DE10007915A1 - Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Materials, niedrigohmiges Material, Supraleiter, supraleitendes Bauteil, Vorrichtung und Anlage mit einem niedrigohmigen Material sowie deren Verwendung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Materials, niedrigohmiges Material, Supraleiter, supraleitendes Bauteil, Vorrichtung und Anlage mit einem niedrigohmigen Material sowie deren VerwendungInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- -1 chelates Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 5
- 238000009750 centrifugal casting Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 claims description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical class OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004924 electrostatic deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 2
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000006148 magnetic separator Substances 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- 150000003892 tartrate salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007514 turning Methods 0.000 claims description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 9
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 claims 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009838 combustion analysis Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCZNYWLQZZIOS-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trichlorethoxycarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)OCC(Cl)(Cl)Cl LJCZNYWLQZZIOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 101100102516 Clonostachys rogersoniana vern gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- ZMRUPTIKESYGQW-UHFFFAOYSA-N propranolol hydrochloride Chemical compound [H+].[Cl-].C1=CC=C2C(OCC(O)CNC(C)C)=CC=CC2=C1 ZMRUPTIKESYGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C11/00—Alloys based on lead
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Materials auf der Basis von Blei, Kohlenstoff und Sauerstoff, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Material mit einem Gehalt an Blei von mindestens 5 Gew.-%, Kohlenstoff von mindestens 0,1 Gew.-% und Sauerstoff von mindestens 1 Gew.-% hergestellt wird, das einen spezifischen elektrischen Widerstand bei etwa -79 DEG C von höchstens 0,5 È 10·-6· OMEGA È cm oder/und bei etwa +20 DEG C von höchstens 1 È 10·-6· OMEGA È cm aufweist, bzw. ein Verfahren zur Herstellung eines Materials mit einer spezifischen Leitfähigkeit besser als metalisches Silber auf der Basis von Blei, Kohlenstoff und Sauerstoff, das mindestens einen Blei- und Kohlenstoff-haltige hochtemperatursupraleitende Phase enthält, die einen Blei-Gehalt von mindestens 2 Gew.-% und einen Kohlenstoff-Gehalt von mindestens 0,1 Gew.-% aufweist bzw. ein Verfahren zur Herstellung eines Materials mit einem spezifischen elektrischen Widerstand bei etwa -79 DEG C geringer als von metallischem Silber, insbesondere von einem Raumtemperatursupraleiter, bei dem mit einem C0¶2¶-Partialdruck im Bereich von 5 bis 60 bar geglüht wird. DOLLAR A Die Erfindung betrifft weiterhin ein niedrigohmiges Material mit entsprechenden Eigenschaften, einen reproduzierbar herstellbaren Raumtemperatursupraleiter, eine supraleitende Phase der näherungsweisen Zusammensetzung Pb¶2-x¶AG¶x¶CO¶y¶, ein niedrigohmiges Bauteil, eine Vorrichtung und eine Anlage mit einem niedrigohmigen Material und einem niedrigohmigen ...
Description
Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Mate
rials, das niedrigohmige Material, Supraleiter, das supraleitende Bauteil, die
Vorrichtung und die Anlage mit einem niedrigohmigen Material sowie deren
Verwendungen.
Supraleiter werden heute bereits in einem gewissen kommerziellen Umfang
als Tief- bzw. Hochtemperatursupraleiter insbesondere in elektrischen
oder/und magnetischen Anwendungen eingesetzt. Für Tieftemperatursupra
leiter wird zur Kühlung flüssiges Helium mit einer Temperatur von etwa 4 K
verwendet, für Hochtemperatursupraleiter flüssiger Stickstoff mit einer Tem
peratur von etwa 77 K. Die Kühlung und damit verbunden die gesamte Ein
richtung hierzu ist außerordentlich aufwendig; der Einsatz dieser Supraleiter
ist kostspielig.
Es wäre daher ein großer technischer Fortschritt, wenn anstelle der oben
genannten Kühlmittel für supraleitende Bauteile preiswerte Kühlmittel einge
setzt werden könnten oder wenn sogar in erheblichem Umfang auf Kühlmit
tel verzichtet werden könnte. Als solche preiswerten Kühlmittel könnte Troc
keneis mit einem Übertragungsmittel wie z. B. Aceton, einem Alkohol oder
ähnlichen Flüssigkeiten oder deren Gemischen verwendet werden. Hier
durch würde sich eine Kühltemperatur von etwa -79°C, also etwa 195 K,
einstellen. Noch günstiger wären Kühlmittel im Bereich von -40 bis -10°C
oder Kühlmittel, die im Bereich der Raumtemperatur wie z. B. Wasser oder
Wasser mit einem bestimmten z. B. korrosionshemmenden Zusatz verwendet
werden könnten oder wenn bei Raumtemperatur sogar teilweise, weitgehend
oder gänzlich auf Kühlmittel verzichtet werden könnte. Daher sind Hochtem
peratursupraleiter mit einer Sprungtemperatur Tc oberhalb von -79°C oder
gar Supraleiter, die in der Nähe, im Bereich oder sogar oberhalb der Raum
temperatur ihre Sprungtemperatur haben, seit vielen Jahren Ziel der For
schung.
Aufgabe der Erfindung ist es, die genannten Nachteile des Standes der
Technik zu überwinden und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung von
niedrigohmigem Material und insbesondere von Supraleitern mit hoher
Sprungtemperatur vorzuschlagen.
Die Aufgabe wird durch das in den Ansprüchen 1 bis 3 angegebene Verfah
ren gelöst. Die Ansprüche 4 bis 36 bilden das Verfahren weiter.
Die Aufgabe wird weiterhin gelöst mit einem niedrigohmigen Material bzw.
einem Supraleiter entsprechend den Ansprüchen 37 bis 45, mit einer supra
leitenden Phase nach Anspruch 46, mit einem niedrigohmigen Bauteil nach
Anspruch 47, mit einer Vorrichtung, die ein niedrigohmiges Material bzw.
mindestens ein niedrigohmiges Bauteil enthält nach Anspruch 48 sowie mit
einer Anlage, die eine derartige Vorrichtung enthält, nach Anspruch 49.
Bei den Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Materials wird das
entstehende Material in vielen Fällen supraleitend im Sinne der technischen
Definition eines Supraleiters sein, muß es aber nicht sein. Es kann sich bei
spielsweise um ein niedrigohmiges Material handeln, das nur einen geringen
Anteil einer supraleitenden Phase aufweist. Der Begriff "niedrigohmig" um
faßt hierbei auch den Begriff des Teilbereichs "supraleitend".
Ein Supraleiter liegt bei einem Spannungsabfall von höchstens 1 µV/cm vor.
Dieser Spannungsabfall tritt an der Grenze zwischen Supraleiter und Nor
malleiter auf, wenn bei einem erfindungsgemäßen Material die Stromdichte
in A/cm2 über eine bestimmte kritische Stromdichte erhöht wird. Der spezifi
sche elektrische Widerstand bei einer bestimmten Stromdichte ergibt sich
durch Spannungsabfall geteilt durch die Stromdichte. Der Nachweis für den
erfindungsgemäßen Effekt wird in den erfindungsgemäßen Beispielen gege
ben, wo sich in Beispiel 1 ein Spannungsabfall von 1 µV/cm für eine Messung
bei 22°C, also bei Raumtemperatur, für eine kritische Stromdichte etwa 110 A/cm2
ergibt. Ein Raumtemperatursupraleiter weist eine Sprungtemperatur Tc
von mindestens 18°C auf, also mindestens im Bereich der Raumtemperatur,
auf; vorzugsweise liegt seine Sprungtemperatur oberhalb von 25°C.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Materials mit
einer spezifischen elektrischen Leitfähigkeit besser als metallisches Silber
weist das hergestellte Material vorzugsweise einen Blei-Gehalt von minde
stens 5 Gew.-% auf, insbesondere von mindestens 12 Gew.-%, ganz beson
ders von mindestens 25 Gew.-%, besonders bevorzugt von 60-85 Gew.-%;
vorzugsweise einen Kohlenstoff-Gehalt von mindestens 0,2 Gew.-%, insbe
sondere von mindestens 0,5 Gew.-%, ganz besonders von 1-2,5 Gew.-%;
vorzugsweise einen Sauerstoff-Gehalt von mindestens 5 Gew.-%, insbeson
dere von mindestens 8 Gew.-%, ganz besonders von 10-15 Gew.-%; vor
zugsweise einen Silber-Gehalt von mindestens 0,5 Gew.-%, insbesondere
von mindestens 2 Gew.-%, ganz besonders von 5-15 Gew.-%. Dieses Ma
terial kann insbesondere eine Phase der näherungsweisen Zusammenset
zung Pb2-xAgxCOy enthalten, wobei x Werte im Bereich von 0,1 bis 1 ein
nimmt, vorzugsweise im Bereich von 0,2 bis 0,5, besonders bevorzugt von
0,25 bis 0,35, und wobei y Werte im Bereich von 3,5 bis 8,5, vorzugsweise
im Bereich von 4 bis 8, besonders bevorzugt von 4,5 bis 7,5 annehmen
kann.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Materials mit
einem spezifischen elektrischen Widerstand bei etwa -79°C geringer als
von metallischem Silber, insbesondere von einem Raumtemperatursupralei
ter, wird zur Herstellung des supraleitenden Materials vorzugsweise mit ei
nem CO2 Partialdruck im Bereich von 10 bis 55 bar geglüht, besonders be
vorzugt im Bereich von 25 bis 50 bar.
Das Material kann vorteilhaft mit einem Gehalt von mindestens einem Ele
ment bzw. Ionen ausgewählt aus der Gruppe von Ag, Cu, Au, Hg, Tl, Na, K,
NH4 und Be hergestellt werden, insbesondere von Ag. Hierbei dienen diese
Gehalte vorzugsweise jeweils zum partiellen oder vollständigen Ersatz von
Ag oder als Zusatz.
Das Material kann auch mit einem Gehalt von mindestens einem Element
bzw. Ionen ausgewählt aus der Gruppe von Ca, Sr, Ba, Bi, Sb, Hg und Tl
hergestellt werden, wobei dieser Gehalt auch dem partiellen Ersatz von Pb
dienen kann.
Das niedrigohmige Material kann mit einem Gehalt an mindestens einer der
Phasen ausgewählt aus der Gruppe von Ag, Ag2O, Ag-haltige Legierungen,
xPbCO3 . yPbO mit x = 0,5 bis 2 und mit y = 1, PbCO3, Pb3O4, Pb2O3, PbO,
PbO2 und PbAgO-haltige Phasen, insbesondere Byström-Phasen wie Pb1-
xAgxO1,55 (A. Byström, Ark. Kemi. Geol. 20A, 11 (1945)), hergestellt worden
sein, wobei die Zusammensetzungen nur näherungsweise angegeben wer
den.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann auch mindestens eine beliebi
ge supraleitende Phase zugemischt werden.
Andererseits können bei dem erfindungsgemäßen Verfahren Verbindungen
von Pb, C bzw. O miteinander gemischt werden, insbesondere auch mit
weiteren Verbindungen wie z. B. Ag-Verbindungen. Das können beispiels
weise eine oxidische und eine carbonathaltige Verbindung von Blei sein.
Beim Mischen können feste Stoffe untereinander, gelöste Stoffe untereinan
der oder/und geschmolzene Stoffe untereinander oder solche aus verschie
denen Gruppen miteinander gemischt werden.
Die Stoffe können durch mechanisches Mischen von Pulvern im trockenen
oder/und suspendierten Zustand, durch Lösen, durch Herstellung einer Sus
pension und ggf. nachfolgendes Vergießen dieser Suspension im Schlicker
guß, Foliengießen oder Schleuderguß, durch ein Fällungs-, insbesondere ein
Kofällungsverfahren, durch ein Zersetzungsverfahren wie z. B. ein Spraypy
rolyseverfahren, durch Erschmelzen und evtl. nachfolgendes Schmelzgies
sen, Schleudern oder Schleuderschmelzgießen sowie nachträgliches Erstar
ren, insbesondere unter erhöhtem Druck gemischt werden, wobei sich ein
Homogenisieren insbesondere durch Naßmahlen oder durch trockenes oder
nahezu trockenes Feinmahlen von Pulvern und Massen, vor allem zur Ent
schichtung von schichtartig aufgebauten Phasen, anschließen kann.
Bei allen Arbeitsschritten sind paramagnetische Verunreinigungen wie me
tallisches Eisen weitestgehend zu vermeiden. Außerdem sind ein Gehalt von
Zink wie er auch durch Abrieb von verzinkten Gegenständen gebildet wer
den kann sowie ein Gehalt von Kobalt bzw. Nickel als schädliche Verunreini
gungen zu vermeiden.
Die Pulver, Massen, Lösungen oder/und Suspensionen können aus Stoffen
miteinander gemischt werden, die jeweils mit einer näherungsweisen Zu
sammensetzung angegeben werden und ausgewählt sind aus der Gruppe
von Pb, Pb-haltige Legierungen, xPbCO3 . yPbO mit einem Wert von x im Be
reich von 0,5 bis 2 und mit y = 1, Ag, AgO, Ag2O, Ag-haltige Legierungen,
Ag-, AgPb- oder/und Pb-Hydroxide, -Hydrogencarbonate und -Hydroxid
carbonate, PbCO3, Pb3O4, Pb2O3, PbO, PbO2, PbAgO-haltige Phasen bzw.
Acetate, Carbonyle, Chelate, Citrate, Nitrate, Oxalate, Tartrate insbesondere
von Ag, Pb oder/und AgPb.
Das Gemisch kann, ggf. nach vorheriger Vortrocknung, Trocknung oder/und
Gefriertrocknung, bei Temperaturen im Bereich von 90 bis 380°C vorgeglüht
werden, vorzugsweise auch bei Temperaturen im Bereich oberhalb von 300
°C, insbesondere über 1 bis 100 Stunden, vorzugsweise über 3 bis 48 Stun
den. Daran kann sich ein Abkühlen vorzugsweise auf Raumtemperatur, ins
besondere über 1 Minute bis 8 Stunden, oder ein Abschrecken vorzugsweise
von der Vorglühtemperatur auf Raumtemperatur anschließen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann bei einem Druck von 1 bis 50 bar,
vorzugsweise bei 2 bis 10 bar, insbesondere bei einem hohen CO2
Partialdruck oder/und bei fließendem CO2, vorgeglüht werden. Es kann vor
teilhaft sein, die Vorglühung in überkritischem CO2 durchzuführen.
Das ggf. vorgetrocknete, getrocknete oder/und gefriergetrocknete Gemisch
oder das bereits vorgeformte oder geformte Material kann - u. U. nach min
destens einem Vorglühen bzw. ggf. nach einer mechanischen Behandlung
wie z. B. Brechen oder/und Mahlen, geglüht werden. Das Gemisch kann -
insbesondere wenn eine mechanische Behandlung gewählt wird - eine Mas
se, ein Pulverhaufwerk oder ein Formkörper sein.
Das geglühte Gemisch bzw. Material kann ggf. nach nachfolgender mecha
nischer Behandlung wie z. B. Brechen oder/und Mahlen erneut geglüht wer
den. Das Glühen kann bei Temperaturen im Bereich von 300 bis 380°C er
folgen, vorzugsweise bei 330 bis 350°C, insbesondere über 1 bis 100 Stun
den, vorzugsweise über 3 bis 48 Stunden. Es kann auch vorteilhaft bei ei
nem Druck von 1 bis 300 bar, vorzugsweise bei 2 bis 150 bar, besonders
bevorzugt bei 25 bis 120 bar, ganz besonders bevorzugt bei 80 bis 110 bar
geglüht werden. Besonders vorteilhaft ist das Glühen bei einem CO2-
Partialdruck von 0,1 bis 100 bar, vorzugsweise bei 10 bis 55 bar, besonders
bevorzugt bei 25 bis 50 bar. Die Einstellung des CO2-Partialdrucks muß besonders
sorgfältig beobachtet und kontrolliert werden. Es kann vorteilhaft
sein, die Glühung in überkritischem CO2 durchzuführen. Das Glühen kann
bei einem O2-Partialdruck von 1 bis 160 bar, vorzugsweise bei 10 bis 100 bar,
besonders bevorzugt bei 50 bis 90 bar, erfolgen. Es kann vorteilhaft
sein, den O2-Partialdruck erst bei Erreichen der Glühtemperatur aufzubauen.
Vorzugsweise wird zum Ende des Glühens unter erhöhtem Druck, vorteil
hafterweise unter den bei der Glühtemperatur gewählten Partialdrucken, ab
gekühlt, insbesondere über 0,5 bis 20 Stunden oder durch Abschrecken. Der
erhöhte Druck bedeutet dabei einen Gesamtdruck von mindestens 5 bar.
Eine Formgebung des Gemisches, eine Konditionierung eines Pulvers oder
einer Masse oder eine Abscheidung von Schichten aus einem niedrigohmi
gen Material kann vor oder nach mindestens einem Vorglühen oder vor oder
nach mindestens einem Glühen stattfinden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch dadurch gekennzeichnet sein,
daß ein Kristallwachstum, insbesondere von Einkristallen bzw. wenige Do
mänen umfassenden Monolithen, während des Vorglühens oder/und Glü
hens stattfindet. Die Kristallisation erfolgt vorzugsweise aus einer Schmelze,
aus einem Festkörper oder/und aus einer Gasphase. Ein Monolith enthält
vorzugsweise nur 2 bis 25 Domänen, wobei die jeweilige Domäne einheitlich
magnetisch orientiert ist.
Das gelöste oder/und suspendierte Gemisch kann auch durch Foliengießen,
Schlickergießen oder Schleudergießen ggf. in Verbindung mit einer Fällung
geformt und das abgeschiedene Material anschließend getrocknet werden.
Das vorgetrocknete, getrocknete oder/und gefriergetrocknete Gemisch kann
geformt werden, insbesondere durch axiales Pressen, isostatisches Pressen,
heißisostatisches Pressen, Dry-bag- oder Wet-bag-Verfahren, Extrudieren
oder/und Spritzgießen.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann auch eine vollständige
Schmelze oder eine partielle Schmelze mit einem Gehalt an festen Be
standteilen wie z. B. Ag im Temperaturbereich von 300 bis 1000°C erzeugt
werden, ggf. durchgeschmolzen werden bzw. ggf. vergossen und abgekühlt,
versponnen und abgekühlt oder geschleudert und abgekühlt werden.
Es kann auch auf einem Substrat mindestens eine Schicht aus einem niedri
gohmigen Material durch Vakuumabscheidungsverfahren, Abdampfverfah
ren, elektrostatische Abscheidung, mechanisches Auftragen, Tauchbe
schichtung oder/und Spincoating - einem schnellen Drehbeschichtungsver
fahren - aufgebracht werden.
Das vorgetrocknete, getrocknete oder/und gefriergetrocknete Gemisch kann
- insbesondere als Precursorpulver bzw. Precursormaterialien - in einen
Hohlkörper, insbesondere mit einem hohen Gehalt an Pb, Ag, Al oder/und
Cu, vorzugsweise aus einem Metall oder einer Legierung, insbesondere mit
einem geringen Gehalt an Au, Mn, Pd, Mg, die auch mit keramischen Pul
vern, insbesondere Oxiden, Hartmetallen und/oder Stahl bzw. Edelstahl be
schichtet sein kann, eingefüllt, verdichtet und geglüht sowie ggf. stranggezo
gen, stranggepreßt oder/und gewalzt werden, um ein Band oder um einen
Draht herzustellen. Als Precursorpulver bzw. Precursormaterialien werden
hierbei solche verstanden, die als Vorstufe für die weitere Herstellung eines
niedrigohmigen Materials dienen, insbesondere, die durch thermische Be
handlung zu einem niedrigohmigen Material zersetzt werden können, oder
solche, die durch thermische und/oder Druckbehandlung in ein niedrigohmi
ges Material umgewandelt werden können.
Die erfindungsgemäßen Formkörper, insbesondere Preßkörper, Substrate
mit mindestens einer Schicht eines niedrigohmigen Materials oder Schmelz
körper, können durch Temperaturgradienten wie beim Zonenschmelzen,
durch mechanische Beeinflussung wie z. B. Walzen oder Überpressen, durch
magnetische Beeinflussung oder/und durch elektrische Beeinflussung textu
riert werden. Hierbei kann eine Pulverkonditionierung wie z. B. Entschichten,
Sieben, Sichten oder/und Mahlen dazu beitragen, daß die Formgebung sel
ber zu stärker texturierten Formkörpern führt.
Die Kontakte, die insbesondere für den elektrischen Anschluß notwendig
sind, können bei Formkörpern, Bändern, Drähten, Fasern, Einkristallen, Mo
nolithen und Schichten aus einem niedrigohmigen Material durch Einbetten
oder Einbringen von elektrisch leitenden Formteilen oder/und durch Aufbrin
gen von elektrisch leitenden Formteilen, Schichten oder/und Leiterbahnen
erzeugt werden. Die Formteile sind hierbei vorzugsweise als Drähte oder
Blechabschnitte ausgebildet bzw. vorzugsweise aus Ag- oder/und Cu-
haltigen Metallen oder Legierungen gebildet. Vorteilhafterweise kann ein
elektrischer Shunt ausgebildet werden, um einer thermischen Zerstörung des
niedrigohmigen Bauteils vorzubeugen.
Die Formkörper, Verbundmaterialien oder Schichten aus einem niedrigohmi
gen Material können durch einen Verbund mit Platten, Streben, Halterungen,
Beschichtungen, Rohrabschnitten, Hohlkörpern, ein- oder aufgebrachten
Fasern, Gestricken, Geweben und anderen Verbundmaterialien mechanisch
verstärkt werden. Die Verbundmaterialien sind hierbei vorzugsweise Faser
verbunde. Das Aufbringen der Verbundkörper kann durch Kleben, Anpres
sen, löten, schweißen oder durch Einbringen von Partien in den Formkörper
erfolgen.
Die Formkörper, Bänder bzw. Drähte, Substrate mit Schichten, Einkristalle
bzw. Monolithe und Fasern bzw. aus Fasern hergestellt Faserverbundmate
rialien aus einem niedrigohmigen Material können mit einer schützenden
Schicht bzw. Hülle versehen werden, insbesondere als Schutz vor bestimm
ten Gasatmosphären, Feuchtigkeit oder/und Licht, als Transportschutz
oder/und als Schutz gegen Umwelteinflüsse.
Die Formkörper, Einkristalle, Monolithe, Substrate mit Schichten und Faser
verbundmaterialien können durch mechanische Bearbeitung oder/und
Schneiden wie z. B. durch Sägen, Fräsen, Drehen, Schleifen, Läppen, Polie
ren, Wasserstrahlschneiden, Lasertrennen, Ultraschallbearbeitung, Trom
meln, Fasen, Verrunden von Kanten bearbeitet werden.
Das niedrigohmige Material kann bei einer Temperatur unterhalb von 150
°C, vorzugsweise unterhalb von 60°C, besonders bevorzugt bei Temperatu
ren unterhalb von 30°C oder gar von weniger als 20°C, insbesondere bei
möglichst geringen Temperaturen, gelagert bzw. eingesetzt werden, insbe
sondere um seine Langlebigkeit im Einsatz zu erhöhen. Es kann auch in ei
ner trockenen Atmosphäre, insbesondere in einer CO2-freien und O2-reichen
Atmosphäre, gelagert bzw. eingesetzt werden. Insbesondere kann es unter
Lichtausschluß gelagert bzw. eingesetzt werden.
Das erfindungsgemäße niedrigohmige Material auf der Basis von Blei, Koh
lenstoff und Sauerstoff kann einen Gehalt an Blei von mindestens 5 Gew.-%,
an Kohlenstoff von mindestens 0,1 Gew.-% und an Sauerstoff von minde
stens 1 Gew.-% enthalten und kann einen spezifischen elektrischen Wider
stand bei etwa -79°C von höchstens 0,5 . 10-6 Ω.cm oder/und bei etwa + 20
°C von höchstens 1 . 10-6 Ω.cm aufweisen.
Das erfindungsgemäße niedrigohmige Material mit einer spezifischen elektri
schen Leitfähigkeit besser als metallisches Silber kann auf der Basis von
Blei, Kohlenstoff und Sauerstoff hergestellt worden sein und kann minde
stens eine Blei- und Kohlenstoff-haltige hochtemperatursupraleitende Phase
enthalten, die einen Blei-Gehalt von mindestens 2 Gew.-% und einen Koh
lenstoff-Gehalt von mindestens 0,1 Gew.-% aufweist.
Gegenstand der Erfindung ist weiterhin auch ein reproduzierbar herstellbarer
Raumtemperatursupraleiter. Der Raumtemperatursupraleiter kann dadurch
gekennzeichnet sein, daß er über mindestens einen Monat, vorzugsweise
über mehrere Monate, ohne starke Änderung seiner elektrischen oder/und
magnetischen Eigenschaften beim Einsatz verwendet werden kann. Als
starke Änderung wird eine Verschlechterung einer elektrischen oder/und ei
ner magnetischen Eigenschaft um mindestens 5% angesehen, die vor
zugsweise erst nach 1 Monat, besonders bevorzugt erst nach 3 Monaten,
ganz besonders bevorzugt erst nach 6 Monaten, insbesondere erst nach 1
Jahr, noch mehr bevorzugt erst nach 10 Jahren auftritt.
Der Raumtemperatursupraleiter kann eine Stromtragfähigkeit von minde
stens 75 A/cm2 bei Raumtemperatur aufweisen, vorzugsweise von minde
stens 100 A/cm2, besonders bevorzugt von mindestens 250 A/cm2, ganz be
sonders bevorzugt von mindestens 500 A/cm2, insbesondere von minde
stens 800 A/cm2, noch mehr bevorzugt von mindestens 1500 A/cm2, noch
weiter bevorzugt von mindestens 5000 A/cm2, vor allem von mindestens
10.000 A/cm2.
Der Raumtemperatursupraleiter kann sich durch eine magnetische Suszepti
bilität χ, d. h. den supraleitenden und damit diamagnetischen Anteil am Ge
samtmaterial in Gewichtsprozent (Δm/m%), bei Raumtemperatur von mindestens
5%, vorzugsweise von mindestens 10%, besonders bevorzugt von
mindestens 50%, insbesondere von mindestens 80% auszeichnen.
Der reproduzierbar herstellbare Supraleiter kann eine Sprungtemperatur im
Bereich von mindestens -100°C bis 100°C aufweisen, vorzugsweise im
Bereich von mindestens -30°C bis +60°C, besonders bevorzugt im Be
reich von mindestens +20°C, ganz besonders bevorzugt im Bereich von
mindestens +40 oder sogar von mindestens +55°C.
Das niedrigohmige Material für den Einsatz bei einer Temperatur oberhalb
von -79°C kann sich durch einen spezifischen elektrischen Widerstand ge
ringer als metallisches Silber und eine Stromtragfähigkeit bei einer Tempe
ratur oberhalb von -79°C von mindestens 100 A/cm2 auszeichnen.
Das niedrigohmige Material oder insbesondere der Supraleiter kann eine
supraleitende Phase der näherungsweisen Zusammensetzung Pb2-xAgxCOy
aufweisen, wobei x Werte im Bereich von 0,1 bis 1, vorzugsweise im Bereich
von 0,2 bis 0,5, ganz besonders bevorzugt von 0,25 bis 0,35, und wobei y
Werte im Bereich von 3,5 bis 8,5, vorzugsweise im Bereich von 4 bis 8, ganz
besonders bevorzugt von 4,5 bis 7,5 annehmen kann. Die Übergänge des
niedrigohmigen Materials zum Supraleiter sind fließend. Der Begriff "niedrig
ohmiges Material" im Sinne dieser Erfindung soll die entsprechenden Su
praleiter umfassen. Das niedrigohmige Material kann beispielsweise auch
eine Schicht oder ein Faserverbund sein.
Außerdem ist eine supraleitende Phase der näherungsweisen Zusammen
setzung Pb2-xAgxCOy Gegenstand der Erfindung, wobei x Werte im Bereich
von 0,1 bis 1, vorzugsweise im Bereich von 0,2 bis 0,5, ganz besonders be
vorzugt von 0,25 bis 0,35, und wobei y Werte im Bereich von 3,5 bis 8,5,
vorzugsweise im Bereich von 4 bis 8, ganz besonders bevorzugt von 4,5 bis
7,5 annehmen kann.
Das niedrigohmige Bauteil, das ebenso Gegenstand der Erfindung ist, kann
ein erfingungsgemäßes niedrigohmiges Material enthalten.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung enthält ein erfindungsgemäßes niedri
gohmiges Material oder/und mindestens ein erfindungsgemäßes Bauteil.
Eine erfindungsgemäße Anlage kann mit einer Vorrichtung versehen sein,
die ein erfindungsgemäßes niedrigohmiges Material oder/und mindestens
ein erfindungsgemäßes enthält.
Das erfindungsgemäße niedrigohmige Material kann als Sputtertarget, als
Abdampfmaterial und für die Herstellung von niedrigohmigen Bauteilen ver
wendet werden.
Der erfindungsgemäße Supraleiter kann verwendet werden für den Strom
transport ohne Ohmschen Widerstand, für die magnetische Lagerung, für
die Erzeugung von Magnetfeldern und für die Detektion und Messung elek
trischer und magnetischer Felder.
Die durch Verdichten des vorgetrockneten, getrockneten oder/und gefrierge
trockneten Gemisches geformten Formkörper, die mit einer metallischen
Hülle versehen sein können, können als Ausgangsprodukt für die Band- oder
Drahtherstellung dienen. Die Formgebung kann hierbei durch axiales Pres
sen, isostatisches Pressen, heißisostatisches Pressen, Dry-bag- oder Wet
bag-Verfahren erfolgen.
Die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Zwischenpro
dukte bzw. Produkte können verwendet werden als niederohmiges Bauteil
und/oder als Bestandteil eines niederohmigen Bauteils.
Das erfindungsgemäße niedrigohmige Bauteil kann für magnetische Lager,
für Elektronikbauteile, für magnetische Abschirmungen, für Stromzuführun
gen, als Magnet, insbesondere als Elektromagnet oder als Permanentmag
net, als elektrischer Leiter, für die Erzeugung von Mikrowellen, als Frequenz
filter, Detektor und Sensor verwendet werden.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann mit einem niedrigohmigen Material
oder/und mit mindestens einem niedrigohmigen Bauteil ausgestattet sein
und kann für magnetische Abschirmungen, für Stromzuführungen, für Elek
tronikbauteile wie Filter und Sensoren, für elektronische Geräte, insbesonde
re Datenverarbeitungs- und Kommunikationssysteme, als Strombegrenzer,
als Antriebssystem von Magnetfahrzeugen, als Abstand-haltende Vorrich
tung z. B. in Tankfahrzeugen, als Hochfeldmagnet, als Magnet insbesondere
in Kernspintomographen, in NMR-Geräten, in Magnetscheidern, als magne
tische Lager wie z. B. Schwungmassenspeicher verwendet werden.
Die erfindungsgemäße Anlage kann mit einem niedrigohmigen Material
oder/und mit mindestens einem niedrigohmigen Bauteil ausgestattet sein
und verwendet werden für die Energieübertragung, als Fusionsreaktor, als
Teilchenbeschleuniger, als Elektromotor, als Transformator, als Generator.
Schließlich ist ein Verfahren zum Leiten des elektrischen Stromes Gegen
stand der Erfindung, bei dem die Stromleitung oberhalb von -100°C ohne
meßbaren ohmschen Widerstand erfolgt, vorzugsweise oberhalb von -85°C,
besonders bevorzugt oberhalb von -30°C, ganz besonders bevorzugt
oberhalb von 0°C, noch weiter bevorzugt oberhalb von 15°C, insbesondere
bei Raumtemperatur - ganz besonders im Bereich von 18 bis 30°C, noch
weiter bevorzugt oberhalb von 20°C, sogar oberhalb von 30°C, noch mehr
oberhalb von 45°C, vor allem oberhalb von 55°C.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von niedrigohmigem Ma
terial hat den Vorteil, daß es die Herstellung von niedrigohmigem Material
und von Supraleitern mit unerwartet hohen Temperaturen ermöglicht und
daß diese Materialien im Vergleich zu den bisher beschriebenen Laborpro
dukten über vergleichsweise lange Zeiten ihre niedrigohmigen bzw. supra
leitenden Eigenschaften behalten.
Der Gegenstand der Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungs
beispielen näher erläutert.
Als Ausgangsmaterial wurde basisches Bleicarbonat (2PbCO3 . Pb(OH)2) der
Fa. Riedel-de-Haën (DAB 6) verwendet. Zunächst wurden 50 g des Aus
gangsmaterials in einem Rohrofen mit Keramikinnenrohr unter Vakuum (10 mbar)
innerhalb einer Stunden auf eine Temperatur von 360°C erhitzt und 3
Stunden bei dieser Temperatur gehalten. Anschließend wurde der Ofen auf
300°C abgekühlt und die Atmosphäre auf 3 bar CO2 umgestellt. Nach einer
Haltezeit von 24 Stunden wurde innerhalb von 4 Stunden auf Raumtempe
ratur abkühlt. Unter diesen Bedingungen wurde aus dem Ausgangsmaterial
ein Zwischenprodukt mit der Hauptphase 2PbO . PbCO3 gebildet. 35,7 g des
Zwischenproduktes und 3,5 g Silberoxid (Ag2O, Fa. Aldrich) wurden unter
Zugabe von wasserfreiem Ethanol in einem Achatmörser innig vermischt.
Die entstandene Paste wurde im Trockenschrank bei 90°C eine Stunde ge
trocknet. Anschließend wurde die getrocknete Mischung für 24 h bei 330°C
in einem Rohrofen unter 5 bar strömendem CO2 vorgeglüht, wobei möglichst
kurze Aufheiz- und Abkühlphasen gewählt wurden. 300 mg der vorgeglühten
Pulvermischung wurden in einer Axialpresse bei einem Druck von 2 t zu
Preßlingen mit den ungefähren Maßen (Durchmesser 8 mm, Dicke 0,5 mm)
verpreßt, wobei vor dem Preßvorgang rechts und links in die Preßform
Goldfolie eingelegt wurde, die in den Preßling eingepreßt als spätere Kon
takte diente. Der Preßling wurde in einem Autoklaven zunächst mit einer At
mosphäre von 45 bar CO2 beaufschlagt und auf 345°C unter konstantem
Druck geheizt. Bei dieser Temperatur wurden der Atmosphäre im Autoklaven
zusätzlich 60 bar Sauerstoff beigemischt. Nach 24 h wurde der Autoklav unter
Beibehaltung der Partialdrücke auf Raumtemperatur abgekühlt.
Die Elementanalyse des Endproduktes, ermittelt über Röntgenfloureszenz
für Ag und Pb (Meßgenauigkeit +/-4) und Verbrennungsanalyse für Kohlen
stoff (Meßgenauigkeit +/-5%), ergab 77,2 Gew.-% Pb, 8,0 Gew.-% Ag und
2,24 Gew.-% C. Daraus ergab sich näherungsweise die chemische Formel
des Endproduktes Ag2O . 5PbO . 5PbCO3, wobei allerdings ein Mischphasen
system vorlag.
Die Probe wurde mittels Leitsilber und Golddrähten kontaktiert. Die Messung
des Spannungsabfalls bei 22°C ergab nach dem 1 µV/cm Kriterium eine kriti
sche Stromdichte des Supraleiters von etwa 110 A/cm2. Die Messung wurde
nach 30 Tagen wiederholt, während dir Probe in der Zwischenzeit unter ei
ner trockenen CO2 Atmosphäre und unter Lichtausschluß gelagert wurde.
Bei der erneuten Messung ergab sich keine Änderung in der kritischen
Stromstärke.
9,4 kg Bleinitrat (Pb(NO3)2) der Fa. Fluka wurden in 20 kg entionisiertem Was
ser aufgelöst. Die so hergestellte Lösung enthielt 208 g Pb pro kg Lösung.
5 kg Silbernitrat (AgNO3) der Fa. Aldrich wurden in 20 kg entionisiertem Wasser
aufgelöst. Die so hergestellt Lösung enthielt 212 g Ag pro kg Lösung.
20 kg der Bleinitratlösung und 2,05 kg der Silbernitratlösung wurden zusam
mengemischt. Des weiteren wurden 50 kg einer 10%igen (Gewichtsprozent)
Lösung von Oxalsäure (Fa. Fluka) in entionisiertem Wasser hergestellt, wo
bei die Temperatur zur besseren Auflösung auf 50°C erhöht wurde. 20 kg der
Mischnitratlösung und 22 kg der Oxalsäurelösung wurden schnell miteinander
vermischt, wobei gemischte Ag/Pb-Oxalate als feindisperse Feststoffe aus
fielen. Das Verfahren wird auch als Kofällung bezeichnet. Um eine Rücklö
sung der Metalloxalate zu verhindern wurde die Oxalsäure im 10 Ge.% Über
schuß zugegeben. Die so erhaltene Suspension wurde in einem Sprühtrock
ner bei einem Durchsatz von 30 kg getrocknet, wobei ein feines Ag/Pb-
Oxalatpulver erhalten wurde. 200 g des so erhaltenen Pulvers wurden in ei
nem Kammerofen unter strömendem Stickstoff bei 300°C zersetzt, wobei
innerhalb von 24 h aufgeheizt wurde. Als Zwischenprodukt wurde ein kom
plexes Phasengemisch erhalten, welches unter anderem 2PbO . PbCO3 ent
hielt. Das Zwischenprodukt wurde einem Achatmörser des-aggiomeriert und
homogenisiert. 80 g des Zwischenproduktes wurden in einer isostatischen
Presse bei einem Druck von 3 kbar zu einem Preßling mit den Maßen
40 × 40 × 8 mm3 verpreßt. Der Preßling wurde in einem Autoklaven zunächst mit
einer Atmosphäre von 35 bar CO2 beaufschlagt und auf 350°C unter kon
stantem Druck geheizt. Bei dieser Temperatur wurden der Atmosphäre im
Autoklaven zusätzlich 80 bar Sauerstoff beigemischt. Nach 72 h wurde der
Autoklav unter Beibehaltung der Partialdrücke auf Raumtemperatur abge
kühlt.
Die Elementanalyse des Endproduktes, ermittelt über Röntgenfloureszenz
für Ag und Pb (Meßgenauigkeit +/-4) und Verbrennungsanalyse für Kohlen
stoff (Meßgenauigkeit +/-5%), ergab 76,53 Gew.-% Pb, 8,4 Gew.-% Ag und
2,33 Gew.-% C. Daraus ergab sich näherungsweise die chemische Formel
des Endproduktes Ag2O . 4,5PbO . 5PbCO3, wobei allerdings ein Mischpha
sensystem vorliegt.
Die Messung der magnetische Suszeptibilität ergab einen Übergang vom
normal- zum supraleitenden Zustand bei einer kritischen Temperatur von
60°C und eine Suszeptibilität χ in Δm/m von 10% bei 20°C.
1 kg Bleioxalat (Fa. Bernhardi Chimie) wurde in einem Kammerofen unter
strömendem Stickstoff bei 350°C innerhalb von 24 h zu tetragonalem PbO
zersetzt. In einem Pulvermischer (Fa. Eirich) würden 560 g des PbO mit 60 g
Ag2O (Fa. Aldrich) intensiv vermischt. Die Mischung wurde in einen Tiegel
aus Bariumzirkonat gefüllt und unter Sauerstoffatmosphäre innerhalb von 3 h
auf 860°C in einem Rohrofen mit Keramikrohr geheizt. Die bei dieser Tempe
ratur entstandene partielle Schmelze wurde im Tiegel wieder abgekühlt. Der
entstandene Schmelzkuchen wurde zunächst im einem Backenbrecher vor
zerkleinert und anschließend in einer Luftstrahlmühle aufgemahlen. Das so
erhaltene Pulver wurde nachfolgend für 48 h einer Vorglühung bei 330°C
unter 5 bar strömendem CO2 unterworfen. Das vorgeglühte Pulver wurde in
einer isostatischen Dry-Bag-Presse (Trockenmatritzenverfahren) bei einem
Druck von 2200 bar zu einem Stab (Durchmesser 10 mm, Länge 100 mm)
verpreßt, wobei in das untere und obere Ende jeweils ein Kupferstab einge
preßt wurde. Der Preßling wurde in einem Autoklaven zunächst mit einer
Atmosphäre von 45 bar CO2 beaufschlagt und auf 340°C unter konstantem
Druck geheizt. Bei dieser Temperatur wurden der Atmosphäre im Autoklaven
zusätzlich 50 bar Sauerstoff beigemischt. Nach 100 h wurde der Autoklav
unter Beibehaltung der Partialdrücke auf Raumtemperatur abgekühlt.
Die Elementanalyse des Endproduktes, ermittelt über Röntgenfloureszenz
für Ag und Pb (Meßgenauigkeit +/-4) und Verbrennungsanalyse für Kohlen
stoff (Meßgenauigkeit +/-5%), ergab 77,18 Gew.-% Pb, 8,5 Gew.-% Ag und
2,12 Gew.-% C. Daraus ergab sich näherungsweise die chemische Formel
des Endproduktes Ag2O . 5PbO . 4,5PbCO3, wobei allerdings ein Mischpha
sensystem vorliegt.
Die Messung des Spannungsabfalls bei 22°C ergab nach dem 1 µV/cm Krite
rium eine kritische Stromdichte des Supraleiters von etwa 75 A/cm2. Die
temperaturabhängige Messung des spezifischen Widerstandes ergab eine
kritische Temperatur von 55°C.
Claims (58)
1. Verfahren zur Herstellung eines Materials auf der Basis von Blei, Kohlen
stoff und Sauerstoff, dadurch gekennzeichnet, daß ein Material mit einem
Gehalt an Blei von mindestens 5 Gew.-%, Kohlenstoff von mindestens
0,1 Gew.-% und Sauerstoff von mindestens 1 Gew.-% hergestellt wird,
das einen spezifischen elektrischen Widerstand bei etwa -79°C von
höchstens 0,5 . 10-6 Ω.cm oder/und bei etwa +20°C von höchstens 1 . 10-6 Ω.cm
aufweist.
2. Verfahren zur Herstellung eines Materials mit einer spezifischen elektri
schen Leitfähigkeit besser als metallisches Silber auf der Basis von Blei,
Kohlenstoff und Sauerstoff, dadurch gekennzeichnet, daß es mindestens
eine Blei- und Kohlenstoff-haltige hochtemperatursupraleitende Phase
enthält, die einen Blei-Gehalt von mindestens 2 Gew.-% und einen Koh
lenstoff-Gehalt von mindestens 0,1 Gew.-% aufweist.
3. Verfahren zur Herstellung eines Materials mit einer spezifischen elektri
schen Leitfähigkeit besser als metallisches Silber auf der Basis von Blei,
Kohlenstoff und Sauerstoff, dadurch gekennzeichnet, daß es mindestens
eine Blei- und Sauerstoffhaltige hochtemperatursupraleitende Phase
enthält, die einen Blei-Gehalt von mindestens 2 Gew.-% und einen Sau
erstoff-Gehalt von mindestens 0,1 Gew.-% aufweist.
4. Verfahren zur Herstellung eines Materials mit einem spezifischen elektri
schen Widerstand bei etwa -79°C geringer als von metallischem Silber,
insbesondere von einem Raumtemperatursupraleiter, dadurch gekenn
zeichnet, daß zur Herstellung des supraleitenden Materials mit einem
CO2-Partialdruck im Bereich von 0,1 bis 100 bar geglüht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material mit einem Gehalt von mindestens einem Element bzw.
Ionen ausgewählt aus der Gruppe von Ag, Cu, Au, Hg, Tl, Na, K, NH4 und
Be hergestellt wird.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Material mit einem Gehalt von mindestens einem Ele
ment bzw. Ionen ausgewählt aus der Gruppe von Ca, Sr, Ba, Bi, Sb, Hg
und Tl hergestellt wird.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein niedrigohmiges Material mit einem Gehalt an minde
stens einer der Phasen ausgewählt aus der Gruppe von Ag, Ag2O, Ag-
haltige Legierungen, xPbCO3 . yPbO mit x = 0,5 bis 2 und mit y = 1,
PbCO3, Pb3O4, Pb2O3, PbO, PbO2 und PbAgO-haltige Phasen, insbeson
dere Byström-Phasen wie Pb1-xAgxO1,55, hergestellt wird, wobei die Zu
sammensetzungen nur näherungsweise angegeben werden.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß mindestens eine supraleitende Phase zugemischt wird.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß Verbindungen von Pb, C bzw. O miteinander gemischt
werden, insbesondere auch mit weiteren Verbindungen wie z. B. Ag-
Verbindungen.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß feste
Stoffe, gelöste Stoffe oder/und geschmolzene Stoffe untereinander oder
miteinander gemischt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stoffe durch mechanisches Mischen von Pulvern im trockenen
oder/und suspendierten Zustand, durch Lösen, durch Herstellung einer
Suspension und ggf. nachfolgendes Vergießen dieser Suspension im
Schlickerguß, Foliengießen oder Schleuderguß, durch ein Fällungs-, ins
besondere ein Kofällungsverfahren, durch ein Zersetzungsverfahren wie
z. B. ein Spraypyrolyseverfahren, durch Erschmelzen und evtl. nachfol
gendes Schmelzgießen, Schleudern oder Schleuderschmelzgießen so
wie nachträgliches Erstarren, insbesondere unter erhöhtem Druck ge
mischt werden, wobei sich ein Homogenisieren insbesondere durch
Naßmahlen oder durch trockenes oder nahezu trockenes Feinmahlen
von Pulvern und Massen, vor allem zur Entschichtung von schichtartig
aufgebauten Phasen, anschließen kann.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß Pulver, Massen, Lösungen oder/und Suspensionen jeweils mit einer
näherungsweisen Zusammensetzung ausgewählt aus der Gruppe von
Pb, Pb-haltige Legierungen, xPbCO3 . yPbO mit einem Wert von x im Be
reich von 0,5 bis 2 und mit y = 1, Ag, AgO, Ag2O, Ag-haltige Legierungen,
Ag-, AgPb- oder/und Pb-Hydroxide, -Hydrogencarbonate und -Hydroxid
carbonate, PbCO3, Pb3O4, Pb2O3, PbO, PbO2, PbAgO-haltige Phasen
bzw. Acetate, Carbonyle, Chelate, Citrate, Nitrate, Oxalate, Tartrate ins
besondere von Ag, Pb oder/und AgPb miteinander gemischt werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gemisch, ggf. nach vorheriger Vortrocknung, Trocknung
oder/und Gefriertrocknung, bei Temperaturen im Bereich von 90 bis 380°C
vorgeglüht wird, insbesondere über 1 bis 100 Stunden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem
Druck von 1 bis 50 bar, insbesondere bei einem hohen CO2-Partialdruck
oder/und bei fließendem CO2, vorgeglüht wird.
15. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das ggf. vorgetrocknete, getrocknete oder/und gefrierge
trocknete Gemisch oder das bereits vorgeformte oder geformte Material -
u. U. nach mindestens einem Vorglühen bzw. ggf. nach einer mechani
schen Behandlung wie z. B. Brechen oder/und Mahlen, geglüht wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das geglühte
Gemisch bzw. Material ggf. nach nachfolgender mechanischer Behand
lung wie z. B. Brechen oder/und Mahlen erneut geglüht wird.
17. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Glühen bei Temperaturen im Bereich von 300 bis 380°C
erfolgt, insbesondere über 1 bis 100 Stunden.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem
Druck von 1 bis 300 bar geglüht wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß bei
einem CO2-Partialdruck von 1 bis 60 bar geglüht wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeich
net, daß bei einem O2-Partialdruck von 1 bis 160 bar geglüht wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 20 dadurch gekennzeichnet,
daß der O2-Partialdruck erst bei Erreichen der Glühtemperatur aufgebaut
wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeich
net, daß zum Ende des Glühens unter erhöhtem Druck, vorzugsweise
unter den bei der Glühtemperatur gewählten Partialdrucken, abgekühlt
wird, insbesondere über 0,5 bis 20 Stunden oder durch Abschrecken.
23. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Formgebung des Gemisches, eine Konditionierung ei
nes Pulvers oder einer Masse oder eine Abscheidung von Schichten aus
einem niedrigohmigen Material vor oder nach mindestens einem Vorglü
hen oder vor oder nach mindestens einem Glühen stattfindet.
24. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Kristallwachstum, insbesondere von Einkristallen bzw.
wenige Domänen umfassenden Monolithen, während des Vorglühens
oder/und Glühens stattfindet.
25. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das gelöste oder/und suspendierte Gemisch durch Folien
gießen, Schlickergießen oder Schleudergießen ggf. in Verbindung mit ei
ner Fällung geformt und das abgeschiedene Material anschließend ge
trocknet wird.
26. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das vorgetrocknete, getrocknete oder/und gefriergetrock
nete Gemisch geformt wird, insbesondere durch axiales Pressen, isosta
tisches Pressen, heißisostatisches Pressen, Dry-bag- oder Wet-bag-
Verfahren, Extrudieren oder/und Spritzgießen.
27. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine durchgeschmolzene Schmelze oder eine Schmelze
mit einem Gehalt an festen Bestandteilen wie z. B. Ag im Temperaturbe
reich von 300 bis 1000°C erzeugt wird, ggf. durchgeschmolzen wird bzw.
ggf. vergossen und abgekühlt, versponnen und abgekühlt oder geschleu
dert und abgekühlt wird.
28. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß auf einem Substrat mindestens eine Schicht aus einem
niedrigohmigen Material durch Vakuumabscheidungsverfahren, Ab
dampfverfahren, elektrostatische Abscheidung, mechanisches Auftragen,
Tauchbeschichtung oder/und Spincoating aufgebracht wird.
29. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das vorgetrocknete, getrocknete oder/und gefriergetrock
nete Gemisch - insbesondere als Precursorpulver bzw. Precursormateria
lien - in einen Hohlkörper, insbesondere mit einem hohen Gehalt an Pb,
Ag, Al oder/und Cu, vorzugsweise aus einem Metall oder einer Legie
rung, insbesondere mit einem geringen Gehalt an Au, Mn, Pd, Mg, die
auch mit keramischen Pulvern, insbesondere Oxiden, Hartmetallen
und/oder Stahl bzw. Edelstahl beschichtet sein kann, eingefüllt, verdichtet
und geglüht sowie ggf. stranggezogen, stranggepreßt oder/und gewalzt
wird, um ein Band oder um einen Draht herzustellen.
30. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Formkörper, insbesondere Preßkörper, Substrate mit
mindestens einer Schicht eines niedrigohmigen Materials oder Schmelz
körper, durch Temperaturgradienten wie beim Zonenschmelzen, durch
mechanische Beeinflussung wie Walzen oder Überpressen, durch ma
gnetische Beeinflussung oder/und durch elektrische Beeinflussung texturiert
werden, wobei eine Pulverkonditionierung wie z. B. Entschichten,
Sieben, Sichten oder/und Mahlen dazu beitragen kann, daß die Formge
bung selber zu stärker texturierten Formkörpern führt.
31. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Kontakte von Formkörpern, Bändern, Drähten, Fasern,
Einkristallen, Monolithen und Schichten aus einem niedrigohmigen Mate
rial durch Einbetten oder Einbringen von elektrisch leitenden Formteilen
oder/und durch Aufbringen von elektrisch leitenden Formteilen, Schichten
oder/und Leiterbahnen erzeugt werden, wobei die Formteile vorzugswei
se als Drähte oder Blechabschnitte bzw. vorzugsweise aus Ag- oder/und
Cu-haltigen Metallen oder Legierungen gebildet werden und wobei ggf
ein elektrischer Shunt ausgebildet wird, um einer thermischen Zerstörung
des niedrigohmigen Bauteils vorzubeugen.
32. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Formkörper, Verbundmaterialien oder Schichten aus
einem niedrigohmigen Material durch einen Verbund mit Platten, Streben,
Halterungen, Beschichtungen, Rohrabschnitten, Hohlkörpern, ein- oder
aufgebrachten Fasern, Gestricken, Geweben und anderen Verbundmate
rialien mechanisch verstärkt werden.
33. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Formkörper, Bänder bzw. Drähte, Substrate mit
Schichten, Einkristalle bzw. Monolithe, Fasern bzw. aus Fasern herge
stellt Faserverbundmaterialien aus einem niedrigohmigen Material mit ei
ner schützenden Schicht bzw. Hülle versehen werden.
34. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Formkörper, Einkristalle, Monolithe, Substrate mit
Schichten und Faserverbundmaterialien durch mechanische Bearbeitung
oder/und Schneiden wie z. B. durch Sägen, Fräsen, Drehen, Schleifen,
Läppen, Polieren, Wasserstrahlschneiden, Lasertrennen, Ultraschallbe
arbeitung, Trommeln, Fasen, Verrunden von Kanten bearbeitet werden.
35. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das niedrigohmige Material bei einer Temperatur unterhalb
von 150°C, insbesondere bei möglichst geringen Temperaturen, gelagert
bzw. eingesetzt wird.
36. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das niedrigohmige Material in einer trockenen Atmosphäre,
insbesondere in einer CO2-reichen und/oder O2-reichen Atmosphäre, ge
lagert bzw. eingesetzt wird.
37. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das niedrigohmige Material unter Lichtausschluß gelagert
bzw. eingesetzt wird.
38. Material auf der Basis von Blei, Kohlenstoff und Sauerstoff, das einen
Gehalt an Blei von mindestens 5 Gew.-%, an Kohlenstoff von mindestens
0,1 Gew.-% und an Sauerstoff von mindestens 1 Gew.-% und das einen
spezifischen elektrischen Widerstand bei etwa -79°C von höchstens
0,5 . 10-6 Ω.cm oder/und bei etwa + 20°C von höchstens 1 . 10-6 Ω.cm auf
weist.
39. Material mit einer spezifischen elektrischen Leitfähigkeit besser als me
tallisches Silber auf der Basis von Blei, Kohlenstoff und Sauerstoff, das
mindestens eine Blei- und Kohlenstoff-haltige hochtemperatursupraleitende
Phase enthält, die einen Blei-Gehalt von mindestens 2 Gew.-%
und einen Kohlenstoff-Gehalt von mindestens 0,1 Gew.-% aufweist.
40. Reproduzierbar herstellbarer Raumtemperatursupraleiter.
41. Raumtemperatursupraleiter, der über mindestens einen Monat ohne star
ke Änderung seiner elektrischen oder/und magnetischen Eigenschaften
beim Einsatz verwendet werden kann.
42. Raumtemperatursupraleiter mit einer Stromtragfähigkeit von mindestens
75 A/cm2 bei Raumtemperatur.
43. Raumtemperatursupraleiter mit einer magnetischen Suszeptibilität χ von
mindestens Δm/m = 5%.
44. Reproduzierbar herstellbarer Supraleiter mit einer Sprungtemperatur im
Bereich von -100°C bis +100°C.
45. Niedrigohmiges Material für den Einsatz bei einer Temperatur oberhalb
von -79°C mit einem spezifischen elektrischen Widerstand geringer als
metallisches Silber und mit einer Stromtragfähigkeit bei einer Temperatur
oberhalb von -79°C von mindestens 100 A/cm2.
46. Niedrigohmiges Material oder Supraleiter mit einer supraleitenden Phase
der näherungsweisen Zusammensetzung Pb2-xAgxCOy, wobei x Werte im
Bereich von 0,1 bis 1 und wobei y Werte im Bereich von 3,5 bis 8,5 an
nehmen kann.
47. Supraleitende Phase der näherungsweisen Zusammensetzung
Pb2-xAgxCOy, wobei x Werte im Bereich von 0,1 bis 1 und wobei y Werte
im Bereich von 3,5 bis 8,5 annehmen kann.
48. Niedrigohmiges Bauteil, dadurch gekennzeichnet, daß es ein niedri
gohmiges Material gemäß Anspruch 38 oder/und 39 enthält.
49. Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein niedrigohmiges Mate
rial oder/und mindestens ein Bauteil nach mindestens einem der Ansprü
che 38, 39 oder/und 48 enthält.
50. Anlage mit einer Vorrichtung, die ein niedrigohmiges Material oder/und
mindestens ein Bauteil nach mindestens einem der Ansprüche 38, 39
oder/und 48 enthält.
51. Verwendung eines niedrigohmigen Materials nach einem der Ansprüche
38 bis 46 als Sputtertarget, als Abdampfmaterial und für die Herstellung
von niedrigohmigen Bauteilen.
52. Verwendung eines Supraleiters nach einem der Ansprüche 38 bis 46 für
den Stromtransport ohne Ohmschen Widerstand, für die magnetische
Lagerung, für die Erzeugung von Magnetfeldern und für die Detektion
und Messung elektrischer und magnetischer Felder.
53. Verwendung der durch Verdichten des vorgetrockneten, getrockneten
oder/und gefriergetrockneten Gemisches geformten Formkörper, die mit
einer metallischen Hülle versehen sein können, als Ausgangsprodukt für
die Band- oder Drahtherstellung.
54. Verwendung der nach einem Verfahren gemäß mindestens einem der
Ansprüche 1 bis 37 hergestellten Produkte als niederohmiges Bauteil
und/oder als Bestandteil eines niederohmigen Bauteils.
55. Verwendung eines niedrigohmigen Bauteils nach einem der Ansprüche
38 bis 48 für magnetische Lager, für Elektronikbauteile, für magnetische
Abschirmungen, für Stromzuführungen, als Magnet, insbesondere als
Elektromagnet oder als Permanentmagnet, als elektrischer Leiter, für die
Erzeugung von Mikrowellen, als Frequenzfilter, Detektor und Sensor.
56. Verwendung einer Vorrichtung mit einem niedrigohmigen Material
oder/und mit mindestens einem niedrigohmigen Bauteil nach einem der
Ansprüche 38 bis 49 für magnetische Abschirmungen, für Stromzufüh
rungen, für Elektronikbauteile wie Filter und Sensoren, für elektronische
Geräte, insbesondere Datenverarbeitungs- und Kommunikationssysteme,
als Strombegrenzer, als Antriebssystem von Magnetfahrzeugen, als Ab
stand-haltende Vorrichtung z. B. in Tankfahrzeugen, als Hochfeldmagnet,
als Magnet insbesondere in Kernspintomographen, in NMR-Geräten, in
Magnetscheidern, als magnetische Lager wie z. B. Schwungmassenspei
cher.
57. Verwendung einer Anlage mit einem niedrigohmigen Material oder/und
mit mindestens einem niedrigohmigen Bauteil nach einem der Ansprüche
38 bis 50 für die Energieübertragung, insbesondere als Energiekabel, als
Fusionsreaktor, als Teilchenbeschleuniger, als Elektromotor, als Trans
formator, als Generator.
58. Verfahren zum Leiten des elektrischen Stromes oberhalb von -100°C
ohne meßbaren Ohmschen Widerstand.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10007915A DE10007915A1 (de) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Materials, niedrigohmiges Material, Supraleiter, supraleitendes Bauteil, Vorrichtung und Anlage mit einem niedrigohmigen Material sowie deren Verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10007915A DE10007915A1 (de) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Materials, niedrigohmiges Material, Supraleiter, supraleitendes Bauteil, Vorrichtung und Anlage mit einem niedrigohmigen Material sowie deren Verwendung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10007915A1 true DE10007915A1 (de) | 2001-09-13 |
Family
ID=7631750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10007915A Ceased DE10007915A1 (de) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | Verfahren zur Herstellung eines niedrigohmigen Materials, niedrigohmiges Material, Supraleiter, supraleitendes Bauteil, Vorrichtung und Anlage mit einem niedrigohmigen Material sowie deren Verwendung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10007915A1 (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3835989A1 (de) * | 1987-10-24 | 1989-05-03 | Hiroyuki Yoshida | Verfahren zum herstellen eines raumtemperatursupraleiters aus einer oxidverbindung unter verwendung einer bestrahlung mit einer bestimmten strahlung |
JPH07315841A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-05 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物超電導組成物及びこれを用いた共振空洞並びに磁気シールド材 |
-
2000
- 2000-02-21 DE DE10007915A patent/DE10007915A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3835989A1 (de) * | 1987-10-24 | 1989-05-03 | Hiroyuki Yoshida | Verfahren zum herstellen eines raumtemperatursupraleiters aus einer oxidverbindung unter verwendung einer bestrahlung mit einer bestimmten strahlung |
JPH07315841A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-05 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物超電導組成物及びこれを用いた共振空洞並びに磁気シールド材 |
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