JP2001358367A - チップ型発光素子 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光体チップから放出される光を、有効に側方
へ取り出し、大光量または高発光効率の側面発光のチッ
プ型発光素子を得る。 【解決手段】一対の内部電極２Ａ、２Ｂが形成された絶
縁性基板１に、ＬＥＤチップ４が内部電極２Ａ、２Ｂを
跨ぐように接続されている。ＬＥＤチップ４の発光面４
ａは、絶縁性基板１に対して垂直になっており、側面発
光のチップ型発光素子１０の光照射側面Ａの方向を向い
ている。ＬＥＤチップ４は、銀ペーストの硬化物５によ
り、発光面４ａに形成されたｐ側電極の下部と、発光面
に対向する面に形成され短側電極の下部とで、それぞれ
内部電極２Ａ、２Ｂに接続されている。
へ取り出し、大光量または高発光効率の側面発光のチッ
プ型発光素子を得る。 【解決手段】一対の内部電極２Ａ、２Ｂが形成された絶
縁性基板１に、ＬＥＤチップ４が内部電極２Ａ、２Ｂを
跨ぐように接続されている。ＬＥＤチップ４の発光面４
ａは、絶縁性基板１に対して垂直になっており、側面発
光のチップ型発光素子１０の光照射側面Ａの方向を向い
ている。ＬＥＤチップ４は、銀ペーストの硬化物５によ
り、発光面４ａに形成されたｐ側電極の下部と、発光面
に対向する面に形成され短側電極の下部とで、それぞれ
内部電極２Ａ、２Ｂに接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話の液晶等
のバックライト用光源や、光センサーの光源などに用い
られる側面発光型のチップ型発光素子に関する。
のバックライト用光源や、光センサーの光源などに用い
られる側面発光型のチップ型発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機の内部の実装基板には、液晶
表示部のバックライト用光源として、チップ型発光素子
が実装される場合がある。この場合に適用されるチップ
型発光素子は、実装基板の表面に平行な方向に光を発す
る、いわゆる側面発光型のものである。図３は、従来の
側面発光型のチップ型発光素子の構造を示す分解斜視図
であり、図４はその図解的な断面図である。このチップ
型発光素子３０は、平面視において略矩形の絶縁性基板
２１と、この絶縁性基板２１の一方表面を覆うように配
置されるリフレクターケース２７とを備えており、全体
が偏平な直方体形状に構成されている。絶縁性基板２１
のリフレクターケース２７とは反対側の表面が、実装基
板に接合される実装面となる。この実装面には、絶縁性
基板２１の両端面付近に一対の外部電極２３Ａ，２３Ｂ
が形成されている。
表示部のバックライト用光源として、チップ型発光素子
が実装される場合がある。この場合に適用されるチップ
型発光素子は、実装基板の表面に平行な方向に光を発す
る、いわゆる側面発光型のものである。図３は、従来の
側面発光型のチップ型発光素子の構造を示す分解斜視図
であり、図４はその図解的な断面図である。このチップ
型発光素子３０は、平面視において略矩形の絶縁性基板
２１と、この絶縁性基板２１の一方表面を覆うように配
置されるリフレクターケース２７とを備えており、全体
が偏平な直方体形状に構成されている。絶縁性基板２１
のリフレクターケース２７とは反対側の表面が、実装基
板に接合される実装面となる。この実装面には、絶縁性
基板２１の両端面付近に一対の外部電極２３Ａ，２３Ｂ
が形成されている。
【０００３】絶縁性基板２１のリフレクターケース２７
側の表面には、外部電極２３Ａ，２３Ｂに対応した一対
の内部電極２２Ａ，２２Ｂが形成されている。これらの
うちの一方の内部電極２２Ａに、発光体チップとしての
ＬＥＤチップ２４がダイボンディングされている。この
ダイボンディングによって、ＬＥＤチップ２４のｎ側電
極（図３において下面に対応する電極）と内部電極２２
Ａとが電気接続されている。ＬＥＤチップ２４のｐ側電
極は、リフレクターケース２７に対向する上面に位置し
ている。このｐ側電極は、ボンディングワイヤー２５を
介して内部電極２２Ｂに電気接続されている。
側の表面には、外部電極２３Ａ，２３Ｂに対応した一対
の内部電極２２Ａ，２２Ｂが形成されている。これらの
うちの一方の内部電極２２Ａに、発光体チップとしての
ＬＥＤチップ２４がダイボンディングされている。この
ダイボンディングによって、ＬＥＤチップ２４のｎ側電
極（図３において下面に対応する電極）と内部電極２２
Ａとが電気接続されている。ＬＥＤチップ２４のｐ側電
極は、リフレクターケース２７に対向する上面に位置し
ている。このｐ側電極は、ボンディングワイヤー２５を
介して内部電極２２Ｂに電気接続されている。
【０００４】内部電極２２Ａ，２２Ｂおよび外部電極２
３Ａ，２３Ｂは、絶縁性基板２１の両端面に形成された
スルーホール２６Ａ，２６Ｂの内壁面に被着された導体
膜を介して電気接続されている。リフレクターケース２
７は、断面Ｌ字形に形成されていて、チップ型発光素子
３０の上方と、絶縁性基板２１の一辺に沿う一側面とを
覆っている。リフレクターケース２７の内面は、ＬＥＤ
チップ２４からの光を反射する反射面をなしている。リ
フレクターケース２７の内面と絶縁性基板２１の表面と
の間には、透光性部材２８（図３では図示を省略し
た。）が充填されている。
３Ａ，２３Ｂは、絶縁性基板２１の両端面に形成された
スルーホール２６Ａ，２６Ｂの内壁面に被着された導体
膜を介して電気接続されている。リフレクターケース２
７は、断面Ｌ字形に形成されていて、チップ型発光素子
３０の上方と、絶縁性基板２１の一辺に沿う一側面とを
覆っている。リフレクターケース２７の内面は、ＬＥＤ
チップ２４からの光を反射する反射面をなしている。リ
フレクターケース２７の内面と絶縁性基板２１の表面と
の間には、透光性部材２８（図３では図示を省略し
た。）が充填されている。
【０００５】この構成によって、ＬＥＤチップ２４から
発生した光は、リフレクターケース２７によって覆われ
ていない三方の側面へと放光される。
発生した光は、リフレクターケース２７によって覆われ
ていない三方の側面へと放光される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＡｌＡｓ系のよう
な３元素系半導体発光素子または、ＩｎＧａＡｌＰ系の
ような４元素系半導体発光素子は、ＧａＰ系などの発光
素子に比べて、高輝度な発光が可能である。したがっ
て、携帯電話機の液晶表示部などの視認性を向上するた
めには、３元素系または４元素系の発光素子を用いるこ
とが好ましい。ところが、ＧａＰ化合物半導体からなる
発光素子は、全方向への発光が可能であるのに対して、
上述のような３元素系または４元素系の発光素子は、基
板が遮光性であるために、基板に垂直な方向へは大量の
光を取り出すことができる反面、基板に平行な方向への
発光光量が少ない。
な３元素系半導体発光素子または、ＩｎＧａＡｌＰ系の
ような４元素系半導体発光素子は、ＧａＰ系などの発光
素子に比べて、高輝度な発光が可能である。したがっ
て、携帯電話機の液晶表示部などの視認性を向上するた
めには、３元素系または４元素系の発光素子を用いるこ
とが好ましい。ところが、ＧａＰ化合物半導体からなる
発光素子は、全方向への発光が可能であるのに対して、
上述のような３元素系または４元素系の発光素子は、基
板が遮光性であるために、基板に垂直な方向へは大量の
光を取り出すことができる反面、基板に平行な方向への
発光光量が少ない。
【０００７】そのため、図３および図４に示された従来
技術の構成では、ワイヤーボンディングされた上面のみ
が発光面２４ａとなる。この発光面２４ａは、光の取り
出し方向である側方を指向しておらず、この側方に垂直
な上方（実装配線基板に垂直な方向）を指向している。
したがって、チップ型発光素子３０の３つの側面から取
り出される光は、リフレクターケース２７の内表面でい
ったん反射された反射光となる。そのため、３元素系ま
たは４元素系の高輝度型ＬＥＤチップを用いても、光量
をさほど増大することができないという問題があった。
技術の構成では、ワイヤーボンディングされた上面のみ
が発光面２４ａとなる。この発光面２４ａは、光の取り
出し方向である側方を指向しておらず、この側方に垂直
な上方（実装配線基板に垂直な方向）を指向している。
したがって、チップ型発光素子３０の３つの側面から取
り出される光は、リフレクターケース２７の内表面でい
ったん反射された反射光となる。そのため、３元素系ま
たは４元素系の高輝度型ＬＥＤチップを用いても、光量
をさほど増大することができないという問題があった。
【０００８】そこで、この発明の目的は、発光体チップ
からの直接光を側面から放出させることができ、これに
より高輝度発光を実現した側面発光型のチップ型発光素
子を提供することである。
からの直接光を側面から放出させることができ、これに
より高輝度発光を実現した側面発光型のチップ型発光素
子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、一対の電
極が表面に形成された絶縁性基板と、この絶縁性基板上
に、この絶縁性基板の表面に沿う方向に発光面を向けて
搭載され、上記一対の電極に接続された発光体チップ
と、上記発光体チップを覆う透光性部材とを含むことを
特徴とするチップ型発光素子である。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、一対の電
極が表面に形成された絶縁性基板と、この絶縁性基板上
に、この絶縁性基板の表面に沿う方向に発光面を向けて
搭載され、上記一対の電極に接続された発光体チップ
と、上記発光体チップを覆う透光性部材とを含むことを
特徴とするチップ型発光素子である。
【００１０】この構成によれば、発光体チップが、絶縁
性基板の表面に沿う方向に発光面を向けて搭載されてい
るので、発光面からの直接光をチップ型発光素子の側方
（絶縁性基板の表面に平行な方向）に取り出すことがで
きる。したがって、反射に起因する光の減衰がない。し
かも、発光体チップから短い光路長を経て透光性部材の
外へと光が取り出されるから、透光性部材中における光
の減衰も最小限に抑えることができる。これによって、
側面発光型のチップ型発光素子の発光光量を著しく増大
することができる。
性基板の表面に沿う方向に発光面を向けて搭載されてい
るので、発光面からの直接光をチップ型発光素子の側方
（絶縁性基板の表面に平行な方向）に取り出すことがで
きる。したがって、反射に起因する光の減衰がない。し
かも、発光体チップから短い光路長を経て透光性部材の
外へと光が取り出されるから、透光性部材中における光
の減衰も最小限に抑えることができる。これによって、
側面発光型のチップ型発光素子の発光光量を著しく増大
することができる。
【００１１】また、一定の光量が必要な場合における消
費電力を少なくすることができるから、側面発光型のチ
ップ型発光素子の発光効率を向上することができる。
費電力を少なくすることができるから、側面発光型のチ
ップ型発光素子の発光効率を向上することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施形態に係る側面発光型のチップ型発光素子１
０の構造を示す図解的な分解斜視図であり、図２は、そ
の図解的な断面図である。このチップ型発光素子１０
は、偏平な直方体形状をしており、３方の側面から光が
放出される。したがって、実装配線基板へ実装された状
態で、このチップ型発光素子１０から放出される光の主
たる進行方向は、実装配線基板に対して平行となる。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施形態に係る側面発光型のチップ型発光素子１
０の構造を示す図解的な分解斜視図であり、図２は、そ
の図解的な断面図である。このチップ型発光素子１０
は、偏平な直方体形状をしており、３方の側面から光が
放出される。したがって、実装配線基板へ実装された状
態で、このチップ型発光素子１０から放出される光の主
たる進行方向は、実装配線基板に対して平行となる。
【００１３】略矩形の絶縁性基板１の一方表面には、一
対の内部電極２Ａ，２Ｂが形成されている。発光体チッ
プであるＬＥＤチップ４は、その底面が内部電極２Ａ，
２Ｂの両方と部分的に重なり合うように載設されてい
る。すなわち、ＬＥＤチップ４は、内部電極２Ａ，２Ｂ
に跨って配置されている。ＬＥＤチップ４の発光面４ａ
はｐ側電極形成面となっており、発光面４ａとは反対側
の面はｎ側電極形成面となっている。ＬＥＤチップ４
は、ｐ側電極形成面の下部およびｎ側電極形成面の下部
において、銀ペーストの硬化物５によって、それぞれ内
部電極２Ａおよび内部電極２Ｂと接続されている。これ
により、電気的接続および機械的接合が得られている。
対の内部電極２Ａ，２Ｂが形成されている。発光体チッ
プであるＬＥＤチップ４は、その底面が内部電極２Ａ，
２Ｂの両方と部分的に重なり合うように載設されてい
る。すなわち、ＬＥＤチップ４は、内部電極２Ａ，２Ｂ
に跨って配置されている。ＬＥＤチップ４の発光面４ａ
はｐ側電極形成面となっており、発光面４ａとは反対側
の面はｎ側電極形成面となっている。ＬＥＤチップ４
は、ｐ側電極形成面の下部およびｎ側電極形成面の下部
において、銀ペーストの硬化物５によって、それぞれ内
部電極２Ａおよび内部電極２Ｂと接続されている。これ
により、電気的接続および機械的接合が得られている。
【００１４】銀ペーストの硬化物５は、発光面４ａから
の光を遮らないように、なるべく狭い領域で発光面４ａ
に接していることが好ましい。内部電極２Ａ，２ＢとＬ
ＥＤチップ４との接合は、はんだやインジウムなどの軟
ろうによってなされていてもよい。ＬＥＤチップ４は、
高輝度発光を実現できる３元素系（ＧａＡｌＡｓ系な
ど）または４元素系（ＩｎＧａＡｌＡｓ系など）の発光
体からなっていることが好ましい。これらの発光体は、
基板が遮光性であるので、薄膜状の発光部のみが発光す
る。すなわち、発光体チップの特定の面のみが発光面４
ａとなる。
の光を遮らないように、なるべく狭い領域で発光面４ａ
に接していることが好ましい。内部電極２Ａ，２ＢとＬ
ＥＤチップ４との接合は、はんだやインジウムなどの軟
ろうによってなされていてもよい。ＬＥＤチップ４は、
高輝度発光を実現できる３元素系（ＧａＡｌＡｓ系な
ど）または４元素系（ＩｎＧａＡｌＡｓ系など）の発光
体からなっていることが好ましい。これらの発光体は、
基板が遮光性であるので、薄膜状の発光部のみが発光す
る。すなわち、発光体チップの特定の面のみが発光面４
ａとなる。
【００１５】絶縁性基板１の他方表面上には、内部電極
２Ａ，２Ｂに対応する領域に、一対の外部電極３Ａ，３
Ｂが形成されている。これらの外部電極３Ａ，３Ｂは、
絶縁性基板１の側面に形成された２分の１スルーホール
６Ａ，６Ｂ内面の導電被膜を介して内部電極２Ａ，２Ｂ
に電気接続されている。内部電極２Ａ，２Ｂや外部電極
３Ａ、３Ｂは、銅箔などにより形成されている。したが
って、外部電極３Ａと外部電極３Ｂの間に適当な極性で
通電すると、ＬＥＤチップ４は発光する。
２Ａ，２Ｂに対応する領域に、一対の外部電極３Ａ，３
Ｂが形成されている。これらの外部電極３Ａ，３Ｂは、
絶縁性基板１の側面に形成された２分の１スルーホール
６Ａ，６Ｂ内面の導電被膜を介して内部電極２Ａ，２Ｂ
に電気接続されている。内部電極２Ａ，２Ｂや外部電極
３Ａ、３Ｂは、銅箔などにより形成されている。したが
って、外部電極３Ａと外部電極３Ｂの間に適当な極性で
通電すると、ＬＥＤチップ４は発光する。
【００１６】チップ型発光素子１０は、スルーホール６
Ａ，６Ｂや外部電極３Ａ，３Ｂにおいて、はんだなどに
より、配線基板のパッド（図示されない）と接合され
る。このようなＬＥＤチップ４を配した絶縁性基板１上
に、リフレクターケース７が載設される。リフレクター
ケース７は、チップ型発光素子１０の上部の大部分と一
側面全面とを覆うように形成されている。リフレクター
ケース７で全面を覆われた側面と対向する面は開放され
ており、チップ型発光素子１０が主に光を放出する光照
射側面Ａとなっている。リフレクターケース７は、少な
くともその表面が光に対する反射率が高い材質で形成さ
れている。
Ａ，６Ｂや外部電極３Ａ，３Ｂにおいて、はんだなどに
より、配線基板のパッド（図示されない）と接合され
る。このようなＬＥＤチップ４を配した絶縁性基板１上
に、リフレクターケース７が載設される。リフレクター
ケース７は、チップ型発光素子１０の上部の大部分と一
側面全面とを覆うように形成されている。リフレクター
ケース７で全面を覆われた側面と対向する面は開放され
ており、チップ型発光素子１０が主に光を放出する光照
射側面Ａとなっている。リフレクターケース７は、少な
くともその表面が光に対する反射率が高い材質で形成さ
れている。
【００１７】本実施形態においては、リフレクターケー
ス７はチップ型発光素子１０の一側面と天面の全面とを
覆って、発光体チップ４が放出した光を反射する形態と
なっているが、３つの側面と天面とを覆って発光体チッ
プ４が放出した光を反射し、開放された一側面から光を
放出する形態であってもよい。あるいは、透光性部材８
を略直方体状に形成しておき、必要な面だけ光を反射す
る膜でコートした形態であってもよい。
ス７はチップ型発光素子１０の一側面と天面の全面とを
覆って、発光体チップ４が放出した光を反射する形態と
なっているが、３つの側面と天面とを覆って発光体チッ
プ４が放出した光を反射し、開放された一側面から光を
放出する形態であってもよい。あるいは、透光性部材８
を略直方体状に形成しておき、必要な面だけ光を反射す
る膜でコートした形態であってもよい。
【００１８】絶縁性基板１とリフレクターケース７との
間隙には、透光性部材８が充填されている。透光性部材
８は、透明なエポキシ樹脂など、ＬＥＤチップ４が発し
た光に対して透光性を持つ材料からなる。これにより、
ＬＥＤチップ４、内部電極２Ａ，２Ｂ、およびそれらの
接合部が保護される。図２において、ＬＥＤチップ４の
発光面４ａは、チップ型発光素子１０の光照射側面Ａの
方向を向いている。すなわち、本発明においては、ＬＥ
Ｄチップ４から放出される光の主たる進行方向と、チッ
プ型発光素子１０の光照射側面Ｂから放出される光の主
たる進行方向とは一致する。よって、ＬＥＤチップ４か
ら放出される光の大部分は、直接チップ型発光素子１０
の光照射側面Ａに到達し、チップ型発光素子１０の外へ
と出る。
間隙には、透光性部材８が充填されている。透光性部材
８は、透明なエポキシ樹脂など、ＬＥＤチップ４が発し
た光に対して透光性を持つ材料からなる。これにより、
ＬＥＤチップ４、内部電極２Ａ，２Ｂ、およびそれらの
接合部が保護される。図２において、ＬＥＤチップ４の
発光面４ａは、チップ型発光素子１０の光照射側面Ａの
方向を向いている。すなわち、本発明においては、ＬＥ
Ｄチップ４から放出される光の主たる進行方向と、チッ
プ型発光素子１０の光照射側面Ｂから放出される光の主
たる進行方向とは一致する。よって、ＬＥＤチップ４か
ら放出される光の大部分は、直接チップ型発光素子１０
の光照射側面Ａに到達し、チップ型発光素子１０の外へ
と出る。
【００１９】このような構造のチップ型発光素子１０に
おいては、ＬＥＤチップ４の発光面４ａから放出された
光の大部分は、リフレクターケース７などにより反射さ
れることなく、直接チップ型発光素子１０の光照射側面
Ａに到達し、チップ型発光素子１０外に放出される。し
たがって、ＬＥＤチップ４の発光面４ａから放出された
光は、チップ型発光素子１０外へ出るまでに、吸収され
たり散乱されたりする機会が少ないので、ほとんど減衰
しない。よって、発光体チップ４から放出された光を有
効にチップ型発光素子１０外に取り出せるので、チップ
型発光素子１０の発光光量を著しく増大することができ
る。また、一定の光量が必要な場合における消費電力を
少なくすることができるから、側面発光型のチップ型発
光素子の発光効率を向上することができる。
おいては、ＬＥＤチップ４の発光面４ａから放出された
光の大部分は、リフレクターケース７などにより反射さ
れることなく、直接チップ型発光素子１０の光照射側面
Ａに到達し、チップ型発光素子１０外に放出される。し
たがって、ＬＥＤチップ４の発光面４ａから放出された
光は、チップ型発光素子１０外へ出るまでに、吸収され
たり散乱されたりする機会が少ないので、ほとんど減衰
しない。よって、発光体チップ４から放出された光を有
効にチップ型発光素子１０外に取り出せるので、チップ
型発光素子１０の発光光量を著しく増大することができ
る。また、一定の光量が必要な場合における消費電力を
少なくすることができるから、側面発光型のチップ型発
光素子の発光効率を向上することができる。
【００２０】このようなチップ型発光素子１０は、絶縁
性基板１上に、内部電極２Ａ、２Ｂと外部電極３Ａ、３
Ｂとを形成し、内部電極２Ａ，２Ｂ上に、銀ペースト５
でＬＥＤチップ４を接続したものに、リフレクターケー
ス７を載置しておき、絶縁性基板１とリフレクターケー
ス７との間隙に、液状の透光性部材８を流し込み、硬化
させて得られる。通常、絶縁性基板１やリフレクターケ
ース７は、１つのチップ型発光素子１０に対応する個片
領域を、複数個縦横に密接して配したものに、液状の透
光性部材８を一括して流し込み、硬化後個々の個片に切
り出して製造する。２分の１スルーホール６Ａ，６Ｂ
は、切り出す前の大きな絶縁性基板にスルーホールをあ
け、内面に導電性を付与しておき、スルーホール位置で
基板を切断することにより得る。内部電極２Ａ，２Ｂは
スルーホールの上面を覆うように形成されているので、
液状の透光性部材８は、スルーホール内に流れ込まな
い。
性基板１上に、内部電極２Ａ、２Ｂと外部電極３Ａ、３
Ｂとを形成し、内部電極２Ａ，２Ｂ上に、銀ペースト５
でＬＥＤチップ４を接続したものに、リフレクターケー
ス７を載置しておき、絶縁性基板１とリフレクターケー
ス７との間隙に、液状の透光性部材８を流し込み、硬化
させて得られる。通常、絶縁性基板１やリフレクターケ
ース７は、１つのチップ型発光素子１０に対応する個片
領域を、複数個縦横に密接して配したものに、液状の透
光性部材８を一括して流し込み、硬化後個々の個片に切
り出して製造する。２分の１スルーホール６Ａ，６Ｂ
は、切り出す前の大きな絶縁性基板にスルーホールをあ
け、内面に導電性を付与しておき、スルーホール位置で
基板を切断することにより得る。内部電極２Ａ，２Ｂは
スルーホールの上面を覆うように形成されているので、
液状の透光性部材８は、スルーホール内に流れ込まな
い。
【００２１】本発明によるチップ型発光素子１０は、発
光体チップ４と内部電極２Ａ，２Ｂとの接続に、従来の
もののようにボンディング・ワイヤーを用いていないの
で、製造時の液状の透光性部材８を流し込む工程で、ボ
ンディング・ワイヤーが断線するということはない。
光体チップ４と内部電極２Ａ，２Ｂとの接続に、従来の
もののようにボンディング・ワイヤーを用いていないの
で、製造時の液状の透光性部材８を流し込む工程で、ボ
ンディング・ワイヤーが断線するということはない。
【図１】本発明の一実施形態に係る、側面発光型のチッ
プ型発光素子の図解的な分解斜視図である。
プ型発光素子の図解的な分解斜視図である。
【図２】上記実施形態の側面発光型のチップ型発光素子
の図解的な断面図である。
の図解的な断面図である。
【図３】従来の側面発光型のチップ型発光素子の構造を
示す図解的な分解斜視図である。
示す図解的な分解斜視図である。
【図４】上記従来の側面発光型のチップ型発光素子の構
造を示す図解的な断面図である。
造を示す図解的な断面図である。
１ 絶縁性基板 ２Ａ 内部電極 ２Ｂ 内部電極 ３Ａ 外部電極 ３Ｂ 外部電極 ４ ＬＥＤチップ ４ａ 発光面 ５ 銀ペーストの硬化物 ６Ａ ２分の１スルーホール ６Ｂ ２分の１スルーホール ７ リフレクターケース ８ 透光性部材 １０ チップ型発光素子
Claims (1)
- 【請求項１】一対の電極が表面に形成された絶縁性基板
と、 この絶縁性基板上に、この絶縁性基板の表面に沿う方向
に発光面を向けて搭載され、上記一対の電極に接続され
た発光体チップと、 上記発光体チップを覆う透光性部材とを含むことを特徴
とするチップ型発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177362A JP2001358367A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | チップ型発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177362A JP2001358367A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | チップ型発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358367A true JP2001358367A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18678971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000177362A Pending JP2001358367A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | チップ型発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358367A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077312A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Rohm Co.,Ltd. | Semiconductor device using semiconductor chip |
| JP2004079742A (ja) * | 2002-08-16 | 2004-03-11 | Rohm Co Ltd | 半導体チップを使用した半導体装置 |
| JP2006054216A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-23 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオードチップおよびそれを備えたチップ型発光素子 |
| EP1528602A4 (en) * | 2002-05-21 | 2006-08-30 | Rohm Co Ltd | SEMICONDUCTOR WITH SEMICONDUCTOR CHIP |
| EP2270882A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting diode circuit for ambient light |
| KR200456636Y1 (ko) | 2011-06-22 | 2011-11-09 | 김배성 | 측면발광 엘이디를 이용한 조명장치 |
| US10290591B2 (en) * | 2015-03-26 | 2019-05-14 | Kyocera Corporation | Wiring board, electronic device, and electronic module |
| JP2019220694A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2000
- 2000-06-13 JP JP2000177362A patent/JP2001358367A/ja active Pending
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| JP4571458B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2010-10-27 | ローム株式会社 | 発光ダイオードチップを備えたチップ型発光素子 |
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| WO2011001334A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting diode circuit for ambient light |
| KR200456636Y1 (ko) | 2011-06-22 | 2011-11-09 | 김배성 | 측면발광 엘이디를 이용한 조명장치 |
| US10290591B2 (en) * | 2015-03-26 | 2019-05-14 | Kyocera Corporation | Wiring board, electronic device, and electronic module |
| JP2019220694A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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