DE10005754A1 - Leistungshalbleiterschaltungsanordnung mit schwingungsgedämpfter Parallelschaltung - Google Patents

Leistungshalbleiterschaltungsanordnung mit schwingungsgedämpfter Parallelschaltung

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Abstract

Es wird eine Leistungshalbleiterschaltungsanordnung mit Hilfsemitteranschluss beschrieben, die ein schwingungsdämpfendes Verhalten bei Parallelschaltung von IGBT-Leistungshalbleiterbauelementen zeigt sowie ein schwingungsfreies Verhalten in der Teilstrom-Phase des Abschaltens der Leistungsschalter zeigt. DOLLAR A Bei Schaltungsanordnungen nach dem Stand der Technik treten bei Parallelschaltungen der Leistungsschalter Oberwellenschwingungen auf, die empfindliche Störungen in der Schaltungsansteuerung oder dem Umfeld der Schaltungsanordnung auslösen können. DOLLAR A Die Schwingungsfreiheit wird durch eine gezielt lokalisierte elektrisch isolierte Kaschierungsinsel (18) definierte Größe auf jeder DCB-Keramik erreicht, wodurch insbesondere die parasitären Induktivitäten und Wirbelströme so verändert werden, daß im Zusammenspiel mit den Leistungsschaltern keine Schwingungsneigung gegeben ist. Diese elektrisch isolierte Kaschierungsinsel dient gleichzeitig als Hilfsemitteranschluss.

Description

Die Erfindung beschreibt eine Leistungshalbleiterschaltungsanordnung nach den Merkmalen des Anspruches 1 der DE 199 38 302. Schaltungsanordnungen mit Leistungsschaltern insbesondere IGBT (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor) sind mehrfach aus der Literatur durch Beschreiben bekannt. Die zwischenzeitlich erlangte Komplexität des Aufbaus und der Vielfältigkeit der Wirkprinzipien von Schaltungsanordnungen ermöglichen es, nur Teilgebiete dieses umfangreichen Wissensfeldes zum Gegenstand von erfinderischen Lösungen zu behandeln.
So können die aktiven Leistungsbauelemente, wie Leistungsschalter und/oder Freilaufdioden, die passiven Bauelemente, wie Widerstände und/oder Kondensatoren, deren Aufbauten auf Isolierkeramiken mit den dazugehörenden Verbindungstechniken zu den äußeren Anschlüssen oder die Ansteuerung der Schaltungsanordnung Gegenstand der beschreibenden Erklärungen sein. In jedem Falle wird durch jede neue Veröffentlichung der weiteren Entwicklung von Schaltungsanordnungen durch Optimieren eines Teilfachgebietes Rechnung getragen.
Der Stand der Technik zu dieser Zusatzanmeldung wird bereits in DE 199 38 302 dargestellt. Neben dem beabsichtigten und konstruktiv geplanten Verhalten von Schaltungsanordnungen, insbesondere solcher mit hoher Packungsdichte und hohen Leistungsaufnahmen, ergeben sich Wechselwirkungen und Nebeneffekte, die meist im Nachgang bei der Erprobung oder im Einsatzfall sichtbar werden und einer Nachbesserung bedürfen. Beispielhaft kann eine hohe Packungsdichte ungewollte Nebeneffekte in Form von hochfrequenten Schwingungen mit unterschiedlichen Ursachen und Folgen bewirken.
Parasitäre Induktivitäten und Kapazitäten sind in jeder Schaltungsanordnung durch die geometrische Anordnung der Einzelbauelemente und deren Zusammenschalten gegeben und es ist eine Frage des Wissens auf diesem Gebiet, um eine berechenbare Kalkulation mit entsprechenden Gegensteuerungen in die Schaltungen einzubauen. In jedem Fall sollte ein induktivitätsarmer Aufbau angestrebt und parasitäre Induktivitäten müssen weitgehend reduziert werden.
Bei Parallelschaltungen von mindestens zwei Leistungsschaltern, insbesondere bei Einsatz von IGBT, treten in solchem Maße größere Probleme auf, wie der Integrationsgrad wächst. Bereits bei zwei parallel geschalteten eng benachbarten IGBT können sich hochfrequente Schwingungen bemerkbar machen.
Das Auftreten von hochfrequenten Schwingungen wird bereits in DE 195 49 011 beschrieben. Durch mindestens eine weitere Verbindungsleitung, die die Emitterkontakte zweier benachbarter IGBT-Chips elektrisch direkt miteinander verbindet, werden diese Schwingungen verhindert.
In der DE 199 38 302 wird die Vermeidung von hochfrequenten Schwingung durch Einbringen definierter unkaschierter Bereiche in das Kupfergebiet des DCB-Substrats (direct copper bonded) z. B. des Kollektorbereiches beschrieben.
Bei der typische Ansteuerung eines IGBT-Leistungsschalter wird der Emitter auf das Gate rückgekoppelt. Dabei sind zwei mögliche Varianten zu unterscheiden. Für langsames Schalten des IGBT-Leistungsschalters wird die induktive Emittergegenkopplung eingesetzt. Dabei führt die Induktivität zwischen dem Emitterkontakt und dem Rückkoppelanschluss für das Gate zu einem Gegegenstrom in der Ansteuerung des IGBT-Leistungsschalters. Dieser führt dann zu einem langsamen Schaltverhalten des IGBT-Leistungschalters. Für Anforderungen in denen ein sehr schnelles Schalten gewünscht ist wird der Rückkoppelanschluss nicht nach der Induktivität sondern direkt am Emitterkontakt angeschlossen. Für diese Schaltvariante ist ein zusätzlicher Hilfsemitteranschluss notwendig.
Die vorliegende Zusatzerfindung hat sich die Aufgabe gestellt, die schwingungsvermeidenden Mechanismen der DE 199 38 302 mit dem zur Verfügung stellen eines Hilfsemitteranschlusses zu verbinden.
Die spezielle Ausgestaltung der erfinderischen Lösung der Zusatzanmeldung soll auf der Grundlage der nachfolgenden Figuren näher erläutert werden.
Fig. 1 skizziert den Schaltungsausschnitt bei zwei parallel geschalteten und in Reihe aufgebauten Chips von Leistungsschaltern gemäß Anspruch 1.
Fig. 2 stellt ein Ausschnittsvergrößerung gemäß Fig. 1 nach den Merkmalen des Anspruchs 2 dar.
Fig. 3 stellt ein Ausschnittsvergrößerung gemäß Fig. 1 nach den Merkmalen des Anspruchs 3 dar.
Fig. 1. Das die Kaschierung (6) unterbrechende unkaschierte Feld (12) zwischen den IGBT- Schaltern besitzt eine eigene kaschierte Insel derart, dass diese gegenüber der umgebenden Kaschierung elektrisch isoliert ist (Fig. 1). Diese elektrisch isolierte Kaschierungsinsel (18) dient als Anschluß für den Hilfsemitter. Der Hilfsemitter verbindet die Emitterkontakte (15) der IGBT-Leistungsschalter (7) mit der entsprechenden Hilfsemittermetallisierung (14) auf der DCB. Zur Herstellung dieser Verbindung werden die nächstliegenden Emitterkontakte (15) der beiden benachbarten IGBT-Leisungsschalter (7) mit dieser Kaschierungsinsel (18) durch mindesten eine Bondverbindung (16) je IGBT kontaktiert. Die weitere Kontaktierung des Hilfsemitters wird durch mindestens eine Bondverbindung (13) ausgehend von der elektrisch isolierten Kaschierungsinsel (18) zum entsprechenden Hilfsemitteranschluß (14) des DCB- Substrats hergestellt. Spezielle Ausgestaltungen der Bondverbindungen (16) finden sich in den Fig. 2 und 3. Der Vorteil dieses Ausgestaltung des Hilfsemitteranschlusses für schnelles Schalten liegt in der direkt benachbarten Anordnung der Anschlüsse des Gates (9) und des Hilfsemitters (14) auf der DCB. Der minimale Abstand von Gate- und Hilfsemitteranschluss führt zu einer geringen umschlossenen Fläche und damit zu einer minimierten Induktivität. Dadurch wird vermieden, das größere Spannungen in der Schleife Gate-Hilfsemitter induziert werden. Somit ist eine weitere Voraussetzung für störungsfreies Schalten, d. h. frei von hochfrequenten Schwingungen, gewährleistet.
Fig. 2 stellt die Ausführung der Verbindungen zwischen den Emitterkontakten der IGBT- Leistungsschalter zur elektrisch isolierten Kaschierungsinsel nach Anspruch 2 dar. Ausgehend von dem jeweils nächst benachbarten Emitterkontakt (15) jedes IGBT-Leistungsschalters (7) wird mindestens eine Bondverbindung (16) zur Kaschierungsinsel (18) hergestellt.
Fig. 3 stellt die Ausführung der Verbindungen zwischen den Emitterkontakten der IGBT- Leistungsschalter zur elektrisch isolierten Kaschierungsinsel nach Anspruch 3 dar. Ausgehend von einem der nächst benachbarten Emitterkontakte (15) eines IGBT-Leistungsschalters (7) wird eine Bondverbindung (17) zur elektrisch isolierten Kaschierungsinsel (18) und von dort weiter zum nächst benachbarten Emitterkontakt des weiteren IGBT-Leistungsschalters geführt.

Claims (3)

1. Leistungshalbleiterschaltungsanordnung schwingungsfrei nach DE 199 38 302 aufgebaut mit mindestens zwei Halbleiterbauelementen (7) in Form von IGBT-Leistungsschaltern in Parallelschaltung auf aufbauseitig mit Kupfer kaschierter und strukturierter Isolierkeramik (6) mit jeweils mindestens einem die Kaschierung unterbrechenden Bereich (12) zwischen benachbarten IGBT-Leistungsschaltern, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der die Kaschierung unterbrechenden Bereiche (12) eine eigene, gegenüber der umgebenende Kaschierung isolierte, Kaschierung (Kaschierungsinsel) (18) zur Verwendung als Hilfsemitteranschluss aufweist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierung aller elektrisch isolierten Kaschierungsinseln (18) durch mindestens jeweils einen Verbindungsdraht der beiden direkt benachbarten Emitterkontaktfenster der jeweils benachbarten IGBT-Leistungsschalter vorgenommen wird.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierung einer jeden elektrisch isolierten Kaschierungsinsel (18) durch mindestens einen Verbindungsdraht, der eine Kontaktierung des Emitterkontaktfensters des einen direkt benachbarten IGBT-Leistungsschalter zur Kaschierungsinsel und weiter zum direkt benachbarten Emitterkontaktfenster des weiteren IGBT-Leistungsschalter herstellt, vorgenommen wird.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1414066A1 (de) * 2002-10-25 2004-04-28 Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung Schaltungsanordung und Verfahren zur Überwachung von Leistungshalbleiterbauelementen
DE10333315A1 (de) * 2003-07-22 2005-03-10 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleitermodul
CN103594449A (zh) * 2013-11-19 2014-02-19 西安永电电气有限责任公司 一种igbt模块的电路板
WO2015121015A1 (en) 2014-02-14 2015-08-20 Abb Technology Ag Semiconductor module with two auxiliary emitter conductor paths

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3701228B2 (ja) * 2001-11-01 2005-09-28 三菱電機株式会社 半導体装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1414066A1 (de) * 2002-10-25 2004-04-28 Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung Schaltungsanordung und Verfahren zur Überwachung von Leistungshalbleiterbauelementen
DE10333315A1 (de) * 2003-07-22 2005-03-10 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleitermodul
DE10333315B4 (de) * 2003-07-22 2007-09-27 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul
CN103594449A (zh) * 2013-11-19 2014-02-19 西安永电电气有限责任公司 一种igbt模块的电路板
WO2015121015A1 (en) 2014-02-14 2015-08-20 Abb Technology Ag Semiconductor module with two auxiliary emitter conductor paths
CN106165095A (zh) * 2014-02-14 2016-11-23 Abb 瑞士有限公司 具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块
CN106165095B (zh) * 2014-02-14 2018-10-19 Abb 瑞士有限公司 具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块
US10224424B2 (en) 2014-02-14 2019-03-05 Abb Schweiz Ag Semiconductor module with two auxiliary emitter conductor paths

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