DE10109174A1

DE10109174A1 - Verfahren zum Strukturentwurf von integrierten Halbleiterschaltungen und Vorrichtung zur Durchführung desselben

Info

Publication number: DE10109174A1
Application number: DE10109174A
Authority: DE
Inventors: Nobuhito Morikawa
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 2000-02-25
Filing date: 2001-02-26
Publication date: 2002-02-21
Also published as: JP2001237322A; US20010018757A1

Abstract

Verfahren zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen bestehenden integrierten Halbleiterschaltung, mit den Verfahrensschritten, (a) erste Daten und zweite Daten in ein automatisches Strukturentwurfssystem einzugeben, wobei sich die ersten Daten auf die Verbindung einer Schaltung beziehen und die zweiten Daten auf die Zellen und eine Füllzelle beziehen, die in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist und eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird, (b) die Zellen auf Basis der ersten und zweiten Daten anzuordnen, (c) die Füllzelle in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren, (d) zu prüfen, ob aufgrund der Verdrahtung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und ein Prüfsignal zu übertragen, das eine Verdrahtung kennzeichnet, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und (e) für die mit dem Prüfsignal kennzeichnete Verdrahtung einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durchzuführen.

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Strukturentwurf (Layout) einer integrierten Halbleiterschaltung und insbesondere so ein Verfahren zum Maskenstrukturentwurf einer integrierten Halbleiterschaltung mit Verhinderung des Antenneneffektes, der durch Verdrahtung erzeugt wird, die aufgeladen wird.

Beschreibung des Standes der Technik

Da die Gattergröße in einer integrierten Halbleiterschaltung wie z. B. einer LSI immer größer wird, wird auch die Gattergröße immer größer, bei der eine Verdrahtungs anordnung mittels eines automatischen Strukturentwurfssystems durchgeführt wird.

Dies führt dazu, dass eine Verdrahtung in einer Prozesseinheit ziemlich lang werden kann, in welchem Fall ein isolierender Film wie z. B. ein Gatterisolierfilm wahrscheinlich beschädigt wird, insbesondere verschlechtert wird oder aufgrund von elektrischen Ladungen, die in einem Plasma- oder Ionenstrahlprozess bei der LSI-Herstellung auftreten, dielektrischen Durchschlag erfährt.

Zusätzlich tritt der sogenannte Antenneneffekt auf. Beim Antenneneffekt wird eine Ver drahtungsschicht, die elektrisch mit einem elektrisch leitenden Film verbunden ist, der auf einem isolierenden Film gebildet ist, aufgeladen, mit der Folge, dass sich viele elek trische Ladungen im elektrisch leitenden Film ansammeln. Wenn so ein Antenneneffekt auftritt, wird ein isolierender Film, wie z. B. der oben erwähnte Film, leicht beschädigt.

Um den oben erwähnten Antenneneffekt zu verhindern, hat man viele Versuche unternommen.

Zum Beispiel hat die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 11-186394 ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung vorgeschlagen, bei dem eine oberste Verdrahtungszelle in eine Verdrahtung eingefügt wird, die vor dem Anten neneffekt geschützt werden muss, um dadurch eine Verdrahtungslänge zu definieren, die gleich einer vorbestimmten Länge oder kleiner als diese ist, was sicher verhindert, dass ein isolierender Film durch den Antenneneffekt beschädigt wird.

Fig. 1 bis 3 zeigen die bei dem vorgeschlagenen Verfahren durchzuführenden Ver fahrensschritte. Fig. 1 zeigt einen Strukturentwurf eines integrierten Halbleiters, bevor Schutz gegen den Antenneneffekt hergestellt wird, Fig. 2 zeigt ein Muster zur Herstel lung von Schutz gegen den Antenneneffekt, und Fig. 3 zeigt einen Strukturentwurf eines integrierten Halbleiters, nachdem Schutz gegen den Antenneneffekt hergestellt worden ist.

Wie in Fig. 1 gezeigt, ist eine Zielverdrahtung 101, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, durch eine Verdrahtung 102 mit einem Stift 104 einer Zelle 103 verbunden. Die Zielverdrahtung 101 und die Verdrahtung 102 sind hier nicht die obersten Verdrahtungen in einem Strukturentwurf.

Als Lösung für das Antenneneffekt-Problem wird eine oberste Verdrahtungszelle 105 verwendet, wie in Fig. 2 gezeigt. In der obersten Verdrahtungszelle 105 sind Stifte 106 und 107 durch eine oberste Verdrahtung 108 miteinander verbunden. Indem man einen in Fig. 1 gezeigte Aufbau mit einem in Fig. 2 gezeigten Aufbau verbindet, erhält man ein Muster als Schutz gegen den Antenneneffekt.

Das heißt, die oberste Verdrahtungszelle 105 befindet sich über der Zelle 103, wie in Fig. 3 gezeigt. Die Stifte 104 und 106 sind durch eine Verdrahtung 102a, die keine oberste Verdrahtung ist, elektrisch miteinander verbunden. Die Zielverdrahtung 101 und der Stift 107 sind durch eine Verdrahtung, die keine oberste Verdrahtung ist, elektrisch miteinander verbunden. Der in Fig. 3 gezeigte Aufbau erzielt einen Schutz gegen den Antenneneffekt.

Die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 11-214521 hat eine integrierte Halbleiterschaltung vorgeschlagen, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein Schutz element elektrisch mit einem schwebenden Gatter einer Elementarzelle verbunden ist.

Fig. 4 ist ein Schaltplan einer NICHT-Glied-Zeile 110 mit einer Schutzschaltung, die in der vorgeschlagenen, integrierten Halbleiterschaltung enthalten ist.

Die NICHT-Glied-Zelle 110 besteht aus einem NICHT-Glied 111 und einer Schutz schaltung 112. Nicht nur das NICHT-Glied 111, sondern alle Elementarzellen wie z. B. NICHT-ODER und NICHT-UND sind dafür ausgelegt, eine Schutzschaltung zu enthal ten, um für alle Verdrahtungen Schutz gegen den Antenneneffekt zu gewährleisten.

Jedoch ist die in Fig. 1 bis 3 gezeigte, integrierte Halbleiterschaltung mit dem Pro blem behaftet, dass es möglicherweise unmöglich ist, eine oberste Verdrahtungszelle auf eine Weise wie in Fig. 3 gezeigt anzuordnen, wenn die oberste Verdrahtung mit zunehmender LSI-Größe einen komplizierten Aufbau erhält.

Die in Fig. 4 gezeigte, integrierte Halbleiterschaltung ist mit dem Problem behaftet, dass eine Strukturentwurfsfläche unvermeidlich vergrößert wird, da auch eine Verdrahtung, die nicht vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, dafür ausgelegt ist, eine Schutzschaltung zu enthalten, was eine Vergrößerung der Fläche eines Halbleiterchips zur Folge hat. Dieses Problem wird mit einer Vergrößerung des Umfanges einer LSI beachtlich.

Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 6-326248 hat eine integrierte Halbleiterschaltung vorgeschlagen, die ein Halbleitersubstrat enthält, auf dem Zellen angeordnet sind, die jeweils einen MOS-Transistor aufweisen, und Verdrahtungen, die elektrisch mit den Zellen aneinander verbunden sind, um dadurch eine gewünschte Funktion zu erfüllen. Das Halbleitersubstrat ist an einer Oberfläche davon gebildet, mit einem PN-Übergang, bestehend aus einem P-leitenden Bereich und einem N-leitenden Bereich, der sich entfernter von einer Oberfläche des Halbleitersubstrates vom P leitenden Bereich befindet. Diodensequenzen sind in einem konstanten Abstand von einander beabstandet. Jede der Diodensequenzen besteht aus einer PN-Übergangs sequenz, die PN-Übergänge enthält, die in einem Verdrahtungs-Lastwagen angeordnet sind, der senkrecht zu einer Verdrahtung ist, die Zellen miteinander verbindet, und einer Elektrode, die in ein Kontaktloch gefüllt ist, das von einer Verdrahtungsschicht zum P- leitenden Bereich gebildet ist. Eine Verdrahtungslänge zwischen einem Gate des MOS- Transistors und der Elektrode ist so ausgelegt, dass sie automatisch kleiner als eine vorbestimmte Länge ist.

Die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 8-97416 hat eine Halbleitervor richtung vorgeschlagen, die eine Primär-Eingangschaltung, eine interne Schaltung, die einen Feldeffektransistor enthält, eine Gate-Elektrodenschicht, die den Feldeffekttran sistor bildet, eine erste Verdrahtungsschicht, die elektrisch mit der Gate-Elektroden schicht verbunden ist und die ein Schaltungssignal an die Gate-Elektrodenschicht überträgt, und eine Störstellendiffusionsschicht enthält, die zwischen die Gate- Elektrodenschicht und die erste Verdrahtungsschicht geschichtet ist und einen Widerstand und eine Diode enthält.

Die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 8-306922 hat ein Verfahren zur Herstellung eines Polysilizium-Gate einer Halbleiter-Speichervorrichtung durch Plasma lithografie vorgeschlagen, mit den Verfahrensschritten, getrennt eine Gate-Polysilizium schicht in einem aktiven Bereich und eine Kontakt-Polysiliziumschicht in einem anderen Bereich als dem aktiven Bereich zu bilden und die Gate-Polysiliziumschicht und die Kontakt-Polysiliziumschicht durch einen elektrischen Leiter miteinander zu verbinden.

Die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 10-144795, die auf der US- Patentanmeldung Nr. 740766 basiert, eingereicht am 1. November 1996 von Daniel R. Cronyn III und auf die Firma Motorola übertragen, hat eine Standardzellenbibliothek mit einer Vielzahl von Standardzellen vorgeschlagen. Mindestens eine der Standardzellen besteht aus einem Standardzelleneingang und einem zum Standardzelleneingang gehörenden Halter zum Positionieren einer Diode darin. Die im Halter positionierte Diode ist elektrisch mit dem Standardzelleneingang verbunden.

Die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 11-186394 hat ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung vorgeschlagen, das den Verfahrens schritt umfasst, eine Standardzelle in eine Verdrahtung einzufügen, die elektrisch mit einer Gate-Elektrode verbunden ist, um die Verdrahtung auf eine vorbestimmte Länge zu bringen, mit der verhindert wird, dass ein Gate-Oxidfilm verschlechtert wird. Die einzufügende Standardzelle enthält eine Verdrahtung, die durch eine oberste Verdrahtungsschicht in der Standardzelle hindurchgeht.

Die japanische, ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 11-297836 hat eine Halbleiter vorrichtung vorgeschlagen, die in Kombination angeordnete Zellen und Funktionsblöcke oder Module und ein Verdrahtungsmuster enthält, das die Zellen und Funktionsblöcke oder Module miteinander verbindet. Jede der Zellen und jeder der Funktionsblöcke besteht aus einer ersten Diffusionsschicht, die eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und elektrisch mit einem Eingangsanschluss der Zelle bzw. des Funktionsblockes verbunden ist, und einer Diode, die eine erste, elektrische Leitfähigkeit hat und eine Wanne enthält, die elektrisch mit einer zweiten Spannungsquelle verbunden ist und eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat.

Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 11-186502 hat eine Halbleiter vorrichtung vorgeschlagen, die eine Vielzahl von Standardzellen enthält, die auf einem Halbleitersubstrat gebildet sind und jeweils einen Eingangsanschluss und einen MOS- Transistor aufweisen. Die Halbleitervorrichtung enthält weiterhin einen Diffusionsbe reich, der in dem Halbleitersubstrat gebildet ist und fast vernachlässigbaren Widerstand hat. Der Eingangsanschluss und das Gate sind durch eine Verdrahtung, die den Diffusionsbereich enthält, elektrisch miteinander verbunden.

Die oben erwähnten Probleme bleiben jedoch auch bei den oben erwähnten Veröffentlichungen ungelöst.

Darstellung der Erfindung

Im Hinblick auf die oben erwähnten Probleme im Stand der Technik ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Strukturentwurf einer integrierten Halbleiterschaltung zu schaffen, das leicht eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt zustande bringen kann.

Außerdem ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zum Struk turentwurf einer integrierten Halbleiterschaltung zu schaffen, die das gleiche tun kann.

Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen bestehenden, integrierten Halbleiterschaltung ge schaffen, das den Verfahrensschritt umfasst, in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum eine Füllzelle zu positionieren, die eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird.

Weiterhin wird ein Verfahren zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen bestehenden integrierten Halbleiterschaltung geschaffen, das die Verfahrensschritte umfasst, a) erste Daten und zweite Daten in ein automatisches Strukturentwurfssystem einzugeben, wobei sich die ersten Daten auf die Verbindung einer Schaltung beziehen und die zweiten Daten auf die Zellen und eine Füllzelle beziehen, die in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist und eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird, b) die Zellen auf Basis der ersten und zweiten Daten anzuordnen, c) die Füllzelle in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren, d) zu prüfen, ob aufgrund der Verdrahtung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und ein Prüfsignal zu übertragen, das eine Verdrahtung kennzeichnet, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und e) für die mit dem Prüfsignal kennzeichnete Verdrahtung einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durchzuführen.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen bestehenden integrierten Halbleiter schaltung geschaffen, mit a) einem ersten Speicher, der erste Daten enthält, die sich auf die Verbindung einer Schaltung beziehen, b) einem zweiten Speicher, der zweite Daten enthält, die sich auf die Zellen und eine Füllzelle beziehen, die in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist und eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird, c) einem automatischen Strukturentwurfssystem, das die Zellen auf Basis der ersten und zweiten Daten anordnet und die Füllzelle in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum positioniert, und d) einem elektroni schen Konstruktionsautomatisierungs-Werkzeug, das prüft, ob aufgrund der Verdrah tung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und ein Prüfsignal überträgt, das eine Verdrahtung kennzeichnet, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, wobei das automatische Strukturentwurfssystem für die mit dem Prüfsignal kennzeichnete Verdrahtung einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durchführt.

Nach noch einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine aus einer Vielzahl von Zellen bestehende integrierte Halbleiterschaltung geschaffen, mit a) einem Halbleiter substrat, das darin gebildete Schutzelemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates gebildete Diffusionsschicht und eine zweite Diffusionsschicht um die erste Diffusionsschicht herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat, b) einer geerdeten Leitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit der zweiten Diffusionsschicht verbindet, c) einer Spannungsquellen leitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die geerdete Leitung und die Spannungsquellenleitung beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, und d) einer Zielverdrahtung, die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht und vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, wobei eines der Schutzelemente genau unter der Zielverdrahtung liegt, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht des einen Schutzelementes verbunden ist.

Weiterhin wird eine aus einer Vielzahl von Zellen bestehende, integrierte Halbleiter schaltung geschaffen, mit a) einem Halbleitersubstrat, das darin gebildete Schutz elemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates gebildete Diffusionsschicht und eine zweite Diffusionsschicht um die erste Diffusionsschicht herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat, b) einer geerdeten Leitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit der zweiten Diffusions schicht verbindet, c) einer Spannungsquellenleitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die geerdete Leitung und die Spannungsquellenleitung beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, d) einer Zielverdrahtung, die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht und vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und e) einer Verbindungsverdrahtung mit einem ersten Ende, das genau über einem der Schutzelemente liegt, das in der Nähe der Zielverdrahtung liegt, und einem zweiten Ende, an dem die Verbindungsverdrahtung elektrisch mit der Zielverdrahtung verbunden ist, wobei die Verbindungsverdrahtung an dem ersten Ende durch ein Kontaktloch elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht des einen Schutz elementes verbunden ist.

Weiterhin wird eine aus einer Vielzahl von Zellen bestehende integrierte Halbleiter schaltung geschaffen, mit a) einem Halbleitersubstrat, das darin gebildete Schutz elemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates gebildete Diffusionsschicht und eine zweite Diffusionsschicht um die erste Diffusionsschicht herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat, b) einer geerdeten Leitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit der zweiten Diffusions schicht verbindet, c) einer Spannungsquellenleitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die geerdete Leitung und die Spannungsquellenleitung beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, d) einer Zielverdrahtung, die aus einer zweiten, über der ersten Metallverdrahtungsschicht liegenden Metallverdrahtungs schicht besteht und die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und e) einer Verbindungsverdrahtung, die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht, wobei mindestens eines der Schutzelemente genau unter der Zielverdrahtung liegt, die Ziel verdrahtung durch ein erstes Kontaktloch elektrisch mit der Verbindungsverdrahtung verbunden ist und die Verbindungsverdrahtung durch ein zweites Kontaktloch elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht des einen Schutzelementes verbunden ist.

Weiterhin wird eine aus einer Vielzahl von Zellen bestehende integrierte Halbleiter schaltung geschaffen, mit a) einem Halbleitersubstrat, das darin gebildete Schutz elemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates gebildete Diffusionsschicht und eine zweite Diffusionsschicht um die erste Diffusionsschicht herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat, b) einer geerdeten Leitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit der zweiten Diffusions schicht verbindet, c) einer Spannungsquellenleitung, die durch ein Kontaktloch elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die geerdete Leitung und die Spannungsquellenleitung beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, d) einer Zielverdrahtung, die aus einer zweiten, über der ersten Metallverdrahtungsschicht liegenden Metallverdrahtungs schicht besteht und die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und e) einer Verbindungsverdrahtung, die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht und die ein erstes, genau unter der Zielverdrahtung liegendes Ende und ein zweites, genau über einem der Schutzelemente liegendes Ende hat, wobei die Verbindungsverdrah tung an dem ersten Ende durch ein erstes Kontaktloch elektrisch mit der Zielverdrah tung verbunden ist und an dem zweiten Ende durch ein zweites Kontaktloch elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht des einen Schutzelementes verbunden ist.

Ferner wird eine integrierte Halbleiterschaltung geschaffen, mit a) einer Vielzahl von Makrozellen, b) einer Zielverdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss und die eine Treiberzelle, die in einer der Makrozellen liegt, elektrisch mit einer Gate-Elektroden-Zelle verbindet, die in einer anderen Makrozelle liegt, wobei die Zielverdrahtung durch einen zwischen den Makrozellen gebildeten Zwischenraum hindurchgeht, der mit Füllzellen gefüllt ist, die jeweils eine Schutzschaltung zur Verhinderung des Antenneneffektes enthalten, und wobei die Zielverdrahtung elektrisch mit einer Füllzelle verbunden ist, die der Gate-Elektroden-Zelle am nächsten liegt.

Nachfolgend werden die Vorteile beschrieben, die man mit der oben erwähnten vorliegenden Erfindung erzielt.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Füllzelle, die eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung aufgeladen wird, in einem Zwischenraum positioniert, der zwischen Zellen gebildet ist, die eine integrierte Halbleiterschaltung bilden. Die Schutzschaltung kann zum Beispiel aus einer Diode bestehen. Es wird geprüft, ob aufgrund einer Verdrahtung, die aufgeladen wird, in irgendeiner der Verdrahtungen der Antenneneffekt auftritt. Eine Verdrahtung, die aufgeladen wird, das heißt, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, wird elektrisch mit der Schutzschaltung der Füllzelle verbunden.

Wenn eine Füllzelle nicht in der Nähe einer Verdrahtung liegt, die vor dem Antennen effekt geschützt werden muss, wird (werden) ein Zwischenraum oder Zwischenräume, der bzw. die zwischen den Zellen gebildet ist bzw. sind, in die Nähe der Verdrahtung verschoben.

Als Folge wird es möglich, eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt zu treffen, ohne dass eine Strukturentwurfsfläche der LSI, das heißt, eine Fläche des Halbleiterchips, größer wird. Dieser Vorteil wird mit einer Vergrößerung des Umfanges einer LSI noch beachtlicher, was bei einer LSI höheren Integrationsgrad und Multifunktion gewährleistet.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1, 2 und 3 sind Draufsichten auf einen Strukturentwurf einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß dem ersten Stand der Technik.

Fig. 4 ist eine Draufsicht auf eine Zelle einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß dem zweiten Stand der Technik.

Fig. 5 ist ein Blockdiagramm einer Vorrichtung zum Strukturentwurf einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 6 ist ein Flussdiagramm, das die bei der in Fig. 5 gezeigten Vorrichtung durchzuführenden Verfahrensschritte zeigt.

Fig. 7 ist ein Flussdiagramm, das die bei der in Fig. 5 gezeigten Vorrichtung durchzuführenden Verfahrensschritte zeigt.

Fig. 8A ist eine Draufsicht auf eine Füllzelle bei der vorliegenden Erfindung.

Fig. 8B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 8B-8B in Fig. 8A.

Fig. 9A ist eine Draufsicht auf eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 9B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 9B-9B in Fig. 9A.

Fig. 10A ist eine Draufsicht auf eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 10B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 10B-10B in Fig. 10A.

Fig. 11A ist eine Draufsicht auf eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 11 B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 11B-11B in Fig. 11A.

Fig. 12A ist eine Draufsicht auf eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 12B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 12B-12B in Fig. 12A.

Fig. 13A ist eine Draufsicht auf eine Zellenstrukturentwurfs-Verdrahtung.

Fig. 13B ist eine Fig. 13A entsprechende Draufsicht auf eine Zellenstrukturentwurfs- Verdrahtung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 14A ist eine Draufsicht auf eine Zellenstrukturentwurfs-Verdrahtung.

Fig. 14B ist eine Fig. 14A entsprechende Draufsicht auf eine Zellenstrukturentwurfs- Verdrahtung gemäß der siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 15A ist eine Draufsicht auf eine Zellenstrukturentwurfs-Verdrahtung.

Fig. 15B ist eine Fig. 15A entsprechende Draufsicht auf eine Zellenstrukturentwurfs- Verdrahtung gemäß der achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 16 ist ein Flussdiagramm, das weitere Verfahrensschritte zeigt, die bei der in Fig. 5 gezeigten Vorrichtung durchzuführen sind.

Fig. 17 ist ein Flussdiagramm, das weitere Verfahrensschritte zeigt, die bei der in Fig. 5 gezeigten Vorrichtung durchzuführen sind.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Fig. 5 ist ein Blockdiagramm einer Vorrichtung zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Standardzellen bestehenden, integrierten Halbleiterschaltung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die Vorrichtung 70 besteht aus einem ersten Speicher 71, der erste Daten enthält, die sich auf die Verbindung einer Schaltung beziehen, einem zweiten Speicher 72, der zweite Daten enthält, die sich auf die Standardzellen und eine Füllzelle beziehen, die in einem zwischen den Standardzellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist und eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung, die die Standard zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird, einem automatischen Struktur entwurfssystem 73, das die Standardzellen auf Basis der ersten und zweiten Daten anordnet und die Füllzelle in einem zwischen den Standardzellen gebildeten Zwischen raum positioniert, und einem elektronischen Konstruktionsautomatisierungs(EDA)- Werkzeug 74, das prüft, ob aufgrund der Verdrahtung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und ein Prüfsignal an das automatische Struktur entwurfssystem 72 überträgt.

Das Prüfsignal kennzeichnet eine Verdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss. Das automatische Strukturentwurfssystem 73 führt für die mit dem Prüf signal kennzeichnete Verdrahtung einen Prozess zur Verhinderung des Antennen effektes durch.

Fig. 6 und 7 zeigen einen Betrieb der Vorrichtung 70. Ein Betrieb der Vorrichtung 70 wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 6 und 7 erläutert.

Unter Bezugnahme auf Fig. 6 werden im Verfahrensschritt S101 die im ersten Speicher 71 gespeicherten, ersten Daten und die im zweiten Speicher 72 gespeicherten, zweiten Daten in das automatische Strukturentwurfssystem 73 eingegeben. Wie vorher erwähnt, beziehen sich die ersten Daten auf eine Schaltungsverbindung und beziehen sich die zweiten Daten auf eine Standardzelle, die eine integrierte Halbleiterschaltung bildet, und eine Füllzelle, die in einem zwischen den Standardzellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist. Eine Füllzelle wird später im Detail erwähnt. Eine Standardzelle enthält eine Standardschaltung wie zum Beispiel ein NICHT-Glied, NICHT-ODER, NICHT-UND oder F/F (Flipflop).

Auf Basis der ersten und zweiten Daten führt das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann im Verfahrensschritt S102 einen Strukturentwurf für die Standardzellen durch und bildet Verdrahtungen, die die Standardzellen elektrisch miteinander verbinden.

Wird ein Zwischenraum zwischen den Standardzellen gebildet, positioniert das automatische Strukturentwurfssystem 73 eine Füllzelle in dem Zwischenraum und überträgt Strukturentwurfsdaten 7a.

Im Verfahrensschritt S103 prüft das elektronische Konstruktionsautomatisierungs- Werkzeug 74 auf Basis der Strukturentwurfsdaten 7a, ob in irgendeiner der Verdrah tungen ein Antenneneffekt verursacht wird, und überträgt Prüfdaten 7b an das automatische Strukturentwurfssystem 73. Die Prüfdaten 7b kennzeichnen eine Verdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss. Eine mit den Prüfdaten 7b gekennzeichnete Verdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, wird nachfolgend als Zielverdrahtung bezeichnet.

In einem Verfahrensschritt S104 führt das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann auf Basis von Daten 8, die einen Bereich anzeigen, in dem eine Füllzelle wieder herzustellen ist, für alle durch die Prüfdaten 7b gekennzeichneten Verdrahtungen einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durch.

Die Daten 8 bestehen aus einem sich horizontal erstreckenden Bereich und einem sich vertikal erstreckenden Bereich.

Der Verfahrensschritt S104 ist dadurch gekennzeichnet, dass wie folgt eine Füllzelle wirksam verwendet wird.

Der Verfahrensschritt S104 wird nachfolgend im Detail erläutert. Der Verfahrensschritt S104 umfasst Verfahrensschritte 105, 106, 107 und 108.

Im Verfahrensschritt S105 prüft das automatische Strukturentwurfssystem 73 auf Basis der Daten 8, ob unterhalb der Zielverdrahtung oder in der Nähe der Zielverdrahtung eine Füllzelle existiert.

Wird eine Füllzelle gefunden (JA im Verfahrensschritt S105), werden im Verfahrens schritt S106 die Zielverdrahtung und eine unterhalb oder in der Nähe der Zielverdrah tung liegende Füllzelle durch Metallisierung und durch ein Kontaktloch elektrisch miteinander verbunden.

Wird keine Füllzelle gefunden (NEIN im Verfahrensschritt S105), werden Daten 13, die ein Gebiet anzeigen, in dem ein zwischen den Standardzellen gebildeter Zwischenraum wiederherzustellen ist, in das automatische Strukturentwurfssystem 73 eingegeben. Die Daten 13 bestehen aus ersten Daten, die horizontal angeordnete Standardzellen anzei gen, bei denen ein zwischen den Standardzellen gebildeter Zwischenraum wiederher zustellen ist, und zweiten Daten, die vertikal angeordnete Standardzellen anzeigen, bei denen ein zwischen den Standardzellen gebildeter Zwischenraum wiederherzustellen ist.

Auf Basis der Daten 13 führt das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann eine Suche durch, bis unterhalb der Zielverdrahtung oder in der Nähe der Zielverdrahtung ein Zwischenraum zum Positionieren einer Füllzelle darin gefunden wird.

Im Verfahrensschritt S107 verschiebt das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann einige Standardzellen, um dadurch einen Zwischenraum zu bilden, und positioniert eine Füllzelle in dem so gebildeten Zwischenraum.

Im Verfahrensschritt S108 kompensiert das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann durch Verschieben der Standardzellen verursachte Unterbrechungen in Verdrahtungen, und im Verfahrensschritt S106 verbindet es eine Füllzelle und die Zielverdrahtung elektrisch miteinander.

Somit erhält man Maskendaten 12, die sich auf den Strukturentwurf der Standardzellen und Verdrahtungen beziehen, für die eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen wurde.

Nachfolgend werden integrierte Halbleiterschaltungen in Übereinstimmung mit den Ausführungsformen erläutert.

Unter Bezugnahme auf Fig. 8A und 8B wird zuerst ein Aufbau einer Füllzelle erläu tert. Fig. 8A ist eine Draufsicht auf eine integrierte Halbleiterschaltung, die Füllzellen enthält, und Fig. 8B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 8B-8B in Fig. 8A.

Wie in Fig. 8A gezeigt, enthält die integrierte Halbleiterschaltung ein Halbleitersubstrat 32 (siehe Fig. 8B) mit einer P-leitenden Wannenschicht 21 und einer Vielzahl von N- leitenden Diffusionsschichten 22, die in der P-leitenden Wannenschicht 21 gebildet sind. Es wird eine P-leitende Diffusionsschicht 23 gebildet, die elektrischen Kontakt mit der P-leitenden Wannenschicht 21 herstellt. Die P-leitende Diffusionsschicht 23 ist durch ein Kontaktloch 24 elektrisch mit einer geerdeten Leitung 25 verbunden.

Das Halbleitersubstrat 32 enthält eine N-leitende Wannenschicht 26 und eine N-leitende Diffusionsschicht 27, die elektrischen Kontakt mit der N-leitenden Wannenschicht 26 herstellt. Eine Spannungsquellenleitung 29 ist durch ein Kontaktloch 28 elektrisch mit der N-leitenden Diffusionsschicht 27 verbunden.

Die geerdete Leitung 25 und die Spannungsquellenleitung 29 bestehen beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht.

Eine Füllzelle, die eine Schutzvorrichtung enthält, hat drei vertikale Strukturentwurfs spuren 30 und sieben horizontale Strukturentwurfsspuren 31.

Die Schutzvorrichtung in einer Füllzelle besteht aus einer PN-Übergangs-Diode.

Speziell bilden die an einer Oberfläche des Halbleitersubstrates 32 gebildete P-leitende Wannenschicht 21 und die in der P-leitenden Wannenschicht 21 gebildete N-leitende Diffusionsschicht 22 eine Diode als die Schutzvorrichtung, wie in Fig. 8B gezeigt.

Fig. 9A und 9B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 9A ist eine Draufsicht auf die integrierte Halbleiterschaltung, und Fig. 9B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 9B-9B in Fig. 9A.

Bestandteile oder Elemente, die denjenigen der in Fig. 8A und 8B dargestellten integrierten Halbleiterschaltung entsprechen, sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen worden.

In der zweiten Ausführungsform liegt eine der Füllzellen genau unter einer Zielverdrah tung 33, die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht. Wie in Fig. 9B gezeigt, ist die Zielverdrahtung 33 durch ein Kontaktloch 34 elektrisch mit der N-leitenden Diffusionsschicht 22 der Diode verbunden. Eine Zelle mit einem Muster, das das Kontaktloch 34 definiert, wird durch das automatische Strukturentwurfssystem 73 automatisch positioniert.

Fig. 10A und 10B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 10A ist eine Draufsicht auf die integrierte Halbleiterschaltung, und Fig. 10B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 10B-10B in Fig. 10A.

In der dritten Ausführungsform liegt eine der Füllzellen in der Nähe einer Zielverdrah tung 35, die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht.

Die integrierte Halbleiterschaltung gemäß der dritten Ausführungsform ist so konstruiert, dass sie eine Verbindungsverdrahtung 36 mit einem ersten Ende 36a, das genau über einer der Füllzellen liegt, die der Zielverdrahtung 35 am nächsten liegt, und einem zweiten Ende, an dem die Verbindungsverdrahtung 36 elektrisch mit der Zielverdrah tung 35 verbunden ist, enthält. Wie am besten in Fig. 10B gezeigt, ist die Verbindungs verdrahtung 36 am ersten Ende 36a durch ein Kontaktloch 34 elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht 22 der Füllzelle verbunden.

Fig. 11A und 11 B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 11A ist eine Draufsicht auf die integrierte Halbleiterschaltung, und Fig. 11B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 11 B-11 B in Fig. 11A.

In der vierten Ausführungsform besteht eine Zielverdrahtung 37 aus einer zweiten Metallverdrahtungsschicht, die über der ersten Metallverdrahtungsschicht liegt. Sämtliche Füllzellen liegen unter der Zielverdrahtung 37.

Die integrierte Halbleiterschaltung gemäß der vierten Ausführungsform ist so konstru iert, dass sie eine Verbindungsverdrahtung 38 enthält, die aus der ersten Metallver drahtungsschicht besteht, die unter der zweiten Metallverdrahtungsschicht liegt.

Wie in Fig. 11 B gezeigt, ist die Zielverdrahtung 37 durch ein erstes Kontaktloch 39 elektrisch mit der Verbindungsverdrahtung 38 verbunden, und die Verbindungs verdrahtung 38 ist durch ein zweites Kontaktloch 34 elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht 22 der Füllzelle verbunden. Das heißt, die Zielverdrahtung 37 ist durch das erste Kontaktloch 39, die Verbindungsverdrahtung 38 und das zweite Kontaktloch 34 elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht 22 verbunden.

Die Verdrahtungen 40, 41 und 42, die alle aus der ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, erstrecken sich oberhalb der P-leitenden Wannenschicht 21, aber unterhalb der Zielverdrahtung 37.

Fig. 12A und 12B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 12A ist eine Draufsicht auf die integrierte Halbleiterschaltung, und Fig. 12B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie 12B-12B in Fig. 12A.

Bestandteile oder Elemente, die denjenigen der in Fig. 11A und 11 B dargestellten integrierten Halbleiterschaltung entsprechen, sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen worden.

In der fünften Ausführungsform besteht eine Zielverdrahtung 43 aus einer zweiten Metallverdrahtungsschicht, die über der ersten Metallverdrahtungsschicht liegt. Die Füllzellen liegen in der Nähe der Zielverdrahtung 43.

Die integrierte Halbleiterschaltung gemäß der fünften Ausführungsform ist so konstru iert, dass sie eine Verbindungsverdrahtung 38a enthält, die aus der ersten Metallver drahtungsschicht besteht, die unter der zweiten Metallverdrahtungsschicht liegt. Die Verbindungsverdrahtung 38a hat ein erstes Ende 38A, das genau unter der Zielverdrah tung 43 liegt, und ein zweites Ende 38B, das genau über einer der Füllzellen liegt.

Wie in Fig. 12B gezeigt, ist die Verbindungsverdrahtung 38a am ersten Ende 38A durch ein erstes Kontaktloch 39 elektrisch mit der Zielverdrahtung 43 verbunden, und weiter hin ist sie am zweiten Ende 38B durch ein zweites Kontaktloch 34 elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht 22 der Füllzelle verbunden. Das heißt, die Zielverdrahtung 43 ist durch das erste Kontaktloch 39, die Verbindungsverdrahtung 38a und das zweite Kontaktloch 34 elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht 22 verbunden.

Die Verdrahtungen 40, 41 und 42, die alle aus der ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, erstrecken sich oberhalb der P-leitenden Wannenschicht 21, aber unterhalb der Zielverdrahtung 43.

Fig. 13A und 13B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 13A ist eine Draufsicht auf einen Zellenstrukturentwurf der integrierten Halbleiterschaltung, bevor eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen wird, und Fig. 13B ist eine Draufsicht auf einen Zellenstrukturentwurf der gleichen Schaltung, nachdem eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen worden ist.

Anders als in den oben erwähnten, zweiten bis fünften Ausführungsformen sind in der sechsten Ausführungsform Makrozellen in einem Halbleiterchip angeordnet.

Wie in Fig. 13A gezeigt, sind eine erste Makrozelle 44, eine zweite Makrozelle 45, eine dritte Makrozelle 46, eine vierte Makrozelle 47 und eine fünfte Makrozelle 48 in einem Halbleiterchip angeordnet. Eine Zielverdrahtung 51, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, verbindet eine in der ersten Makrozelle 44 angeordnete Treiberzelle 49 durch einen Verdrahtungskanal, der zwischen der zweiten Makrozelle 45, der dritten Makrozelle 46 und der vierten Makrozelle 47 definiert ist, elektrisch mit einer Gate-Elektroden-Zelle 50, die in der fünften Makrozelle 48 angeordnet ist.

Die Standardzellen sind nicht im Verdrahtungskanal angeordnet. Statt dessen ist der Verdrahtungskanal mit den Füllzellen gefüllt. Wie in Fig. 13B gezeigt, ist es somit möglich, die Zielverdrahtung 51 elektrisch mit einer Füllzelle 52 zu verbinden, die innerhalb des Verdrahtungskanals und außerdem der Gate-Elektroden-Zelle 50 am nächsten liegt.

Fig. 14A und 14B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 14A ist eine Draufsicht auf einen Zellenstrukturentwurf der integrierten Halbleiterschaltung, bevor eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen wird, und Fig. 14B ist eine Draufsicht auf einen Zellenstrukturentwurf der gleichen Schaltung, nachdem eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen worden ist.

Wie nachstehend erwähnt, werden in der siebten Ausführungsform Standardzellen verschoben, um in einem gewünschten Gebiet, in dem eine Füllzelle zu positionieren ist, einen Zwischenraum zu definieren. Fig. 14A und 14B sind keine Gesamtansich ten einer Einheit für automatischen Strukturentwurf, sondern Teilansichten davon.

Wie in Fig. 14A gezeigt, ordnet das automatische Strukturentwurfssystem 73 Standard- oder Elementarzellen 53 als kleinste Größeneinheit an. In Fig. 14A und 14B zeigt ein schraffiertes Gebiet ein Gebiet an, in dem die Standard- oder Elementarzellen 53 bereits angeordnet worden sind, und ein nicht schraffiertes Gebiet zeigt ein Gebiet an, in dem die Standard- oder Elementarzellen 53 nicht angeordnet sind, das heißt, ein nicht schraffiertes Gebiet zeigt einen Zwischenraum an.

In der siebten Ausführungsform liegen die Füllzellen nicht unterhalb oder in der Nähe einer Zielverdrahtung 54. Die Zielverdrahtung 54 erstreckt sich senkrecht von einer Gate-Elektrode 55 aus, mit der die Zielverdrahtung 54 elektrisch verbunden ist.

Im Betrieb stellt das automatische Strukturentwurfssystem 73, beginnend mit der Gate- Elektrode 55 einer NICHT-Glied-Zelle 56 in Richtung auf einen Ausgangstreiber der Zielverdrahtung 54, die Standardzellen wieder her, bis das automatische Strukturent wurfssystem 73 drei Zwischenräume findet, die genau unterhalb oder in der Nähe der Zielverdrahtung 54 liegen.

Vor Durchführung der Wiederherstellung definiert das automatische Strukturentwurfs system 73 einen von einer durchgezogenen Linie umgebenen Bereich 57, in dem ein Zwischenraum zu finden ist.

Bei Durchführung der Wiederherstellung findet das automatische Strukturentwurfs system 73 einen ersten Zwischenraum 58, einen zweiten Zwischenraum 59 und einen dritten Zwischenraum 60 im Bereich 57.

Wie in Fig. 14B gezeigt, werden dann die unterhalb oder in der Nähe der Zielverdrah tung 54 liegenden Standardzellen 53 so verschoben, dass ein erster Zwischenraum 58a, ein zweiter Zwischenraum 59a und ein dritter Zwischenraum 60a neben der Gate- Elektrode 55 der NICHT-Glied-Zelle 56 liegen. Somit wird ein Zwischenraum gebildet, in dem eine Füllzelle zu positionieren ist.

Das automatische Strukturentwurfssystem 73 fügt dann eine Füllzelle in den so gebildeten Zwischenraum ein, um dadurch die Zielverdrahtung 54 elektrisch mit der Füllzelle zu verbinden.

Mit der Verbindung der Zielverdrahtung 54 mit der Füllzelle wird eine Parasitärkapazität der Zielverdrahtung 54 vergrößert. Da aber die Zielverdrahtung 54 eine große Verdrah tungslänge und eine große Parasitärkapazität hat, ist ein Vergrößerungsverhältnis einer Parasitärkapazität relativ zu der Parasitärkapazität, die die Zielverdrahtung 54 ursprüng lich hatte, ziemlich klein. Daher würde eine Vergrößerung einer Parasitärkapazität der Zielverdrahtung 54 einen vernachlässigbaren Einfluss auf eine Betriebsgeschwindigkeit der integrierten Halbleiterschaltung haben.

Fig. 15A und 15B zeigen eine integrierte Halbleiterschaltung gemäß der achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 15A ist eine Draufsicht auf einen Zellenstrukturentwurf der integrierten Halbleiterschaltung, bevor eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen wird, und Fig. 15B ist eine Draufsicht auf einen Zellenstrukturentwurf der gleichen Schaltung, nachdem eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt getroffen worden ist.

Ähnlich wie in der siebten Ausführungsform werden in der achten Ausführungsform Standardzellen verschoben, um in einem gewünschten Gebiet, in dem eine Füllzelle zu positionieren ist, einen Zwischenraum zu definieren. Fig. 15A und 15B sind keine Gesamtansichten einer Einheit für automatischen Strukturentwurf, sondern Teilansich ten davon.

Wie in Fig. 15A gezeigt, ordnet das automatische Strukturentwurfssystem 73 Standard- oder Elementarzellen 61 als kleinste Größeneinheit an. In Fig. 15A und 15B zeigt ein schraffiertes Gebiet ein Gebiet an, in dem die Standard- oder Elementarzellen 61 bereits angeordnet worden sind, und ein nicht schraffiertes Gebiet zeigt ein Gebiet an, in dem die Standard- oder Elementarzellen 61 nicht angeordnet sind, das heißt, ein nicht schraffiertes Gebiet zeigt einen Zwischenraum an.

In der achten Ausführungsform liegen Füllzellen nicht unterhalb oder in der Nähe einer Zielverdrahtung 62. Die Zielverdrahtung 62 erstreckt sich horizontal von einer Gate- Elektrode 63 aus, mit der die Zielverdrahtung 62 elektrisch verbunden ist.

Im Betrieb stellt das automatische Strukturentwurfssystem 73, beginnend mit der Gate- Elektrode 63 einer NICHT-Glied-Zelle 64 in Richtung auf einen Ausgangstreiber der Zielverdrahtung 62, die Standardzellen wieder her, bis das automatische Strukturent wurfssystem 73 drei Zwischenräume findet, die genau unterhalb oder in der Nähe der Zielverdrahtung 62 liegen.

Vor Durchführung der Wiederherstellung definiert das automatische Strukturentwurfs system 73 einen von einer durchgezogenen Linie umgebenen Bereich 65, in dem ein Zwischenraum zu finden ist.

Bei Durchführung der Wiederherstellung findet das automatische Strukturentwurfs system 73 einen ersten Zwischenraum 66, einen zweiten Zwischenraum 67 und einen dritten Zwischenraum 68 im Bereich 65.

Wie in Fig. 15B gezeigt, werden dann die unterhalb oder in der Nähe der Zielverdrah tung 62 liegenden Standardzellen 61 so verschoben, dass ein erster Zwischenraum 66a, ein zweiter Zwischenraum 67a und ein dritter Zwischenraum 68a neben der Gate- Elektrode 63 der NICHT-Glied-Zelle 64 liegen. Somit wird ein Zwischenraum gebildet, in dem eine Füllzelle zu positionieren ist.

Das automatische Strukturentwurfssystem 73 fügt dann eine Füllzelle in den so gebildeten Zwischenraum ein, um dadurch die Zielverdrahtung 62 elektrisch mit der Füllzelle zu verbinden.

In Übereinstimmung mit den oben erwähnten, zweiten bis achten Ausführungsformen wird es möglich, ohne Vergrößerung einer Strukturentwurfsfläche einer LSI, das heißt, einer Fläche eines Halbleiterchips, eine Gegenmaßnahme gegen den Antenneneffekt zu treffen.

Der Grund ist wie folgt. Nimmt man in den oben erwähnten, zweiten bis achten Ausführungsformen an, dass eine Zielverdrahtung eine maximale Verdrahtungslänge von 2 mm und eine Verdrahtungsspurteilung von 1 m hat, so würden unterhalb der Zielverdrahtung 2000 Standard- oder Elementarzellen mit minimaler Abmessung existieren. Nimmt man an, dass ein Aktivitätsverhältnis der Elementarzellen 95% beträgt, so würden 100 Zwischenräume zwischen den 200 Elementarzellen zu bilden sein. Jeder der 100 Zwischenräume hat die gleiche Größe wie die Elementarzelle.

Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Füllzelle in drei oder mehr Zwischenräumen, aber nicht in einem oder zwei Zwischenräumen positioniert. Da eine große Möglichkeit besteht, dass sich unter den 100 Zwischenräumen mindestens ein Satz von drei oder mehr Zwischenräumen befindet, die nebeneinander liegen, würde es beinahe möglich sein, eine Füllzelle in solche Zwischenräume einzufügen.

Die oben erwähnte Möglichkeit könnte man in Abhängigkeit von den Daten 8, die ein Gebiet anzeigen, in dem eine Füllzelle wiederherzustellen ist, größer machen, was sicherstellt, dass ohne Vergrößerung einer Strukturentwurfsfläche eine Gegenmaß nahme gegen den Antenneneffekt getroffen werden kann.

In den oben erwähnten Ausführungsformen hat eine Füllzelle zwar eine Größe gleich einer Gesamtgröße von drei Elementarzellen; man beachte aber, dass eine Füllzelle auch eine Größe haben kann, die gleich einer Gesamtgröße von einer, zwei, vier oder mehr Elementarzellen sein kann.

Wie unter Bezugnahme auf Fig. 6 erläutert wurde, wurde in der oben erwähnten, ersten Ausführungsform eine Füllzelle in einem zwischen den Standardzellen gebildeten Zwischenraum positioniert, nachdem die Standardzellen angeordnet worden sind.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf Fig. 16 und 17 eine Variante der ersten Ausführungsform erläutert. Diese Variante ist im Vergleich mit der ersten Ausführungs form dadurch gekennzeichnet, dass Füllzellen angeordnet werden, nachdem geprüft wurde, ob der Antenneneffekt aufgetreten ist.

Unter Bezugnahme auf Fig. 16 werden im Verfahrensschritt S101 die im ersten Speicher 71 gespeicherten, ersten Daten und die im zweiten Speicher 72 gespeicherten, zweiten Daten in das automatische Strukturentwurfssystem 73 eingegeben.

Im Verfahrensschritt S103 prüft das elektronische Konstruktionsautomatisierungs- Werkzeug 74 auf Basis der Strukturentwurfsdaten 7a, ob in irgendeiner der Verdrahtun gen ein Antenneneffekt verursacht wird, und überträgt Prüfdaten 7b an das automati sche Strukturentwurfssystem 73. Die Prüfdaten 7b kennzeichnen eine Zielverdrahtung.

In einem Verfahrensschritt S110 führt das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann auf Basis von Daten 8, die einen Bereich anzeigen, in dem eine Füllzelle wieder herzustellen ist, für alle durch die Prüfdaten 7b gekennzeichneten Verdrahtungen einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durch.

Der Verfahrensschritt S110 umfasst Verfahrensschritte 111, 112, 113, 114 und 115.

Im Verfahrensschritt S111 prüft das automatische Strukturentwurfssystem 73 auf Basis der Daten 8, ob unterhalb der Zielverdrahtung oder in der Nähe der Zielverdrahtung ein Gebiet existiert, in dem eine Füllzelle positioniert werden kann.

Wird ein solches Gebiet gefunden (JA im Verfahrensschritt S111), führt das automati sche Strukturentwurfssystem 73 im Verfahrensschritt S112 einen Strukturentwurf einer Füllzelle in so einem Gebiet durch und verbindet im Verfahrensschritt S113 die Füllzelle elektrisch mit einer Zielverdrahtung.

Wird kein solches Gebiet gefunden (NEIN im Verfahrensschritt S111), werden Daten 13, die ein Gebiet anzeigen, in dem ein zwischen den Standardzellen gebildeter Zwischenraum wiederherzustellen ist, in das automatische Strukturentwurfssystem 73 eingegeben.

Im Verfahrensschritt S114 verschiebt das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann einige Standardzellen, um dadurch einen Zwischenraum zu bilden, und positioniert eine Füllzelle in dem so gebildeten Zwischenraum.

Im Verfahrensschritt S115 kompensiert das automatische Strukturentwurfssystem 73 dann durch Verschieben der Standardzellen verursachte Unterbrechungen in Verdrahtungen, und im Verfahrensschritt S113 verbindet es eine Füllzelle und die Zielverdrahtung elektrisch miteinander.

Claims

1. Verfahren zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen (53, 61) bestehen den, integrierten Halbleiterschaltung, mit dem Verfahrensschritt, in einem zwischen den Zellen (53, 61) gebildeten Zwischenraum (58a, 59a, 60a; 66a, 67a, 68a) eine Füllzelle zu positionieren, die eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrah tung (54, 62), die die Zellen (53, 61) elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird.

2. Verfahren wie in Anspruch 1 angegeben, bei dem die Schutzschaltung aus einer Diode besteht.

3. Verfahren wie in Anspruch 1 angegeben, bei dem die Füllzelle einen Bereich auf weist, durch den eine Verdrahtung angeordnet ist, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet.

4. Verfahren wie in Anspruch 1, 2 oder 3 angegeben, das weiterhin die Verfahrens schritte umfasst:

a) zu prüfen, ob aufgrund der Verdrahtung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und
b) eine Verdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, mit der Schutzschaltung zu verbinden.

5. Verfahren wie in Anspruch 2 angegeben, bei dem eine Verdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, über die Diode und eine geerdete Leitung (25) elektrisch verbunden wird.

6. Verfahren wie in Anspruch 2 angegeben, bei dem eine Verdrahtung, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, über eine Spannungsquellenleitung (29) und eine geerdete Leitung (25) elektrisch verbunden wird.

7. Verfahren wie in Anspruch 1, 2 oder 3 angegeben, das weiterhin die Verfahrens schritte umfasst:

a) eine Zelle zu bilden, die ein Öffnungsmuster aufweist, durch das Verdrahtungen elektrisch miteinander verbunden sind, und
b) die Zelle auf der Schutzschaltung anzuordnen.

8. Verfahren wie in Anspruch 1, 2 oder 3 angegeben, das weiterhin den Verfahrens schritt umfasst, mindestens einen zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum (58a, 59a, 60a; 66a, 67a, 68a) in die Nähe der Verdrahtung (54, 62) zu verschieben, wenn die Füllzelle nicht in der Nähe einer Verdrahtung (54, 62) liegt, die vor dem Antennen effekt geschützt werden muss.

9. Verfahren zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen (53, 61) bestehenden integrierten Halbleiterschaltung, mit den Verfahrensschritten:

a) erste Daten und zweite Daten in ein automatisches Strukturentwurfssystem (73) einzugeben, wobei sich die ersten Daten auf die Verbindung einer Schaltung beziehen und die zweiten Daten auf die Zellen und eine Füllzelle beziehen, die in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist und eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrahtung, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird,
b) die Zellen (53, 61) auf Basis der ersten und zweiten Daten anzuordnen,
c) die Füllzelle in einem zwischen den Zellen (53, 61) gebildeten Zwischenraum zu positionieren,
d) zu prüfen, ob aufgrund der Verdrahtung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und ein Prüfsignal zu übertragen, das eine Verdrahtung (54, 62) kennzeichnet, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und
e) für die mit dem Prüfsignal kennzeichnete Verdrahtung einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durchzuführen.

10. Verfahren wie in Anspruch 9 angegeben, das weiterhin die Verfahrensschritte umfasst:

a) zu prüfen, ob die Füllzelle unterhalb der mit dem Prüfsignal gekennzeichneten Verdrahtung oder in der Nähe der Verdrahtung (54, 62) existiert, und
b) die Verdrahtung (54, 62) mit der Füllzelle zu verbinden, wenn im Verfahrensschritt f) entschieden wird, dass die Füllzelle existiert.

11. Verfahren wie in Anspruch 9 angegeben, das weiterhin die Verfahrensschritte umfasst:

a) zu prüfen, ob die Füllzelle unterhalb der mit dem Prüfsignal gekennzeichneten Verdrahtung (54, 62) oder in der Nähe der Verdrahtung existiert,
b) wenn im Verfahrensschritt f) entschieden wird, dass die Füllzelle nicht existiert, einen Zwischenraum wiederherzustellen, in dem die Füllzelle zu positionieren ist und der auf der mit dem Prüfsignal gekennzeichneten Verdrahtung oder in der Nähe der Verdrahtung liegt,
c) die Zelle so zu verschieben, dass die Verdrahtung (54, 62) mit der Füllzelle verbunden werden kann, und
d) eine durch den Verfahrensschritt h) verursachte Unterbrechung in der Verdrahtung (54, 62) zu kompensieren.

12. Verfahren wie in Anspruch 11 angegeben, das weiterhin den Verfahrensschritt umfasst, j) ein Gebiet zu definieren, in dem der Zwischenraum wiederherzustellen ist, wobei der Verfahrensschritt j) vor dem Verfahrensschritt g) durchzuführen ist.

13. Verfahren wie in Anspruch 12 angegeben, bei dem das Gebiet aus einem sich horizontal erstreckenden Gebiet und einem sich vertikal erstreckenden Gebiet besteht.

14. Vorrichtung zum Strukturentwurf einer aus einer Vielzahl von Zellen bestehenden integrierten Halbleiterschaltung, mit:

a) einem ersten Speicher (71), der erste Daten enthält, die sich auf die Verbindung einer Schaltung beziehen,
b) einem zweiten Speicher (72), der zweite Daten enthält, die sich auf die Zellen und eine Füllzelle beziehen, die in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum zu positionieren ist und eine Schutzschaltung enthält, die verhindert, dass eine Verdrah tung, die die Zellen elektrisch miteinander verbindet, aufgeladen wird,
c) einem automatischen Strukturentwurfssystem (73), das die Zellen auf Basis der ersten und zweiten Daten anordnet und die Füllzelle in einem zwischen den Zellen gebildeten Zwischenraum positioniert, und
d) einem elektronischen Konstruktionsautomatisierungs-Werkzeug (74), das prüft, ob aufgrund der Verdrahtung, die aufgeladen wird, ein Antenneneffekt verursacht wird, und ein Prüfsignal überträgt, das eine Verdrahtung kennzeichnet, die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, wobei das automatische Strukturentwurfssystem (73) für die mit dem Prüfsignal kennzeichnete Verdrahtung einen Prozess zur Verhinderung des Antenneneffektes durchführt.

15. Vorrichtung wie in Anspruch 14 angegeben, bei der das automatische Struktur entwurfssystem (73) prüft, ob die Füllzelle unterhalb der mit dem Prüfsignal gekenn zeichneten Verdrahtung oder in der Nähe der Verdrahtung existiert, und die Verdrah tung mit der Füllzelle verbindet, wenn entschieden wird, dass die Füllzelle existiert.

16. Vorrichtung wie in Anspruch 14 angegeben, bei der das automatische Strukturent wurfssystem (73) a) prüft, ob die Füllzelle unterhalb der mit dem Prüfsignal gekenn zeichneten Verdrahtung oder in der Nähe der Verdrahtung existiert, b) einen Zwischen raum wiederherstellt, in dem die Füllzelle zu positionieren ist und der auf der mit dem Prüfsignal gekennzeichneten Verdrahtung oder in der Nähe der Verdrahtung liegt, wenn entschieden wird, dass die Füllzelle nicht existiert, c) die Zelle so verschiebt, dass die Verdrahtung mit der Füllzelle verbunden werden kann, und d) eine durch Verschieben der Zelle verursachte Unterbrechung in der Verdrahtung kompensiert.

17. Vorrichtung wie in Anspruch 14, 15 oder 16 angegeben, bei der das automatische Strukturentwurfssystem (73) ein Gebiet definiert, in dem der Zwischenraum wieder herzustellen ist, bevor der Zwischenraum tatsächlich wiederhergestellt wird.

18. Vorrichtung wie in Anspruch 17 angegeben, bei der das Gebiet (57, 65) aus einem sich horizontal erstreckenden Gebiet und einem sich vertikal erstreckenden Gebiet besteht.

19. Aus einer Vielzahl von Zellen bestehende integrierte Halbleiterschaltung, mit:

a) einem Halbleitersubstrat (32), das darin gebildete Schutzelemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildete Diffusionsschicht (22) und eine zweite Diffusionsschicht (21) um die erste Diffusionsschicht (22) herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht (22) eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht (21) eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat,
b) einer geerdeten Leitung (25), die durch ein Kontaktloch (24) elektrisch mit der zweiten Diffusionsschicht (21) verbindet,
c) einer Spannungsquellenleitung (29), die durch ein Kontaktloch (28) elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht (26) verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht (26) eine erste elektrische Leitfähig keit hat und die geerdete Leitung (25) und die Spannungsquellenleitung (29) beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen, und
d) einer Zielverdrahtung (33), die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht und vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, wobei eines der Schutzelemente genau unter der Zielverdrahtung (33) liegt, die durch ein Kontaktloch (34) elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht (22) des einen Schutzelementes verbunden ist.

20. Aus einer Vielzahl von Zellen bestehende integrierte Halbleiterschaltung, mit

a) einem Halbleitersubstrat (32), das darin gebildete Schutzelemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildete Diffusionsschicht (22) und eine zweite Diffusionsschicht (21) um die erste Diffusionsschicht (22) herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht (22) eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht (21) eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat,
b) einer geerdeten Leitung (25), die durch ein Kontaktloch (24) elektrisch mit der zweiten Diffusionsschicht (21) verbindet,
c) einer Spannungsquellenleitung (29), die durch ein Kontaktloch (28) elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die geerdete Leitung (25) und die Spannungsquellenleitung (29) beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen,
d) einer Zielverdrahtung (35), die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht und vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss, und
e) einer Verbindungsverdrahtung (36) mit einem ersten Ende (36a), das genau über einem der Schutzelemente liegt, das in der Nähe der Zielverdrahtung (35) liegt, und einem zweiten Ende, an dem die Verbindungsverdrahtung (36) elektrisch mit der Zielverdrahtung (35) verbunden ist,
wobei die Verbindungsverdrahtung (36) an dem ersten Ende (36a) durch ein Kontakt loch (34) elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht (22) des einen Schutzelementes verbunden ist.

21. Aus einer Vielzahl von Zellen bestehende integrierte Halbleiterschaltung, mit:

a) einem Halbleitersubstrat (32), das darin gebildete Schutzelemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildete Diffusionsschicht (22) und eine zweite Diffusionsschicht (21) um die erste Diffusionsschicht (22) herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht (22) eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht (21) eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat,
b) einer geerdeten Leitung (25), die durch ein Kontaktloch (24) elektrisch mit der zweiten Diffusionsschicht (21) verbindet,
c) einer Spannungsquellenleitung (29), die durch ein Kontaktloch (28) elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht (26) verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht (26) eine erste elektrische Leitfähig keit hat und die geerdete Leitung (25) und die Spannungsquellenleitung (29) beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen,
d) einer Zielverdrahtung (37), die aus einer zweiten, über der ersten Metallverdrah tungsschicht liegenden Metallverdrahtungsschicht besteht und die vor dem Antennen effekt geschützt werden muss, und
e) einer Verbindungsverdrahtung (38), die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht, wobei mindestens eines der Schutzelemente genau unter der Zielverdrahtung (37) liegt, die Zielverdrahtung (37) durch ein erstes Kontaktloch (39) elektrisch mit der Verbin dungsverdrahtung (38) verbunden ist und die Verbindungsverdrahtung (38) durch ein zweites Kontaktloch (34) elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht (22) des einen Schutzelementes verbunden ist.

22. Aus einer Vielzahl von Zellen bestehende, integrierte Halbleiterschaltung, mit

a) einem Halbleitersubstrat (32), das darin gebildete Schutzelemente enthält, die jeweils eine erste, auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildete Diffusionsschicht (22) und eine zweite Diffusionsschicht (21) um die erste Diffusionsschicht (22) herum enthalten, wobei die erste Diffusionsschicht (22) eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die zweite Diffusionsschicht (21) eine zweite elektrische Leitfähigkeit hat,
b) einer geerdeten Leitung (25), die durch ein Kontaktloch (24) elektrisch mit der zweiten Diffusionsschicht (21) verbindet,
c) einer Spannungsquellenleitung (29), die durch ein Kontaktloch (28) elektrisch mit einer dritten Diffusionsschicht (26) verbindet, die auf einer Oberfläche des Substrates (32) gebildet ist, wobei die dritte Diffusionsschicht (26) eine erste elektrische Leitfähigkeit hat und die geerdete Leitung (25) und die Spannungsquellenleitung (29) beide aus einer ersten Metallverdrahtungsschicht bestehen,
d) einer Zielverdrahtung (43), die aus einer zweiten, über der ersten Metallverdrah tungsschicht liegenden Metallverdrahtungsschicht besteht und die vor dem Antennen effekt geschützt werden muss, und
e) einer Verbindungsverdrahtung (38a), die aus der ersten Metallverdrahtungsschicht besteht und die ein erstes, genau unter der Zielverdrahtung (43) liegendes Ende (38A) und ein zweites, genau über einem der Schutzelemente liegendes Ende (38B) hat, wobei die Verbindungsverdrahtung (38a) an dem ersten Ende (38A) durch ein erstes Kontaktloch (39) elektrisch mit der Zielverdrahtung (43) verbunden ist und an dem zweiten Ende (38B) durch ein zweites Kontaktloch (34) elektrisch mit der ersten Diffusionsschicht (22) des einen Schutzelementes verbunden ist.

23. Integrierte Halbleiterschaltung mit

a) einer Vielzahl von Makrozellen (44, 45, 46, 47, 48),
b) einer Zielverdrahtung (51), die vor dem Antenneneffekt geschützt werden muss und die eine Treiberzelle (49), die in einer der Makrozellen liegt, elektrisch mit einer Gate- Elektroden-Zelle (50) verbindet, die in einer anderen Makrozelle liegt, wobei die Zielverdrahtung (51) durch einen zwischen den Makrozellen (44, 45, 46, 47, 48) gebildeten Zwischenraum hindurchgeht, der mit Füllzellen gefüllt ist, die jeweils eine Schutzschaltung zur Verhinderung des Antenneneffektes enthalten, wobei die Zielverdrahtung (51) elektrisch mit einer Füllzelle (52) verbunden ist, die der Gate-Elektroden-Zelle (50) am nächsten liegt.