CN217641307U - 一种贴片式so36j半导体功率芯片的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,涉及半导体功率芯片封装技术领域,包括金属引线框基岛、半导体功率芯片和塑封体,半导体功率芯片的一侧通过金属键合丝/带键合连接有金属引脚一,金属引线框基岛远离金属引脚一的一侧连接有金属引脚二,塑封体的底部两侧开设有凹槽,散热板与金属引线框基岛的底部相接,散热板的底部均匀开设有若干个相互平行的沟槽。本实用新型在金属外引脚所占用印刷线路板面积不变的情况下提高了在整体的封装结构中金属引线框基岛的可占用空间,如此可以安装更大面积或是功率的半导体功率芯片,增强金属引线框基岛的散热导热效果;通过在散热板底部开设多个沟槽,增加了更多的散热面积。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,属于半导体功率芯片封装技术领域。
背景技术
现有的贴片式SO36J半导体功率芯片常使用海鸥型金属外引脚,这种金属外引脚虽然方便进行焊接,但是占用的空间较多,因为这种海鸥型金属外引脚的底部是向远离塑封体的方向伸展的。当印刷线路板上的焊盘间距固定时,海鸥型金属外引脚向外伸展意味着塑封体的尺寸就要相应减小,这导致金属引线框基岛的尺寸也要跟着变小,进一步影响到半导体功率芯片的尺寸大小和散热效果。
如何提高贴片式SO36半导体功率芯片的金属引线框基岛的占比,提高散热效果是本领域急需解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,能够缩小金属外引脚的占用空间,提高金属引线框基岛的占比并提高散热效果。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,包括金属引线框基岛、半导体功率芯片和塑封体,半导体功率芯片的一侧通过金属键合丝/带连接有金属引脚一,金属引线框基岛远离金属引脚一的一侧连接有金属引脚二,塑封体的底部设置有散热板,塑封体的底部两侧开设有凹槽,散热板与金属引线框基岛的底部相接,散热板的两端延伸出金属引线框基岛,散热板的底部均匀开设有若干个相互平行的沟槽,金属引脚一包括依次连接的第一引脚分段一内引脚、第一引脚分段二外引脚和第一引脚分段三外引脚,第一引脚分段一内引脚与金属键合丝/带连接,第一引脚分段三外引脚位于第一引脚分段二外引脚靠近塑封体的一侧且端部***对应凹槽中;金属引脚二包括依次连接的第二引脚分段四外引脚、第二引脚分段一内引脚、第二引脚分段二外引脚和第二引脚分段三外引脚,第二引脚分段四外引脚与金属引线框基岛连接,第二引脚分段三外引脚位于第二引脚分段二外引脚靠近塑封体的一侧且端部***对应凹槽中。
优选地,第一引脚分段一内引脚与金属引线框基岛平行,第一引脚分段二外引脚位于第一引脚分段一内引脚下侧且与第一引脚分段一内引脚垂直,第一引脚分段三外引脚与第一引脚分段二外引脚垂直。
优选地,第二引脚分段一内引脚与金属引线框基岛平行,第二引脚分段二外引脚位于第二引脚分段一内引脚下侧且与第二引脚分段一内引脚垂直,第二引脚分段三外引脚与第二引脚分段二外引脚垂直。
优选地,第一引脚分段三外引脚的一端则***对应凹槽中的部分与凹槽的内壁之间留有间隙,第一引脚分段三外引脚的底部延伸出对应的凹槽。
优选地,第二引脚分段三外引脚的一端则***对应凹槽中的部分与凹槽的内壁之间留有间隙,第二引脚分段三外引脚的底部一端延伸出对应的凹槽。
与现有技术对比,本实用新型的有益效果为:
通过将第一引脚分段三外引脚和第二引脚分段三外引脚向塑封体外方向延伸布置,并且金属外引脚部分***到凹槽中,在竖直方向上观察时,本实用新型的金属引脚一和金属引脚二所占用的面积相比海鸥型金属引脚要小很多,这提高了在整体的封装结构中金属引线框基岛的可占用空间,可以安装更大的半导体功率芯片,增强金属引线框基岛的散热导热效果;通过在散热板底部开设多个沟槽,进一步增加了散热板的散热面积,增强了散热效果。
附图说明
图1为现有的贴片式SO36J半导体功率芯片的结构示意图;
图2为本实用新型的整体结构仰视视角立体图;
图3为本实用新型的内部结构示意图(省略了沟槽);
图4为本实用新型的整体结构平面图(省略了沟槽)。
图中:1、塑封体,11、海鸥型金属外引脚,12、散热板,121、沟槽,13、金属引脚一,131、第一引脚分段一内引脚,132、第一引脚分段二外引脚,133、第一引脚分段三外引脚,14、金属引脚二,141、第二引脚分段一内引脚,142、第二引脚分段二外引脚,143、第二引脚分段三外引脚,144、第二引脚分段四外引脚,15、凹槽,16、金属引线框基岛,17、半导体功率芯片,18、粘结物质,19、金属键合丝/带。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型实施中的技术方案进行清楚,完整的描述,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,现有的贴片式SO36J半导体功率芯片两侧的金属引脚均为海鸥型金属外引脚11,海鸥型金属外引脚11的底部为外凸式,因而占用的空间较多。
如图2至图4所示,本实用新型实施例提供的一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,包括金属引线框基岛16、半导体功率芯片17和散热板12,金属引线框基岛16和半导体功率芯片17之间使用锡膏或者导电胶等粘结物质18固定连接。散热板12固定在金属引线框基岛16远离半导体功率芯片17的一侧,为了增加散热板12的面积,散热板12的两端设置有凸出部位,凸出部位延伸出金属引线框基岛16的正下方范围。
半导体功率芯片17的一侧设置有十八只金属引脚一13,金属引脚一13包括依次连接的三个部分,分别为第一引脚分段一内引脚131、第一引脚分段二外引脚132和第一引脚分段三外引脚133,第一引脚分段一内引脚131与半导体功率芯片17平行,第一引脚分段一内引脚131上连接有金属键合丝/带19,金属键合丝/带19的另一端与半导体功率芯片17连接,第一引脚分段二外引脚132位于第一引脚分段一内引脚131的下侧并且垂直于第一引脚分段一内引脚131,第一引脚分段三外引脚133位于第一引脚分段二外引脚132靠近金属引线框基岛16的一侧,第一引脚分段三外引脚133垂直于第一引脚分段二外引脚132并且平行于第一引脚分段一内引脚131。
金属引线框基岛16远离金属引脚一13的一侧设置有十八只金属引脚二14,金属引脚二14包括依次连接的四个部分,分别为第二引脚分段四外引脚144、第二引脚分段一内引脚141、第二引脚分段二外引脚142和第二引脚分段三外引脚143,其中,第二引脚分段第与金属引线框基岛16连接,第二引脚分段一内引脚141与第一引脚分段一内引脚131齐平,第二引脚分段二外引脚142位于第二引脚分段一内引脚141的下侧并且垂直于第二引脚分段一内引脚141,第二引脚分段三外引脚143位于第二引脚分段二外引脚142靠近金属引线框基岛16的一侧,第二引脚分段三外引脚143垂直于第二引脚分段二外引脚142并且平行于第二引脚分段一内引脚141。
从图2和图3可以看出,金属引线框基岛16、半导体功率芯片17、金属键合丝/带19和第二引脚分段四外引脚144的全部以及散热板12、第一引脚分段一内引脚131和第二引脚分段一内引脚141的部分都得到塑封工艺的处理,包覆在塑封体1中。塑封体1的底部两侧开设有凹槽15。
从图2和图4中可以看出,第一引脚分段三外引脚133和第二引脚分段三外引脚143均部分***到凹槽15中,并且第一引脚分段三外引脚133和第二引脚分段三外引脚143与凹槽15之间留有间隙,并不贴合凹槽15的内壁,此间隙是预留锡膏爬锡使用的。
由于第一引脚分段三外引脚133和第二引脚分段三外引脚143均是向塑封体1弯折,且端部深入到塑封体1下方的凹槽15中,这样在与印刷线路板连接时,由于金属引脚一13和金属引脚二14所占用的空间比海鸥型金属外引脚11要小,可以增大金属引线框基岛16的尺寸,金属引线框基岛16尺寸增大的话就可以用于固定更大尺寸或更高功率密度的半导体功率芯片17,除了可以增加散热面/容积之外亦可以增强导热散热效果。
或者说,金属引线框基岛16的尺寸不变的话,由于金属引脚占用的空间缩小,那么印刷线路板上就可以安装更多的半导体功率芯片17,使得印刷线路板的空间得到有效利用。
散热板12的厚度增加,使得散热板12的底壁与第一引脚分段三外引脚133的底壁处于相近的高度。散热板12的厚度增加能够使散热板12的吸热效果更好,便于进行散热。
如图2所示,为了进一步增强散热效果,在散热板12的下部开设了多个平行的沟槽121,沟槽121之间间隔均匀,沟槽121的截面呈V形。
由于芯片性质的不同,根据芯片的性能需求,散热板12可以使用锡膏焊接在印刷线路板上,也可以不焊接在印刷线路板上。当不焊接在印刷线路板上时,沟槽121的存在增加了散热板12的表面积,进而增加了散热效果;当焊接在印刷线路板上时,沟槽121则可以起到容纳锡膏增加锡膏量以及与锡膏的连接面积的作用,这使得连接强度更高。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神和基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (5)
1.一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,包括金属引线框基岛(16)、半导体功率芯片(17)和塑封体(1),半导体功率芯片(17)的一侧通过金属键合丝/带(19)连接有金属引脚一(13),金属引线框基岛(16)远离金属引脚一(13)的一侧连接有金属引脚二(14),其特征在于,所述塑封体(1)的底部设置有散热板(12),所述塑封体(1)的底部两侧开设有凹槽(15),所述散热板(12)与金属引线框基岛(16)的底部相接,所述散热板(12)的两端延伸出金属引线框基岛(16),所述散热板(12)的底部均匀开设有若干个相互平行的沟槽(121),所述金属引脚一(13)包括依次连接的第一引脚分段一内引脚(131)、第一引脚分段二外引脚(132)和第一引脚分段三外引脚(133),所述第一引脚分段一内引脚(131)与金属键合丝/带(19)连接,所述第一引脚分段三外引脚(133)位于第一引脚分段二外引脚(132)靠近塑封体(1)的一侧外引脚且端部***对应凹槽(15)中;所述金属引脚二(14)包括依次连接的第二引脚分段四外引脚(144)、第二引脚分段一内引脚(141)、第二引脚分段二外引脚(142)和第二引脚分段三外引脚(143),所述第二引脚分段四外引脚(144)与金属引线框基岛(16)连接,所述第二引脚分段三外引脚(143)位于第二引脚分段二外引脚(142)靠近塑封体(1)的一侧金属外引脚且端部***对应凹槽(15)中。
2.根据权利要求1所述的一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,其特征在于,所述第一引脚分段一内引脚(131)与金属引线框基岛(16)平行,所述第一引脚分段二外引脚(132)位于第一引脚分段一内引脚(131)下侧且与第一引脚分段一内引脚(131)垂直,所述第一引脚分段三外引脚(133)与第一引脚分段二外引脚(132)垂直。
3.根据权利要求1所述的一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,其特征在于,所述第二引脚分段一内引脚(141)与金属引线框基岛(16)平行,所述第二引脚分段二外引脚(142)位于第二引脚分段一内引脚(141)下侧且与第二引脚分段一内引脚(141)垂直,所述第二引脚分段三外引脚(143)与第二引脚分段二外引脚(142)垂直。
4.根据权利要求1所述的一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,其特征在于,所述第一引脚分段三外引脚(133)的一端则***对应凹槽(15)中的部分与凹槽(15)的内壁之间留有间隙,所述第一引脚分段三外引脚(133)的底部延伸出对应的凹槽(15)。
5.根据权利要求1所述的一种贴片式SO36J半导体功率芯片的封装结构,其特征在于,所述第二引脚分段三外引脚(143)的一端则***对应凹槽(15)中的部分与凹槽(15)的内壁之间留有间隙,所述第二引脚分段三外引脚(143)的一端底部延伸出对应的凹槽(15)。
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