CN2929969Y - 横向发光二极管装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型是有关于一种横向发光二极管装置，包括有一电路基板，该基板的正面蚀刻出二分隔的电路区，该基板的下方两侧面及与该二侧面相连的左右底面各形成有一吃锡面，该等吃锡面向内凹陷一定的高度，并分别与二电路区电性连接；发光晶片固设于其中一电路区上，并以二金属电极线分别自发光晶片的二电极引线到二电路区上；基板的正面安装有一反射件，反射件内表面溅镀有高反射率金属层。发光二极管装置以其二吃锡面粘着于一电路板的预设锡点上，藉由吃锡面与电路板间保留的间隙，令透过锡膏的表面张力，使锡膏可充填于此间隙，而将发光二极管装置牢固地焊接于电路板上。

Description

横向发光二极管装置
技术领域
本实用新型涉及一种横向发光二极管装置，特别是涉及一种焊接时可牢固地粘接于电路板上的横向发光二极管装置。
背景技术
发光二极管的发光原理，是利用半导体固有特性，将电流顺向流入半导体的PN接面，使其发出光线，所以LED被称为冷光源(coldlight)；且因LED具有高耐久性、寿命长、体积小、耗电量低，而且不含水银等有害物质等优点，故可广泛应用于电子产品及照明设备产业中。
目前现有横向发光二极管的结构，请参阅图1所示，其设有一电路基板10，基板10的正面蚀刻出二分隔的电路区11，基板10的下方二边角为原始电路基板上的圆孔，据以形成二圆弧吃锡区12，二电路区11并分别与二吃锡区12电性连接；一发光晶片13固设于其中一电路区11上，并使用二金属电极线14自发光晶片13的二电极引线到二电路区11上，令发光晶片13的二电极与二吃锡区12电性连接；电路基板10的正面安装有一框体15，用以引导发光晶片13的光线自正面横向发射出去。
安装使用时，可利用表面粘着方式(SMT)，将二吃锡区12粘着于一电路板(未图示)的预设锡点上，藉由电路板的电流通过发光晶片13，使发光晶片13释放出光能。但是，现有横向发光二极管其吃锡区12为圆弧状，令焊锡无法往上充填整个吃锡区12，造成粘着面积狭小，粘着不牢固等缺憾，并导致该现有横向发光二极管容易自电路板上脱落。
由此可见，上述现有的横向发光二极管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决横向发光二极管存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的横向发光二极管装置，便成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的横向发光二极管存在的缺陷，本设计人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的横向发光二极管装置，能够改进一般现有的横向发光二极管，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于刨设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型的主要目的在于，克服现有的横向发光二极管存在的缺陷，而提供一种新型结构的横向发光二极管装置，所要解决的技术问题是使其牢固地焊接于电路板上，从而更加适于实用。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种横向发光二极管装置，其包括：一电路基板，其正面蚀刻出二分隔的电路区，且该基板的下方两侧面及与该二侧面相连的左右底面各形成有一吃锡面，并分别与该二电路区电性连接，该二吃锡面各向内凹陷一定的高度，用以与一电路板间形成一可充填焊锡的间隙；一发光晶片，固设于该电路基板的其中一电路区上，并以二金属电极线分别自该发光晶片的二电极引线到该二电路区上，令该发光晶片的二电极分别与该二吃锡面电性连接；以及一反射件，安装于该电路基板的正面，该反射件内表面溅镀有一高反射率金属层，用以集光并引导该发光晶片的光线自该电路基板的正面横向发射出去。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可以可采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的横向发光二极管装置，其中所述的高反射率金属层为锌、铝、银或金。
前述的横向发光二极管装置，其中所述的反射件可透过一环氧薄膜或接着剂粘结于该电路基板的正面上。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。经由以上可知，为了达到上述的目的，本实用新型横向发光二极管装置包括有一电路基板，基板之正面蚀刻出二分隔的电路区，且基板的下方两侧面及与该二侧面相连的左右底面各形成有一吃锡面，该二吃锡面各向内凹陷一定的高度，并分别与该二电路区电性连接；发光晶片固设于电路基板的其中一电路区上，并以二金属电极线分别自发光晶片的二电极引线到二电路区上，令发光晶片的二电极分别与二吃锡面电性连接；电路基板的正面安装有一反射件，反射件内表面溅镀有高反射率金属层，用以集光并引导发光晶片之光线自电路基板的正面横向发射出去。
借由上述技术方案，本实用新型横向发光二极管装置至少具有下列优点：
本实用新型横向发光二极管在安装使用时，可利用表面粘着方式(SMT)，将二吃锡面粘着于一电路板的预设锡点上，藉由吃锡面与电路板问保留的间隙，令透过锡膏的表面张力，使锡膏可充填于此间隙，而能牢固地焊接于电路板上，不易脱落。
综上所述，本实用新型具有上述诸多优点及实用价值，其不论在装置结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的横向发光二极管具有增进的功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1为绘示现有一种横向发光二极管的分解立体图。
图2为绘示本实用新型横向发光二极管装置的外观立体图。
图3为绘示本实用新型横向发光二极管装置的分解立体图。
图4为绘示本实用新型横向发光二极管装置的使用状态图。
10：电路基板
11：电路区
12：吃锡区
13：发光晶片
14：金属电极线
15：框体
20：电路基板
21：电路区
22：吃锡面
23：金属电极线
30：发光晶片
40：反射件
41：高反射率金属层
50：环氧薄膜
60：电路板
G： 间隙
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的横向发光二极管装置其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图2、3分别绘示本实用新型横向发光二极管装置一较佳实施例的外观立体图及分解立体图。参照图2、3所示，本实用新型横向发光二极管装置包括有一电路基板20，基板20的正面蚀刻出二分隔的电路区21；且基板20的下方两侧面及与该二侧面相连的左右底面各形成有一吃锡面22，二吃锡面22向内凹陷一定的高度，并分别与二电路区21电性连接。一发光晶片30固设于电路基板20的其中一电路区21上，并以二金属电极线23分别自发光晶片30的二电极引线到二电路区21上，令发光晶片30的二电极分别与二吃锡面22电性连接。电路基板20的正面安装有一框形反射件40，反射件40内表面溅镀有一高反射率金属层41(如：锌、铝、银或金等金属层)，以提供较佳反射率，用以集光并引导发光晶片30的光线自电路基板的正面横向发射出去(光线侧射式发出)。反射件40可透过环氧薄膜50或接着剂粘结于电路基板20的正面上。
请参照图4所示，本实用新型横向发光二极管在安装使用时，可利用表面粘着方式(SMT)，将二吃锡面22粘着于一电路板60的预设锡点上，藉由吃锡面22与电路板60间保留的间隙G，令透过锡膏的表面张力，使得锡膏可充填于此间隙G，而能将本实用新型发光二极管装置牢固地焊接于电路板60上，不易脱落。
再者，电路基板30侧面吃锡面22主要为电路基板下缘左右两直角端，包覆两直角的直横两侧面为原始电路基板上的导通孔，导通孔壁已有电镀，经切割后，即形成所见的吃锡面22。因此，吃锡面22与电路板60间可保持一定间隙G(如图4所示)，透过锡膏的表面张力，使锡膏可充填于此间隙G，而能将发光二极管装置牢固地焊接于电路板60上，令发光二极管装置能侧立于一般电路板60上，形成发出侧射的横向光源。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (3)

1、一种横向发光二极管装置，其特征在于包括：
一电路基板，其正面蚀刻出二分隔的电路区，且该基板的下方两侧面及与该二侧面相连的左右底面各形成有一吃锡面，并分别与该二电路区电性连接，该二吃锡面各向内凹陷一定的高度，用以与一电路板间形成一可充填焊锡的间隙；
一发光晶片，固设于该电路基板的其中一电路区上，并以二金属电极线分别自该发光晶片的二电极引线到该二电路区上，令该发光晶片的二电极分别与该二吃锡面电性连接；以及
一反射件，安装于该电路基板的正面，该反射件内表面溅镀有一高反射率金属层，用以集光并引导该发光晶片的光线自该电路基板的正面横向发射出去。
2、根据权利要求1所述的横向发光二极管装置，其特征在于其中所述的高反射率金属层为锌、铝、银或金。
3、根据权利要求1所述的横向发光二极管装置，其特征在于其中所述的反射件可透过一环氧薄膜或接着剂粘结于该电路基板的正面上。
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CN108807639A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2022180523A (ja) * 2017-08-25 2022-12-06 ローム株式会社 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108807639A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN108807639B (zh) * 2017-04-28 2024-03-08 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2022180523A (ja) * 2017-08-25 2022-12-06 ローム株式会社 半導体装置
JP7349544B2 (ja) 2017-08-25 2023-09-22 ローム株式会社 半導体装置

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