CN87103659A - 超声清洗方法和装置 - Google Patents

超声清洗方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN87103659A
CN87103659A CN198787103659A CN87103659A CN87103659A CN 87103659 A CN87103659 A CN 87103659A CN 198787103659 A CN198787103659 A CN 198787103659A CN 87103659 A CN87103659 A CN 87103659A CN 87103659 A CN87103659 A CN 87103659A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
transducer
liquid bath
disk
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN198787103659A
Other languages
English (en)
Inventor
查尔斯·里德·怀特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eastman Kodak Co
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of CN87103659A publication Critical patent/CN87103659A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/002—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being a degassed liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

用以在一液槽内清洗半导体圆片的一种方法和装置，包括将一液态媒质例如超高纯水供给液槽的装置，以及一个配置在液槽内的电声换能器。在以大约20千赫至90千赫范围内的一个能源将能量供给换能器，以便在液槽内形成一密集的界限分明的强成穴区，使工件沿通过换能器的第一方向流过该强成穴区。超高纯水沿着与工件移过换能器的相反的方向流过换能器和工件。

Description

本发明是指一种用超声波能量清洗物件表面的经过改进的方法和装置，而更详细地说，是用于清洗已有图案和未有图案的半导体圆片的表面，为随后的制造半导体器件工序作准备。
用超声波液槽清洗半导体圆片的原理已被广泛地发展到带有许多权利要求的成功申请。可是，这些清洗液槽的实际申请已经缺乏前景。许多专利已经公布了改变用超声波液槽的超声波清洗半导体圆片的原理，其中要被清洗的圆片浸在一种溶剂中，并且受到超声波振动，以清除具有小至亚微米级大小的粒子。这些装置中有许多利用了具有一个介于20千赫和100千赫之间的频率的超声波能量，而其余的利用了具有一个介于0.2和5.0兆赫范围内的频率的高频能量。可是，使用这些先有技术在超声波清洗半导体圆片中的尝试，已经发现或是不能从圆片表面清除微粒，或是微粒被清除后又重新沉积在圆片先前清洗过的部分，或是由于受长时间的超声波区的辐照使圆片出现损坏。无论那一样情况，结果都不足以完全清洗圆片。
随着半导体技术的进步，越来越多复杂的器件正被引入半导体芯片，导致每个芯片越来越高的价值。而且由于亚微米大小的微粒能有害地影响器件内亚微米尺寸的元件，由于器件尺寸的不断减小已经导致对清洁度提出越来越高的要求。这些因素全都被含有越来越多单独的芯片的较大圆片尺寸的工业用途而混合在一起。因而，对于半导体制造厂而言每块圆片的最终清洁度承担了愈加重要的经济意义。
利用0.2至5.0兆赫范围内的甚高频超声波清洗器已被公开，例如美国专利号3,893,869和4,326,553，并且这些清洗器已被发展到用于清除亚微米尺寸范围内的微粒。但是，已经发现，当晶片被具有各种尺寸的微粒污染时，这些设备是不起作用的。这显然是由于使用的甚高频超声波振动不能清除较大微粒，以及也由于较大微粒使较小微粒受不到超声波清洗的作用所引起的，从而使圆片表面仍然被大小微粒所污染。
利用20千赫至100千赫范围内频率的超声波清洗装置的例子以美国专利Nos.4,178,188和4,401,131作为代表，这些装置利用液槽内的超声波能量，以产生用来清洗放置在其内的半导体圆片的成穴。可是这些装置利用有限的功率量，例如4,401,131号专利公开了在一个100毫米直径的圆片的清洗装置中只供给了400瓦的功率。形成稍微高于30瓦/英寸2的功率密度。而4,178,188号专利并不说明功率或功率密度，这正表明希望将需用功率减至最小。此外，液槽内流体的流动在这些装置中未受控制。结果，已发现使用这类装置清洗圆片的努力或是由于功率不足而不能彻底地从圆片表面清除所有的微粒，或是清洗过的表面又被已清除的而没有完全被液槽冲走的微粒重新污染，这些微粒又重新沉积在圆片表面上。
到现在为止，认为在液态媒质中使用高功率的超声波换能器所造成的问题与它们所解决的问题一样多，相信高成穴功率会将喇叭形辐射体和圆片加热到不希望有的温度，在这些温度中它们易被损坏，相信提高的功率会增加圆片表面重新污染的程度。而且，据报导，为了用先有技术的装置清除微粒，由于延长圆片在液槽内受超声波能量的辐照的时间，而对圆片表面上敏感的半导体器件造成损坏。
因此，本发明提供了一种超声波液槽，在这种液槽中可以产生足够的功率，以彻底地清洗圆片表面，而没有过热或损坏圆片或换能器喇叭形辐射体的问题，也不会机械地损坏圆片表面或配置在其上的线路，以及没有被排入槽内液体中的微粒重新污染表面的问题。
根据本发明的一个方面，提供一种方法和装置用以在一液槽内清洗诸如半导体圆片的工件。液槽包括用以把工件放置在液槽内第一位置支承装置上的工序的装置，从而使工件的至少一个表面受到辐照。配置有用以将一种液态媒质例如超高纯水供给液槽的装置，以及一个配置在媒质内第二位置上的电声换能器。配置有以频率大约20千赫至90千赫范围内的电力能源给换能器供能以产生超声波能量的装置，超声波能量从换能器发射以在液槽内形成一密集的、界限分明的强成穴区。配置有用以形成工件和换能器之间的相对运动，从而使受辐照表面穿过强成穴区的装置。还配置有用以使液态媒质沿着与换能器相对于工件移动相同的方向流过换能器和工件。
根据本发明的另一个方面，提供了一种方法和装置，用以在液槽内清洗半导体圆片，其中把半导体圆片放置在液槽内的第一位置的支承装置上，圆片至少有一个表面朝向能源。将一定量的超高纯水(以及或许其它化学品)供给液槽，以及将一个电声换能器配置在液槽内的第二位置上，其辐射面安装成和圆片表面成大约10°角，而且面向第一位置。配置有一个向换能器供应能量的装置以大约20千赫的频率提供换能器辐射面100瓦/英寸2输出功率的能源以产生超声波能量，将超声波能量发射出去作为液槽内的一个密集的、界限分明的强成穴区。使圆片从第一位置沿第一方向移过换能器，受辐照的表面在强成穴区内以3/8英寸的一段距离朝向换能器的辐射面。配置有用以使无湍流的高超纯水沿着和圆片移过换能器相反的方向流过换能器和圆片。
参考附图，用以实践本发明的各种装置及其余的特性和优点从说明本发明最佳实施例的以下详尽的描述就会显而易见。
图1是用以实现根据本发明的超声波清洗物件的方法的装置的一个剖视图；
图2是局部剖切的清洗装置的透视图，以及
图3是本发明另一个实施例的一个剖视图。
现在参考图1和图2，图中被说明的用以清洗半导体圆片的装置包括一个配置成含有一液槽的通常敞开的容器10，液槽具有一液位线12，在其相对的端部有一液体入口14和一液体出口16。在液槽内基本上位于入口和出口之间的中间配置了一个具有辐射面34的超声波换能器。电声换能器利用一辐射体传送一种超声波振荡，辐射体再在容器10所含有的液槽内以超声波方式发出一种密集的界限分明强的成穴区36。液槽容器10的宽度比计划在其内所用的半导体圆片最大的直径稍大。液槽的长度至少是最大圆片直径的两倍。液槽的入口端配置有一个液流扩散器20，使之在整个液槽中通过入口14引入的流体通常产生无湍流的液流。槽的出口端配置有一个液位控制挡板22，该挡板22起着确定和控制液位的作用。挡板的底部配置有泄漏孔37，以排出液态媒质和沉淀颗粒。
一工件传送装置24配置有一对动臂26，动臂26借助销钉28，可移动地夹持一工件30，在最佳的实施例中，工件30是一块半导体圆片，利用该圆片可以制成多个半导体芯片。最好在工件边缘夹持工件，使两个表面易与液槽流体接触以及使表面上产生的颗粒减至最少。在用附图说明的实施例中，工件30的上表面定为通过超声波换能器18的作用而被处理的主表面，但是实际上当圆片通过喇叭形辐射体的作用区时，两个表面都会受到清洗处理。除了臂26移动用来夹持半导体圆片30外，工件传送装置24还被配置成垂直移动，以接收来自液槽上方的圆片输送器的圆片，并且将圆片下降到液槽液面以下；工件传送装置还被配置成循着液槽长度的横向运动，从图1和图2中以实线表示的第一个的入口位置沿第一方向将圆片传送到位于第二位置的换能器辐射面的正下方，然后传送到图1中以虚线表示的液槽相对端的第三个的出口位置。工件传送装置可以向圆片提供1至3英寸/秒范围的传送速度。到时使工件传送装置从槽中升起清洗过的圆片，并且将它释放以输送到其它的操作台。然后放下支承装置以通过喇叭形辐射体，并返回到第一位置，以接受下一块圆片。换能器的右侧有一块壁38，壁38的末端差不多到液面，配置壁38以说明液槽的出口端最好被安置在清洁室的环境中，以将圆片的重新污染减至最低，而对于装置的入口端，那是并非必须这样的。
如图1和图2中所说明的，电声换能器的辐射面34安置成与工件30的表面成一个0到45°之间的角，并且面向圆片地被装入液槽的第一位置。换能器关于圆片表面形成角度已经被发现具有若干优点：成穴区的能量推动移离圆片表面的微粒沿液流流过圆片的方向越过圆片；并且当圆片移过成角度的辐射面时，圆片容易受成穴区变化强度的影响。电声换能器18被安置在这样的位置使得以大约20千赫至90千赫范围的频率给喇叭形辐射体的辐射面提供大约70至大约120瓦/平方英寸的输出功率，将超声波能量射入液槽，以在其内形成一密集的界限分界的强成穴区36。调整换能器和喇叭形辐射体，使得它能够相对于液槽内液位和圆片可调地安置。这种调整足以在喇叭形辐射体34的辐射面和圆片30顶面之间提供大约1/8至3/4英寸的距离范围。
尽管可以给液槽提供令人满意地用于清洗工件，例如半导体圆片的任何液态媒质或液态媒质的组合已经发现，但利用超高纯的水具有优于其它种类液体之处。(如本技术中所熟知，超高纯的水是用来表示经过过滤和除去离子的具有至少18兆欧的电阻率的水。)首先，超高纯的水对于半导体圆片上的大多数污染物起着一种极好的溶剂作用。其次，超高纯的水具有留下较少沉淀物的附加优点，这种沉淀物本身也会污染半导体晶片表面。如以上所提到的，流体穿过入口14而被引入，并且通过一扩散器20，提供从入口14到出口16一均匀的、层流的因而是无湍流的液流，沿着和圆片移过喇叭形辐射体的方向相反的方向流过圆片和电声换能器喇叭形辐射器。液体以1至3加仑/分的流量供给液槽，以提供一个1至3英寸/秒的流速流过超声波的喇叭形辐射体。使液槽具有从入口扩散器20至刚好超出超声波喇叭形辐射器18的通常固定不变的深度，然后，深度朝着出口16逐渐增加。从喇叭形辐射器位置周围增加深度的目的是要保证液体流过喇叭形辐射器时，其流速减少，以便移离工件30表面的较大的污染物可以沉淀在液槽内，而不会受到搅动，因搅动会使污染物可能再沉积到已被清洗过的工件表面部分上去。
根据本发明的最佳实施例，一块半导体圆片被输给工件传送装置24，当时工件传送装置24被升起高出液槽，处在第一位置上(图中左侧)，并且给液槽提供通常沿箭头19指明的方向从入口到出口大约1英寸/秒的超高纯水的流速。电声换能器用一能源供给能量，以大约20千赫的频率提供喇叭形辐射体辐射表面大约100瓦/英寸2的输出功率，将超声波能量射入液槽，以形成液槽内的一个密集的、界限分明的强成穴区。最好换能器装置的辐射面配置成和圆片表面成一个大约10°的角，并且面向第一位置。工件传送装置于是降低圆片，放入液槽，然后带着圆片沿箭头21指明的方向移动，以通常以40表示的第一位置，向着并通过处在第二位置42的超声波换能器的辐射表面而到达第三个的出口位置。最好使圆片以离开超声波换能器表面大约3/8英寸的间距配置，以使液槽内的成穴能除去分布在圆片上的任何外来微粒，这些微粒由液体向着液槽出口冲走。
图3说明另一个实施例，其中相同的器件被提供带有首标“1”的相同的参考数字。在这个实施例中，使液槽形成从流体入口端到流体出口端基本上相同的深度。在这个实施例中，还使超声波换能器直立地配置。对于这种布置，颗粒沉淀在液槽内的可能性较低，使得槽内可以较少地累积粒子。
在其余的实施例中(无附图)圆片可以在液槽内保持静止不动，而使换能器移过圆片。这样一种布置由于圆片不必移动而可以利用一种较短的液槽，但可能使清洗过的晶片表面出现重新污染的较大风险。在这样一种布置中，液态媒质会沿着和换能器关于圆片表面相对移动同样的方向流动。
已经发现超声波喇叭形辐射器的成穴作用形成微小的汽泡，汽泡破裂时，产生高达200,000磅/英寸2的局部压力。这些压力释放能量，以使微粒子从半导体表面除去。这种清除作用的效率是由能级(辐射表面的瓦/英寸2)和辐照时间控制的，辐射时间由圆片速度所决定。同样要体会到，液态媒质经过换能器和移动着的工件的流动，其作用是沿顺流方向从已被清洗的工件部分冲走移离的任何粒子，且只流过还要被清洗的工件表面。因此，已被除去的微粒很少有机会重新污染工件的已被清洗部分。液体均匀的无湍流的流通也有助于这种作用。这种液流使任何已被带走的微粒逆流输送并重新沉积在工件已被清洗部分上的可能性减至最低。而且要留意，流过换能器和工件的液流防止产生热量，其它方法在用本发明的高功率值下则会产生热量。
利用本发明的方法和装置，可以清洗高达每小时160块圆片。利用本发明可能达到的清洁度是每平方厘米只有0.05个等于或大于0.2微米的微粒。此外，在清洗工件前无需给液体去气，而液槽的连续流动也防止在槽中积累污染物。

Claims (18)

1.在一液槽内清洗一工件的方法，其特征在于它包括这些工序：
将一工件放置在上述液槽内第一位置的一支承装置上，从而使该工件至少一个表面受到辐照；
将一定量的一种液态媒质供给上述液槽；
将一个电声换能器配置在上述液槽内的第二位置上；
以频率大约为20千赫至90千赫范围内的能源将能量供给上述换能器，以便产生的超声能量以密集的，界限分明的成穴区形式射入上述液槽；
产生上述换能器和上述工件之间的相对移动，从而使上述工件穿过上述强成穴区；以及
使流经上述工件的上述液态媒质沿着和换能器相对于工件移动相同的方向移动，从而使从上述工件表面除去的粒子沿上述液态媒质流过工件的方向移过工件。
2.根据权利要求1的发明，其特征在于：上述换能器是固定的，而工件移过该换能器。
3.根据权利要求1的发明，其特征在于：上述工件是固定的，而换能器移过该工件。
4.根据权利要求1的发明，其特征在于：包括将超高纯水供给上述液槽的工序。
5.根据权利要求1的发明，其特征在于：该能源以70至120瓦/英寸2的功率密度提供给上述换能器的辐射面。
6.根据权利要求1的发明，其特征在于：包括使上述工件的上述一个表面以大约1/8英寸至3/4英寸的一段距离且在上述强成穴区内移过上述换能器的辐射面的工序。
7.在一液槽内清洗半导体圆片的方法，其特征在于包括这些工序：
将一半导体圆片放置在第一位置的支承装置上，从而使该圆片至少一个表面受到辐照；
将圆片浸入上述液槽内；
将一定量的超高纯水供给上述液槽；
将一个电声换能器配置在上述液槽内的第二位置上；
用一个频率大约为20千赫至90千赫范围内的能源将能量供给上述换能器以给上述换能器辐射面提供70至100瓦/英寸2的功率密度其产生的超声波能量以一密集的界限分明的强成穴区的形式射入上述液槽内；
产生上述换能器和上述圆片之间的相对移动，从而使上述圆片以离开上述辐射面大约1/8英寸至3/4英寸的一段距离穿过上述强成穴区；
使流经上述圆片的上述超高纯水沿着与该换能器相对于该圆片移动的相同的方向流动，从而使从上述圆片的表面除去的粒子沿着液态媒质流过圆片的方向移过圆片；以及
将上述圆从上述液槽移走。
8.在一液槽内清洗半导体圆片的方法，其特征在于包括这些工序：
将一半导体圆片放置在第一位置的支承装置上，从而使圆片的至少一个表面受到辐照；
将圆片浸入上述液槽；
将一定量的超高纯水供给上述液槽；
将一个电声换能器配置在上述液槽内的第二位置上，其辐射面被配置成与上述圆片的表面成一角度，并朝向第一位置；
用一个频率大约20千赫至90千赫的范围内的能源将能量供给上述换能器以给上述换能器的辐射面提供70至120瓦/英寸2的功率密度，其产生的超声波能量，用一密集的界限分明的强成穴区的形式射入上述液槽内；
使上述圆片从上述第一位置沿第一方向移过上述换能器，上述一个表面以离开上述换能器辐射面大约1/8英寸至大约3/4英寸的一段距离且在上述强成穴区内朝向上述辐射面；
使上述无湍流的超高纯水沿着与上述圆片移过上述换能器相反的方向流过上述换能器和上述圆片；以及
将上述圆片从上述液槽移走。
9.在一液槽内清洗半导体圆片的方法，其特征在于它包括这些工序：
将一半导体圆片放置在第一位置的一个支承装置上，从而使该圆片的至少一个表面受到辐照；
将该圆片浸入上述液槽内；
将一定量的超高纯水供给上述液槽；
将一电声换能器配置在上述液槽内的第二位置上，其辐射面被配置成与上述圆片表面成大约10°角，且朝向第一位置；
用一个频率大约为20千赫的频率的能源将能量供给上述换能器，以给上述换能器的辐射面提供大约100瓦/英寸2以功率密度，其产生的超声波能量以一密集的界限分明的强成穴区的形式射入到上述液槽内；
使上述圆片从上述第一位置沿第一方向以从大约1英寸/秒至大约3英寸/秒的一个速度移过上述换能器，上述一表面以离开上述换能器辐射面大约3/8英寸的一段距离且在上述强成穴区内朝向上述辐射面；
使上述无湍流的超高纯水沿着与上述圆片移过上述换能器相反的方向流过上述换能器和上述圆片，然后当上述水流过上述换能器后，减少上述水的速度；以及
将上述圆片从上述液槽移走。
10.用以在液槽内清洗一工件的装置，其特征在于包括：
一工件支承装置；
形成一液槽的装置；
用以将一工件放置在上述液槽内第一位置的上述支承装置上，使该工件的至少一个表面受到辐照的装置；
用以将一种液态媒质供给上述液槽的装置；
被配置在上述液槽的第二位置上的电声换能器装置；
用一个频率大约为20千赫至90千赫范围内的一能源将能量供给上述换能器的装置，在上述液槽内以一密集的界限分明的强成穴区的形式将超声波能量射入上述液槽；
用以使上述支撑装置和上述工件关于上述换能器相对移动的装置，从而使上述一个表面穿过上述强成穴区；以及
用以使上述液态媒质沿着与该换能器相对于该工件移动相同的方向流过上述工件。
11.根据权利要求10的发明，其特征在于：上述工件是固定的，而使该换能器移过上述工件。
12.根据权利要求10的发明，其特征在于：上述换能器是固定的，而使该工件移过上述换能器。
13.根据权利要求10的发明，其特征在于：将超高纯水供应给上述液槽。
14.根据权利要求10的发明，其特征在于：上述能源提供给上述换能器的辐射面以70至120瓦/英寸2的来自上述换能器的一输出功率。
15.根据权利要求10的发明，其特征在于：包括用以使上述工件的上述一个表面以大约1/8英寸至大约3/4英寸的一段距离且在上述强成穴区内移过上述换能器的辐射面。
16.用以在一液槽内清洗一工件的装置，其特征在于包括：
用以形成一液槽的装置；
一工件支承装置；
用以将一工件放置在第一位置的上述支承装置上，使该工件的至少一个表面受到辐照的装置；
用以将工件浸入上述液槽的装置；
用以将一定量超高纯水供给上述液槽的装置；
被配置在上述液槽第二位置上的电声换能器装置；
用一个频率大约为20千赫至90千赫范围内的能源将能量供给上述换能器，以向上述换能器辐射面提供70至120瓦/英寸2的来自上述换能器的一输出功率，用以将超声波能量射入上述液槽，以在液槽内形成一密集的界限分明的强成穴区的装置；
用以使上述支承装置和上述工件从上述第一位置沿第一方向移过上述换能器，上述一个表面以离开上述换能器辐射表面大约1/8英寸至大约3/4的一段距离，且在上述强成穴区内朝向上述辐射面的装置；
用以使上述超高纯水沿着与上述工件移过上述换能器相反的方向流过上述换能器和工件的装置；以及
用以将上述工件从上述液槽移走的装置。
17.用以在液槽内清洗半导体圆片的装置，其特征在于包括：
用以形成一液槽的装置；
一圆片支承装置；
用以将一圆片放置在第一位置的上述支承装置上，使该圆片的至少一个表面受到辐照的装置；
用以将圆片浸入上述液槽的装置；
用以将一定量超高纯水供给上述液槽的装置；
配置在液槽内第二位置上的电声换能器装置，上述换能器装置包括一个与上述圆片的表面成一角度配置的，且朝向第一位置的辐射面；
用一个频率大约为20千赫至90千赫范围内的能源将能量供给上述换能器的装置，以向上述换能器辐射面提供70至120瓦/英寸2的来自上述换能器的一输出功率，以便将超声波能量射入上述液槽以在液槽内形成一密集的界限分明的强成穴区；
用以使上述支承装置和上述圆片关于上述换能器相对移动的装置，从而使上述一个表面以离开上述换能器辐射面大约1/8英寸至3/4英寸的一段距离，且在上述强成穴区内朝向上述辐射面；
用以使上述无湍流超高纯水沿着与上述换能器相对于上述圆片移动相同的方向流动的装置；以及
用以将上述圆片从上述液槽移走的装置。
18.用以在一液槽内清洗半导体圆片的装置，其特征在于包括：
用以形成一液槽的装置；
一圆片支承装置；
用以将一圆片放置在第一位置的上述支承装置上，使该圆片的至少一个表面受到辐照的装置；
用以将圆片浸入上述液槽的装置；
用以将一定量的超高纯水供给上述液槽的装置；
配置在液槽内第二位置上的电声换能器装置，上述换能器装置包括一个与上述圆片的表面成大约10°角配置，并朝向第一位置的辐射面；
用一个频率大约为20千赫的能源将能量提供给上述换能器的装置，以向上述换能器的辐射面提供大约100瓦/英寸2的来自上述换能器的一输出功率，以便将超声波能量射入上述液槽，以在液槽内形成一密集的界限分明强成穴区；
用以使上述支承装置和上述圆片从上述第一位置沿第一方向移过上述换能器，上述一个表面以离开上述换能器的辐射面大约3/8英寸的一段距离，且在上述强成穴区内朝向上述辐射面；
用以使上述无湍流超高纯水沿着与上述圆片移过上述换能器相反的方向流过上述换能器和上述圆片的装置；
用以当上述水流过上述换能器时减低上述水的速度的装置；以及
用以将上述圆片从上述液槽移走的装置。
CN198787103659A 1986-05-16 1987-05-16 超声清洗方法和装置 Pending CN87103659A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US86463086A 1986-05-16 1986-05-16
US864,630 1986-05-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN87103659A true CN87103659A (zh) 1987-11-25

Family

ID=25343706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN198787103659A Pending CN87103659A (zh) 1986-05-16 1987-05-16 超声清洗方法和装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN87103659A (zh)
WO (1) WO1987006862A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009003343A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
CN1958872B (zh) * 2006-10-12 2010-05-26 武汉科利尔化工有限公司 回收工件、夹具所带电镀液的方法
CN103008282A (zh) * 2012-11-29 2013-04-03 北京七星华创电子股份有限公司 清洗兆声波换能器的装置
CN104078326A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
CN106623238A (zh) * 2016-11-17 2017-05-10 天津滨海光热反射技术有限公司 吸取转移式薄玻璃基板连续清洗***及清洗方法
CN106623237A (zh) * 2016-11-17 2017-05-10 天津滨海光热反射技术有限公司 转举式薄玻璃基板连续清洗***及清洗方法
CN106670180A (zh) * 2016-11-17 2017-05-17 天津滨海光热反射技术有限公司 薄玻璃基板清洗装置及清洗方法
CN106733904A (zh) * 2016-11-17 2017-05-31 天津滨海光热反射技术有限公司 平举式薄玻璃基板连续清洗***及清洗方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988004582A1 (en) * 1986-12-18 1988-06-30 Eastman Kodak Company Ultrasonic cleaning method and apparatus
JPH01143223A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
US4942868A (en) * 1988-03-30 1990-07-24 Malmros Holding, Inc. Ultrasonic treatment of animals
US5665141A (en) * 1988-03-30 1997-09-09 Arjo Hospital Equipment Ab Ultrasonic treatment process
JP2515777Y2 (ja) * 1989-06-13 1996-10-30 信越半導体 株式会社 ウエ−ハ洗浄装置のシャッタ−装置
DE3937442A1 (de) * 1989-11-10 1991-05-16 Nokia Unterhaltungselektronik Verfahren zum bereichsweisen entfernen von schichten von einem substrat
DE4407866A1 (de) * 1994-03-04 1995-09-07 Hielscher Gmbh Ultraschallintensivverfahren
DE19618974A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-13 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus
JPH10223585A (ja) 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1108539B (de) * 1957-09-04 1961-06-08 Siemens Ag Einrichtung zum Behandeln von Gut in einem mit einem Zu- und Ablaufstutzen versehenen Fluessigkeitsbehaelter mittels Schall- oder Ultraschallwellen
US3893869A (en) * 1974-05-31 1975-07-08 Rca Corp Megasonic cleaning system
US4178188A (en) * 1977-09-14 1979-12-11 Branson Ultrasonics Corporation Method for cleaning workpieces by ultrasonic energy
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus
US4401131A (en) * 1981-05-15 1983-08-30 Gca Corporation Apparatus for cleaning semiconductor wafers

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1958872B (zh) * 2006-10-12 2010-05-26 武汉科利尔化工有限公司 回收工件、夹具所带电镀液的方法
WO2009003343A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US9070723B2 (en) 2007-07-05 2015-06-30 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
CN103008282A (zh) * 2012-11-29 2013-04-03 北京七星华创电子股份有限公司 清洗兆声波换能器的装置
CN103008282B (zh) * 2012-11-29 2015-07-15 北京七星华创电子股份有限公司 清洗兆声波换能器的装置
CN104078326A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
CN106623238A (zh) * 2016-11-17 2017-05-10 天津滨海光热反射技术有限公司 吸取转移式薄玻璃基板连续清洗***及清洗方法
CN106623237A (zh) * 2016-11-17 2017-05-10 天津滨海光热反射技术有限公司 转举式薄玻璃基板连续清洗***及清洗方法
CN106670180A (zh) * 2016-11-17 2017-05-17 天津滨海光热反射技术有限公司 薄玻璃基板清洗装置及清洗方法
CN106733904A (zh) * 2016-11-17 2017-05-31 天津滨海光热反射技术有限公司 平举式薄玻璃基板连续清洗***及清洗方法
CN106623237B (zh) * 2016-11-17 2022-04-22 天津滨海光热反射技术有限公司 应用于厚度1-4mm的薄玻璃基板的转举式连续清洗***及清洗方法
CN106623238B (zh) * 2016-11-17 2022-04-22 天津滨海光热反射技术有限公司 应用于厚度1-4mm的薄玻璃基板吸取转移式连续清洗***及清洗方法
CN106670180B (zh) * 2016-11-17 2022-04-22 天津滨海光热反射技术有限公司 应用于厚度1-4mm的薄玻璃基板的清洗装置及清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO1987006862A1 (en) 1987-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN87103659A (zh) 超声清洗方法和装置
US6021785A (en) Procedure and device for cleaning disk-shaped objects in particular wafers by sonification with water as rinsing medium
JP4763061B2 (ja) 物体、特に薄いディスクを洗浄する装置及び方法
US6637443B2 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and method
KR100392242B1 (ko) 웨이퍼 세정 시스템
KR101256972B1 (ko) 기판들을 처리하기 위한 방법 및 장치와 상응하는 노즐유닛
CN103229279A (zh) 超声波清洗装置和超声波清洗方法
US5540245A (en) Processing equipment of single substrate transfer type
KR19990013579A (ko) 액처리장치
US2845077A (en) Ultrasonic cleaning apparatus
CN102197462A (zh) 用于半导体晶圆制程的声辅助单晶圆湿式清洗
CA1209018A (en) Method and apparatus for ultrasonic etching of printing plates
US20060113873A1 (en) Ultrasonic cleaning tank
KR101512100B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR101177038B1 (ko) 물품의 세정 장치 및 방법
CN87101160A (zh) 超声清洗方法和设备
JPH06320094A (ja) 流体処理装置および方法
US20110197931A1 (en) Apparatus for washing a workpiece
WO2004074931A2 (en) Method and apparatus for megasonic cleaning of patterned substrates
JPH11116221A (ja) 活性炭粒子洗浄装置
JP2001077070A (ja) メガソニック洗浄装置
JPH10512101A (ja) 超微細孔を有したプレート形状の加工材料の処理のための方法と装置
KR100311938B1 (ko) 초음파 세척시스템
BUsnaina et al. The removal of submicron particles in liquid-based cleaning
CN217411716U (zh) 一种多频真空清洗机

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication