CN218160391U - 一种基于n型硅基底的太阳能电池 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种基于N型硅基底的太阳能电池，涉及太阳能电池领域，解决如何提升基于N型硅基底的太阳能电池的光电转换效率的问题。所述太阳能电池包括：N型硅片、第一钝化减反层、第二钝化减反层、在N型硅片的第一表面上依次层叠设置的第一隧穿层、第一多晶硅层、第一电极；以及在N型硅片的第二表面上依次层叠设置的p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层、第二电极；其中，第一钝化减反层环绕第一隧穿层、第一多晶硅层以及第一电极的一部分；第二钝化减反层环绕所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及第二电极的一部分；其中，所述第一隧穿层与所述N型硅片的第一表面的一部分相接触；所述第二隧穿层与所述p型发射极层的一部分相接触。

Description

一种基于N型硅基底的太阳能电池

技术领域

本申请涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种基于N型硅基底的太阳能电池。

背景技术

基于N型硅基底的太阳能电池往往具有少子(少数载流子)。由于少子的寿命高、光致衰减小，基于N型硅基底的太阳能电池存在更大的效率提升空间，成为太阳能电池领域的主流研究方向。

然而，现有技术中基于N型硅基底的太阳能电池表面上设置的电极直接与p型发射极层接触，导致太阳能电池中一部分少数载流子(例如空穴)会向电极区域迁移，与部分多数载流子(电子)复合，即电极与p型发射极层接触区域存在严重的复合，使得太阳能电池的光电转换效率因电子和空穴对在被有效利用之前复合而降低。

因此，亟需一种能够提升基于N型硅基底的太阳能电池的光电转换效率的方案。

实用新型内容

本实用新型提供一种基于N型硅基底的太阳能电池，能够用于解决如何提升基于N型硅基底的太阳能电池的光电转换效率的技术问题。

本实用新型实施例提供了一种基于N型硅基底的太阳能电池，包括：N型硅片、第一钝化减反层、第二钝化减反层、在所述N型硅片的第一表面上依次层叠设置的第一隧穿层、第一多晶硅层、第一电极；以及在所述N型硅片的第二表面上依次层叠设置的p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层、第二电极；

其中，所述第一钝化减反层设置在所述N型硅片的第一表面上且与所述N型硅片的第一表面相接触，所述第一钝化减反层环绕所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层以及所述第一电极的一部分；

所述第二钝化减反层设置在所述N型硅片的第二表面上且与所述p型发射极层相接触，所述第二钝化减反层环绕所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及第二电极的一部分；

其中，所述第一隧穿层与所述N型硅片的第一表面的一部分相接触；所述p型发射极层与所述N型硅片的第二表面相接触，所述第二隧穿层与所述p型发射极层的一部分相接触。

可选地，在一个实施例中，所述第一电极的第一表面与所述第一多晶硅层接触，所述第一钝化减反层环绕所述第一电极的所述第一表面；

和/或，所述第二电极的第二表面与所述第二多晶硅层接触，所述第二钝化减反层环绕所述第二电极的所述第二表面。

可选地，在一个实施例中，所述第一多晶硅层的第一目标表面与所述第一电极的第一表面相接触，所述第一电极的第一表面与所述第一多晶硅层的第一目标表面面积相等；

和/或，所述第二多晶硅层的第二目标表面与所述第二电极的第二表面相接触，所述第二电极的第二表面与所述第二多晶硅层的第二目标表面面积相等。

可选地，在一个实施例中，所述第一钝化减反层与所述所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层以及所述第一电极的一部分均接触；

和/或，所述第二钝化减反层与所述p型发射极层、所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及所述第二电极的一部分均接触。

可选地，在一个实施例中，所述第一电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分分别与所述第一多晶硅层和所述第一钝化减反层相接触，所述第二部分相对于所述第一钝化减反层延伸出；

和/或，所述第二电极包括第三部分和第四部分，所述第三部分分别与所述第二多晶硅层和所述第二钝化减反层相接触，所述第四部分相对于所述第二钝化减反层延伸出。

可选地，在一个实施例中，所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层和所述第一电极在所述N型硅片上的垂直投影重合；和/或，所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层和所述第二电极在所述N型硅片上的垂直投影重合。

可选地，在一个实施例中，所述第一隧穿层的厚度和所述第二隧穿层的厚度相等；所述第一多晶硅层的厚度和所述第二多晶硅层的厚度相等；所述第一钝化减反层的厚度和所述第二钝化减反层的厚度相等。

可选地，在一个实施例中，所述第一隧穿层的厚度和所述第二隧穿层的厚度均为1-3nm；所述第一多晶硅层的厚度和所述第二多晶硅层的厚度均为100-150nm；所述第一钝化减反层的厚度和所述第二钝化减反层的厚度均为160-200nm。

可选地，在一个实施例中，所述第一隧穿层和所述第一多晶硅层形成TOPCon结构，所述第二隧穿层和所述第二多晶硅层形成TOPCon结构。

可选地，在一个实施例中，所述第一钝化减反层的材料为氮化硅或氮氧化硅；所述第二钝化减反层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

本实用新型带来的有益效果如下：

本申请实施例提供的基于N型硅基底的太阳能电池，包括：N型硅片、第一钝化减反层、第二钝化减反层、在所述N型硅片的第一表面上依次层叠设置的第一隧穿层、第一多晶硅层、第一电极；以及在所述N型硅片的第二表面上依次层叠设置的p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层、第二电极；其中，所述第一钝化减反层设置在所述第一表面上且与所述第一表面相接触，所述第一钝化减反层环绕所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层以及所述第一电极的一部分；所述第二钝化减反层设置在所述第二表面上且与所述p型发射极层相接触，所述第二钝化减反层环绕所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及第二电极的一部分；其中，所述第一隧穿层与所述N型硅片的第一表面的一部分相接触；所述p型发射极层与所述N型硅片的第二表面相接触，所述第二隧穿层与所述p型发射极层的一部分相接触。如此，通过在N型硅片的第二表面依次层叠设置p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层和第二电极，可以避免电极直接与p型发射极层接触，从而一方面可以通过隧穿层形成良好的界面钝化，提供不同载流子隧穿势垒，另一方面可以通过多晶硅层抑制少数载流子(空穴)的迁移速率，降低电极区域的复合速率，同时增加多数载流子(电子)的迁移速率，显著提高多数载流子的传导性能，提升太阳能电池的光电转换效率。并且，由于第一隧穿层仅与N型硅片的第一表面的一部分相接触，第二隧穿层仅与p型发射极层的一部分相接触，相比全面积覆盖的隧穿层，可以在一定程度上提高可见光的入射效率，从而进一步提升太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为相关技术中的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图。

附图标记：

100—目标N型硅片；101—隧穿层；102—多晶硅层；103—减反射层；104—背面电极；105—目标p型发射极层；106—钝化层；107—减反射层；108—正面电极；200—N型硅片；201—第一钝化减反层；202—第二钝化减反层；203—第一隧穿层；204—第一多晶硅层；205—第一电极；206—p型发射极层；207—第二隧穿层；208—第二多晶硅层；209—第二电极。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

图1为相关技术中的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图。如图1所示，相关技术中基于N型硅基底的太阳能电池包括目标N型硅片100，在目标N型硅片100的背面上依次设置的隧穿层101、多晶硅层102、减反射层103、背面电极104；以及在目标N型硅片100的正面上依次设置的目标p型发射极层105、钝化层106、减反射层107、正面电极108。正面电极108直接与目标p型发射极层105接触。如本申请背景技术中所描述的，由于正面电极108直接与目标p型发射极层105接触，导致太阳能电池中一部分少数载流子(空穴)会向电极区域迁移，与部分多数载流子(电子)复合，使得电子和空穴对在被有效利用之前复合，太阳能电池的光电转换效率较低。

基于此，本申请实施例提供了一种基于N型硅基底的太阳能电池，用于解决如何提升太阳能电池的光电转换效率的技术问题。

图2为本申请实施例提供的一种基于N型硅基底的太阳能电池的结构示意图。如图2所示，本申请实施例提供的基于N型硅基底的太阳能电池，包括：N型硅片200、第一钝化减反层201、第二钝化减反层202、在所述N型硅片200的第一表面上依次层叠设置的第一隧穿层203、第一多晶硅层204、第一电极205；以及在所述N型硅片200的第二表面上依次层叠设置的p型发射极层206、第二隧穿层207、第二多晶硅层208、第二电极209；其中，所述第一钝化减反层201设置在所述N型硅片200的第一表面上且与所述N型硅片200的第一表面相接触，所述第一钝化减反层201环绕所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层204以及所述第一电极205的一部分；所述第二钝化减反层202设置在所述N型硅片200的第二表面上且与所述p型发射极层206相接触，所述第二钝化减反层202环绕所述第二隧穿层207、所述第二多晶硅层208以及第二电极209的一部分；其中，所述第一隧穿层与所述N型硅片的第一表面的一部分相接触；所述p型发射极层与所述N型硅片的第二表面相接触，所述第二隧穿层与所述p型发射极层的一部分相接触。

本申请实施例提供的基于N型硅基底的太阳能电池，通过在N型硅片的第二表面依次层叠设置p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层和第二电极，可以避免电极直接与p型发射极层接触，从而一方面可以通过隧穿层形成良好的界面钝化，提供不同载流子隧穿势垒，另一方面可以通过多晶硅层抑制少数载流子(空穴)的迁移速率，降低电极区域的复合速率，同时增加多数载流子(电子)的迁移速率，显著提高多数载流子的传导性能，提升太阳能电池的光电转换效率。并且，由于第一隧穿层仅与N型硅片的第一表面的一部分相接触，第二隧穿层仅与p型发射极层的一部分相接触，相比全面积覆盖的隧穿层，可以在一定程度上提高可见光的入射效率，从而进一步提升太阳能电池的光电转换效率。

另外，由于隧穿层与多晶硅层具备良好的接触性能，相比电极与p型发射极层直接接触的结构，本申请实施例提供的基于N型硅基底的太阳能电池通过在电极与p型发射极层之间设置隧穿层和多晶硅层，可以降低电极接触区域的接触电阻，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

在本申请实施例中，第一钝化减反层201和第二钝化减反层202可以增加太阳能电池表面可见光的透过率，减少反射损失，提高太阳能电池的光电转换效率。p型发射极层206可以与N型硅片200之间形成PN结。第一电极205和第二电极209可以均为金属电极。

其中，p型发射极层206可以通过对制绒后的N型硅片200的第二表面进行正面硼扩散的方式制备。第一隧穿层203和第二隧穿层207可以通过在N型硅片200表面沉积隧穿氧化层的方式制备。在N型硅片200的第一表面设置第一隧穿层203之后，可以采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)工艺单面沉积第一多晶硅层204，并对第一多晶硅层204进行磷掺杂，形成磷硅玻璃(Phospho Silicate Glass，PSG)层，使掺杂后的第一多晶硅层204与第一隧穿层203组成第一表面的选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel OxidePassivated Contact，TOPCon)结构。同理，在N型硅片200的第二表面设置第二隧穿层207之后，可以采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)工艺单面沉积第二多晶硅层208，并对第二多晶硅层208进行磷掺杂，形成磷硅玻璃(Phospho Silicate Glass，PSG)层，使掺杂后的第二多晶硅层208与第二隧穿层207组成第二表面的选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)结构。

其中，第一隧穿层203、第一多晶硅层204、第二隧穿层207以及第二多晶硅层208覆盖区域可以根据实际需要设定。具体地，以第二隧穿层207和第二多晶硅层208为例，在N型硅片200的第二表面依次层叠设置p型发射极层206、第二隧穿层207、第二多晶硅层208，可以在N型硅片200的第二表面通过丝网印刷具有所需网格线图案的耐酸掩膜，再通过氢氧化钾溶液去除掩膜覆盖区域之外的第二隧穿层207和第二多晶硅层208，然后通过槽式机台，利用浓度为5％的氟化氢去除掩膜，进而在N型硅片200的第二表面上的选择区域形成第二隧穿层207和第二多晶硅层208。采用同样的方法也可以在N型硅片200的第一表面上的选择区域设置第一隧穿层203和第一多晶硅层204。当然，可以理解的是，若先在N型硅片200的第二表面设置选择区域的第二隧穿层207和第二多晶硅层208，再对N型硅片200的第一表面进行处理，则使用氢氧化钾溶液之前可以通过水膜保护N型硅片200的第二表面。

在N型硅片200的第一表面和/或第二表面设置选择区域的隧穿层和多晶硅层后，可以利用PECVD方法制备第一钝化减反层201和/或第二钝化减反层202。最后，在N型硅片200的第一表面和第二表面上的对应图形区域进行丝网印刷并烧结形成第一电极205和第二电极209。

另外，需要说明的是，图1所示仅为本申请的一个示例，不能视为对本申请的限制。实际上，第一钝化减反层201可以仅环绕第一隧穿层203、第一多晶硅层204以及第一电极205的一部分，但是不与第一隧穿层203、第一多晶硅层204或第一电极205接触。当然，第一钝化减反层201也可以与第一隧穿层203、第一多晶硅层204、第一电极205中的至少一者接触。同理，第二钝化减反层202也可以不与第二隧穿层207、第二多晶硅层208、第二电极209接触，或，第二钝化减反层202可以与第二隧穿层207、第二多晶硅层208、第二电极209中的至少一者接触。

参照图1所示方位，在第一多晶硅层204的上表面与第一隧穿层203的下表面接触且第一多晶硅层204的下表面与第一电极205的上表面接触的情况下，第一多晶硅层204的下表面的面积可以大于或等于第一电极205的上表面的面积。第一隧穿层203的下表面的面积也可以大于或等于第一多晶硅层204的上表面的面积。且第一多晶硅层204可以层叠设置于第一隧穿层203的中间区域，也可以层叠设置于第一隧穿层203的边缘区域。在第二多晶硅层208的下表面与第二隧穿层207的上表面接触且第二多晶硅层208的上表面与第二电极209的下表面接触的情况下，第二多晶硅层208的上表面的面积可以大于或等于第二电极209的下表面的面积。第二隧穿层207的上表面的面积可以大于或等于第二多晶硅层208的下表面的面积。且第二多晶硅层208可以层叠设置于第二隧穿层207的中间区域，也可以层叠设置于第二隧穿层207的边缘区域。

当然，第一隧穿层203与第二隧穿层207的结构(例如厚度、表面面积)可以相同或不同。第一多晶硅层204与第二多晶硅层208的结构(例如厚度、表面面积)也可以相同或不同。

在一种实施方式中，所述第一电极205的第一表面与所述第一多晶硅层204接触，所述第一钝化减反层201环绕所述第一电极205的所述第一表面；和/或，所述第二电极209的第二表面与所述第二多晶硅层208接触，所述第二钝化减反层202环绕所述第二电极209的所述第二表面。

在本申请实施例中，第一电极205的第一表面可以与第一多晶硅层204接触，且第一多晶硅层204可以覆盖第一电极205的第一表面。第二电极209的第二表面可以与第二多晶硅层208接触，且第二多晶硅层208可以覆盖第二电极209的第二表面。其中，第一多晶硅层204所覆盖的面积可以大于或等于第一表面的面积。第二多晶硅层208所覆盖的面积可以大于或等于第二表面的面积。

在一种实施方式中，所述第一多晶硅层204的第一目标表面与所述第一电极205的第一表面相接触，所述第一电极205的第一表面与所述第一多晶硅层204的第一目标表面面积相等；和/或，所述第二多晶硅层208的第二目标表面与所述第二电极209的第二表面相接触，所述第二电极209的第二表面与所述第二多晶硅层208的第二目标表面面积相等。

在一种实施方式中，所述第一钝化减反层201与所述所述第一隧穿层203、所述第一多晶硅层204以及所述第一电极205的一部分均接触；和/或，所述第二钝化减反层202与所述p型发射极层206、所述第二隧穿层207、所述第二多晶硅层208以及所述第二电极209的一部分均接触。

在一种实施方式中，所述第一电极205包括第一部分和第二部分，所述第一部分分别与所述第一多晶硅层204和所述第一钝化减反层201相接触，所述第二部分相对于所述第一钝化减反层201延伸出；和/或，所述第二电极209包括第三部分和第四部分，所述第三部分分别与所述第二多晶硅层208和所述第二钝化减反层202相接触，所述第四部分相对于所述第二钝化减反层202延伸出。

在一种实施方式中，所述第一隧穿层203、所述第一多晶硅层204和所述第一电极205在所述N型硅片200上的垂直投影重合；和/或，所述第二隧穿层207、所述第二多晶硅层208和所述第二电极209在所述N型硅片200上的垂直投影重合。如此，可以仅在第一电极和/或第二电极在N型硅片上的垂直投影区域上设置隧穿层和多晶硅层，相比于设置覆盖N型硅片全部表面的隧穿层和多晶硅层，这种在选择区域设置隧穿层和多晶硅层的方式可以避免因隧穿层和多晶硅层具有较大的吸光性造成光生电流损失，进一步提升太阳能电池的光电转化效率。

在一种实施方式中，所述第一隧穿层203的厚度和所述第二隧穿层207的厚度相等；所述第一多晶硅层204的厚度和所述第二多晶硅层208的厚度相等；所述第一钝化减反层201的厚度和所述第二钝化减反层202的厚度相等。

在一种实施方式中，所述第一隧穿层203的厚度和所述第二隧穿层207的厚度均为1-3nm；所述第一多晶硅层204的厚度和所述第二多晶硅层208的厚度均为100-150nm；所述第一钝化减反层201的厚度和所述第二钝化减反层202的厚度均为160-200nm。

在一种实施方式中，所述第一隧穿层203和所述第一多晶硅层204形成TOPCon结构，所述第二隧穿层207和所述第二多晶硅层208形成TOPCon结构；所述第一钝化减反层201的材料为氮化硅或氮氧化硅；所述第二钝化减反层202的材料为氮化硅或氮氧化硅。如此，可以通过TOPCon结构降低电极区域的复合速率，同时降低电极接触区域的接触电阻，提高太阳能电池的光电转换效率。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种基于N型硅基底的太阳能电池，其特征在于，包括：N型硅片、第一钝化减反层、第二钝化减反层、在所述N型硅片的第一表面上依次层叠设置的第一隧穿层、第一多晶硅层、第一电极；以及在所述N型硅片的第二表面上依次层叠设置的p型发射极层、第二隧穿层、第二多晶硅层、第二电极；

其中，所述第一钝化减反层设置在所述N型硅片的第一表面上且与所述N型硅片的第一表面相接触，所述第一钝化减反层环绕所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层以及所述第一电极的一部分；

所述第二钝化减反层设置在所述N型硅片的第二表面上且与所述p型发射极层相接触，所述第二钝化减反层环绕所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及第二电极的一部分；

其中，所述第一隧穿层与所述N型硅片的第一表面的一部分相接触；所述p型发射极层与所述N型硅片的第二表面相接触，所述第二隧穿层与所述p型发射极层的一部分相接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极的第一表面与所述第一多晶硅层接触，所述第一钝化减反层环绕所述第一电极的所述第一表面；

和/或，所述第二电极的第二表面与所述第二多晶硅层接触，所述第二钝化减反层环绕所述第二电极的所述第二表面。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一多晶硅层的第一目标表面与所述第一电极的第一表面相接触，所述第一电极的第一表面与所述第一多晶硅层的第一目标表面面积相等；

和/或，所述第二多晶硅层的第二目标表面与所述第二电极的第二表面相接触，所述第二电极的第二表面与所述第二多晶硅层的第二目标表面面积相等。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化减反层与所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层以及所述第一电极的一部分均接触；

和/或，所述第二钝化减反层与所述p型发射极层、所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层以及所述第二电极的一部分均接触。

5.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分分别与所述第一多晶硅层和所述第一钝化减反层相接触，所述第二部分相对于所述第一钝化减反层延伸出；

和/或，所述第二电极包括第三部分和第四部分，所述第三部分分别与所述第二多晶硅层和所述第二钝化减反层相接触，所述第四部分相对于所述第二钝化减反层延伸出。

6.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层和所述第一电极在所述N型硅片上的垂直投影重合；和/或，所述第二隧穿层、所述第二多晶硅层和所述第二电极在所述N型硅片上的垂直投影重合。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层的厚度和所述第二隧穿层的厚度相等；所述第一多晶硅层的厚度和所述第二多晶硅层的厚度相等；所述第一钝化减反层的厚度和所述第二钝化减反层的厚度相等。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层的厚度和所述第二隧穿层的厚度均为1-3nm；所述第一多晶硅层的厚度和所述第二多晶硅层的厚度均为100-150nm；所述第一钝化减反层的厚度和所述第二钝化减反层的厚度均为160-200nm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层和所述第一多晶硅层形成选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触结构，所述第二隧穿层和所述第二多晶硅层形成选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触结构。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化减反层的材料为氮化硅或氮氧化硅；所述第二钝化减反层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

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