter Steuertransistor
    104a
    Erster Steuerstrom
    104b
    Zweiter Steuerstrom
    104c
    Gespiegelter zweiter Steuerstrom
    105
    Stromspiegeleinrichtung
    105a
    Erster Stromspiegeltransistor
    105b
    Zweiter Stromspiegeltransistor
    107a
    Erster Referenzspannungspegel
    107b
    Zweiter Referenzspannungspegel
    108a
    Erster Referenzspannungsanschluss
    108b
    Zweiter Referenzspannungsanschluss
    109a
    Erste Referenzstromeinrichtung
    109b
    Zweite Referenzstromeinrichtung
    110
    Logische Schaltungseinheit
    111
    Fehlersignal
    112
    Begrenzertransistor
    113a
    Erster Ausgangsstrom
    113b
    Zweiter Ausgangsstrom
    114
    Ausgangsanschluss
    115
    Masse
    116
    Versorgungsspannung
    117
    Fehlersignalausgabeanschluss

Claims (29)

  1. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100), die einen ersten Endstufentransistor (102a) und einen zweiten Endstufentransistor (102b) aufweist, mit den Schritten: a) Anlegen eines ersten analogen Gegentaktsignals (101a) an den ersten Endstufentransistor (102a) und einen ersten Steuertransistor (103a), mit welchem ein erster Steuerstrom (104a) gesteuert wird; b) Anlegen eines zweiten analogen Gegentaktsignals (101b) an den zweiten Endstufentransistor (102b) und einen zweiten Steuertransistor (103b), mit welchem ein zweiter Steuerstrom (104b) gesteuert wird; c) Erzeugen eines ersten Referenzstroms mittels einer ersten Referenzstromeinrichtung (109a), wobei c1) ein erster Referenzspannungspegel (107a) an einem ersten Referenzspannungsanschluss (108a) von einem niedrigen Pegel (logischen L-Pegel) zu einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) wechselt, wenn der erste Steuerstrom (104a) größer als der erste Referenzstrom wird; d) Erzeugen eines zweiten Referenzstroms mittels einer zweiten Referenzstromeinrichtung (109b), wobei d1) ein zweiter Referenzspannungspegel (107b) an einem zweiten Referenzspannungsanschluss (108b) von einem niedrigen Pegel (logischen L-Pegel) zu einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) wechselt, wenn der zweite Steuerstrom (104c) größer als der zweite Referenzstrom wird; e) Ausgeben eines Fehlersignals (111), wobei das Fehlersignal (111) bereitgestellt wird durch: e1) Verknüpfen des ersten Referenzspannungspegels (107a) und des zweiten Referenzspannungspegels (107b) in einer logischen Schaltungseinheit (110) mittels einer UND-Verknüpfung derart, dass das Fehlersignal (111) ausgegeben wird, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel (107a) als auch der zweite Referenzspannungspegel (107b) einem hohen Pegel (logischen H-Pegel) entspricht; f) Rückführen des Fehlersignals (111) derart, dass ein Einschaltstrom dadurch begrenzt wird, dass mindestens eine Steuerspannung mindestens eines Endstufentransistors (102a, 102b) begrenzt wird; und g) Ausgeben der verstärkten analogen Gegentaktsignale (101a, 101b) als Ausgangsströme (113a, 113b) über einen Ausgangsanschluss (114).
  2. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste analoge Gegentaktsignal (101a) komplementär zu dem zweiten analogen Gegentaktsignal (101b) eingegeben wird.
  3. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder beiden der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass der von dem zweiten Steuertransistor (103b) gesteuerte zweite Steuerstrom (104b) mit einer Stromspiegeleinrichtung (105) in einen gespiegelten zweiten Steuerstrom (104c) gespiegelt wird.
  4. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass anstelle des zweiten Steuerstroms (104b) der erste Steuerstrom (104a) in der Stromspiegeleinrichtung (105) gespiegelt wird.
  5. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das von einem Ausgangsanschluss der logischen Schaltungseinheit (110) ausgegebene Fehlersignal (111) für Diagnose- und Prüfzwecke über einen Fehlerausgabeanschluss (117) bereitgestellt wird.
  6. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis des ersten Steuerstroms (104a) zu dem gespiegelten zweiten Steuerstrom (104c) derart eingestellt wird, dass es dem Verhältnis des ersten Ausgangsstroms (113a) zu dem zweiten Ausgangsstrom (113b) entspricht.
  7. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis des ersten Steuerstroms (104a) zu dem ersten Ausgangsstrom (113a) bzw. ein Verhältnis des gespiegelten zweiten Steuerstroms (104c) zu dem zweiten Ausgangsstrom (113b) derart eingestellt wird, dass ein Energieverbrauch zur Bereitstellung des Fehlersignals (111) vernachlässigbar ist.
  8. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch das dem Gate-Anschluss eines Begrenzertransistors (112) zugeführte Fehlersignal (111) eine Steuerspannung des zweiten Endstufentransistors (102b) begrenzt wird.
  9. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass durch das dem Gate-Anschluss eines Begrenzertransistors (112) zugeführte Fehlersignal (111) eine Steuerspannung des ersten Endstufentransistors (102a) begrenzt wird.
  10. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das von einem Fehlersignalausgabeanschluß (117) der logischen Schaltungseinheit (110) ausgegebene Fehlersignal (111) einem externen Prozessor zugeführt wird, in welchem eine Weiterverarbeitung des Fehlersignals (111) durchgeführt wird.
  11. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein Querstrom über die Gegentaktverstärkerendstufe (100) bei einem Einschalten verhindert wird.
  12. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die logische Schaltungseinheit (110) mit analoger Schaltungstechnik kombiniert wird.
  13. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine logische Verknüpfung in der logischen Schaltungseinheit (110) durch mindestens ein logisches Gatter bzw. eine logische Funktion bereitgestellt wird.
  14. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gate-Anschluß des Begrenzertransistors (112) mit dem Fehlersignal (111) beaufschlagt wird, um den Einschaltstrom durch mindestens einen Endstufentransistor (102a, 102b) zu begrenzen.
  15. Verfahren zum Verstärken von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Fehlersignal (111) zu elektronischen Schaltkreisen von Vorstufeneinrichtungen derart zurückgeführt wird, dass ein Einschaltstrom dadurch begrenzt wird, dass mindestens eine Steuerspannung mindestens eines Endstufentransistors (102a, 102b) begrenzt wird.
  16. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100), mit: a) einem ersten Endstufentransistor (102a); b) einem zweiten Endstufentransistor (102b); c) einem ersten Steuertransistor (103a), mit welchem ein erster Steuerstrom (104a) gesteuert wird; d) einem zweiten Steuertransistor (103b), mit welchem ein zweiter Steuerstrom (104b) gesteuert wird; e) einer ersten Referenzstromeinrichtung (109a) zur Erzeugung eines ersten Referenzstroms, an welcher ein erster Referenzspannungspegel (107a) anliegt, der von einem niedrigen Pegel (L) zu einem hohen Pegel (H) wechselt, wenn der erste Steuerstrom (104a) größer als der erste Referenzstrom wird; f) einer zweiten Referenzstromeinrichtung (109b) zur Erzeugung eines zweiten Referenzstroms, an welcher ein zweiter Referenzspannungspegel (107b) anliegt, der von einem niedrigen Pegel (L) zu einem hohen Pegel (H) wechselt, wenn der zweite Steuerstrom (104c) größer als der zweite Referenzstrom wird; f1) einer logischen Schaltungseinheit (110) zur logischen UND-Verknüpfung eines ersten Referenzspannungspegels (107a) und eines zweiten Referenzspannungspegels (107b); g) einer Begrenzereinrichtung zur Ansteuerung des mindestens einen Endstufentransistors (102a, 102b) derart, dass ein Einschaltstrom dann begrenzt wird, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel (107a) als auch der zweite Referenzspannungspegel (107b) einen hohen Pegel (H) aufweisen und h) einem Ausgangsanschluss (114) zur Ausgabe der verstärkten analogen Gegentaktsignale (101a, 101b) als Ausgangsströme (113a, 113b), wobei durch die Begrenzereinrichtung ein Einschaltstrom dann begrenzt wird, wenn sowohl der erste Referenzspannungspegel (107a) als auch der zweite Referenzspannungspegel (107b) einen hohen Pegel (H) aufweisen.
  17. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Endstufentransistoren (102a, 102b) sowie die ersten und zweiten Steuertransistoren (103a, 103b) als Feldeffekttransistoren (FET) ausgebildet sind.
  18. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder beiden der Ansprüche 16 und 17, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Endstufentransistoren (102a, 102b) sowie die ersten und zweiten Steuertransistoren (103a, 103b) als Bipolartransistoren ausgebildet sind.
  19. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass eine Stromspiegeleinrichtung (105) zur Spiegelung des von dem zweiten Steuertransistor (103b) gesteuerten zweiten Steuerstroms (104b) in einen gespiegelten zweiten Steuerstrom (104c) bereitgestellt ist.
  20. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromspiegeleinrichtung (105) aus einem ersten Stromspiegeltransistor (105a) und einem zweiten Stromspiegeltransistor (105b) gebildet ist.
  21. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Stromspiegeltransistor (105a) und der zweite Stromspiegeltransistor (105b) der Stromspiegeleinrichtung (105) als Feldeffekttransistoren (FET) ausgebildet sind.
  22. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Stromspiegeltransistor (105a) und der zweite Stromspiegeltransistor (105b) der Stromspiegeleinrichtung (105) als Bipolartransistoren ausgebildet sind.
  23. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung durch eine Kombination von analogen und logischen bzw. digitalen (110) Schaltungseinheiten ausgebildet ist.
  24. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Endstufentransistor (102a) als ein p-Kanal-Feldeffekttransistor (pMOS) ausgebildet ist.
  25. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Endstufentransistor (102b) als ein n-Kanal-Feldeffekttransistor (nMOS) ausgebildet ist.
  26. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Referenzstromeinrichtungen (109a, 109b) als Feldeffekttransistoren (FET) ausgebildet sind.
  27. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Referenzstromeinrichtungen (109a, 109b) als Bipolartransistoren ausgebildet sind.
  28. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass eine Begrenzereinrichtung zur Ansteuerung des ersten oder zweiten Endstufentransistors (102a, 102b) zur Begrenzung des Einschaltstroms in Abhängigkeit von dem Fehlersignal (111) bereitgestellt ist.
  29. Schaltungsanordnung zur Verstärkung von analogen Gegentaktsignalen (101a, 101b) mit einer Gegentaktverstärkerendstufe (100) nach einem oder mehreren der Ansprüche 16 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzereinrichtung zur Ansteuerung des mindestens einen Endstufentransistors (102a, 102b) als ein Begrenzertransistor (112) bereitgestellt ist.
DE10128772A 2001-06-13 2001-06-13 Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen Expired - Fee Related DE10128772B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10128772A DE10128772B4 (de) 2001-06-13 2001-06-13 Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen
US10/480,629 US6911866B2 (en) 2001-06-13 2002-06-07 Method and device for switch-on current limiting in push-pull amplifying power stages
PCT/EP2002/006285 WO2003005572A1 (de) 2001-06-13 2002-06-07 Verfahren und vorrichtung zur einschaltstrombegrenzung in gegentaktverstärkerendstufen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10128772A DE10128772B4 (de) 2001-06-13 2001-06-13 Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10128772A1 DE10128772A1 (de) 2003-01-23
DE10128772B4 true DE10128772B4 (de) 2009-10-15

Family

ID=7688203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10128772A Expired - Fee Related DE10128772B4 (de) 2001-06-13 2001-06-13 Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6911866B2 (de)
DE (1) DE10128772B4 (de)
WO (1) WO2003005572A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3013554A1 (fr) * 2013-11-21 2015-05-22 Valeo Illuminacion Dispositif lumineux, notamment d'eclairage et/ou de signalisation d'un vehicule automobile
GB2604187B (en) * 2021-02-26 2023-10-04 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Current sensing
WO2022180373A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-01 Cirrus Logic International Semiconductor Limited Current sensing

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4857861A (en) * 1987-09-23 1989-08-15 U. S. Philips Corporation Amplifier arrangement with improved quiescent current control
EP0427557A1 (de) * 1989-11-10 1991-05-15 Fujitsu Limited Eine Verstärkerschaltung
EP0479704A2 (de) * 1990-10-03 1992-04-08 International Business Machines Corporation Linearer Verstärker
DE4329865C2 (de) * 1993-09-03 1995-12-14 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Einstellung des Querstroms einer Gegentaktendstufe
EP0772273A1 (de) * 1995-10-31 1997-05-07 STMicroelectronics S.r.l. Sofortleistungsverlustmesser in einem Leistungstransistor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6038047B2 (ja) * 1977-12-09 1985-08-29 日本電気株式会社 トランジスタ回路
US4225897A (en) * 1979-01-29 1980-09-30 Rca Corporation Overcurrent protection circuit for power transistor
JP2594585B2 (ja) * 1987-11-25 1997-03-26 富士通株式会社 演算増幅回路
JPH07113861B2 (ja) * 1988-01-29 1995-12-06 株式会社日立製作所 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路
US5973563A (en) 1997-12-10 1999-10-26 National Semiconductor Corporation High power output stage with temperature stable precisely controlled quiescent current and inherent short circuit protection
US6624671B2 (en) * 2000-05-04 2003-09-23 Exar Corporation Wide-band replica output current sensing circuit
US6323703B1 (en) * 2000-05-04 2001-11-27 Exar Corporation Indirect output current sensing

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4857861A (en) * 1987-09-23 1989-08-15 U. S. Philips Corporation Amplifier arrangement with improved quiescent current control
EP0427557A1 (de) * 1989-11-10 1991-05-15 Fujitsu Limited Eine Verstärkerschaltung
EP0479704A2 (de) * 1990-10-03 1992-04-08 International Business Machines Corporation Linearer Verstärker
DE4329865C2 (de) * 1993-09-03 1995-12-14 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Einstellung des Querstroms einer Gegentaktendstufe
EP0772273A1 (de) * 1995-10-31 1997-05-07 STMicroelectronics S.r.l. Sofortleistungsverlustmesser in einem Leistungstransistor

Also Published As

Publication number Publication date
US20040174217A1 (en) 2004-09-09
US6911866B2 (en) 2005-06-28
WO2003005572A1 (de) 2003-01-16
DE10128772A1 (de) 2003-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69733789T2 (de) Hochauflösendes Stromversorgungsprüfsystem
EP1191693A1 (de) Schaltungsanordnung zur Erfassung des Stromes in einem Lasttransistor
DE10110273A1 (de) Spannungsgenerator mit Standby-Betriebsart
DE112015007039B4 (de) Treiberschaltungen für eine halbleiteranordnung und inverteranordnungen
DE102017201229A1 (de) Treibervorrichtung und Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102005020803A1 (de) Schaltungsanordnung mit einer Verstärkeranordnung und einer Offset-Kompensationsanordnung
DE102019102929B3 (de) Intelligenter Halbleiterschalter
DE10128772B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Einschaltstrombegrenzung in Gegentaktverstärkerendstufen
EP3704776B1 (de) Verpolschutzanordnung, verfahren zum betrieb der verpolschutzanordnung und korrespondierende verwendung
DE4192024C2 (de) Leistungsverstärker mit Strombegrenzungsvorrichtung
DE102004055452B4 (de) Ausgangsschaltung
EP1327290B1 (de) Schaltungsanordnung zum überwachen und/oder zum einstellen von versorgungsspannungen
DE10136798B4 (de) Eingangsschnittstellenschaltung für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
DE19604041C1 (de) Schaltungsanordnung zur Erkennung eines durch eine Last fließenden Laststroms
DE4434792C1 (de) Integrierte, in einem ersten und einem zweiten Betriebsmodus betreibbare Schaltungsanordnung
DE69630018T2 (de) Logische schaltung für niedrige spannungen
EP1495542B1 (de) Schaltungsanordnung und verfahren zur erzeugung eines dual-rail-signals
EP0757254A2 (de) Integrierte Schaltung
EP0558813B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung und Fehlerrückmeldung eines elektrischen Bauelements
DE102005038316B4 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines definierten Ausgangssignals
DE19857396C2 (de) Ausfallsicherheitsgerichteter Binärstellenvergleicher mit ternärer Ergebnis- und Zustandsanzeige
EP1844382A2 (de) Siebschaltung
DE10152256A1 (de) Elektrische Schaltungsanordnung
DE102008005203B4 (de) Integrierter Pegelanpassungsbaustein mit integrierter Anschlussüberwachung
DE69728309T2 (de) Schutzschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: LANTIQ DEUTSCHLAND GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

Effective date: 20110325

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140101