CN220653600U - 多层基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制在信号导体层与辐射导体层之间的区间产生特性阻抗的不匹配的多层基板。第2连接区间(A12)的线宽方向上的最大宽度小于第1连接区间(A11)的线宽方向上的最大宽度。第1中间区间(A21)包含具有比线路区间(A31)的线宽方向上的宽度大的线宽方向上的宽度的第1粗线区间(A21b)。第2中间区间(A22)包含具有比线路区间(A31)的线宽方向上的宽度大的线宽方向上的宽度的第2粗线区间(A22b)。第1粗线区间(A21b)以及第2粗线区间(A22b)与线路区间(A31)相邻。

Description

多层基板

技术领域

本实用新型涉及具备辐射导体层的多层基板。

背景技术

作为以往的关于多层基板的发明，已知有在专利文献1记载的天线模块。天线模块具备天线封装件以及连接构件。连接构件是具有挠性的带状的基板。连接构件包含供电线。天线封装件固定在连接构件之上。天线封装件包含贴片天线。贴片天线与供电线电连接。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2020/0194893号说明书

可是，在专利文献1记载的天线模块中，有时在贴片天线与供电线之间的区间产生特性阻抗的不匹配。

实用新型内容

实用新型要解决的问题

因此，本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制在信号导体层与辐射导体层之间的区间产生特性阻抗的不匹配的多层基板。

用于解决问题的技术方案

本实用新型的一个方式涉及的多层基板具备：

层叠体，具有将包含中间绝缘体层以及负侧相邻绝缘体层的多个绝缘体层层叠为在Z轴方向上排列的构造，其中，多个绝缘体层各自具有正主面以及位于比所述正主面靠Z轴的负侧的负主面，所述负侧相邻绝缘体层位于所述中间绝缘体层的所述Z轴的负侧，且与所述中间绝缘体层接触；

辐射导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的正侧；

信号导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的负侧；

连接导体层，设置在所述层叠体，且位于所述中间绝缘体层的所述负主面，且包含第1连接区间、第2连接区间、线路区间、第1中间区间以及第2中间区间，其中，所述第1中间区间与所述第1连接区间相邻，所述第2中间区间与所述第2连接区间相邻，所述线路区间与所述第1中间区间以及所述第2中间区间相邻；

第1接地导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述连接导体层以及所述信号导体层靠所述Z轴的负侧，且在所述Z轴方向上观察与所述连接导体层的至少一部分以及所述信号导体层的至少一部分重叠；

第1层间连接导体，与所述第1连接区间接触；以及

第2层间连接导体，与所述第2连接区间接触，

所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体中的一者在所述Z轴方向上贯通所述中间绝缘体层，并将所述辐射导体层和所述连接导体层电连接，

所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体中的另一者在所述Z轴方向上贯通所述负侧相邻绝缘体层，并将所述信号导体层和所述连接导体层电连接，

将所述连接导体层延伸的方向定义为延伸方向，

将与所述延伸方向以及所述Z轴方向正交的方向定义为线宽方向，

所述第1连接区间位于所述延伸方向上的所述连接导体层的第1端部，所述第2连接区间位于所述延伸方向上的所述连接导体层的第2端部，在所述延伸方向上，所述连接导体层的第2端部位于所述连接导体层的第1端部的相反侧，

在所述延伸方向上，所述第1连接区间的两端位于与在所述Z轴方向上观察的所述第1层间连接导体的中心相距相等的距离的位置，

在所述延伸方向上，所述第2连接区间的两端位于与在所述Z轴方向上观察的所述第2层间连接导体的中心相距相等的距离的位置，

所述第2连接区间的所述线宽方向上的最大宽度小于所述第1连接区间的所述线宽方向上的最大宽度，

所述第1中间区间包含第1粗线区间，该第1粗线区间具有比所述线路区间的所述线宽方向上的宽度大的所述线宽方向上的宽度，

所述第2中间区间包含第2粗线区间，该第2粗线区间具有比所述线路区间的所述线宽方向上的宽度大的所述线宽方向上的宽度，

所述第1粗线区间以及所述第2粗线区间与所述线路区间相邻。

实用新型效果

根据本实用新型涉及的多层基板，能够抑制在信号导体层与辐射导体层之间的区间产生特性阻抗的不匹配。

附图说明

图1是多层基板10的分解立体图。

图2是图1的A-A处的多层基板10的剖视图。

图3是连接导体层24的俯视图。

图4是史密斯圆图。

图5是连接导体层24a的俯视图。

图6是连接导体层24b的俯视图。

图7是连接导体层24c的俯视图。

图8是史密斯圆图。

图9是连接导体层24d的俯视图。

图10是多层基板10a的剖视图。

图11是多层基板10b的剖视图。

图12是设置在多层基板10b的连接导体层24的俯视图。

附图标记说明

10、10a、10b：多层基板；

12：层叠体；

12a：第1层叠体部；

12b：第2层叠体部；

14a～14g：绝缘体层；

15a～15c：保护层；

18：第2接地导体层；

20：辐射导体层；

22a、22b、24、24a～24d：连接导体层；

26：信号导体层；

28：第1接地导体层；

A1：第1区间；

A11：第1连接区间；

A12：第2连接区间；

A2：第2区间；

A21：第1中间区间；

A21b：第1粗线区间；

A21a：第1细线区间；

A22：第2中间区间；

A22b：第2粗线区间；

A22a：第2细线区间；

A3：第3区间；

A31：线路区间；

v1～v4：层间连接导体。

具体实施方式

(第1实施方式)

[多层基板10的构造]

以下，参照附图对本实用新型的第1实施方式涉及的多层基板10的构造进行说明。图1是多层基板10的分解立体图。图2是图1的A-A处的多层基板10的剖视图。图3是连接导体层24的俯视图。

以下，将多层基板10的层叠体12的层叠方向定义为上下方向。上下方向与Z轴方向一致。上方向是Z轴的正方向。下方向是Z轴的负方向。在上下方向上观察多层基板10，将多层基板10的边延伸的两个方向分别定义为左右方向以及前后方向。左右方向与X轴方向一致。前后方向与Y轴方向一致。左右方向与上下方向正交。前后方向与上下方向以及左右方向正交。另外，本说明书中的方向的定义是一个例子。因此，多层基板10的实际使用时的方向和本说明书中的方向无需一致。此外，在各附图中，上下方向也可以颠倒。同样地，在各附图中，左右方向也可以颠倒。在各附图中，前后方向也可以颠倒。

以下，X是多层基板10的部件或构件。在本说明书中，在没有特别声明的情况下，像以下那样对X的各部分进行定义。所谓X的前部，意味着X的前半部分。所谓X的后部，意味着X的后半部分。所谓X的左部，意味着X的左半部分。所谓X的右部，意味着X的右半部分。所谓X的上部，意味着X的上半部分。所谓X的下部，意味着X的下半部分。所谓X的前端，意味着X的前方向的端。所谓X的后端，意味着X的后方向的端。所谓X的左端，意味着X的左方向的端。所谓X的右端，意味着X的右方向的端。所谓X的上端，意味着X的上方向的端。所谓X的下端，意味着X的下方向的端。所谓X的前端部，意味着X的前端及其附近。所谓X的后端部，意味着X的后端及其附近。所谓X的左端部，意味着X的左端及其附近。所谓X的右端部，意味着X的右端及其附近。所谓X的上端部，意味着X的上端及其附近。所谓X的下端部，意味着X的下端及其附近。

多层基板10例如用于便携式电话等电子设备。如图1所示，多层基板10具备层叠体12、第2接地导体层18、辐射导体层20、连接导体层22a、22b、24、信号导体层26、第1接地导体层28以及层间连接导体v1～v4。

层叠体12具有板形状。层叠体12具有在Z轴方向上层叠了绝缘体层14a～14g以及保护层15a～15c的构造。在上下方向上观察，绝缘体层14a～14d以及保护层15a具有长方形形状。在上下方向上观察，绝缘体层14e～14g以及保护层15b、15c具有在左右方向上延伸的带形状。保护层15a、绝缘体层14a～14f以及保护层15b从上向下依次排列。在上下方向上观察，绝缘体层14e、14f以及保护层15b从绝缘体层14a～14d向右方向延伸。

绝缘体层14g层叠在绝缘体层14e的上方。绝缘体层14g位于绝缘体层14d的右侧。不过，绝缘体层14g与绝缘体层14d不接触。保护层15c层叠在绝缘体层14g的上方。

像以上那样的绝缘体层14a～14g以及保护层15a～15c分别具有上主面(正主面)以及位于比上主面(正主面)靠下(Z轴的负侧)的下主面(负主面)。此外，绝缘体层14a～14g包含作为中间绝缘体层的绝缘体层14d以及作为负侧相邻绝缘体层的绝缘体层14e。作为负侧相邻绝缘体层的绝缘体层14e位于作为中间绝缘体层的绝缘体层14d的下方(Z轴的负侧)，且与作为中间绝缘体层的绝缘体层14d接触。

绝缘体层14a～14g的材料为聚酰亚胺、液晶聚合物等热塑性树脂。保护层15a～15c是涂敷在绝缘体层的上主面或下主面的绝缘膜。保护层15a～15c分别对辐射导体层20、第1接地导体层28以及第2接地导体层18进行保护。像以上那样的层叠体12具有挠性。

在此，如图2所示，层叠体12具有在左右方向(与Z轴方向正交的X轴方向)上依次排列的第1区间A1、第2区间A2以及第3区间A3。第1区间A1、第2区间A2以及第3区间A3从左向右依次排列。第1区间A1的上下方向(Z轴方向)上的厚度大于第2区间A2的上下方向(Z轴方向)上的厚度。第3区间A3的上下方向(Z轴方向)上的厚度大于第2区间A2的上下方向(Z轴方向)上的厚度。第3区间A3的上下方向(Z轴方向)上的厚度小于第1区间A1的上下方向(Z轴方向)上的厚度。

此外，如图2所示，层叠体12包含第1层叠体部12a以及第2层叠体部12b。第1层叠体部12a包含位于比作为中间绝缘体层的绝缘体层14d靠上(Z轴的正侧)的绝缘体层14a～14c、作为中间绝缘体层的绝缘体层14d、以及保护层15a。第2层叠体部12b包含位于比作为中间绝缘体层的绝缘体层14d靠下(Z轴的负侧)的绝缘体层14e、14f。第2层叠体部12b还包含绝缘体层14g以及保护层15b、15c。层叠体12通过在将第1层叠体部12a热压接并将第2层叠体部12b热压接之后将第1层叠体部12a和第2层叠体部12b热压接而制作。

辐射导体层20作为贴片天线而发挥功能。辐射导体层20对高频信号进行辐射以及/或者接收。如图1所示，辐射导体层20设置在层叠体12。辐射导体层20位于比作为中间绝缘体层的绝缘体层14d靠上(Z轴的正侧)。更详细地，辐射导体层20位于绝缘体层14a的上主面。在上下方向上观察，辐射导体层20具有菱形形状，该菱形形状具有在左右方向以及前后方向上延伸的对角线。

在信号导体层26传输高频信号。如图1所示，信号导体层26设置在层叠体12。信号导体层26位于比作为中间绝缘体层的绝缘体层14d靠下(Z轴的负侧)。更详细地，信号导体层26位于绝缘体层14e的下主面。在上下方向上观察，信号导体层26具有在左右方向上延伸的线形状。如图2所示，信号导体层26位于第1区间A1、第2区间A2以及第3区间A3。

在连接导体层24传输高频信号。连接导体层24设置在层叠体12。连接导体层24位于作为中间绝缘体层的绝缘体层14d的下主面(负主面)。在上下方向上观察，连接导体层24具有在左右方向上延伸的线形状。在上下方向上观察，连接导体层24的右端部与信号导体层26的左端部重叠。如图2所示，连接导体层24位于第1区间A1。连接导体层24不位于第2区间A2以及第3区间A3。

第1接地导体层28与接地电位连接。第1接地导体层28设置在层叠体12。第1接地导体层28位于比连接导体层24以及信号导体层26靠下(Z轴的负侧)。第1接地导体层28位于绝缘体层14f的下主面。第1接地导体层28覆盖绝缘体层14f的下主面的大致整体。由此，在上下方向(Z轴方向)上观察，第1接地导体层28与连接导体层24的至少一部分以及信号导体层26的至少一部分重叠。在本实施方式中，在上下方向上观察，第1接地导体层28与连接导体层24的整体以及信号导体层26的整体重叠。此外，在第1接地导体层28与连接导体层24之间不存在导体。在第1接地导体层28与信号导体层26之间不存在导体。进而，在上下方向(Z轴方向)上观察，第1接地导体层28与辐射导体层20重叠。像以上那样的第1接地导体层28位于第1区间A1、第2区间A2以及第3区间A3。

第2接地导体层18与接地电位连接。第2接地导体层18设置在层叠体12。第2接地导体层18位于比信号导体层26靠上(Z轴的正侧)。第2接地导体层18位于绝缘体层14g的上主面。第2接地导体层18覆盖绝缘体层14g的上主面的大致整体。由此，在上下方向(Z轴方向)上观察，第2接地导体层18与信号导体层26的至少一部分重叠。在本实施方式中，在上下方向上观察，第2接地导体层18与信号导体层26的整体重叠。此外，在第2接地导体层18与信号导体层26之间，不存在层间连接导体v4以及第1接地导体层28以外的导体。像以上那样的第2接地导体层18位于第3区间A3。第2接地导体层18不位于第1区间A1以及第2区间A2。

像以上那样，在第1区间A1以及第2区间A2，信号导体层26与第1接地导体层28一同形成了微带线构造。在第3区间A3，信号导体层26与第1接地导体层28以及第2接地导体层18一同形成了带状线构造。由此，在信号导体层26产生的特性阻抗为给定的特性阻抗(50Ω)。

连接导体层22a位于绝缘体层14b的上主面。连接导体层22a具有在左右方向上延伸的线形状。在上下方向上观察，连接导体层22a的左端部与辐射导体层20重叠。

连接导体层22b位于绝缘体层14c的上主面。连接导体层22b具有在左右方向上延伸的线形状。在上下方向上观察，连接导体层22b的左端部与连接导体层24的左端部重叠。在上下方向上观察，连接导体层22b的右端部与连接导体层22a的右端部重叠。

层间连接导体v1在上下方向上贯通了绝缘体层14a。层间连接导体v1与辐射导体层20以及连接导体层22a的左端部接触。由此，层间连接导体v1将辐射导体层20和连接导体层22a电连接。

层间连接导体v2在上下方向上贯通了绝缘体层14b。层间连接导体v2与连接导体层22a的右端部以及连接导体层22b的右端部接触。由此，层间连接导体v2将连接导体层22a和连接导体层22b电连接。

层间连接导体v3是第2层间连接导体的一个例子。层间连接导体v3在上下方向(Z轴方向)上贯通了作为中间绝缘体层的绝缘体层14d以及绝缘体层14c。层间连接导体v3与连接导体层22b的左端部以及连接导体层24的左端部接触。由此，层间连接导体v3将连接导体层22b和连接导体层24电连接。像这样，层间连接导体v3与辐射导体层20电连接。

层间连接导体v4是第1层间连接导体的一个例子。层间连接导体v4在上下方向(Z轴方向)上贯通了作为负侧相邻绝缘体层的绝缘体层14e。层间连接导体v4与连接导体层24的右端部以及信号导体层26的左端部接触。由此，层间连接导体v4将连接导体层24和信号导体层26电连接。因此，层间连接导体v4与信号导体层26电连接。

在此，从层间连接导体v3到辐射导体层20的电流路径的长度比后述的从层间连接导体v4到辐射导体层20的电流路径的长度短。从层间连接导体v4到信号导体层26的电流路径的长度比从层间连接导体v3到信号导体层26的电流路径的长度短。

像以上那样的第2接地导体层18、辐射导体层20、连接导体层22a、22b、24、信号导体层26以及第1接地导体层28通过对粘附在绝缘体层14a～14g的上主面或下主面的金属箔实施图案化而形成。金属箔例如为铜箔。此外，层间连接导体v1～v3例如通过将导电性膏填充到在上下方向上贯通绝缘体层14a～14d的贯通孔并利用加热使导电性膏固化而形成。层间连接导体v4通过将焊料填充到在上下方向上贯通绝缘体层14e的贯通孔而形成。像这样，作为第2层间连接导体的层间连接导体v3的材料与作为第1层间连接导体的层间连接导体v4的材料不同。

以下，参照图3对连接导体层24的构造的细节进行说明。将连接导体层24延伸的方向定义为延伸方向。延伸方向是左右方向。将与延伸方向以及上下方向(Z轴方向)正交的方向定义为线宽方向。线宽方向是前后方向。

连接导体层24包含第1连接区间A11、第2连接区间A12、线路区间A31、第1中间区间A21以及第2中间区间A22。第1连接区间A11、第1中间区间A21、线路区间A31、第2中间区间A22以及第2连接区间A12从右向左依次排列。因此，第1中间区间A21与第1连接区间A11相邻。第2中间区间A22与第2连接区间A12相邻。线路区间A31与第1中间区间A21以及第2中间区间A22相邻。第1连接区间A11位于延伸方向上的连接导体层24的右端部(第1端部)。第2连接区间A12位于延伸方向上的连接导体层24的左端部(第2端部)。因此，第1连接区间A11的右端与连接导体层24的右端一致。第2连接区间A12的左端与连接导体层24的左端一致。

层间连接导体v4(第1层间连接导体)与第1连接区间A11接触。在作为延伸方向的左右方向上，第1连接区间A11的两端位于与在上下方向(Z轴方向)上观察的层间连接导体v4(第1层间连接导体)的中心相距相等的距离的位置。因此，从层间连接导体v4的中心到第1连接区间A11的左端的距离与从层间连接导体v4的中心到第1连接区间A11的右端的距离相等。

层间连接导体v3(第2层间连接导体)与第2连接区间A12接触。在作为延伸方向的左右方向上，第2连接区间A12的两端位于与在上下方向(Z轴方向)上观察的层间连接导体v3(第2层间连接导体)的中心相距相等的距离的位置。因此，从层间连接导体v3的中心到第2连接区间A12的左端的距离与从层间连接导体v3的中心到第2连接区间A12的右端的距离相等。第2连接区间A12的前后方向(线宽方向)上的最大宽度小于第1连接区间A11的前后方向(线宽方向)上的最大宽度。第1连接区间A11以及第2连接区间A12具有圆形形状。第2连接区间A12的直径小于第1连接区间A11的直径。

第1中间区间A21包含第1细线区间A21a以及第1粗线区间A21b。第1细线区间A21a具有比第1粗线区间A21b的前后方向(线宽方向)上的宽度小的前后方向(线宽方向)上的宽度。第1粗线区间A21b与线路区间A31相邻。第1粗线区间A21b具有比线路区间A31的前后方向(线宽方向)上的宽度大的前后方向(线宽方向)上的宽度。

第2中间区间A22包含第2细线区间A22a以及第2粗线区间A22b。第2细线区间A22a具有比第2粗线区间A22b的前后方向(线宽方向)上的宽度小的前后方向(线宽方向)上的宽度。第2粗线区间A22b与线路区间A31相邻。第2粗线区间A22b具有比线路区间A31的前后方向(线宽方向)上的宽度大的前后方向(线宽方向)上的宽度。

[效果]

根据多层基板10，能够抑制在信号导体层26与辐射导体层20之间的区间产生特性阻抗的不匹配。以下，参照附图进行说明。图4是史密斯圆图。Z0是在线路区间A31产生的特性阻抗。Z0为50Ω。Z1是在第1连接区间A11产生的特性阻抗。Z1例如为20Ω。

更详细地，在多层基板10中，连接导体层24的第1连接区间A11以及第2连接区间A12的线宽方向上的宽度大于线路区间A31的线宽方向上的宽度。此外，层间连接导体v4与第1连接区间A11接触。层间连接导体v3与第2连接区间A12接触。因此，在连接导体层24的第1连接区间A11以及第2连接区间A12产生的特性阻抗容易从所希望的特定阻抗(50ΩΩ)偏离。

因此，连接导体层24包含第1中间区间A21。第1中间区间A21包含具有比第1粗线区间A21b的线宽方向上的宽度小的线宽方向上的宽度的第1细线区间A21a。第1中间区间A21与第1连接区间A11相邻。由此，第1细线区间A21a作为电感而发挥功能。即，在线路区间A31串联地连接有电感器。由此，如图4的史密斯圆图的箭头X1所示，第1细线区间A21a使阻抗以Z1为起点而顺时针地旋转。

此外，第1中间区间A21包含具有比线路区间A31的线宽方向上的宽度大的线宽方向上的宽度的第1粗线区间A21b。而且，第1粗线区间A21b与线路区间A31相邻。此外，在上下方向上观察，第1粗线区间A21b与第1接地导体层28重叠。因此，在第1粗线区间A21b产生电容。即，在线路区间A31并联地连接有电容。由此，如图4的史密斯圆图的箭头X2所示，第1粗线区间A21b使阻抗以箭头X1的前端为起点而顺时针地旋转。

其结果是，通过第1中间区间A21可谋求在线路区间A31产生的特性阻抗和在第1连接区间A11产生的特性阻抗的匹配。另外，虽然省略说明，但是基于相同的原理，通过第2中间区间A22可谋求在线路区间A31产生的特性阻抗和在第2连接区间A12产生的特性阻抗的匹配。通过以上，根据多层基板10，能够抑制在信号导体层26与辐射导体层20之间的区间产生特性阻抗的不匹配。而且，通过抑制在信号导体层26与辐射导体层20之间的区间产生特性阻抗的不匹配，从而可谋求多层基板10的宽带化。

此外，根据多层基板10，可更可靠地连接第1连接区间A11和层间连接导体v4。更详细地，层叠体12通过在将第1层叠体部12a热压接并将第2层叠体部12b热压接之后将第1层叠体部12a和第2层叠体部12b热压接而制作。在第1层叠体部12a和第2层叠体部12b的热压接时，第1连接区间A11和层间连接导体v4被连接。因此，第1连接区间A11的线宽方向上的最大宽度大于第2连接区间A12的线宽方向上的最大宽度。由此，可更可靠地连接第1连接区间A11和层间连接导体v4。

(第1变形例)

以下，参照附图对第1变形例涉及的连接导体层24a进行说明。图5是连接导体层24a的俯视图。

连接导体层24a在以下的方面与连接导体层24不同。

·第1粗线区间A21b的线宽方向上的宽度w1大于第2粗线区间A22b的线宽方向上的宽度w2。

·第1细线区间A21a的线宽方向上的宽度w11以及第2细线区间A22a的线宽方向上的宽度w12小于线路区间A31的线宽方向上的宽度w3。

连接导体层24a的其它构造与连接导体层24的构造相同，因此省略说明。具备连接导体层24a的多层基板10能够达到与具备连接导体层24的多层基板10相同的作用效果。

此外，根据具备连接导体层24a的多层基板10，通过第1中间区间A21可谋求在线路区间A31产生的特性阻抗和在第1连接区间A11产生的特性阻抗的匹配。第1连接区间A11的线宽方向上的最大宽度大于第2连接区间A12的线宽方向上的最大宽度。因此，在第1连接区间A11产生的特性阻抗小于在第2连接区间A12产生的特性阻抗。即，给定的特性阻抗(50Ω)与在第1连接区间A11产生的特性阻抗之差变大。因此，第1粗线区间A21b的线宽方向上的宽度w1大于第2粗线区间A22b的线宽方向上的宽度w2。由此，在第1粗线区间A21b产生的电容值变大。第1细线区间A21a的线宽方向上的宽度w11以及第2细线区间A22a的线宽方向上的宽度w12小于线路区间A31的线宽方向上的宽度w3。由此，在第1细线区间A21a产生的电感值变大。其结果是，通过第1中间区间A21可谋求在线路区间A31产生的特性阻抗和在第1连接区间A11产生的特性阻抗的匹配。

(第2变形例)

以下，参照附图对第2变形例涉及的连接导体层24b进行说明。图6是连接导体层24b的俯视图。

连接导体层24b在第1粗线区间A21b以及第2粗线区间A22b的形状上与连接导体层24a不同。第1粗线区间A21b以及第2粗线区间A22b具有锥形形状。第1粗线区间A21b以及第2粗线区间A22b的线宽方向上的宽度随着接近线路区间A31而变小。由此，可抑制在第1粗线区间A21b以及第2粗线区间A22b产生的特性阻抗的陡峭变化。连接导体层24b的其它构造与连接导体层24a相同。具备连接导体层24b的多层基板10能够达到与具备连接导体层24a的多层基板10相同的作用效果。

(第3变形例)

以下，参照附图对第3变形例涉及的连接导体层24c进行说明。图7是连接导体层24c的俯视图。

连接导体层24c与连接导体层24的不同点在于，不存在第1细线区间A21a以及第2细线区间A22a。第1粗线区间A21b与第1连接区间A11相邻。第2粗线区间A22b与第2连接区间A12相邻。连接导体层24c的其它构造与连接导体层24相同，因此省略说明。

根据具备连接导体层24c的多层基板10，能够抑制在信号导体层26与辐射导体层20之间的区间产生特性阻抗的不匹配。以下，参照附图进行说明。图8是史密斯圆图。Z0是在线路区间A31产生的特性阻抗。Z0为50Ω。Z1是在第1连接区间A11产生的特性阻抗。Z1例如为20Ω。

更详细地，在多层基板10中，连接导体层24c的第1连接区间A11以及第2连接区间A12的线宽方向上的宽度大于线路区间A31的线宽方向上的宽度。此外，层间连接导体v4与第1连接区间A11接触。层间连接导体v3与第2连接区间A12接触。因此，在连接导体层24c的第1连接区间A11以及第2连接区间A12产生的特性阻抗容易从所希望的特定阻抗(50Ω)偏离。

因此，连接导体层24c包含第1中间区间A21。在上下方向上观察，第1粗线区间A21b与第1接地导体层28重叠。由此，第1粗线区间A21b作为传输线路而发挥功能。第1中间区间A21包含具有比线路区间A31的线宽方向上的宽度大的线宽方向上的宽度的第1粗线区间A21b。因此，在第1粗线区间A21b产生的特性阻抗Z2小于给定的特性阻抗(50Ω)。由此，阻抗沿着以在第1粗线区间A21b产生的特性阻抗Z2为中心且通过Z0的圆移动。因此，在第1粗线区间A21b产生的特性阻抗Z2被设定为合适的值，且第1粗线区间A21b的长度被设定为合适的长度。由此，通过第1中间区间A21可谋求在线路区间A31产生的特性阻抗和在第1连接区间A11产生的特性阻抗的匹配。另外，虽然省略说明，但是基于相同的原理，通过第2中间区间A22可谋求在线路区间A31产生的特性阻抗和在第2连接区间A12产生的特性阻抗的匹配。通过以上，根据具备连接导体层24c的多层基板10，能够抑制在信号导体层26与辐射导体层20之间的区间产生特性阻抗的不匹配。

(第4变形例)

以下，参照附图对第4变形例涉及的连接导体层24d进行说明。图9是连接导体层24d的俯视图。

连接导体层24d与连接导体层24的不同点在于，在上下方向上观察，线路区间A31弯曲。像这样，线路区间A31也可以不具有直线形状。连接导体层24d的其它构造与连接导体层24相同，因此省略说明。具备连接导体层24d的多层基板10能够达到与具备连接导体层24的多层基板10相同的作用效果。

(第2实施方式)

以下，参照附图对第2实施方式涉及的多层基板10a进行说明。图10是多层基板10a的剖视图。

多层基板10a与多层基板10的不同点在于，第2层叠体部12b的主要的绝缘材料与第1层叠体部12a的主要的绝缘材料不同。第2层叠体部12b的主要的绝缘材料的杨氏模量比第1层叠体部12a的主要的绝缘材料的杨氏模量低。第1层叠体部12a的材料为特氟龙(Tef1on，注册商标)、FR-4。第2层叠体部12b的材料例如为聚酰亚胺、液晶聚合物。多层基板10a的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10a能够达到与多层基板10相同的作用效果。

在多层基板10a中，第2层叠体部12b的主要的绝缘材料的杨氏模量比第1层叠体部12a的主要的绝缘材料的杨氏模量低。由此，能够容易地将第2层叠体部12b加工成任意的形状。

(第3实施方式)

以下，参照附图对第3实施方式涉及的多层基板10b进行说明。图11是多层基板10b的剖视图。图12是设置在多层基板10b的连接导体层24的俯视图。

多层基板10b与多层基板10的不同点主要在于，层间连接导体v3位于信号导体层26侧，层间连接导体v4位于辐射导体层20侧。

在第3实施方式中，不仅绝缘体层14e、14f从绝缘体层14a～14c向右方向延伸，绝缘体层14d也从绝缘体层14a～14c向右方向延伸。绝缘体层14g层叠在绝缘体层14d的上方。在第3实施方式中，绝缘体层14c相当于中间绝缘体层，绝缘体层14d相当于负侧相邻绝缘体层。

第1层叠体部12a包含绝缘体层14a～14c以及保护层15a。第2层叠体部12b包含绝缘体层14d～14g以及保护层15b、15c。层叠体12通过在将第1层叠体部12a热压接并将第2层叠体部12b热压接之后将第1层叠体部12a和第2层叠体部12b热压接而制作。

连接导体层24位于绝缘体层14d的上主面。如图12所示，连接导体层24设置为从第1连接区间A11朝向第2连接区间A12的方向与右方向一致。在第3实施方式中，连接导体层24的左端部相当于连接导体层24的第1端部，连接导体层24的右端部相当于连接导体层24的第2端部。

层间连接导体v3在上下方向上贯通了绝缘体层14d、14e。层间连接导体v3与连接导体层24的右端部即连接导体层24的第2连接区间A12以及信号导体层26的左端部接触。由此，层间连接导体v3将连接导体层24和信号导体层26电连接。因此，层间连接导体v3与信号导体层26电连接。

层间连接导体v4在上下方向上贯通了绝缘体层14c。层间连接导体v4与连接导体层22b的左端部以及连接导体层24的左端部即连接导体层24的第1连接区间A11接触。由此，层间连接导体v4将连接导体层22b和连接导体层24电连接。因此，层间连接导体v4与辐射导体层20电连接。

在此，从层间连接导体v4到辐射导体层20的电流路径的长度比从层间连接导体v3到辐射导体层20的电流路径的长度短。从层间连接导体v3到信号导体层26的电流路径的长度比从层间连接导体v4到信号导体层26的电流路径的长度短。

多层基板10b的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10b能够达到与多层基板10相同的作用效果。

(其它实施方式)

本实用新型涉及的多层基板并不限于多层基板10、10a、10b，能够在其主旨的范围内进行变更。此外，也可以将多层基板10、10a、10b的构造任意地组合。此外，也可以将连接导体层24、24a～24d的构造任意地组合。

另外，第1粗线区间A21b的线宽方向上的宽度也可以为第2粗线区间A22b的线宽方向上的宽度以下。

另外，第1细线区间A21a的线宽方向上的宽度以及第2细线区间A22a的线宽方向上的宽度也可以为线路区间A31的线宽方向上的宽度以上。

另外，多层基板10、10a、10b也可以还具备接地导体，该接地导***于比信号导体层26靠上，且在上下方向上观察与信号导体层26重叠。

另外，层叠体12也可以不具有挠性。

另外，绝缘体层14a～14g的材料也可以是热塑性树脂以外的材料。

另外，作为第2层间连接导体的层间连接导体v3的材料也可以与作为第1层间连接导体的层间连接导体v4的材料相同。

本实用新型具备以下的构造。

(1)一种多层基板，具备：

层叠体，具有将包含中间绝缘体层以及负侧相邻绝缘体层的多个绝缘体层层叠为在Z轴方向上排列的构造，其中，多个绝缘体层各自具有正主面以及位于比所述正主面靠Z轴的负侧的负主面，所述负侧相邻绝缘体层位于所述中间绝缘体层的所述Z轴的负侧，且与所述中间绝缘体层接触；

辐射导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的正侧；

信号导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的负侧；

连接导体层，设置在所述层叠体，且位于所述中间绝缘体层的所述负主面，且包含第1连接区间、第2连接区间、线路区间、第1中间区间以及第2中间区间，其中，所述第1中间区间与所述第1连接区间相邻，所述第2中间区间与所述第2连接区间相邻，所述线路区间与所述第1中间区间以及所述第2中间区间相邻；

第1接地导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述连接导体层以及所述信号导体层靠所述Z轴的负侧，且在所述Z轴方向上观察与所述连接导体层的至少一部分以及所述信号导体层的至少一部分重叠；

第1层间连接导体，与所述第1连接区间接触；以及

第2层间连接导体，与所述第2连接区间接触，

所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体中的一者在所述Z轴方向上贯通所述中间绝缘体层，并将所述辐射导体层和所述连接导体层电连接，

所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体中的另一者在所述Z轴方向上贯通所述负侧相邻绝缘体层，并将所述信号导体层和所述连接导体层电连接，

将所述连接导体层延伸的方向定义为延伸方向，

将与所述延伸方向以及所述Z轴方向正交的方向定义为线宽方向，

所述第1连接区间位于所述延伸方向上的所述连接导体层的第1端部，所述第2连接区间位于所述延伸方向上的所述连接导体层的第2端部，在所述延伸方向上，所述连接导体层的第2端部位于所述连接导体层的第1端部的相反侧，

在所述延伸方向上，所述第1连接区间的两端位于与在所述Z轴方向上观察的所述第1层间连接导体的中心相距相等的距离的位置，

在所述延伸方向上，所述第2连接区间的两端位于与在所述Z轴方向上观察的所述第2层间连接导体的中心相距相等的距离的位置，

所述第2连接区间的所述线宽方向上的最大宽度小于所述第1连接区间的所述线宽方向上的最大宽度，

所述第1中间区间包含第1粗线区间，该第1粗线区间具有比所述线路区间的所述线宽方向上的宽度大的所述线宽方向上的宽度，

所述第2中间区间包含第2粗线区间，该第2粗线区间具有比所述线路区间的所述线宽方向上的宽度大的所述线宽方向上的宽度，

所述第1粗线区间以及所述第2粗线区间与所述线路区间相邻。

(2)根据(1)记载的多层基板，其中，

所述第1粗线区间的所述线宽方向上的宽度大于所述第2粗线区间的所述线宽方向上的宽度。

(3)根据(1)或(2)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述第1中间区间包含第1细线区间，该第1细线区间具有比所述第1粗线区间的所述线宽方向上的宽度小的所述线宽方向上的宽度，

所述第2中间区间包含第2细线区间，该第2细线区间具有比所述第2粗线区间的所述线宽方向上的宽度小的所述线宽方向上的宽度，

所述第1细线区间与所述第1连接区间相邻，

所述第2细线区间与所述第2连接区间相邻。

(4)根据(3)记载的多层基板，其中，

所述第1细线区间的所述线宽方向上的宽度以及所述第2细线区间的所述线宽方向上的宽度小于所述线路区间的所述线宽方向上的宽度。

(5)根据(1)至(4)中的任一项记载的多层基板，其中，

在所述Z轴方向上观察，所述第1接地导体层与所述辐射导体层重叠。

(6)根据(1)至(5)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述层叠体具有在与所述Z轴方向正交的X轴方向上排列的第1区间以及第2区间，

所述第1区间的所述Z轴方向上的厚度大于所述第2区间的所述Z轴方向上的厚度，

所述连接导体层位于所述第1区间，

所述信号导体层位于所述第1区间以及所述第2区间。

(7)根据(1)至(6)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述层叠体具有在与所述Z轴方向正交的X轴方向上依次排列的第1区间、第2区间以及第3区间，

所述第1区间的所述Z轴方向上的厚度大于所述第2区间的所述Z轴方向上的厚度，

所述第3区间的所述Z轴方向上的厚度大于所述第2区间的所述Z轴方向上的厚度，

所述多层基板还具备第2接地导体层，该第2接地导体层位于所述第3区间且不位于所述第1区间以及所述第2区间，

所述第1接地导体层位于所述第1区间、所述第2区间以及所述第3区间，

所述第2接地导体层位于比所述信号导体层靠所述Z轴的正侧，且在所述Z轴方向上观察与所述信号导体层的至少一部分重叠，

在所述第1区间以及所述第2区间，所述信号导体层与所述第1接地导体层一同形成了微带线构造，

在所述第3区间，所述信号导体层与所述第1接地导体层以及所述第2接地导体层一同形成了带状线构造。

(8)根据(1)至(7)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述层叠体包含第1层叠体部以及第2层叠体部，

所述第1层叠体部包含位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的正侧的一个以上的所述绝缘体层以及所述中间绝缘体层，

所述第2层叠体部包含位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的负侧的一个以上的所述绝缘体层，

所述第2层叠体部的主要的绝缘材料与所述第1层叠体部的主要的绝缘材料不同。

(9)根据(8)记载的多层基板，其中，

所述第2层叠体部的主要的绝缘材料的杨氏模量比所述第1层叠体部的主要的绝缘材料的杨氏模量低。

(10)根据(8)或(9)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述第2层间连接导体的材料与所述第1层间连接导体的材料不同。

(11)根据(1)至(10)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述层叠体具有挠性。

(12)根据(1)至(11)中的任一项记载的多层基板，其中，所述多个绝缘体层的材料为热塑性树脂。

Claims (12)

1.一种多层基板，其特征在于，具备：

层叠体，具有将包含中间绝缘体层以及负侧相邻绝缘体层的多个绝缘体层层叠为在Z轴方向上排列的构造，其中，多个绝缘体层各自具有正主面以及位于比所述正主面靠Z轴的负侧的负主面，所述负侧相邻绝缘体层位于所述中间绝缘体层的所述Z轴的负侧，且与所述中间绝缘体层接触；

辐射导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的正侧；

信号导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的负侧；

连接导体层，设置在所述层叠体，且位于所述中间绝缘体层的所述负主面，且包含第1连接区间、第2连接区间、线路区间、第1中间区间以及第2中间区间，其中，所述第1中间区间与所述第1连接区间相邻，所述第2中间区间与所述第2连接区间相邻，所述线路区间与所述第l中间区间以及所述第2中间区间相邻；

第1接地导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述连接导体层以及所述信号导体层靠所述Z轴的负侧，且在所述Z轴方向上观察与所述连接导体层的至少一部分以及所述信号导体层的至少一部分重叠；

第1层间连接导体，与所述第1连接区间接触；以及

第2层间连接导体，与所述第2连接区间接触，

所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体中的一者在所述Z轴方向上贯通所述中间绝缘体层，并将所述辐射导体层和所述连接导体层电连接，

所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体中的另一者在所述Z轴方向上贯通所述负侧相邻绝缘体层，并将所述信号导体层和所述连接导体层电连接，

将所述连接导体层延伸的方向定义为延伸方向，

将与所述延伸方向以及所述Z轴方向正交的方向定义为线宽方向，

所述第1连接区间位于所述延伸方向上的所述连接导体层的第1端部，所述第2连接区间位于所述延伸方向上的所述连接导体层的第2端部，在所述延伸方向上，所述连接导体层的第2端部位于所述连接导体层的第1端部的相反侧，

在所述延伸方向上，所述第1连接区间的两端位于与在所述Z轴方向上观察的所述第1层间连接导体的中心相距相等的距离的位置，

在所述延伸方向上，所述第2连接区间的两端位于与在所述Z轴方向上观察的所述第2层间连接导体的中心相距相等的距离的位置，

所述第2连接区间的所述线宽方向上的最大宽度小于所述第1连接区间的所述线宽方向上的最大宽度，

所述第1中间区间包含第1粗线区间，该第1粗线区间具有比所述线路区间的所述线宽方向上的宽度大的所述线宽方向上的宽度，

所述第2中间区间包含第2粗线区间，该第2粗线区间具有比所述线路区间的所述线宽方向上的宽度大的所述线宽方向上的宽度，

所述第1粗线区间以及所述第2粗线区间与所述线路区间相邻。

2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

所述第1粗线区间的所述线宽方向上的宽度大于所述第2粗线区间的所述线宽方向上的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述第1中间区间包含第1细线区间，该第1细线区间具有比所述第1粗线区间的所述线宽方向上的宽度小的所述线宽方向上的宽度，

所述第2中间区间包含第2细线区间，该第2细线区间具有比所述第2粗线区间的所述线宽方向上的宽度小的所述线宽方向上的宽度，

所述第1细线区间与所述第1连接区间相邻，

所述第2细线区间与所述第2连接区间相邻。

4.根据权利要求3所述的多层基板，其特征在于，

所述第1细线区间的所述线宽方向上的宽度以及所述第2细线区间的所述线宽方向上的宽度小于所述线路区间的所述线宽方向上的宽度。

5.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在所述Z轴方向上观察，所述第1接地导体层与所述辐射导体层重叠。

6.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有在与所述Z轴方向正交的X轴方向上排列的第1区间以及第2区间，

所述第1区间的所述Z轴方向上的厚度大于所述第2区间的所述Z轴方向上的厚度，

所述连接导体层位于所述第1区间，

所述信号导体层位于所述第1区间以及所述第2区间。

7.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有在与所述Z轴方向正交的X轴方向上依次排列的第1区间、第2区间以及第3区间，

所述第1区间的所述Z轴方向上的厚度大于所述第2区间的所述Z轴方向上的厚度，

所述第3区间的所述Z轴方向上的厚度大于所述第2区间的所述Z轴方向上的厚度，

所述多层基板还具备第2接地导体层，该第2接地导体层位于所述第3区间且不位于所述第1区间以及所述第2区间，

所述第1接地导体层位于所述第1区间、所述第2区间以及所述第3区间，

所述第2接地导体层位于比所述信号导体层靠所述Z轴的正侧，且在所述Z轴方向上观察与所述信号导体层的至少一部分重叠，

在所述第1区间以及所述第2区间，所述信号导体层与所述第1接地导体层一同形成了微带线构造，

在所述第3区间，所述信号导体层与所述第1接地导体层以及所述第2接地导体层一同形成了带状线构造。

8.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体包含第1层叠体部以及第2层叠体部，

所述第1层叠体部包含位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的正侧的一个以上的所述绝缘体层以及所述中间绝缘体层，

所述第2层叠体部包含位于比所述中间绝缘体层靠所述Z轴的负侧的一个以上的所述绝缘体层，

所述第2层叠体部的主要的绝缘材料与所述第1层叠体部的主要的绝缘材料不同。

9.根据权利要求8所述的多层基板，其特征在于，

所述第2层叠体部的主要的绝缘材料的杨氏模量比所述第1层叠体部的主要的绝缘材料的杨氏模量低。

10.根据权利要求8所述的多层基板，其特征在于，

所述第2层间连接导体的材料与所述第1层间连接导体的材料不同。

11.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有挠性。

12.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述多个绝缘体层的材料为热塑性树脂。