DE10104515B4 - Elektronische Hochspannungsschalteranordnung - Google Patents

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Abstract

Elektronische Hochspannungsschalteranordnung, bei der elektronische Schaltelemente (A) in Reihe geschaltet sind und die Ansteuerung galvanisch isoliert erfolgt, wobei die elektronischen Schaltelemente (A) als spezielle Bauelemente ausgebildet sind, die nach Überschreiten einer definierten Durchbruchspannung niederimpedant leitfähig werden und nach dem Durchbruch einen negativen U/I-Koeffizienten besitzen, wobei weitere Schalter (ES) zur Einstellung der Betriebsspannung der Hochspannungsschalteranordnung angeordnet sind, die den elektronischen Schaltelementen (A) parallel und in Reihe zur angelegten Betriebsspannung (U) geschaltet sind und wobei zur variablen Einstellung des erforderlichen Betriebsspannungsbereiches der Hochspannungsschalteranordnung eine Steuerung (ST) angeordnet ist, die für jeden weiteren Schalter (ES) ein separates Steuersignal (SG) bereitstellt, um damit eine gewisse Anzahl der elektronischen Schaltelemente (A) kurzzuschließen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine elektronische Hochspannungsschalteranordnung, bei der elektronische Schaltelemente in Reihe geschaltet sind und die Ansteuerung der elektronischen Schaltelemente galvanisch isoliert erfolgt.
  • Solche Schalter werden unter anderem zur Erzeugung von Impulsen in der EMV-Prüftechnik verwendet, bei denen es auf die Erzeugung von schnellen Transienten aber auch energiereichen Impulsspannungen ankommt und bei denen eine Energiequelle über einen Schalter zur Impulserzeugung an ein Pulsformnetzwerk geschaltet wird. Dabei wird meist die Energiequelle entladen, so dass der Schalter anschließend stromlos ist und der Schalter ohne spezielles Ausschaltsignal in den nichtleitenden Zustand übergehen kann. Solche Schalter können einen begrenzten Bereich von Gleichspannungen mit gleichbleibenden Schaltereigenschaften schalten, wobei bei einem großen Betriebsspannungsbereich sich die wesentlichen Parameter des Schaltvorganges, z.B. die Abfallzeit, ändern können.
  • Es sind zahlreiche Varianten von Schaltern unter Verwendung von MOSFET in der Literatur beschrieben. So wird in der Europäischen Patentanmeldung EA 00 48 758 ein Schalter beschrieben, bei dem ein gemeinsamer Impulsübertrager in Reihe geschaltete MOSFET ansteuert. Dieser hat jedoch den Nachteil, dass die Impedanz der Sekundärwicklungen mit der Anzahl der angeschlossenen Transistoren zunimmt. Somit ist die Schaltzeit des Schalters begrenzt, da diese wesentlich durch die Impedanz der Ansteuerspannungsquelle bestimmt wird.
  • In DE 36 30 775 C2 wird ein MOSFET-Hochspannungsschalter beschrieben, bei dem jeden in Reihe geschalteten MOSEFT zur Ansteuerung seines Steueranschlusses jeweils ein eigener Ferritringkernübertrager zugeordnet wird, dessen Sekundärkreis zwischen dem Steueranschluss und dem Sourceanschluss des entsprechenden MOSFET geschaltet ist. Dabei liegen die Primärkreise der Impulsübertrager in Serie und werden von einer einzigen durchgehenden Leitung gebildet. Mit dieser Schaltung sind in Abhängigkeit von der anliegenden Betriebsspannung schnelle Schaltzeiten im Nanosekundenbereich zu realisieren.
  • Nachteilig wirkt sich die Abhängigkeit des Schaltvorganges von der Amplitude der zu schaltenden Spannung aus. Ebenfalls nachteilig ist die bei gewissen Anwendungen begrenzte Stromtragfähigkeit der gesamten Schaltungsanordnung, da aufgrund der komplexen Ansteuerschaltung nur eine begrenzte Anzahl von MOSFETs parallel betrieben werden kann.
  • In dem Aufsatz "Driving Pocket Cells Using Avalanche Transistor Pulsers", von E.S. Fulkerson, D.C. Norman und R. Booth, Livemore, Canada wird ein Schalter mit sehr kurzen Schaltzeiten beschrieben, bei dem in Reihe geschaltete Avalanche Transistoren als Schaltelemente genutzt werden. Dabei wird lediglich der unterste Transistor isoliert angesteuert. Die restlichen Transistoren werden aufgrund des Avalanche-Durchbruches leitfähig. Der Nachteil dieser Schaltungsanordnung liegt darin, dass die Betriebsspannung der Schaltung engen Toleranzen unterworfen ist und nur in einem geringen Bereich schwanken darf, da ansonsten der Avalanche-Durchbruch der einzelnen Transistoren nicht mehr gewährleistet ist. Die Strombelastbarkeit der Schaltung ist relativ gering.
  • In US 6 008 549 ist ein Hochspannungsschalter beschrieben, der kaskadiert durchschaltet, nachdem die erste Stufe isoliert angesteuert wurde. In dieser Schaltung werden avalanchetaugliche Dioden zur Begrenzung der maximalen Spannung über den einzelnen Schaltelementen (Transistoren) verwendet, welche jedoch nicht den Betriebsstrom im eingeschalteten Zustand führen, sondern nur ein definiertes Durchschalten der elektronischen Schaltelemente ermöglichen. Das den niederimpedanten Schaltvorgang ausführende elektronische Schaltelement ist ein Transistor. Ein separates Steuersignal der einzelnen Transistoren ist in dieser Anwendung nicht vermerkt. Aufgrund des Spannungsabfalls über den einzelnen Transistoren ist die maximale Schaltspannung gerade bei hohen Strömen begrenzt.
  • In US 3 848 156 ist eine Schaltungsanordnung beschrieben, bei der eine Reihenschaltung von Arrestoren zur Begrenzung von Überspannung eingesetzt wird. In dieser Schaltung ist keine Anpassung des Betriebsspannungsbereiches über zusätzliche Schalter mit einer separaten Ansteuerung der einzelnen Schalter möglich. Die Schaltung ist nur in einem sehr begrenzten Betriebsspannungsbereich verwendbar.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, in einer Hochspannungsschalteranordnung zugleich sowohl ein schnelles Durch schalten des Hochspannungsschalters als auch eine hohe Stromtragfähigkeit über einen großen Betriebsspannungsbereich zu realisieren.
  • Die erfindungsgemäße Aufgabe wird durh die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
  • Mit der erfindungsgemäßen Hochspannungsschalteranordnung werden extrem kurze Einschaltzeiten realisiert. Durch die den speziellen Bauelementen parallel geschalteten Schalter kann die Betriebsspannung variiert werden, die Parameter der Hochspannungsschalteranordnung ändern sich dabei nur geringfügig.
  • Die Anzahl der einzusetzenden speziellen Bauteile ist dabei wesentlich von der maximal zulässigen Betriebsspannung der Hochspannungsschalteranordnung abhängig. Die Serienschaltung der speziellen Bauelemente ist so ausgelegt, dass sie bei maximaler Betriebsspannung ohne weitere Zusatzmaßnahmen durchschaltet. Hierfür müssen so viele parallel geschaltete Schalter geschlossen werden, dass die Betriebsspannung dividiert durch die Anzahl nicht überbrückter spezieller Bauelemente größer der Durchbruchspannung für den Durchbruch in den niederimpedanten Schaltzustand der einzelnen speziellen Bauelemente ist.
  • Bei einer vorzugsweisen Ausführungsform der Hochspannungsschalteranordnung werden als spezielle Bauelemente Arrestoren eingesetzt.
  • Arrestoren sind Bauelemente, die als spezielle Überspannungs begrenzer ausgebildet sind, die nach dem Überschreiten einer festgelegten Durchbruchspannung innerhalb kürzester Zeit leitfähig werden, wobei die Spannung über dem Arrestor auf eine geringe Restspannung sinkt. Arrestoren weisen eine hohe Stromtragfähigkeit auf, das heißt es kann ein hoher Impulsstrom fließen. Durch den Wirkmechanismus der Arrestoren ist keine zeitsynchrone Triggerschaltung für den Hochspannungsschalter notwendig. Er erfolgt ein sehr schnelles Durchschalten der eingesetzten Arrestoren.
  • Wird die erfindungsgemäße elektronische Hochspannungsschalteranordnung in Bereichen geringer Strombelastbarkeit des Schalters eingesetzt, so können als spezielle Bauelemente auch Avalance Transistoren eingesetzt werden.
  • Nach anderen vorzugsweisen Ausführungen der Hochspannungsschalteranordnung ist vorgesehen, dass die parallel geschalteten Schalter als elektronische Schalter, vorzugsweise in Form von MOSFETs zum Einsatz kommen.
  • Für spezielle Anwendungen kann es vorteilhaft sein, wenn als Schalter elektromechanische Schalter, beispielsweise in Form von Relais, zum Einsatz kommen.
  • Erfindungsgemäß sind in Anpassung an den konkreten Einsatz des Hochspannungsschalters erweiterte Schalteranordnungen vorgesehen.
  • So können beispielsweise zur Erhöhung des Schaltstromes zusätzlich weitere spezielle Bauelemente und Schalter parallel geschaltet werden.
  • Damit wird erreicht, dass keine zusätzlichen Triggerschaltungen eingesetzt werden müssen, was mittels der bekannten Technik zumindest nicht ohne größeren Aufwand realisierbar ist.
  • Ist eine definierte Impedanz des Schalters bei jeder Betriebsspannung gefordert, so kann die Anpassung der Impedanz des Hochspannungsschalters bei unterschiedlichen Betriebsspannungen durch Anordnung weiterer elektronischer Schalter und Kondensatoren erfolgen.
  • Damit werden die Reflexionen der Spannungs- und Stromwellen am Ausgang des Hochspannungsschalters minimiert. Der Hochspannungsschalter kann so beispielsweise an die Impedanz eines anliegenden Pulsformernetzwerkes angepaßt werden.
  • Zum Auslösen des Schaltvorganges ist erfindungsgemäß ein elektronischer Schalter vorgesehen, der in Reihe zur Gesamtanordnung geschaltet ist und in Bezug auf die anderen Schalter eine wesentlich höhere Spannungsfestigkeit aufweist.
  • Da der Schaltvorgang nur durch diesen einen Schalter ausgelöst wird, kann die Ansteuerelektronik einfach und kostengünstig ausgebildet werden. Der Einsatz eines hoch spannungsfesten Schalters bewirkt, dass die Anzahl der den Arrestoren oder Avalance Transistoren parallel geschalteten Schalter variiert werden kann. So ist es beispielsweise möglich, mit einem Schalter zwei oder mehrere Arrestoren oder Avalance Transistoren zu überbrücken.
  • Zur Einhaltung der Sicherheitsstandards im Hochspannungsbereich ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass der Schaltvorgang durch eine potentialgetrennte Auslöseschaltung des in Reihe geschalteten, eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisenden, elektronischen Schalters erfolgt.
  • Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Die zugehörige Zeichnung zeigt dabei in
  • 1 die erfindungsgemäße elektronische Hochspannungsschalteranordnung in prinzipieller Ausführung,
  • 2 den Einsatz des erfindungsgemäßen Hochspannungsschalters in einer Pulsformerschaltung,
  • 3 eine erweiterte Hochspannungsschalteranordnung nach 1 mit erhöhter Stromtragfähigkeit und unter Verwendung vom MOSFETs als elektronische Schalter und
  • 4 eine weitere Hochspannungsschalteranordnung nach 1 mit zusätzlichen elektronischen Schaltern zur Impedanzanpassung in prinzipieller Darstellung.
  • Bei der Hochspannungsschalteranordnung nach 1 sind eine vorgegebene Anzahl Arrestoren A in Reihe geschaltet. Parallel zu diesen Arrestoren A ist jeweils ein elektronischer Schalter ES angeordnet, dessen Steueranschlüsse SA mit einer Steuerung ST verbunden sind. Das von der Steuerung ST an den Steueranschlüssen SA der elektronischen Schalter ES bereitgestellte Signal SG ist geeignet, diese elektronischen Schalter ES in einen statischen, leitfähigen Zustand zu versetzen. Dazu sollte dieses Signal SG ein aktives, auf das Referenzpotential des elektronischen Schalters ES bezogenes Signal sein, welches zum Beispiel über eine Zweidrahtleitung übertragen wird. Für jeden elektronischen Schalter ES ist ein separates Steuersignal SG vorhanden. Die Änderung des Schaltzustandes erfolgt in der Regel bei abgeschalteter Betriebsspannung U.
  • Entsprechend der gewählten Betriebsspannung U werden die Steuersignale SG so eingestellt, dass eine gewisse Anzahl Arrestoren A an ihren Anschlüssen + und – mit den zugeordneten Anschlüssen + und – der elektronischen Schalter ES kurzgeschlossen wird. Die Auswahl der kurzgeschlossenen Arrestoren A ist prinzipiell beliebig, wobei zur besseren Kontrolle der Impedanzverhältnisse das Kurzschließen, beginnend mit den bei ausgeschalteten elektronischen Schaltern ES mit dem höchsten positiven Potential beaufschlagten Arrestoren A, angezeigt ist. Die notwendigen Informationen erhält die Steuerung ST über eine potentialgetrennte Ansteuerung AS, wobei gleichzeitig eine potentialgetrennte Versorgungsspannung UV bereitgestellt wird, welche zur Versorgung der Steuerung ST und zur Bereitstellung der notwendigen Energie für die Steuersignale SG erforderlich ist.
  • In Reihe zu der oben beschriebenen Hochspannungsschalteranordnung aus Arrestoren A und elektronischen Schaltern ES ist ein weiterer elektronischer Schalter TR geschaltet, der zum Einschalten des Hochspannungsschalters HS, dem so genannten triggern, genutzt wird. Dieser Schalter TR besitzt eine wesentlich höhere Spannungsfestigkeit als die anderen elektronischen Schalter ES. Dem zum Triggern eingesetzten Schalter TR ist eine Auslöseschaltung AL zugeordnet, die geeignet ist, ein schnelles niederimpedantes und potentialgetrenntes Einschalten des Schalters TR zu ermöglichen. Im ausgeschalteten Zustand des Hochspannungsschalters HS ist dieser elektronische Schalter TR geöffnet. Der Hochspannungsschalter HS muss so ausgelegt sein, dass aufgrund der Impedanzen der Bauelemente ein gleichförmiger Spannungsabfall über den in Reihe geschalteten Arrestoren A vorhanden ist, um zu verhindern, dass ein Arrestor A aus der Reihenschaltung aufgrund des Überschreitens der Durchbruchspannung vorzeitig in den leitfähigen Zustand schaltet. Auch ein Ausschalten über den Schalter TR ist denkbar.
  • Die Anzahl der zu überbrückenden Arrestoren A wird so bestimmt, dass die Betriebsspannung U dividiert durch die Anzahl der nicht durch elektronische Schalter ES zu überbrückende Arrestoren A wesentlich größer als die Durchbruchspannung der einzelnen Arrestoren A ist, das heißt, dass die Arrestoren A beim Anliegen dieser Durchbruchspannung schnell durchschalten. Die Anzahl der zu überbrückenden Arrestoren A ist gleichzeitig so zu wählen, dass bei geöffnetem, zur Triggerung des Schaltvorganges vorgesehenen, elektronischen Schalters TR, die resultierende Spannung über den Arrestoren A geringer als die Durchbruchspannung der Arrestoren A ist. Durch die Arrestoren A fließt so nur ein geringer Leckstrom, der Hochspannungsschalter HS ist nicht leitfähig, er ist geöffnet. Wird der elektronische Schalter TR durch ein Signal EIN geschlossen, führt es dazu, dass die Spannung zwischen den Anschlüssen + und – der nicht überbrückten Arrestoren A größer als die Durchbruchspannung ist und diese schnell durchschalten. Die im leitfähigen Zustand über den Arrestoren A abfallende Spannung ist in diesem Fall vernachlässigbar.
  • Bei der beschriebenen Hochspannungsschalteranordnung ist vorteilhaft, dass keine zeitsynchrone Ansteuerung der in Reihe geschalteten Arrestoren A notwendig ist, da nach Einschalten des elektronischen Schalters TR die Arrestoren A aufgrund ihrer internen Eigenschaften den Einschaltvorgang einleiten. Es ist des weiteren von Vorteil, dass sich aufgrund des Wirkmechanismus der Arrestoren A kürzere Schaltzeiten bei größeren Lastströmen erzielen lassen.
  • Bei typischen Einsatzfällen des Hochspannungsschalters in Pulsformerschaltungen wird, wie in 2 dargestellt, über einen Ladewiderstand R1 ein Energiespeicher C auf Betriebsspannung U aufgeladen. Nach Schließen des Hochspannungsschalters HS wird der Energiespeicher C über einen Widerstand R2 entladen und der resultierende Impuls wird nach einem Anpaßwiderstand R3 am Ausgang OUT abgegriffen. Nach der Erzeugung eines Impulses ist der Energiespeicher C entladen und der Strom durch die Arrestoren A fällt bis unterhalb des Haltestromes ab. Die Arrestoren A sperren wieder und kehren in einen hochohmigen Zustand zurück, wodurch der Hochspannungsschalter HS ausgeschaltet wird, ohne dass ein spezielles Ausschaltsignal benötigt wird.
  • Bei der Hochspannungschalteranordnung nach 3 wird die Stromtragfähigkeit des elektronischen Hochspannungsschalters HS durch die Parallelschaltung von mehreren Arrestoren A erhöht. Gleichzeitig ist die Verwendung von MOSFETs T als elektronische Schalter ES dargestellt, wobei zur Erhöhung der Stromtragfähigkeit entsprechend den jeweiligen Anforderungen eine vorgegebene Anzahl von MOSFETs T parallel geschaltet ist. Die Diode D begrenzt die Spannung über den MOSFETs T und verbessert die Spannungsverteilung über der Hochspannungsschalteranordnung.
  • Bei Anwendungen, bei denen es auf eine definierte Impedanz des Hochspannungsschalters ankommt, kann, wie in 4 dargestellt, die Impedanz mit zusätzlichen elektronischen Schaltern IA und Kondensatoren C angepasst werden, die eine Kapazität zwischen Masse und + Anschluss des Arrestors A schalten.
  • Als weitere Variante ist es möglich, bei der Verwendung von besonders spannungsfesten elektronischen Schaltern ES, TR, mit den elektronischen Schaltern ES mehr als einen Arrestor A zu überbrücken, um so die Anzahl der notwendigen elektronischen Schalter ES zu reduzieren. Dabei ist wichtig, dass beim Einschalten des elektronischen Schalters TR eine ausreichende Spannung über den nicht überbrückten Arrestoren A abfällt.
  • Es ist des weiteren denkbar, in speziellen Anwendungen, bei denen die Streukapazitäten vernachlässigt werden können, die elektronischen Schalter ES durch elektromechanische Schalter zu ersetzen oder auch Übertrager zum Schalten und Triggern der einzelnen Bauelemente zu verwenden und bei geringeren Impulsströmen die Arrestoren A durch andere Elemente zu ersetzen, die nach dem Durchbruch einen negativen U/I Koeffizienten besitzen. Dazu zählen unter anderem Kippdioden, Fast Ionisation Dynistoren, Reversely Switching Dynistoren und Funkenstrecken.
  • HS
    Hochspannungsschalter
    A
    Arrestor
    ES
    elektronischer Schalter
    SA
    Steueranschluss
    ST
    Steuerung
    SG
    Steuersignal
    U
    Betriebsspannung
    AS
    Ansteuerung
    UV
    Versorgungsspannung
    TR
    hochspannungsfester elektronischer Schalter
    AL
    Auslöseschaltung
    EIN
    Einschaltsignal
    C
    Energiespeicher, Kondensator
    R1
    Ladewiderstand
    R2
    Widerstand
    R3
    Anpasswiderstand
    OUT
    Ausgang
    T
    MOSFET
    IA
    Schalter zur Impedanzanpassung
    D
    Diode

Claims (9)

  1. Elektronische Hochspannungsschalteranordnung, bei der elektronische Schaltelemente (A) in Reihe geschaltet sind und die Ansteuerung galvanisch isoliert erfolgt, wobei die elektronischen Schaltelemente (A) als spezielle Bauelemente ausgebildet sind, die nach Überschreiten einer definierten Durchbruchspannung niederimpedant leitfähig werden und nach dem Durchbruch einen negativen U/I-Koeffizienten besitzen, wobei weitere Schalter (ES) zur Einstellung der Betriebsspannung der Hochspannungsschalteranordnung angeordnet sind, die den elektronischen Schaltelementen (A) parallel und in Reihe zur angelegten Betriebsspannung (U) geschaltet sind und wobei zur variablen Einstellung des erforderlichen Betriebsspannungsbereiches der Hochspannungsschalteranordnung eine Steuerung (ST) angeordnet ist, die für jeden weiteren Schalter (ES) ein separates Steuersignal (SG) bereitstellt, um damit eine gewisse Anzahl der elektronischen Schaltelemente (A) kurzzuschließen.
  2. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als spezielle Bauelemente Arrestoren (A) eingesetzt werden.
  3. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als spezielle Bauelemente Avalance Transistoren eingesetzt werden.
  4. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass als weitere Schalter (ES) elektronische Schalter (T), vorzugsweise MOSFETs eingesetzt werden.
  5. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass als weitere Schalter (ES) Relais zum Einsatz kommen.
  6. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erhöhung des maximalen Schaltstromes zusätzlich weitere spezielle Bauelemente (A) und Schalter (T) parallel geschaltet sind.
  7. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Auslösen des Schaltvorganges ein elektronischer Schalter (TR) in Reihe zur Gesamtanordnung geschaltet ist, der eine in Bezug auf die weiteren Schalter (ES) höhere Spannungsfestigkeit aufweist.
  8. Hochspannungsschalteranordnung nach Anspruch 1 und einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanz der Hochspannungsschalteranordnung (HS) bei unterschiedlichen Betriebsspannungen (U) durch weitere elektronische Schalter (IA) und Kondensatoren (C) angepasst wird.
  9. Hochspannungsschalter nach Anspruch 7 dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltvorgang durch eine Reihe potentialgetrennte Auslöseschaltung (AL) erfolgt die den in geschalteten hochspannungsfesten elektronischen Schalter (TR) ansteuert.
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