DD250248A3 - Device for feeding dry etching equipment - Google Patents

Device for feeding dry etching equipment

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf Beschickungseinrichtungen, die insbesondere auf dem Gebiet der Mikroelektronik zur Beschickung von planaren Trockenaetzanlagen mit Halbleiterwafern verwendet werden. Ziel der Erfindung ist es, Trockenaetzanlagen mit einem geringeren Aufwand sicher und zuverlaessig zu beschicken. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, bei der ein Wafer ohne Verwendung eines Probentellers und unter Vermeidung einer Belueftung des Rezipienten in diesen eingebracht, in diesem direkt auf einer gekuehlten Elektrode oder einem Probentisch abgelegt und aus ihm wieder herausbefoerdert werden kann. Erfindungsgemaess wird das dadurch erreicht, dass ein durch die Schleuse bzw. zwischen Schleusenkammer und Rezipienten verschiebbarer magnetischer Probentraeger angeordnet ist, der als ein sich in einer Gegenform auf einer Elektrode oder einem Probentisch im Rezipienten und ausserhalb des Rezipienten selbstjustierender Koerper ausgebildet ist. Das Anwendungsgebiet der Vorrichtung sind Beschickungseinrichtungen zur Handhabung und zum Transport von nichtferromagnetischen Werkstuecken. FigurThe invention relates to feeders which are used in particular in the field of microelectronics for feeding planar Trockenaetzanlagen with semiconductor wafers. The aim of the invention is to safely and reliably feed Trockenaetzanlagen with less effort. The invention has for its object to provide a device in which a wafer without using a sample tray and while avoiding a Belueftung the recipient introduced into this, stored in this directly on a cooled electrode or a sample table and herausbefoerdert out of it again. According to the invention, this is achieved by arranging a magnetic sample carrier displaceable through the lock or between the lock chamber and the recipient, which is designed as a self-adjusting body in a counter-form on an electrode or a sample table in the recipient and outside the recipient. The field of application of the device are feeding devices for handling and transporting non-ferromagnetic workpieces. figure

Description

Hierzu 1 Seite ZeichnungFor this 1 page drawing

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung bezieht sich auf Beschickungseinrichtungen zum Transport von vorzugsweise ebenen nichtferromagnetischen Werkstücken, die insbesondere auf dem Gebiet der Mikroelektronik zur Beschickung von planaren Trockenätzanlagen mit Halbleiterwafern verwendet werden.The invention relates to feeding devices for the transport of preferably flat non-ferromagnetic workpieces, which are used in particular in the field of microelectronics for feeding planar dry etching systems with semiconductor wafers.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Es ist bekannt, daß Halbleiterscheiben mechanisch, elektrostatisch und vakuumtechnisch festgehalten werden, wodurch eine Handhabung und/oder ein Transport dieser in horizontaler oder beliebiger Lage möglich ist und Trockenätzanlagen speziell m Wafern beschickt werden.It is known that semiconductor wafers are held mechanically, electrostatically and vacuum-technically, whereby a handling and / or a transport of these in a horizontal or arbitrary position is possible and dry etching plants are fed specifically m wafers.

Die mechanische Beschickung der Trockenätzanlagen mit einem Wafer wird mit einem Greifer durchgeführt, wobei dieser einen Probenteller mit daraufliegendem Wafer oder den Wafer allein greift und diesen allein oder auf dem Probenteller liegend durcl eine horizontale Bewegung in den Rezipienten befördert und auf der unteren Elektrode ablegt.The mechanical loading of the dry etching equipment with a wafer is carried out with a gripper, which grips a sample tray with a wafer or the wafer alone and moves it alone or on the sample tray by means of a horizontal movement into the recipient and deposits it on the lower electrode.

Der Nachteil bei mechanischen Beschickungseinrichtungen von Trockenätzanlagen besteht darin, daß bei der Verwendung eines Probentellers durch den zusätzlichen Wärmeübergang im Vakuum zwischen Teller und gekühlter Elektrode sowie durch die zusätzliche Wärmeleitung im Teller der Wafer nicht ausreichend gekühlt und der Resist auf dem Wafer thermisch geschädigt werden kann. Andere mechanische Transportprinzipien mit Greifern sind sehr arbeitsaufwendig in der Herstellung (Bewegunc in mindestens zwei Koordinatenrichtungen) und damit störanfällig.The disadvantage of mechanical feeding of dry etching is that when using a sample tray by the additional heat transfer in vacuum between plate and cooled electrode and the additional heat conduction in the plate, the wafer is not sufficiently cooled and the resist on the wafer can be thermally damaged. Other mechanical transport principles with grippers are very labor-intensive to manufacture (Bewegunc in at least two coordinate directions) and thus prone to failure.

Bei der elektrostatischen Beschickung von Trockenätzanlagen werden wie z.B. bei der bekannten Lösung (DE 3013352) die Halbleiterscheiben elektrostatisch auf der Grundlage der Anziehung zweier entgegengesetzt geladener Kondensatorplatten gehalten, wobei der Wafer die eine und die durch eine Isolierschicht getrennte Halteplatte die andere Kondensatorplatte darstellen.In electrostatic charging of dry etching equipment, such as e.g. in the known solution (DE 3013352), the semiconductor wafers are held electrostatically on the basis of the attraction of two oppositely charged capacitor plates, wherein the wafer represent one and the holding plate separated by an insulating layer the other capacitor plate.

Der Nachteil bei elektrostatischen Halterungen von Halbleiterscheiben besteht darin, daß hohe elektrische Feldstärken erforderlich sind und hohe Anforderungen an die Ebenheit der Elektrodenoberflächen gestellt werden müssen.The disadvantage with electrostatic holders of semiconductor wafers is that high electric field strengths are required and high demands must be placed on the flatness of the electrode surfaces.

Bei der vakuumtechnischen Beschickung von Trockenätzanlagen werden wie z. B. bei der bekannten Lösung (DE 3002648) die Wafer von einer Vorrichtung, die Bohrungen an der den Wafern zugewandten Seite besitzt, in denen Unterdruck erzeugt wird, durch diesen angesaugt, gehalten und können so in beliebiger Lage in den Rezipienten befördert und dort auf einer Elektrode abgelegt werden.In the vacuum technical loading of dry etching plants such. B. in the known solution (DE 3002648), the wafer from a device having holes on the side facing the wafers, in which negative pressure is generated, sucked by this, held and can be transported in any position in the recipient and there on an electrode are stored.

Der Nachteil von vakuumtechnischen Transporteinrichtungen besteht darin, daß der Rezipient beim Beschicken belüftet werden muß. Damit verbunden sind der zusätzliche Bedarf an Spülgas, die Gefährdung des Bedienpersonals und der Umwelt mit gesundheitsschädigenden Atzgasen und/oder Reaktionsprodukten des Ätzprozesses sowie die Notwendigkeit, nach jeder Beschickung die Arbeitsatmosphäre im Rezipienten jeweils neu einstellen zu müssen, wodurch der Verbrauch an teuren Ätzgasen erhöht wird.The disadvantage of vacuum transport equipment is that the recipient must be ventilated during loading. Associated with this are the additional need for purge gas, the endangerment of operating personnel and the environment with harmful etching gases and / or reaction products of the etching process and the need to re-adjust the working atmosphere in the recipient after each feed, whereby the consumption of expensive etching gases is increased ,

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, Trockenätzanlagen mit einem geringeren Aufwand sicher und zuverlässig zu beschicken, die Qualität des Ätzergebnisses und die Sicherheit des Bedienpersonals zu erhöhen. .The aim of the invention is to safely and reliably feed Trockenätzanlagen with less effort, to increase the quality of the Ätzergebnisses and the safety of the operator. ,

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, bei der ein Wafer ohne Verwendung eines Probentellers und unter Vermeidung einer Belüftung des Rezipienten in diesen eingebracht, in diesem direkt auf einer gekühlten Elektrode oder einem Probentisch abgelegt und aus ihm wieder herausbefördert werden kann.The invention has for its object to provide a device in which a wafer without using a sample tray and avoiding ventilation of the recipient introduced into this, stored in this directly on a cooled electrode or a sample table and can be transported out of it again.

Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß vorzugsweise ein durch die Schleuse bzw. zwischen Schleusenkammer und Rezipienten verschiebbarer magnetischer Probenträger angeordnet ist, der als ein sich in einer Gegenform auf einer Elektrode oder einem Probentisch im Rezipienten und außerhalb des Rezipienten selbstjustierender Körper ausgebildet ist, daß dem Probenträger eine Magnetanordnung mit einstellbarem Magnetfeld zugeordnet ist, wobei sich der Wafer zwischen dem Probenträger und den Magnetpolen der Magnetanordnung befindet. Der Probenträger kann als ein offener oder geschlossener Ring ausgebildet sein, und es ist eine Nut als entsprechende Gegenform des Probenträgers sowohl im Schleusenboden der Schleusenkammer außerhalb des Rezipienten als auch auf einer Elektrode oder einem Probentisch im Rezipienten vorhanden. Der Querschnitt des Probenträgers und der Querschnitt der Nut in der Schleusenkammer außerhalb des Rezipienten und auf einer Elektrode oder einem Probentisch können z. B. dreieckig, trapez-, kreis- oder halbkreisförmig ausgebildet sein. Der Probenträger selbst kann auch aus einem oder mehreren geometrischen Körpern bestehen, und außerhalb des Rezipienten in der Schleusenkammer und auf einem Probentisch oder einer Elektrode im Rezipienten sind wiederum entsprechende Gegenformen vorhanden. Die geometrischen Körper können z. B. als Kegel, Kegelstumpf, Halbkugel oder Zylinder ausgebildet oder aus solchen geometrischen Körpern zusammengesetzt sein. Der Probenträger kann aus einem ferromagnetischen Werkstoff oder aus einem Permanentmagneten bestehen. Der Magnet kann entsprechend als Elektromagnet oder als Permanentmagnet ausgebildet sein. Außerhalb des Rezipienten wird ein ferromagnetischer Probenträger in eine Vertiefung vorzugsweise in eine Nut im Schleusenboden einer Schleusenkammer eingelegt. Anschließend wird ein nichtferromagnetischer Wafer mit seiner nicht zu bearbeitenden oder zu untersuchenden Oberfläche (Probenrückseite) auf diesem Probenträger definiert abgelegt. Über dem Wafer wird ein Magnet zur Aufnahme von Probenträger und Wafer angeordnet, der an einer Beschickungseinrichtung befestigt ist.According to the invention this is achieved in that preferably a displaceable through the lock or between lock chamber and recipient magnetic sample carrier is arranged, which is designed as a self-adjusting body in a counter-form on an electrode or a sample table in the recipient and outside the recipient, that the Sample carrier is assigned a magnet arrangement with adjustable magnetic field, wherein the wafer is located between the sample carrier and the magnetic poles of the magnet assembly. The sample carrier may be formed as an open or closed ring, and there is a groove as a corresponding counter-shape of the sample carrier both in the lock bottom of the lock chamber outside the recipient as well as on an electrode or a sample table in the recipient. The cross section of the sample carrier and the cross section of the groove in the lock chamber outside the recipient and on an electrode or a sample table can, for. B. triangular, trapezoidal, circular or semicircular. The sample carrier itself can also consist of one or more geometric bodies, and corresponding counter-forms are again present outside the recipient in the lock chamber and on a sample table or an electrode in the recipient. The geometric body can z. B. formed as a cone, truncated cone, hemisphere or cylinder or composed of such geometric bodies. The sample carrier may consist of a ferromagnetic material or of a permanent magnet. The magnet can be designed accordingly as an electromagnet or as a permanent magnet. Outside the recipient, a ferromagnetic sample carrier is inserted into a depression, preferably into a groove in the lock bottom of a lock chamber. Subsequently, a non-ferromagnetic wafer with its surface not to be processed or examined (sample rear side) is deposited on this sample carrier. Above the wafer, a magnet for receiving sample carrier and wafer is arranged, which is attached to a loading device.

Bei der Anwendung des Elektromagneten und des ferromagnetischen Probenträgers zur Aufnahme des Wafers zieht der Elektromagnet beim Einschalten des Magnetspulenerregerstromes den ferromagnetischen Probenträger an und fixiert den Wafer am Elektromagneten mit einer Kraft F, die von dem Gewicht des Wafers und des ferromagnetischen Probenträgers abhängig ist. Der ferromagnetische Probenträger wird gemeinsam mit dem fixierten Wafer und dem Elektromagneten aus der evakuierten Schleusenkammer durch die Schleuse in den evakuierten Rezipienten transportiert und in geringer Höhe über der unteren Elektrode oder einem Probentisch positioniert. Auf der Oberfläche der unteren Elektrode befindet sich eine Vertiefung, z. B. eine Nut, die der jeweiligen Form des Probenträgers entspricht. Nach Abschalten des Magnetspulenerregerstromes des Elektromagneten oder durch Erzeugung eines magnetischen Gegenfeldes fällt der ferromagnetische Probenträger oder der als Permanentmagnet ausgebildete Probenträger selbstjustierend in die Vertiefung auf der Oberfläche der Elektrode oder des Probentisches und legt den Wafer auf der Oberfläche der Elektrode oder des Probentisches positioniert ab. Nachdem der Wafer auf der Oberfläche der unteren Elektrode positioniert ist, wird der Elektromagnet aus dem Rezipienten in die Schleusenkammer zurückbewegt.When using the electromagnet and the ferromagnetic sample carrier for receiving the wafer, the electromagnet attracts the ferromagnetic sample carrier when switching on the magnetic coil excitation current and fixes the wafer to the electromagnet with a force F, which is dependent on the weight of the wafer and the ferromagnetic sample carrier. The ferromagnetic sample carrier is transported together with the fixed wafer and the electromagnet from the evacuated lock chamber through the lock in the evacuated recipient and positioned at a low height above the lower electrode or a sample table. On the surface of the lower electrode is a depression, z. B. a groove corresponding to the respective shape of the sample carrier. After switching off the magnetic coil excitation current of the electromagnet or by generating a magnetic opposing field of the ferromagnetic sample carrier or designed as a permanent magnet sample carrier falls self-adjusting in the recess on the surface of the electrode or the sample table and places the wafer on the surface of the electrode or the sample table from. After the wafer is positioned on the surface of the lower electrode, the electromagnet is moved back from the recipient into the lock chamber.

Nach Beendigung des Ätzvorganges wird der Elektromagnet zur Aufnahme des Wafers wieder durch die Schleuse in den Rezipienten zurückgeführt und über dem Wafer positioniert.After completion of the etching process, the electromagnet for receiving the wafer is returned again through the lock into the recipient and positioned over the wafer.

Die Aufnahme des Wafers im Rezipienten erfolgt analog der Aufnahme des Wafers in der Schleusenkammer. Nach der Aufnahme des Wafers wird dieser gemeinsam mit dem Magneten und dem Probenträger wieder durch die Schleuse aus dem Rezipienten hinaus in die Schleusenkammer zurückgeführt und so positioniert, daß der Probenträger in geringer Höhe über die Vertiefung im Schleusenboden zur Ablage des Wafers angeordnet ist.The inclusion of the wafer in the recipient is analogous to the inclusion of the wafer in the lock chamber. After the wafer has been picked up, it is returned together with the magnet and the sample carrier back through the sluice out of the recipient into the sluice chamber and positioned so that the sample carrier is arranged at a small height above the depression in the sluice bottom for depositing the wafer.

Die Ablage des Wafers in der Vertiefung im Schleusen boden der Schleusenkammer erfolgt analog der Ablage des Wafers in der Vertiefung auf der Oberfläche der unteren Elektrode oder des Probentisches. In Abwandlung des Probenträgers und des Magneten kann der Probenträger und/oder der Magnet als Permanentmagnet ausgebildet sein. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist auch bei Beschickungseinrichtungen ohne Schleuse einsetzbar, z. B. bei einer Trockenätzanlage, bei der beim Öffnen des Rezipienten dieser mit Stickstoff gespült wird, um das Eindringen der Umgebungsatmosphäre zu verhindern.The deposition of the wafer in the recess in the lock bottom of the lock chamber is analogous to the storage of the wafer in the recess on the surface of the lower electrode or the sample table. In a modification of the sample carrier and the magnet of the sample carrier and / or the magnet may be formed as a permanent magnet. The device according to the invention can also be used with feeders without lock, z. B. in a dry etching, in which the recipient is purged with nitrogen when it is opened, in order to prevent the penetration of the ambient atmosphere.

In Abwandlung zur bisherigen Darstellung kann der nichtferromagnetische Wafer ebenso entgegen der Wirkung der Schwerkraft an die obere Elektrode oder einen oben im Rezipienten. angeordneten Probentisch beliebiger Neigung gebracht und dort durch einen oberhalb der Elektrode oder des Probentisches angeordneten Elektromagneten festgehalten werden.As a modification to the previous presentation, the non-ferromagnetic wafer can also be placed against the effect of gravity on the top electrode or on the top of the recipient. arranged sample table brought any inclination and held there by an above the electrode or the sample table arranged electromagnet.

Hierzu wird außerhalb des Rezipienten ein ferromagnetischer Probenträger in eine Vertiefung z. B. Nut in einer Beschickungseinrichtung eingelegt. Anschließend wird ein nichtferromagnetischer Wafer mit der zu bearbeitenden Oberfläche (Probenvorderseite) auf diesem Probenträger definiert abgelegt. Der ferromagnetische Probenträger wird dann gemeinsam mit dem positionierten Wafer und der Beschickungseinrichtung translatorisch aus der evakuierten Schleusenkammer dur.ch die Schleuse in den evakuierten Rezipienten transportiert und in geringem Abstand unterhalb der oberen Elektrode oder des oberen Probentisches beliebiger Neigung positioniert.For this purpose, outside the recipient a ferromagnetic sample carrier in a recess z. B. groove inserted in a feeder. Subsequently, a non-ferromagnetic wafer is deposited with the surface to be processed (sample front side) defined on this sample carrier. The ferromagnetic sample carrier is then transported together with the positioned wafer and the feeder translatorisch from the evacuated lock chamber dur.ch the lock in the evacuated recipient and positioned a short distance below the upper electrode or the upper sample table any inclination.

Bei Einschalten des Magnetspulenerregerstroms zieht der Elektromagnet den ferromagnetischen Probenträger mit dem daraufliegenden Wafer gegen die obere Elektrode oder den oberen Probentisch beliebiger Neigung und fixiert beide.When the magnetic coil excitation current is switched on, the electromagnet pulls the ferromagnetic sample carrier with the wafer thereon against the upper electrode or the upper sample table of any inclination and fixes both.

Danach wird die Beschickungseinrichtung aus dem Rezipienten durch die Schleuse herausbewegt und diese danach geschlossen. Beim nachfolgenden Ätzprogramm wird die Waferoberfläche an ihrem äußeren Rand vom ringförmigen Probenträger abgedeckt, der für die Chipherstellung sowieso nicht genutzt wird.Thereafter, the loading device is moved out of the recipient through the lock and then closed. In the subsequent etching program, the wafer surface is covered at its outer edge by the annular sample carrier, which is not used for chip production anyway.

Nach dem Ätzen wird der Wafer in umgekehrter Reihenfolge auf der Beschickungseinrichtung abgelegt und ausgeschleust und kann der Schleusenkammer in analoger Weise entnommen werden.After the etching, the wafer is deposited in the reverse order on the charging device and discharged and can be removed from the lock chamber in an analogous manner.

In weiterer Abwandlung zur bisherigen Darstellung kann der Elektromagnet durch einen Permanentmagneten und die Beschickungseinrichtung durch eine solche mit einem daran befindlichen Elektromagneten ersetzt werden. Für das Entfernen eines Permanentmagneten als Probenträger und damit des fixierten nichtferromagnetischen Wafers von der oberen Elektrode oder des Probentisches beliebiger Neigung wird ein magnetisches Gegenfeld verwendet.In a further modification to the previous presentation of the electromagnet can be replaced by a permanent magnet and the charging device by such with an electromagnet located thereon. For removing a permanent magnet as a sample carrier and thus the fixed non-ferromagnetic wafer from the upper electrode or the sample table of any inclination, a magnetic opposing field is used.

Der Magnet und/oder der Probenträger können mit Schutzschichten versehen sein, die eine mögliche Beschädigung des Wafers verhindern und/oder Reaktionen mit den Ätzgasen ausschließen. Die Vorrichtung ist zum gleichzeitigen Transport und zur Handhabung mehrerer Werkstücke geeignet.The magnet and / or the sample carrier may be provided with protective layers which prevent possible damage to the wafer and / or preclude reactions with the etching gases. The device is suitable for simultaneous transport and handling of multiple workpieces.

Der Vorteil dieser Vorrichtung besteht darin, daß der Wafer sicher und einfach in einen Rezipienten hinein-und heraustransportierbar ist, direkt auf einer gekühlten Elektrode zur Vermeidung thermischer Beeinflussung des Resists abgelegt werden kann und durch die Verwendung der Schleuse die Belüftung des Rezipienten mit Inertgasen entfällt, so daß der Verbrauch an sehr teuren Ätzgasen erheblich verringert wird. Weiterhin können infolgedessen keine den Bediener und die Umwelt schädigenden Ätzgase und/oder Reaktionsprodukte aus dem Rezipienten entweichen und nach dem Schleusen des Wafers sind in kürzester Zeit die ursprünglichen Ätzbedingungen im Rezipienten wiederhergestellt. Das wiederum führt zu einer verbesserten Reproduzierbarkeit der Ätzvorgänge und zu einer höheren Qualität der Strukturübertragungen.The advantage of this device is that the wafer can be transported safely and easily into and out of a recipient, deposited directly on a cooled electrode to prevent thermal damage to the resist, and the use of the lock eliminates the ventilation of the recipient with inert gases. so that the consumption of very expensive etching gases is significantly reduced. Furthermore, as a result, no harmful to the operator and the environment etching gases and / or reaction products escape from the recipient and after the sluice of the wafer are restored in a very short time, the original etching conditions in the recipient. This in turn leads to improved reproducibility of the etching processes and to a higher quality of the structure transfer.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung soll anhand eines Ausführungsbeispieles erläutert werden.The invention will be explained with reference to an embodiment.

Die Figur zeigt den Querschnitt einer planaren Trockenätzanlage mit einer Schleuse und einer Beschickungseinrichtung. Ein ringförmiger Probenträger 1 (Gewicht 2g) mit trapezförmigem Querschnitt aus ferromagnetischem Werkstoff, der sich in einer entsprechenden ringförmigen Nut 2 im Schleusenboden 3 der Schleusenkammer 4 befindet, wird unter einem nichtferromagnetischen Wafer (Durchmesser 3", Gewicht 4g) angeordnet. Über dem Wafer 5 wird ein Elektromagnet 6 in Position gebracht. Nach Erregung der Magnetspule? wird der ferromagnetische Probenträger 1 angezogen und drückt den nichtferromagnetischen Wafer 5 mit einer einstellbaren Kraft F von ca. 0,25 N gegen die Magnetpole 8. Der nichtferromagnetische Wafer 5 ist dadurch an den Polen 8 des Elektromagneten 6 fixiert. Durch Translation wird der nichtferromagnetische Wafer 5 gemeinsam mit dem ferromagnetischen Probenträger 1 und dem Elektromagneten 6 aus der evakuierten Schleusenkammer 4 durch die Schleuse 9 in den evakuierten Rezipienten 10 bewegt und über der unteren Elektrode positioniert.The figure shows the cross section of a planar Trockenätzanlage with a lock and a feeder. An annular sample carrier 1 (weight 2 g) with a trapezoidal cross-section made of ferromagnetic material, which is located in a corresponding annular groove 2 in the lock bottom 3 of the lock chamber 4, is placed under a non-ferromagnetic wafer (diameter 3 ", weight 4 g) above the wafer 5 When the magnet coil 6 is energized, the ferromagnetic sample carrier 1 is attracted and pushes the non-ferromagnetic wafer 5 with an adjustable force F of about 0.25 N against the magnetic poles 8. The non-ferromagnetic wafer 5 is thereby pressed against the magnet Poland 8 of the electromagnet 6. By translation, the non-ferromagnetic wafer 5 is moved together with the ferromagnetic sample carrier 1 and the electromagnet 6 from the evacuated lock chamber 4 through the lock 9 in the evacuated recipient 10 and positioned over the lower electrode.

Auf der Oberfläche der unteren Elektrode 11 befindet sich eine ringförmige Nut 2 mit ebenfalls trapezförmigem Querschnitt, die den Abmessungen des ferromagnetischen Probenträgers 1 entspricht. Der Elektromagnet 6 mit dem nichtferromagnetischen Wafer 5 und dem ferromagnetischen Probenträger 1 wird so über der ringförmigen Nut 2 positioniert, daß nach Abschalten des Erregerstromes in der Magnetspule 7 derferromagnetische Probenträger 1 aus geringer Höhe von ca. 1 mm selbstzentrierend in die ringförmige Nut 2 fällt und damit der nichtferromagnetische Wafer 5 direkt auf der gekühlten unteren Elektrode 11 zur sicheren Wärmeabfuhr abgelegt und positioniert ist. Der nichtferromagnetische Wafer 5 deckt dabei den ferromagnetischen Probenträger 1 vollständig ab. Der Elektromagnet 6 wird nach Ablegen des nichtferromagnetischen Wafers 5 wieder durch Translation durch die Schleuse 9 in die Schleusenkammer 4 zurückbewegt. Danach wird die Schleuse 9 geschlossen, und der nichtferromagnetische Wafer 5 kann geätzt werden. Nach dem Ätzvorgang wird der Elektromagnet 6 zur Aufnahme des nichtferromagnetischen Wafers 5 wieder durch Translation durch die Schleuse in den Rezipienten 10 bewegt und über dem nichtferromagnetischen Wafer 5 positioniert. Durch Erregung der Magnetspule 7 wird der ferromagnetische Probenträger 1 wieder angezogen und drückt den nichtferromagnetischen Wafer 5 mit einer einstellbaren Kraft F von ca. 0,25 N gegen den Elektromagneten 6. Der nichtferromagnetische Wafer 5 ist dadurch wieder an den Polen 8 des Elektromagneten 6 fixiert. Durch Translation wird der nichtferromagnetische Wafer 5 gemeinsam mit dem ferromagnetischen Probenträger 1 und dem Elektromagneten 6 durch die Schleuse 9 wieder in die Schleusenkamms. 4 zurückbewegt.On the surface of the lower electrode 11 is an annular groove 2 also with a trapezoidal cross section, which corresponds to the dimensions of the ferromagnetic sample carrier 1. The electromagnet 6 with the non-ferromagnetic wafer 5 and the ferromagnetic sample carrier 1 is positioned over the annular groove 2, that after switching off the excitation current in the magnetic coil 7 Derferromagnetic sample carrier 1 falls from a small height of about 1 mm self-centering in the annular groove 2 and so that the non-ferromagnetic wafer 5 is deposited and positioned directly on the cooled lower electrode 11 for safe heat dissipation. The non-ferromagnetic wafer 5 covers the ferromagnetic sample carrier 1 completely. The electromagnet 6 is moved back again by translation through the lock 9 into the lock chamber 4 after depositing the non-ferromagnetic wafer 5. Thereafter, the lock 9 is closed, and the non-ferromagnetic wafer 5 can be etched. After the etching operation, the electromagnet 6 for accommodating the non-ferromagnetic wafer 5 is again moved by translation through the sluice into the recipient 10 and positioned over the non-ferromagnetic wafer 5. By excitation of the magnetic coil 7, the ferromagnetic sample carrier 1 is tightened again and presses the non-ferromagnetic wafer 5 with an adjustable force F of about 0.25 N against the electromagnet 6. The non-ferromagnetic wafer 5 is thereby fixed again to the poles 8 of the electromagnet 6 , By translation of the non-ferromagnetic wafer 5 together with the ferromagnetic sample carrier 1 and the electromagnet 6 through the lock 9 back into the sluice. 4 moved back.

Der Elektromagnet 6 mit dem nichtferromagnetischen Wafer 5 und dem ferromagnetischen Probenträger 1 wird über der ringförmigen Nut 2 im Schleusenboden 3 der Schleusenkammer 4 positioniert, so daß nach Abschalten des Erregerstromes in der Magnetspule 7 derferromagnetische Probenträger 1 aus geringer Höhe von ca. 1 mm selbstzentrierend in die ringförmige Nut 2 fällt und der nichtferromagnetische Wafer 5 ebenfalls durch Herabfallen auf der Oberfläche des Schleusenbodens 3 abgelegt wird.The electromagnet 6 with the non-ferromagnetic wafer 5 and the ferromagnetic sample carrier 1 is positioned over the annular groove 2 in the lock bottom 3 of the lock chamber 4, so that after switching off the exciter current in the magnetic coil 7 derferromagnetische sample carrier 1 from a small height of about 1 mm self-centering in the annular groove 2 falls and the non-ferromagnetic wafer 5 is also deposited by falling on the surface of the lock bottom 3.

Claims (10)

-1- 250 24 Erfindungsanspruch:-1- 250 24 claim for invention: 1. Vorrichtung für Beschickungseinrichtungen von Trockenätzanlagen, bei der die Wafer vorzugsweise unter Verwendung einer Schleuse in einen Rezipienten hinein und wieder heraus transportiert werden können, wobei im Rezipienten z.B. Elektroden oder Probentische angeordnei sind, gekennzeichnet dadurch, daß ein durch die Schleuse (9) bzw. zwischen Schleusenkammer (4) und Rezipienten (10) verschiebbarer magnetischer Probenträger (1) angeordnet ist, der als eir sich in einer Gegenform auf einer Elektrode (11) oder einem Probentisch im Rezipienten (10) und außerhalb des Rezipienten (10) selbstjustierender Körper ausgebildet ist, daß dem Probenträger1. Apparatus for dry etching equipment feeders, in which the wafers can preferably be transported into and out of a recipient using a lock, wherein in the recipient e.g. Electrodes or sample tables are arranged, characterized in that a through the lock (9) or between the lock chamber (4) and recipient (10) displaceable magnetic sample carrier (1) is arranged, as eir itself in a counter-form on an electrode (11 ) or a sample table in the recipient (10) and outside of the recipient (10) self-adjusting body is formed that the sample carrier (1) eine Magnetanordnung mit einstellbarem Magnetfeld zugeordnet ist, wobei sich der Wafer (5 zwischen dem Probenträger (1) und den Magnetpolen der Magnetanordnung befindet.(1) is associated with a magnetic field with adjustable magnetic field, wherein the wafer (5 between the sample carrier (1) and the magnetic poles of the magnet assembly is located. 2. Vorrichtung nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Probenträger (1) als ein offener odei geschlossener Ring ausgebildet ist und eine Gegenform des Probenträgers als entsprechende Nui2. Device according to item 1, characterized in that the sample carrier (1) is designed as an open odei closed ring and a counter-mold of the sample carrier as corresponding Nui (2) sowohl im Schleusenboden (3) der Schleusenkammer (4) außerhalb des Rezipienten (10) als auch auf einer Elektrode (11) oder einem Probentisch im Rezipienten (10) vorhanden ist.(2) is present both in the lock bottom (3) of the lock chamber (4) outside the recipient (10) and on an electrode (11) or a sample table in the recipient (10). 3. Vorrichtung nach Punkt 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, daß der Querschnitt des Probenträger (1) und der Querschnitt der Nut (2) im Schleusenboden (3) der Schleusenkammer (4) außerhalb de Rezipienten (10) und auf einer Elektrode (11) odereinem Probentisch dreieckig, trapez-, kreis-oder halbkreisförmig ausgebildet oder aus solchen geometrischen Körpern zusammengesetzt ist.3. Device according to item 1 and 2, characterized in that the cross section of the sample carrier (1) and the cross section of the groove (2) in the lock bottom (3) of the lock chamber (4) outside the recipient (10) and on an electrode (11 ) or a sample table is triangular, trapezoidal, circular or semicircular or composed of such geometric bodies. 4. Vorrichtung nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Probenträger (1) aus einem oder mehreren geometrischen Körpern besteht und außerhalb des Rezipienten (10) im Schleusenbodei4. The device according to item 1, characterized in that the sample carrier (1) consists of one or more geometric bodies and outside of the recipient (10) in Schleusenbodei (3) der Schleusenkammer (4) und auf einer Elektrode (11) oder einem Probentisch entsprechende Gegenformen vorhanden sind.(3) the lock chamber (4) and on an electrode (11) or a sample table corresponding Gegenformen are present. 5. Vorrichtung nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die geometrischen Körper als Kegel, Kegelstumpf, Halbkugel oder Zylinder ausgebildet sind.5. The device according to item 1, characterized in that the geometric bodies are designed as a cone, truncated cone, hemisphere or cylinder. 6. Vorrichtung nach Punkt 1, 2,3,4 und 5, gekennzeichnet dadurch, daß der Probenträger (1) aus einem ferromagnetischen Werkstoff besteht.6. Device according to item 1, 2, 3, 4 and 5, characterized in that the sample carrier (1) consists of a ferromagnetic material. 7. Vorrichtung nach Punkt 1,2,3,4,5, gekennzeichnet dadurch, daß der Probenträger (1) aus einerr Permanentmagneten besteht.7. Device according to item 1,2,3,4,5, characterized in that the sample carrier (1) consists of a permanent magnet. 8. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 6, gekennzeichnet dadurch, daß der Magnet als Elektromagnet (6) ausgebildet ist.8. Device according to item 1 to 6, characterized in that the magnet is designed as an electromagnet (6). 9. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 5 und 7, gekennzeichnet dadurch, daß der Magnet als Permanentmagnet ausgebildet ist, dem ein magnetisches Gegenfeld zugeordnet ist.9. Device according to item 1 to 5 and 7, characterized in that the magnet is designed as a permanent magnet, which is associated with a magnetic opposing field. 10. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 9, gekennzeichnet dadurch, daß gleichzeitig mehrere Werkstücke transportierbar und handhabbar sind.10. The device according to item 1 to 9, characterized in that at the same time a plurality of workpieces are transportable and manageable.

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