CN218351112U - 一种像素驱动电路及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种像素驱动电路及显示面板,所述像素驱动电路包括:第一发光单元;第二发光单元;第一控制电路,所述第一控制电路的输出端电性连接于所述第一发光单元的输入端;第二控制电路,所述第二控制电路的输出端电性连接于所述第二发光单元的输入端;驱动电路,所述驱动电路电性连接于所述第一控制电路和所述第二控制电路的输入端,且所述第一控制电路包括第一发光控制晶体管,所述第二控制电路包括第二发光控制晶体管。通过本实用新型提供的像素驱动电路,提升了显示面板在低灰阶时的图像层次感。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。
背景技术
随着科技的不断发展,显示面板无处不在,在智能电视、智慧医疗、智能办公等领域应用广泛。而随着人们消费水平的增加以及各行业的快速发展,显示面板的市场需求也会不断扩大。在对生活带来便利的同时,人们对显示面板的要求也越来越高,需要突破更多技术问题实现。其中,现有的显示面板中的像素驱动电路,对灰阶控制存在难度,使得显示面板在低灰阶时图像层次感差,影响显示面板的显示画质。
因此,找到一种高效可靠的技术方案提升低灰阶时显示面板的显示画质是亟需解决的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种像素驱动电路及显示面板,旨在解决低灰阶时显示面板的显示画质差的问题。
本实用新型提供一种像素驱动电路,包括:
第一发光单元;
第二发光单元;
第一控制电路,所述第一控制电路的输出端电性连接于所述第一发光单元的输入端;
第二控制电路,所述第二控制电路的输出端电性连接于所述第二发光单元的输入端;以及
驱动电路,所述驱动电路电性连接于所述第一控制电路和所述第二控制电路的输入端,且所述第一控制电路包括第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的漏极端电性连接于所述驱动电路,所述第一发光控制晶体管的源极端电性连接于所述第一发光单元;所述第二控制电路包括第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的漏极端电性连接于所述驱动电路,所述第二发光控制晶体管的源极端电性连接于所述第二发光单元。
上述的像素驱动电路,通过设置第一控制电路和第二控制电路,且分别与第一发光单元和第二发光单元电性连接,实现对二极管发光的精准控制。在本实施例中,该像素驱动电路降低对灰阶控制的难度,解决低灰阶时图像层次感差的问题,扩展了发光二极管的亮度范围,提升了显示面板的画质。
可选地,所述驱动电路包括第一驱动晶体管,所述第一驱动晶体管电性连接于所述第一控制电路和所述第二控制电路,漏极端电性连接于电源电压。
所述第一驱动晶体管控制所述第一控制电路和所述第二控制电路获取驱动电流。
可选地,所述驱动电路包括第一开关晶体管,所述第一开关晶体管的漏极端电性连接于所述第一驱动晶体管的栅极端,栅极端电性连接于第一扫描控制信号,源极端电性连接于第一数据电压。
所述第一扫描控制信号控制所述第一驱动晶体管是否导通,进而控制所述第一数据电压输入所述第一驱动晶体管。
可选地,所述驱动电路包括第一电容器,所述第一电容器一端电性连接于所述第一开关晶体管的漏极端和第一驱动晶体管的栅极端,另一端电性连接于所述第一驱动晶体管的漏极端和所述电源电压。
所述第一电容器可控制所述第一驱动晶体管栅极端的充电。
可选地,所述第一控制电路包括第一选择晶体管,所述第一选择晶体管电性连接于所述第二开关晶体管的栅极端。
所述第一选择晶体管控制所述第二开关晶体管是否导通。
可选地,所述第二控制电路包括第二选择晶体管,所述第二选择晶体管电性连接于所述第二发光单元的一端。
所述第二选择晶体管控制所述第三开关晶体管是否导通。
可选地,所述像素驱动电路还包括功能电路,所述功能电路包括电压控制晶体管,所述电压控制晶体管的漏极端电性连接于所述驱动电路,栅极端电性连接于发光控制信号,源极端电性连接于所述第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管的漏极端。
所述发光控制信号控制所述电压控制晶体管是否导通。
可选地,所述像素驱动电路还包括复位电路,所述复位电路包括复位晶体管,所述复位晶体管的漏极端电性连接于复位信号,栅极端电性连接于第二扫描控制信号,源极端电性连接于所述第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管的漏极端。
所述第二扫描控制信号控制所述复位晶体管是否导通。
可选地,所述第一发光单元和所述第二发光单元的输出端电性连接于电源信号端。
所述电源信号端为所述第一发光单元和所述第二发光单元提供电压。
基于同样的发明构思,本申请还提供一种显示面板,包括上述所述的像素驱动电路。
上述所述显示面板,设置所述像素驱动电路,提升了显示面板在低灰阶时的图像层次感,提高了显示面板的显示画质。
附图说明
图1为一种像素驱动电路示意图;
图2为本实用新型中一种像素驱动电路示意图;
图3为本实用新型图2中像素驱动电路在高亮度的时序状态图;
图4为本实用新型图2中像素驱动电路在低灰阶的时序状态图;
图5为本实用新型中一种像素驱动电路示意图;
图6为本实用新型图5中像素驱动电路在高亮度的时序状态图;
图7为本实用新型图5中像素驱动电路在低灰阶的时序状态图;
图8为本实用新型中一种像素驱动电路示意图;
图9为本实用新型图8中像素驱动电路在高亮度的时序状态图;
图10为本实用新型图8中像素驱动电路在低灰阶的时序状态图。
附图标100-驱动电路;200-第一控制电路;300-第二控制电路;400-功能电路;500-复位电路;600-补偿电路;VDD-电源电压;Vscan-扫描控制信号;Vdata-数据电压;TS-开关晶体管;TD-驱动晶体管;C-电容器;D-发光单元;VEE-电源信号端;Vscan1-第一扫描控制信号;Vscan2-第二扫描控制信号;Vscan3-第三扫描控制信号;Vdata1-第一数据电压;TS1-第一开关晶体管;TS2-第二开关晶体管;TS3-第三开关晶体管;TS4-第四开关晶体管;TS5-第五开关晶体管;TS6-第六开关晶体管;TS7-第七开关晶体管;TS8-第八开关晶体管;TD1-第一驱动晶体管;C1-第一电容器;D1-第一发光单元;D2-第二发光单元;MUX1-第一选择晶体管;MUX2-第二选择晶体管;Emit-发光控制信号;Vint-电源输入端;Ref-复位信号;H0-复位阶段;H1-控制阶段;H2-发光阶段。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“多个”表示至少两个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而且可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
首先需要说明的是,在本实施例中,采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性的相同器件。其中,按照晶体管的特性还可以分为P型晶体管和N型晶体管,在本实施例中,采用的晶体管为N型晶体管,主要应用于电流放大和开关作用,当栅极端输入高电平时,晶体管导通。通过多个晶体管的共同作用,精准控制二极管发光,提升显示面板的显示画质。
请参阅图1所示,像素驱动电路包括开关晶体管TS、驱动晶体管TD、电容器C和发光单元D。其中,开关晶体管TS的源极端连接数据电压Vdata,栅极端连接扫描控制信号Vscan,漏极端连接驱动晶体管TD的栅极端,通过扫描控制信号Vscan控制开关晶体管TS的通断,从而控制数据电压Vdata的输入。电容器C一端连接电源电压VDD和驱动晶体管TD的漏极端,另一端连接驱动晶体管TD的栅极端和开关晶体管TS的漏极端。驱动晶体管TD的漏极端连接电源电压VDD,源极端连接发光单元D的阳极。发光单元D的阴极连接电源信号端VEE。在本实施例中,发光单元D设置例如发光二极管,通过输入电源电压VDD和数据电压Vdata,,以此控制驱动晶体管TD的通断和电流大小,从而控制发光单元D的亮度范围。由于在显示面板低灰阶时,驱动晶体管TD在低电流密度时精细度比较难以控制,驱动晶体管TD的栅极端电压在对应小电流时难以做到,并且小电流密度对发光单元D的发光效率影响较大,加大了对灰阶控制的难度,从而影响显示面板的显示画质。
基于此,本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案,其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参阅图2所示,本实用新型提供的像素驱动电路包括驱动电路100、第一控制电路200、第二控制电路300、第一发光单元D1和第二发光单元D2。驱动电路100的输出端与第一控制电路200和第二控制电路300的输入端连接,通过驱动电路100输出驱动电流至第一控制电路200和第二控制电路300。第一控制电路200的输出端与第一发光单元D1连接,通过第一控制电路200输出信号,控制第一发光单元D1点亮。第二控制电路300的输出端与第二发光单元D2连接,通过第二控制电路300输出信号,控制第二发光单元D2连接。
请参阅图2所示,在本实用新型一实施例中,第一发光单元D1和第二发光单元D2与电源信号端VEE连接,且第一发光单元D1和第二发光单元D2的发光强度不相同。在一实施例中,第一发光单元D1和第二发光单元D2设置例如LED(Light-Emitting DioDe,发光二极管),则第一发光单元D1的功率大于第二发光单元D2的功率。在另一实施例中,第一发光单元D1和第二发光单元D2设置例如OLED(OrganiC Light-Emitting DioDe,有机发光二极管),则第一发光单元D1的发光面积大于第二发光单元D2的发光面积。
具体的,请参阅图2所示,在本实用新型一实施例中,驱动电路100包括第一开关晶体管TS1、第一驱动晶体管TD1和第一电容器C1。第一开关晶体管TS1的源极端连接第一数据电压Vdata1,栅极端连接第一扫描控制信号Vscan1,漏极端连接第一驱动晶体管TD1的栅极端,通过第一扫描控制信号Vscan1控制第一开关晶体管TS1的通断,从而控制第一数据电压Vdata1的输入。第一电容器C1一端连接电源电压VDD和第一驱动晶体管TD1的漏极端,另一端连接第一驱动晶体管TD1的栅极端和第一开关晶体管TS1的漏极端,且第一电容器C1两端的电位差可变为第一驱动晶体管TD1的阈值电压。第一驱动晶体管TD1的漏极端连接电源电压VDD,源极端连接第一控制电路200和第二控制电路300。
请参阅图2所示,在本实用新型一实施例中,第一控制电路200包括第二开关晶体管TS2和第一选择晶体管MUX1。在本实施例中,第二开关晶体管TS2为第一发光控制晶体管,通过第二开关晶体管TS2控制第一发光单元D1的发光。第二开关晶体管TS2的漏极端与第一驱动晶体管TD1的源极端连接,栅极端与第一选择晶体管MUX1连接,源极端与第一发光单元D1连接。通过第一选择晶体管MUX1控制第二开关晶体管TS2的通断,从而控制第一发光单元D1的发光。
请参阅图2所示,在本实用新型一实施例中,第二控制电路300包括第三开关晶体管TS3和第二选择晶体管MUX2。在本实施例中,第三开关晶体管TS3为第二发光控制晶体管,通过第三开关晶体管TS3控制第二发光单元D2的发光。第三开关晶体管TS3的漏极端与第一驱动晶体管TD1的源极端连接,栅极端与第二选择晶体管MUX2连接,源极端与第二发光单元D2连接。通过第二选择晶体管MUX2控制第三开关晶体管TS3的通断,从而控制第二发光单元D2的发光。
具体的,请参阅图2和图3所示,在本实用新型一实施例中,使用本申请提供的像素驱动电路控制第一发光单元D1和第二发光单元D2时,具有多种模式。当处于高亮度模式时,像素驱动电路的控制时序如图3所示。具体的,在控制阶段H1,将第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为低电位,控制第二开关晶体管TS2和第三开关晶体管TS3截止。将第一扫描控制信号Vscan1和第一数据电压Vdata1设置为高电位,通过第一扫描控制信号Vscan1控制第一开关晶体管TS1导通,从而控制第一数据电压Vdata1的输入。输入电源电压VDD,通过第一电容器C1,完成第一驱动晶体管TD1栅极端的充电。在发光阶段H2,将第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为高电位,第二开关晶体管TS2和第三开关晶体管TS3导通,输出信号控制第一发光单元D1和第二发光单元D2发出高亮度。
请参阅图2和图4所示,在本实用新型一实施例中,当处于低灰阶模式时,像素驱动电路的控制时序如图4所示。具体的,在控制阶段H1,与上述图3所示实施例一致。在发光阶段H2,将第一选择晶体管MUX1设置为低电位,控制第二开关晶体管TS2截止,使得第一发光单元D1与第一驱动晶体管TD1断开。将第二选择晶体管MUX2设置为高电位,控制第三开关晶体管TS3导通,输出信号控制第二发光单元D2在低灰阶时发光。
请参阅图5所示,在本实用新型一实施例中,功能电路400包括第四开关晶体管TS4。在本实施例中,第四开关晶体管TS4为电压控制晶体管,通过第四开关晶体管TS4控制驱动电路100与第一控制电路200和第二控制电路300的连接。第四开关晶体管TS4的漏极端连接第一驱动晶体管TD1的源极端,栅极端连接发光控制信号Emit,源极端连接第一控制电路200和第二控制电路300。通过发光控制信号Emit控制第四开关晶体管TS4的通断,进而控制驱动电流的输出。
具体的,请参阅图5和图6所示,在本实用新型一实施例中,当像素驱动电路设置有功能电路400时,在高亮度模式下的控制时序如图6所示。具体的,在控制阶段H1,将发光控制信号Emit、第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为低电位,控制第四开关晶体管TS4、第二开关晶体管TS2和第三开关晶体管TS3截止,使得第一发光单元D1和第二发光单元D2与第一驱动晶体管TD1断开。将第一扫描控制信号Vscan1和第一数据电压Vdata1设置为高电位,通过第一扫描控制信号Vscan1控制第一开关晶体管TS1导通,从而控制第一数据电压Vdata1的输入,此时完成第一驱动晶体管TD1栅极端的充电。在发光阶段H2,将发光控制信号Emit、第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为高电位,控制第四开关晶体管TS4、第二开关晶体管TS2和第三开关晶体管TS3导通,使得第一驱动晶体管TD1通过功能电路400输出驱动电流,控制第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2输出信号控制第一发光单元D1和第二发光单元D2发出高亮度。
请参阅图5和图7所示,在本实用新型一实施例中,当处于低灰阶模式时,像素驱动电路的控制时序如图7所示。具体的,在控制阶段H1,与上述图6所示实施例一致。在发光阶段H2,将发光控制信号Emit设置为高电位,控制第四开关晶体管TS4导通,输出驱动电流。将第一选择晶体管MUX1设置为低电位,控制第二开关晶体管TS2截止,使得第一发光单元D1与第一驱动晶体管TD1断开。将第二选择晶体管MUX2设置为高电位,控制第三开关晶体管TS3导通,输出信号控制第二发光单元D2在低灰阶时发光。
请参阅图8所示,在本实用新型一实施例中,补偿电路600包括第六开关晶体管TS6、第七开关晶体管TS7和第八开关晶体管TS8。第七开关晶体管TS7的源极端与第一数据电压Vdata1连接,栅极端与第一扫描控制信号Vscan1连接,漏极端与第八开关晶体管TS8的源极端和第一电容器C1的一端连接。通过第一扫描控制信号Vscan1控制第七开关晶体管TS7的通断,进而控制第一数据电压Vdata1的输入。第一开关晶体管TS1的源极端与电源输入端Vint连接,栅极端与第二扫描控制信号Vscan2连接,漏极端与第一驱动晶体管TD1的栅极端、第六开关晶体管TS6的源极端和第一电容器C1的一端连接。通过第二扫描控制信号Vscan2控制第一开关晶体管TS1的通断,进而控制电源输入端Vint的输入。第一电容器C1一端与第八开关晶体管TS8的源极端、第一驱动晶体管TD1的栅极端和第六开关晶体管TS6的源极端连接,另一端与电源电压VDD和第八开关晶体管TS8的漏极端连接。第八开关晶体管TS8的漏极端连接电源电压VDD、栅极端连接电源输入端Vint,源极端连接第一驱动晶体管TD1。第六开关晶体管TS6漏极端与第一驱动晶体管TD1的源极端连接,栅极端与第三扫描控制信号Vscan3连接。通过第三扫描控制信号Vscan3控制第六开关晶体管TS6的通断。
请参阅图8所示,在本实用新型一实施例中,功能电路400一端与补偿电路600连接,另一端与复位电路500连接。第一控制电路200一端与复位电路500连接,另一端与第一发光单元D1连接。第二控制电路300一端与复位电路500连接,另一端与第二发光单元D2连接。复位电路500包括第五开关晶体管TS5和第二扫描控制信号Vscan2。在本实施例中,第五开关晶体管TS5为复位晶体管,通过第五开关晶体管TS5控制第一发光单元D1和第二发光单元D2输入端的复位。第五开关晶体管TS5的漏极端与复位信号Ref连接,栅极端与第二扫描控制信号Vscan2连接,源极端与第四开关晶体管TS4的源极端连接。通过第二扫描控制信号Vscan2控制第五开关晶体管TS5的通断,进而控制复位信号Ref的输入。
具体的,请参阅图8和图9所示,在本实用新型一实施例中,当像素驱动电路设置有补偿电路600时,在高亮度模式下的控制时序如图9所示。具体的,在复位阶段H0,将发光控制信号Emit设置为低电位,第四开关晶体管TS4截止。将第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为高电位,第二开关晶体管TS2和第三开关晶体管TS3导通。将第二扫描控制信号Vscan2设置为高电位,第五开关晶体管TS5导通,复位信号Ref通过第二开关晶体管TS2和第三开关晶体管TS3,使得第一发光单元D1和第二发光单元D2的一端复位。在控制阶段H1,将发光控制信号Emit、第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为低电位,第八开关晶体管TS8和第四开关晶体管TS4截止。将第一扫描控制信号Vscan1、第一数据电压Vdata1和第三扫描控制信号Vscan3设置为高电位,第七开关晶体管TS7和第六开关晶体管TS6导通,完成第一驱动晶体管TD1栅极端的充电。在发光阶段H2,将发光控制信号Emit、第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2设置为高电位,第二开关晶体管TS2、第三开关晶体管TS3和第四开关晶体管TS4导通,使得第一驱动晶体管TD1通过功能电路400输出驱动电流,控制第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2输出信号控制第一发光单元D1和第二发光单元D2发出高亮度。
请参阅图8和图10所示,在本实用新型另一实施例中,当处于低灰阶模式时,像素驱动电路的控制时序如图10所示。具体的,在复位阶段H0,将发光控制信号Emit和第一选择晶体管MUX1设置为低电位,第四开关晶体管TS4和第二开关晶体管TS2截止。将第二扫描控制信号Vscan2和第二选择晶体管MUX2设置为高电位,通过第二选择晶体管MUX2控制第三开关晶体管TS3导通,通过第二扫描控制信号Vscan2控制第五开关晶体管TS5导通,复位信号Ref通过第三开关晶体管TS3,使得第二发光单元D2的一端复位。在控制阶段H1,与上述图9所示实施例一致。在发光阶段H2,将第二扫描控制信号Vscan2和第一选择晶体管MUX1设置为低电位,第二开关晶体管TS2和第五开关晶体管TS5截止。将发光控制信号Emit设置为高电位,控制第四开关晶体管TS4导通,使得第一驱动晶体管TD1通过功能电路400输出驱动电流。将第二选择晶体管MUX2设置为高电位,控制第三开关晶体管TS3导通,输出信号控制第二发光单元D2在低灰阶时发光。
本申请实施例还提供了一种显示面板,该显示面板设置为微发光二极管显示器,例如为Mini LED显示器或MiCro LED显示器。该显示面板包括上述实施例中任一像素驱动电路,上述实施例中的像素驱动电路也适用于本申请实施例提供的显示面板,在本申请实施例中不再重复描述。
综上所示,本实用新型提供的一种像素驱动电路,通过设置第一控制电路200和第二控制电路300,且第一控制电路200与第一发光单元D1连接,第二控制电路300与第二发光单元D2连接,实现精确控制二极管的发光。其中,第一控制电路200包括第一选择晶体管MUX1,第二控制电路300包括第二选择晶体管MUX2,通过第一选择晶体管MUX1和第二选择晶体管MUX2控制同时打开第一发光单元D1和第二发光单元D2,实现高亮度的需求。或者只控制打开第二发光单元D2,降低对灰阶控制的难度。在本实施例中,该像素驱动电路提升了显示面板在低灰阶时的图像层次感扩展了发光二极管的亮度范围,提升了显示面板的显示画质。
应当理解的是,本实用新型的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:
第一发光单元;
第二发光单元;
第一控制电路,所述第一控制电路的输出端电性连接于所述第一发光单元的输入端;
第二控制电路,所述第二控制电路的输出端电性连接于所述第二发光单元的输入端;以及
驱动电路,所述驱动电路电性连接于所述第一控制电路和所述第二控制电路的输入端,且所述第一控制电路包括第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的漏极端电性连接于所述驱动电路,所述第一发光控制晶体管的源极端电性连接于所述第一发光单元;所述第二控制电路包括第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的漏极端电性连接于所述驱动电路,所述第二发光控制晶体管的源极端电性连接于所述第二发光单元。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一驱动晶体管,所述第一驱动晶体管的源极端电性连接于所述第一控制电路和所述第二控制电路,漏极端电性连接于电源电压。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一开关晶体管,所述第一开关晶体管的漏极端电性连接于所述第一驱动晶体管的栅极端,栅极端电性连接于第一扫描控制信号,源极端电性连接于第一数据电压。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一电容器,所述第一电容器一端电性连接于所述第一开关晶体管的漏极端和第一驱动晶体管的栅极端,另一端电性连接于所述第一驱动晶体管的漏极端和所述电源电压。
5.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一控制电路包括第一选择晶体管,所述第一选择晶体管电性连接于所述第一发光控制晶体管的栅极端。
6.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二控制电路包括第二选择晶体管,所述第二选择晶体管电性连接于所述第二发光控制晶体管的栅极端。
7.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括功能电路,所述功能电路包括电压控制晶体管,所述电压控制晶体管的漏极端电性连接于所述驱动电路,栅极端电性连接于发光控制信号源极端电性连接于所述第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管的漏极端。
8.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括复位电路,所述复位电路包括复位晶体管,所述复位晶体管的漏极端电性连接于复位信号,栅极端电性连接于第二扫描控制信号,源极端电性连接于所述第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管的漏极端。
9.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一发光单元和所述第二发光单元的输出端电性连接于电源信号端。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1所述的像素驱动电路。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |