CN217768368U - 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构 - Google Patents

一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN217768368U
CN217768368U CN202222001671.2U CN202222001671U CN217768368U CN 217768368 U CN217768368 U CN 217768368U CN 202222001671 U CN202222001671 U CN 202222001671U CN 217768368 U CN217768368 U CN 217768368U
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor chip
metal
frame base
base island
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222001671.2U
Other languages
English (en)
Inventor
李尚哲
李明芬
陈育峰
黄凯军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Big Grid Technology Partnership LP
Original Assignee
Hefei Big Grid Technology Partnership LP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Big Grid Technology Partnership LP filed Critical Hefei Big Grid Technology Partnership LP
Priority to CN202222001671.2U priority Critical patent/CN217768368U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN217768368U publication Critical patent/CN217768368U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,涉及半导体芯片封装技术领域,包括金属引线框基岛、半导体芯片和塑封体,半导体芯片的一侧通过金属键合丝连接有第一金属引脚,金属引线框基岛远离第一金属引脚的一侧连接有第二金属引脚,金属引线框基岛远离半导体芯片的一侧连接有散热板,散热板远离金属引线框基岛的一面均匀开设有若干个平行的沟槽。本实用新型通过设置散热板并开设沟槽,在与印刷线路板连接时,锡膏可以进入到沟槽中,增大了锡膏与散热板的接触面积,增大了锡膏量,从而进一步增加了连接强度;由于散热板与印刷线路板接触,可很好地将半导体芯片的热量导入到印刷线路板上进行散热,为半导体芯片降温。

Description

一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,属于半导体芯片封装技术领域。
背景技术
如图1所示,现有的贴片式SO8半导体芯片采用的是海鸥型金属引脚,由于海鸥型金属引脚的底部是向外凸出的,因此在印刷线路板上空间有限的情况下,海鸥型金属引脚所占用面积较多,限制了金属引线框基岛和半导体芯片的尺寸,这也导致半导体芯片的散热较差。
如何提高金属引线框基岛在封装结构中的占比,提高半导体芯片的散热效果成为急需解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,以解决上述现有技术中半导体芯片的散热效果差、金属引脚占用面积多的问题。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,包括金属引线框基岛、半导体芯片和塑封体,半导体芯片的一侧通过金属键合丝/带连接有第一金属引脚,金属引线框基岛远离第一金属引脚的一侧连接有第二金属引脚,金属引线框基岛远离半导体芯片的一侧连接有散热板,散热板远离金属引线框基岛的一侧延伸出塑封体并与第一金属引脚和第二金属引脚的底部齐平,散热板远离金属引线框基岛的一面均匀开设有若干个平行的沟槽。
优选地,第一金属引脚包括依次连接的第一引脚段Ⅰ、第一引脚段Ⅱ和第一引脚段Ⅲ,第一引脚段Ⅱ与第一引脚段Ⅰ垂直,金属键合丝连接半导体芯片与第一引脚段Ⅰ,第一引脚段Ⅲ位于第一引脚段Ⅱ靠近金属引线框基岛的一侧,且第一引脚段Ⅲ与第一引脚段Ⅱ垂直。
优选地,第二金属引脚包括依次连接的第二引脚段Ⅳ、第二引脚段Ⅰ、第二引脚段Ⅱ和第二引脚段Ⅲ,第二引脚段Ⅱ与第二引脚段Ⅰ垂直,金属引线框基岛与第二引脚段Ⅳ连接,第二引脚段Ⅲ位于第二引脚段Ⅱ靠近金属引线框基岛的一侧,且第二引脚段Ⅲ与第二引脚段Ⅱ垂直。
优选地,半导体芯片通过锡膏或导电胶固定在金属引线框基岛上。
优选地,散热板在垂直方向上的投影位于金属引线框基岛在垂直方向上的投影范围内。
与现有技术对比,本实用新型的有益效果为:
通过设置散热板并开设沟槽,在与印刷线路板连接时,锡膏可以进入到沟槽中,增大了锡膏与散热板的接触面积,增大了锡膏量,从而进一步增加了连接强度;由于散热板与印刷线路板接触,可很好地将半导体芯片的热量导入到印刷线路板上进行散热,为半导体芯片降温,这样可以安装更高功率的半导体芯片;由于第二引脚段Ⅲ和第一引脚段Ⅲ均是朝向金属引线框基岛的一侧,相比海鸥型金属引脚,本实用新型的引脚形式在竖直方向上的投影面积更小,因而实现了缩小金属引脚的占用面积,提高金属引线框基岛和半导体芯片的可占用面积的目的,增加金属引线框基岛的尺寸也可提高半导体芯片的散热能力,降低电阻率。
附图说明
图1为现有的贴片式SO8半导体芯片的封装结构示意图;
图2为本实用新型的内部结构立体图;
图3为本实用新型的内部结构平面图;
图4为本实用新型的整体结构仰视视角立体图。
图中:1、塑封体,11、海鸥型金属引脚,12、第一金属引脚,121、第一引脚段Ⅰ,122、第一引脚段Ⅱ,123、第一引脚段Ⅲ,13、第二金属引脚,131、第二引脚段Ⅰ,132、第二引脚段Ⅱ,133、第二引脚段Ⅲ,134、第二引脚段Ⅳ,14、金属引线框基岛,141、散热板,142、沟槽,15、半导体芯片,16、粘结物质,17、金属键合丝/带。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型实施中的技术方案进行清楚,完整的描述,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图2至图4所示,本实用新型实施例提供的一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,包括金属引线框基岛14、半导体芯片15、四个第一金属引脚12和四个第二金属引脚13,半导体芯片15与金属引线框基岛14之间可以通过锡膏或者导电胶等粘结物质16固定。四个金属引脚一与半导体芯片15之间各通过一根金属键合丝/带17连接,四个金属引脚二连接在金属引线框基岛14远离第一金属引脚12的一端。金属引线框基岛14远离半导体芯片15的一侧连接有散热板141,散热板141在垂直方向上的投影位于金属引线框基岛14在垂直方向上的投影范围内。
在本实施例中,以图3为基准观察时,散热板141的左右两端之间距离比金属引线框基岛14的左右两端之间距离小,并且散热板141的左右两端没有超出金属引线框基岛14的左右两端。这样可以形成金属引线框基岛14大而散热板141小的结构。金属引线框基岛14和散热板141一体成型,其整体来看上大下小,可以让塑封料紧紧抓住金属引线框基岛14,降低金属引线框基岛14与塑封料的松脱机会。
第一金属引脚12可分为三个部分,分别为依次连接的第一引脚段Ⅰ121、第一引脚段Ⅱ122和第一引脚段Ⅲ123,第一引脚段Ⅰ121与金属键合丝/带17连接,第一引脚段Ⅰ121与半导体芯片15平行,第一引脚段Ⅱ122位于第一引脚段Ⅰ121的下侧且垂直于第一引脚段Ⅰ121,第一引脚段Ⅲ123位于第一引脚段Ⅱ122靠近金属引线框基岛14的一侧并且与第一引脚段Ⅱ122垂直。从图3可以看出,第一引脚段Ⅲ123的底部与散热板141的底部齐平。
第二金属引脚13可分为四个部分,分别为依次连接的第二引脚段Ⅳ134、第二引脚段Ⅰ131、第二引脚段Ⅱ132和第二引脚段Ⅲ133,第二引脚段Ⅳ134与金属引线框基岛14连接,第二引脚段Ⅰ131与第一引脚段Ⅰ121齐平,第二引脚段Ⅱ132位于第二引脚段Ⅰ131的下侧且垂直于第二引脚段Ⅰ131,第二引脚段Ⅲ133位于第二引脚段Ⅱ132靠近金属引线框基岛14的一侧并且与第二引脚段Ⅱ132垂直。从图3也可以看出,第二引脚段Ⅲ133的底部与散热板141的底部齐平。由于第二引脚段Ⅲ133和第一引脚段Ⅲ123均是朝向金属引线框基岛14的一侧,相比海鸥型金属引脚11,本实用新型的引脚形式在竖直方向上的投影面积更小,因而实现了缩小金属引脚的占用面积。
如图4所示,金属引线框基岛14、半导体芯片15、金属键合丝/带17、第二引脚段Ⅳ134的全部以及第一引脚段Ⅰ121和第二引脚段Ⅰ131的一部分经过塑封工艺包覆成塑封体1,散热板141远离金属引线框基岛14的一端则延伸出了塑封体1,并且开设有9个沟槽142,每个沟槽142之间间隔均匀且平行,沟槽142的横截面呈V形。散热板141伸出塑封体1的端面与第一引脚段Ⅲ123的底面齐平。
在与印刷线路板连接时,锡膏可以进入到沟槽142中,增大了锡膏与散热板141的接触面积,增大了锡膏量,从而进一步增加了连接强度。由于散热板141与印刷线路板接触,可很好地将半导体芯片15的热量导入到印刷线路板上进行散热,为半导体芯片15降温,这样可以安装更高功率的半导体芯片15。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神和基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,包括金属引线框基岛(14)、半导体芯片(15)和塑封体(1),其特征在于,所述半导体芯片(15)的一侧通过金属键合丝/带(17)连接有第一金属引脚(12),所述金属引线框基岛(14)远离第一金属引脚(12)的一侧连接有第二金属引脚(13),所述金属引线框基岛(14)远离半导体芯片(15)的一侧连接有散热板(141),所述散热板(141)远离金属引线框基岛(14)的一侧延伸出塑封体(1)并与第一金属引脚(12)和第二金属引脚(13)的底部齐平,所述散热板(141)远离金属引线框基岛(14)的一面均匀开设有若干个平行的沟槽(142)。
2.根据权利要求1所述的一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,其特征在于,所述第一金属引脚(12)包括依次连接的第一引脚段Ⅰ(121)、第一引脚段Ⅱ(122)和第一引脚段Ⅲ(123),所述第一引脚段Ⅱ(122)与第一引脚段Ⅰ(121)垂直,所述金属键合丝/带(17)连接半导体芯片(15)与第一引脚段Ⅰ(121),所述第一引脚段Ⅲ(123)位于第一引脚段Ⅱ(122)靠近金属引线框基岛(14)的一侧,且所述第一引脚段Ⅲ(123)与第一引脚段Ⅱ(122)垂直。
3.根据权利要求1所述的一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,其特征在于,所述第二金属引脚(13)包括依次连接的第二引脚段Ⅳ(134)、第二引脚段Ⅰ(131)、第二引脚段Ⅱ(132)和第二引脚段Ⅲ(133),所述第二引脚段Ⅱ(132)与第二引脚段Ⅰ(131)垂直,所述金属引线框基岛(14)与第二引脚段Ⅳ(134)连接,所述第二引脚段Ⅲ(133)位于第二引脚段Ⅱ(132)靠近金属引线框基岛(14)的一侧,且所述第二引脚段Ⅲ(133)与第二引脚段Ⅱ(132)垂直。
4.根据权利要求1所述的一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,其特征在于,所述半导体芯片(15)通过锡膏或导电胶固定在金属引线框基岛(14)上。
5.根据权利要求1所述的一种贴片式SO8J半导体芯片的封装结构,其特征在于,所述散热板(141)在垂直方向上的投影位于金属引线框基岛(14)在垂直方向上的投影范围内。
CN202222001671.2U 2022-07-29 2022-07-29 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构 Active CN217768368U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222001671.2U CN217768368U (zh) 2022-07-29 2022-07-29 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222001671.2U CN217768368U (zh) 2022-07-29 2022-07-29 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217768368U true CN217768368U (zh) 2022-11-08

Family

ID=83877547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222001671.2U Active CN217768368U (zh) 2022-07-29 2022-07-29 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN217768368U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5434750A (en) Partially-molded, PCB chip carrier package for certain non-square die shapes
CN214043635U (zh) 一种智能功率模块及电力电子设备
US5349235A (en) High density vertically mounted semiconductor package
KR100236671B1 (ko) 인쇄회로기판과 방열판을 구비하는 수직실장형 반도체 칩패키지 및 그를 포함하는 패키지 모듈
CN217768368U (zh) 一种贴片式so8j半导体芯片的封装结构
CN218101254U (zh) 一种具有侧翼散热结构的cdfn8-7封装体
CN111682018A (zh) 一种led显示模组、显示屏单元板、显示屏及制备方法
CN214203676U (zh) 贴片式光伏旁路模块的封装框架
CN217641307U (zh) 一种贴片式so36j半导体功率芯片的封装结构
CN209896055U (zh) 一种多基岛引线框架及电源转换模块的qfn封装结构
CN217768365U (zh) 一种贴片式so12j半导体芯片的封装结构
CN217822785U (zh) 一种贴片式tssop28半导体芯片的封装结构
CN217134355U (zh) 一种半导体功率器件封装结构
CN217983333U (zh) 一种贴片式so23c半导体分立器件的封装结构
CN217562563U (zh) 一种贴片式sop8半导体芯片的封装结构
CN217588917U (zh) 一种贴片式sot223半导体芯片的封装结构
CN219180505U (zh) 一种高散热性的光伏模块
CN220604667U (zh) 一种无框式大功率mos封装模块及电路结构
CN218333782U (zh) 一种电子烟芯片脚位散热结构
CN221041148U (zh) 一种多面散热的光伏模块
CN218602425U (zh) 一种ic芯片引线框架
CN219226284U (zh) 引线框架
CN218447898U (zh) 一种贴片式半导体芯片的封装结构
CN216015347U (zh) 一种器件封装结构及组件
CN217822784U (zh) 芯片封装结构及功率芯片

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant