CN217426686U - 光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的是针对现有技术剥离光刻胶的工艺由于受光刻胶外金属层的阻挡，去胶液很难与光刻胶接触，使得去胶时间长、效率低的不足，提供一种光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备，光刻胶去除用预处理装置包括低温介质供应装置和晶圆固定装置一，低温介质供应装置包括低温介质供应管路和低温介质源，低温介质源内的低温介质通过低温介质供应管路供应到晶圆表面，位于晶圆表面的光刻胶及位于光刻胶外的金属层在低温介质的作用下产生冷缩从而金属层与光刻胶间产生裂隙，从而能使光刻胶暴露出来，当用去胶液去胶时去胶液可以直接作用在暴露的光刻胶表面，无需费时渗透去胶液，因此，可以提高后续光刻胶去除的效率。

Description

光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备

技术领域

本实用新型涉及红外探测器技术领域，特别涉及一种光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备。

背景技术

芯片广泛用于红外探测器中。在芯片制造过程中涉及涂胶、金属镀膜、铟柱生长、剥离去胶等工序。剥离去胶即l i ftoff去胶工艺，其目的为剥离去掉不需要的金属薄层与光刻胶，使得金属图形化。传统的剥离去胶工艺是根据光刻胶的品牌或成分选择相对应的去胶液，用去胶液浸泡芯片从而去除光刻胶。由于芯片在涂胶之后又进行了镀膜处理，通过电子束蒸发、磁控溅射等工艺在光刻胶表面形成了薄的金属镀层，在用去胶液浸泡芯片时，去胶液被镀膜工艺蒸镀的金属薄层阻挡，很难与金属薄层下方的光刻胶接触，需慢慢润湿侵入，特别是当光刻胶比较薄，厚度为5微米以下时，在金属层的阻挡下有机去胶液很难与光刻胶直接接触，需要浸润的时间更长，根据去胶液的种类与镀膜工艺的不同，剥离去胶时间也不同，一般较长，至少需要30分钟。去胶液多为有机液体，包含基体溶剂、润湿剂、助剂等，其成分复杂，回收处理困难，且易挥发对人有害另外，剥离去胶一般需要升温浸泡，因此，在去胶过程中易造成对人体的损害。为此，需要提供一种新的去除光刻胶的工艺及设备对金属薄层进行处理，去除光刻胶。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术剥离光刻胶的工艺由于受光刻胶外金属层的阻挡，去胶液很难与光刻胶接触，使得去胶时间长、效率低的不足，提供一种光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种光刻胶去除用预处理装置，包括低温介质供应装置和晶圆固定装置一，所述晶圆固定装置一包括固定支撑晶圆的晶圆固定元件一，晶圆固定元件一支撑并固定晶圆，所述的低温介质供应装置包括低温介质供应管路和低温介质源，低温介质源内的低温介质通过低温介质供应管路供应到晶圆表面，位于晶圆表面的光刻胶及位于光刻胶外的金属层在低温介质的作用下产生冷缩从而金属层与光刻胶间产生裂隙；

还包括摆动装置一，所述摆动装置一包括摆动驱动装置一及摆臂一，摆动驱动装置一驱动摆臂一摆动，所述低温介质供应管路与摆臂一固定连接由摆臂一带动相对于晶圆表面摆动；

还包括常温介质供应装置及介质交替供应控制装置，所述常温介质供应装置包括常温介质源及常温介质供应管路，常温介质源内的常温介质通过常介质供应管路供应到晶圆表面，由所述介质交替供应控制装置控制所述的常温介质供应装置及低温介质供应装置交替供应低温介质及常温介质，当包括摆动装置时，所述常温介质供应管路与摆臂固定连接同步摆动；

还包括晶圆旋转驱动装置一，由晶圆旋转驱动装置一驱动晶圆固定元件一转动从而带动晶圆转动；

所述的晶圆旋转驱动装置一包括旋转驱动器一和旋转杆一，由旋转杆固定连接晶圆固定元件一，由所述旋转驱动器一驱动旋所述旋转杆一转动从而带动晶圆转动，所述的晶圆固定装置一为卡盘装卡固定装置，所述的晶圆固定元件一为卡盘，或所述的晶圆固定装置一为真空吸盘固定装置，包括作为晶圆固定元件一的吸盘、真空装置及真空管，真空装置通过真空管连接吸盘，所述真空管套设在旋转杆一的空芯腔内，并与旋转杆一密封转动连接，由旋转杆一密封连接吸盘；

还包括低温介质回收装置，其至少包括一容腔一及保温装置，容腔一与晶圆固定元件一的位置相适应，从晶圆表面脱离的低温介质由容腔一收集；

所述的介质交替供应控制装置包括控制器，由控制器的输出端与低温介质供应管路上的电磁阀及常温介质供应管路上的电磁阀分别电连接，由控制器分别控制低温介质供应管路上的电磁阀及常温介质供应管路上的电磁阀的通断时间，低温介质和常温介质的供应时间以10-20秒为周期进行交替。

一种光刻胶去除装置，包括光刻胶清洗装置及前述各项之一所述的光刻胶去除用预处理装置，所述光刻胶清洗装置包括去胶液供应装置及晶圆固定装置二，晶圆固定装置二的晶圆固定元件二支撑固定金属层被处理的晶圆，所述去胶液供应装置包括去胶液容器、去胶液供应管路，由去胶液管路连接去胶液容器，并将去胶液供应到金属层被处理的晶圆表面；

所述的光刻胶清洗装置还包括晶圆旋转驱动装置二，由晶圆旋转驱动装置二驱动晶圆固定元件二转动；

所述的光刻胶去除用预处理装置及光刻胶清洗装置位于两个相互隔离的空间环境内，通过隔离装置隔离二者间的空气流通并通过隔离装置二实现二者间的连通。

本实用新型具有以下有益效果：

采用本实用新型光刻胶去除用预处理装置，采用低温介质供应装置向晶圆表面供应低温介质，当光刻胶和金属层遇到低温介质后由于冷缩的作用，光刻胶和金属层均进行收缩，利用二者间收缩速度和收缩程度不同使二者间产生裂隙，从而能使光刻胶暴露出来，当用去胶液去胶时去胶液可以直接作用在暴露的光刻胶表面，无需费时渗透去胶液，因此，可以提高后续光刻胶去除的效率。

采用本实用去除光刻胶所用的设备，先采用光刻胶去除用预处理装置对金属层进行处理，使金属层与光刻胶间产生裂隙，再用光刻胶清洗装置对光刻胶进行清洗，光刻胶清洗液在去胶液供应装置的供应下作用在金属层与光刻胶的裂隙间，使去胶液直接作用在光刻胶上，提高了去胶液的作用效率，缩短剥离去胶工艺的时间，降低芯片工艺流程的时间成本，避免因处理时间较长发生的金属膜回粘现象。同时可有效避免有机液体的大量使用，减少了芯片车间使用化学品的种类，达到了降低有机物对人体与环境的危害，缩小成本的目的。采用本实用新型的设备对光刻胶进行处理，可以优化光刻胶处理工艺，先采用降温处理的方式先对光刻胶表面进行低温处理，并使金属层与光刻胶层间产生冷缩差，使金属层和光刻胶间产生裂隙，由于冷缩是在极短的时间内完成的，收缩过程中即可在金属层和光刻胶表面产生裂隙，因此，金属层处理的效率高，方法简单，无需去胶液慢慢润湿侵入光刻胶，去胶液可迅速直达光刻胶表面，对光刻胶进行有效清洗，因此效率提高了2倍，取得了意想不到的技术效果。

附图说明

图1是本实用去除光刻胶所用的设备实施例结构示意图；

图2为本实用新型晶圆固定装置实施例结构示意图。

附图标记说明，

1、晶圆

A、光刻胶去除用预处理装置；B、光刻胶清洗装置；

100、低温介质供应装置；101、低温介质供应管路；102、容腔；103、凹槽；

200、晶圆固定装置一；201、吸盘；202、真空管；

300、晶圆旋转驱动装置一；301、旋转驱动器；302、旋转杆一

400、低温介质回收装置；

500、摆动装置；501、摆臂；

600、晶圆固定装置二；601、吸盘二；602、支架二；

700、隔离装置

800、去胶液供应装置；801、去胶液供应管路；802、容器二

901、常温介质供应管路

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制。

在去除光刻胶时，可先采用光刻胶去除用预处理装置A对金属层进行处理。光刻胶去除用预处理装置包括低温介质供应装置100、晶圆固定装置一200。由晶圆固定装置一对晶圆进行固定，露出光刻胶外的金属层和光刻胶，由低温介质供应装置向晶圆表面输送低温介质，使金属层和光刻胶产生冷缩。低温介质供应装置包括低温介质供应管路101和低温介质源(在图中没示出)，该低温介质供应管路一端与低温介质源连接，另一端与晶圆表面位置相对应，能使低温介质通过低温介质供应管路到达晶圆表面。晶圆固定装置可采用真空吸附固定装置，它包括吸盘201和真空装置202，真空吸附固定装置为常用的固定装置，其具体结构不再多述。吸盘开口可以向下设置，也可以倾斜设置，也可以向上设置，向下设置的好处在于，低温介质与金属层相遇后，开裂的金属层可以脱落并掉落，无需设置专门的装置对脱落的金属层进行清理，可保持晶圆表面清洁，无阻挡物。当吸盘开口向上设置时，为了及时去除开裂脱落的金属层，设置晶圆旋转驱动装置一300，晶圆旋转驱动装置一包括旋转驱动器301和旋转杆一302，旋转杆一的一端连接旋转驱动器的输出端，另一端为自由端与真空吸盘固定连接，旋转驱动器采用伺服电机，旋转杆一为空芯杆，在其壁上沿圆周方向分布设置有通气孔，在与通气孔相对应的位置设置有套管接头，套管接头上设置有连接孔，套管接头通过连接孔与真空管路固定连通，套管接头与旋转杆一转动气密封连接，这样，当旋转杆一转动时，其内腔可通过通气孔与真空管路连通，对吸盘产生真空作用。旋转杆一和真空管202间也可采用如下连接结构，真空管202的一端套装在空芯的旋转杆一302内，真空管外壁与旋转杆一的外壁间旋转密封固定连接，以使真空吸盘202可以形成密封腔，在旋转杆一外固定设置有传动件303，传动件可以是齿轮或带轮，旋转杆一与旋转驱动器通过传动装置连接，比如通过齿轮啮合传动连接或通过传动带传动连接，由旋转驱动器301驱动旋转杆一302转动。最好设置低温介质收集装置，低温介质收集装置设置有容腔102，在容腔外设置有保温层，容腔的开口周围设置有凹槽103，旋转杆一的一端穿过容腔的底部与容腔底部密封旋转连接，另一端位于容腔的开口外处于凹槽103内，这样从晶圆上流出的低温介质经凹槽汇集后从容腔的开口处进入到容腔内进行收集，容腔外的保温装置对收集到的低温介质保温，可以节约低温介质并节省能源。该低温介质收集装置可采用真空杜瓦，旋转杆的一端穿过真空杜瓦的底部，另一端位于其上开口的上方，真空杜瓦具有凹下的嘴部，相当于凹槽。低温介质源可以是液态气体罐，也可以是具有保温功能的压力容器，可视低温介质的种类不同选择相应的低温介质源。最好低温介质供应管路101可以摆动，以便相对于晶圆表面左右摆动或前后摆动，在摆动的过程中喷出的液体或气流更均匀地分布在晶圆表面，另一方面对晶圆表面进行更好的清理，将脱落物清理到晶圆外。通过摆动装置500使低温介质供应管路实现摆动。摆动装置可以是摆动气缸，摆动气缸的摆臂上缠绕有低温介质供应管路，当然，此时低温介质供应管路缠绕在摆臂上的部分为柔性管路。也可以是与摆臂固定连接的低温介质管路为刚性管，而管路是柔性的，这样，也方便低温介质管路与摆臂一起摆动。最好，同时设置常温介质供应装置900向晶圆表面供应常温介质，该常温介质供应装置包括常温介质供应管路901和常温介质源(在图中没示出)，该常温介质供应管路一端与常温介质源连接，另一端与晶圆表面位置相对应，能使常温介质通过常温介质供应管路到达晶圆表面，当设置摆动装置时，常温介质供应管路与低温介质供应管路一起缠绕固定设置在摆臂501上。当同时设置有低温介质供应装置和常温介质供应装置时，设置介质交替供应控制装置(图中没示出)，控制常温介质和低温介质交替供应，可采用多种结构的介质交替供应控制装置，比如采用PLC作为控制器，在低温介质供应管路和常温介质供应管路均上设置控制阀，由控制阀与PLC的输出端连接进行节拍控制即可，也可采用延时继电器与控制阀相结合的结构对低温介质和常温介质的供应节奏进行控制。

低温介质和常温介质的供应时间以10-20秒为周期进行交替供应，以此周期进行交替供应，使金属充分进行热量传导，使光刻胶充分吸热或散热，使金属层产生急剧热胀和冷缩交替。

光刻胶清洗装置B包括晶圆固定装置二600、去胶液供应装置800，晶圆固定装置二用于固定已产生金属层裂缝的晶圆，去胶液供应装置向晶圆提供去胶液。去胶液供应装置包括去胶液源(在图中没示出)及去胶液供应管路801，去胶液供应管路的一端连接去胶液源，另一端的位置与已产生金属层裂缝的晶圆位置相对应能将去胶液供给到晶圆1表面。晶圆固定装置二的结构不做特别要求，只要能将晶圆固定住露出光刻胶表面即可，可采用与晶圆固定装置一相同的真空吸附结构，通过吸盘二601吸附晶圆。如图1所示，吸盘二由支架二602固定，吸盘二的一端为吸盘开口，另一端通过支架二连接真空装置，支架二602与吸盘二连接固定的一段可设置成刚性管，兼做真空管二。支架二602可制成转动的结构，与旋转驱动装置二连接，此时需专门设置真空管二，真空管二的出气端设置在支架二的空芯腔内并与支架二间转动密封连接，支架二最好设置在容腔二802内，这样，去胶液可通过容腔二收集。最好设置去胶液供应管路摆动装置，驱动去胶液供应管路摆动，其也可以是摆动气缸，去胶液供应管路缠绕或用其它方式固定设置在摆臂上，由摆臂带动去胶液供应管路摆动。旋转驱动装置二可采用旋转驱动装置一相同的结构，在此不再累述。

最好，光刻胶去除用预处理装置和光刻胶清洗装置紧邻设置，二者分别位于不同的温度空间内，在两个空间中设置隔离装置700，将两空间隔离开来，隔离装置包括隔离门和门口，隔离门设置在门口内用于封闭和开启门口，隔离门可以是旋转式的，最好是推拉式的，这样可以快速打开和关闭门口且不占用空间，由于隔离门的结构没有特殊要求，可采用常规的自动门的结构，因此，不作特别说明。

晶圆固定装置一和晶圆固定装置二均可采用卡盘特别是镂空卡盘进行装卡固定，卡盘式装夹装置是本领域常用的结构，在此不再多述。采用卡盘固定晶圆时，旋转驱动器驱动卡盘转动，带动晶圆转动。卡盘及吸盘等直接固定晶圆的部件在本专利中统称为晶圆固定元件,构成晶圆固定装置一的晶圆固定元件称为晶圆固定元件一，构成晶圆固定装置二的晶圆固定元件称为晶圆固定元件二。

为了进一步理解本发明的光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备，下面对去除光刻胶的剥离方法进行说明。本专利申请的光刻胶剥离方法包括如下步骤：第一步，先对光刻胶外的金属层进行处理，处理方法如下：对光刻胶表面进行降温处理，比如将晶圆表面送入低温环境中，使光刻胶和金属层产生急剧收缩，最方便且易操作的方法采用前述的光刻胶去除用预处理装置供应低温介质对光刻胶表面作降温处理，低温介质供应管路将低温介质喷到光刻胶表面，由于光刻胶与金属层的冷缩速度不同，因此，当遇到低温介质后，光刻胶的冷缩速度明显低于金属层的冷缩速度，金属层收缩的快且收缩的程度比较大，光刻胶收缩的慢且收缩的程度小，因此使粘附在光刻胶表面的金属层与光刻胶间产生裂隙和/或产生脱离，脱离的金属层由于被光刻胶阻挡，因此不会玷污晶圆。第二步，由于经过低温处理后，表层金属层脱落或开裂，下方的光刻胶暴露的面积扩大，快速地转移晶圆使晶圆离开低温介质，将其移动到光刻胶清洗装置的晶圆固定装置二上，通过晶圆固定装置一将晶圆固定住，光刻胶液供应装置将光刻胶去胶液喷在光刻胶表面，用有机去胶液对光刻胶表面进行处理，使有机去胶液与光刻胶表面接触，此时，由于光刻胶表面粘附的金属层已开裂或脱落，因此，光刻胶与有机去胶液接触的面积大大增加，去除光刻胶的难度降低，很大程度上缩短了去除光刻胶的时间，同时，由于光刻胶和金属层脱离了低温介质，因此，金属层与光刻胶层外的温度上升，由于光刻胶与金属层的热胀速度不一样，金属层热胀速度快，光刻胸前热胀速度小，二者间再次产生裂隙，进一步增加了去胶液与光刻胶的接触面积，光刻胶很快在去胶液中溶解。因此缩短了光刻胶的去胶时间，一般，光刻胶在20分钟内可去除，极大地提高了去除光刻胶的效率。

为了进一步提高去胶效率，在进行金属层处理时，使晶圆旋转，这样使剥离的金属层在离心力的作用下甩出，减少金属层占用光刻胶的面积，进一步增加光刻胶的暴露面积，从而提高光刻胶的去除速度，同理，也可在用去胶液去除光刻胶时使晶圆旋转，使金属层边与光刻胶剥离边脱离晶圆表面增加光刻胶的暴露面积。此外，还可通过气体吹的方式将剥离的金属层吹到晶圆外。

在进一步的改进方法中，最好在低温处理室中完成金属层处理，而后将金属层与光刻胶间有裂缝的晶圆放在常温室中再进行去除光刻胶的处理，这样有利于能源有效利用和效率提高，最好采用喷射的方式将低温介质喷到光刻胶表面，金属层受到具有压力的射流的冲击与光刻胶间更易产生裂隙，有助于金属层开裂和脱离光刻胶。加压喷射低温介质时，加压后喷出的低温介质形成射流，对金属层产生的冲击力更强，进一步促使金属层与光刻胶产生裂隙，喷射的压力以不损伤晶圆为宜，一般以2Mpa以下为宜。低温介质可采用低温液化气体，也可采用可挥发的低温有机液体，低温液化气体一般可采用如液氦、液氮等惰性气体，不易在处理过程中与其它物质发生化学反应，低温有机液体一般采用经冷冻处理的液体丙酮、乙醇等。在进行金属层处理时，低温介质的温度最好低于零下70℃，一般取值范围为-70℃-200℃，采用此温度范围既可以使金属层产生急剧收缩又不会损坏晶圆，同时从能源的角度也最经济。采用上述温度范围结合去胶液，一般10-20分钟即可将光刻胶从晶圆上去除。

最好对晶圆表面进行降温和升温交替处理，使光刻胶和金属层受到冷热的交替作用，比如将晶圆交替置于低温和常温环境中，或使低温介质和常温介质交替作用在晶圆表面，使在晶圆表面产生交替的热胀和冷缩，这样有利于在光刻胶的表面更快速且均匀地形成金属层裂缝、金属层剥离，提高光刻胶与去胶液间的有效接触面积。此时，本实用新型的结构中包含有低温介质供应装置和常温介质供应装置，所述的常温介质与通常意义上的常温介质不同，是指高于低温介质温度且可在晶圆表面形成冷热交替作用的介质，其温度范围可取-45°至80°，可保证与低温介质形成冷热显明的温度差，还不损坏晶圆。当然，常温介质也可以是氮气、氦气、液态丙酮和乙醇等。交替供应的周期以金属能充分导热和吸热，光刻胶能在介质的作用下产生一胀一缩效果即可，一般为10-20秒，这样，由于金属层的导热性好，介质的温度很快传递给光刻胶，光刻胶受介质温度的影响产生交替的热胀和冷缩，使金属层破裂。

最好，在将低温介质喷到光刻胶表面时来回摆动喷射，这样低温介质可以更均匀地分布在光刻胶表面，有利于在光刻胶表面形成均匀的金属裂缝。此时，由摆动驱动装置驱动低温介质供应管路和常温介质供应管路摆动。

在对光刻胶进行去胶液去胶处理时，使晶圆转动，通过转动时的离心作用将脱落的胶、金属层和去胶液甩出晶圆表面，使晶圆表面保持清洁。采用去胶液去除光刻胶时，可以进行常温处理，也可加热去胶液，可在常温环境下进行，也可在高于常温的环境下进行处理，但环境温度以不损伤晶圆为宜。可采用常用的去胶液如丙酮、N-甲基吡咯烷酮等去除光刻胶。可采用常规浸泡的方法将金属层开裂的晶圆放置在去胶液中进行去除光刻胶处理，本实用新型中也可采用直接在光刻胶表面喷去胶液的方法对光刻胶和金属层进行喷浸处理，喷到光刻胶表面的去胶液浸入到密布在金属层的缝隙内与光刻胶直接接触，去胶液直接作用在光刻胶上，在极短的时间内去除光刻胶和剩余的金属膜层。

在进行低温介质处理金属层及去胶液去除光刻胶时最好对晶圆进行吹扫，比如来回摆动吹扫，将脱落的物质清理到晶圆表面外。

采用本实用新型结构的光刻胶去除设备，采用低温介质对金属层表面进行降温处理，光刻胶表面的金属层急剧收缩，其收缩率与位于金属层下方的光刻胶具有较大差异，使得黏附在光刻胶表层的金属收缩并与光刻胶产生裂隙，在加压喷出的射流下开裂或脱离的速度更快，而脱离的金属层因为光刻胶的阻挡无法玷污晶圆，在经过低温处理一段时间后，表层金属膜层脱落或开裂，下方光刻胶暴露出的面积扩大，再用去胶液进行去胶处理，去胶液浸入到金属层的裂隙中与光刻胶直接接触后对光刻胶直接产生作用，因此，大大缩短了去胶的时间。

下面以具体的实施例对本实用新型设备的使用方法作详细说明。

实施例1

晶圆在涂胶镀膜之后在晶圆的表面覆盖有光刻胶在光刻胶表面及光刻图形间具有金属层，如图1所示。

第一步：首先将镀膜之后的晶圆放置于晶圆固定装置上由晶圆固定装置进行固定，晶圆由吸盘一吸牢，通过旋转驱动装置驱动吸盘转动使晶圆同之旋转，将压力为2Mpa以下的惰性或化学性质不活泼的低温液化气体如液氦、液氮或零下70至零下200℃低温有机液体如经冷冻处理的的丙酮或乙醇喷至晶圆表面，在低温液化气体或低温液体的低温作用下，晶圆表面金属层急剧收缩，收缩率和速率大于位于其下方的光刻胶，使黏附在光刻胶表层的金属层与光刻胶产生裂隙，金属层在加压喷出的射流的作用下开裂或脱离，使光刻胶暴露出来的面积增大，而脱离的金属层因为光刻胶的阻挡无法玷污晶圆。

第二步：晶圆上的金属层开裂、脱离后即将晶圆快速地转到光刻胶去除空间内，由晶圆固定装置二进行固定，由旋转驱动装置驱动吸盘旋转，晶圆与之一同旋转，通过去胶液供应管路将去胶液，如丙酮、N-甲基吡咯烷酮等有机溶液喷到晶圆表面，去胶液与暴露出的光刻胶接触或浸入到金属层与光刻胶间的裂缝中，在去胶液的喷浸下，在室温下能在10-20分种内去除光刻胶与剩余金属膜层。还可以加热去胶液，使去胶速进一步加快。

第三步，经去胶液去胶处理完毕的晶圆再进行正常的清洗工艺，这样就得到所需的晶圆。

实施例2

在喷低温介质和去胶液时，晶圆是固定的不旋转，其它同实施例1。

实施例3

低温介质和常温介质交替喷吹在晶圆表面，低温介质和常温介质的喷吹频率为每隔10-20秒交替喷吹一次。其余同实施例1。

由于本实用新型结构的设备及方法其去除光刻胶的效果依赖于当遇到低温介质时金属层与光刻胶间产生的收缩差异情况，因此，金属层的厚薄及光刻胶的厚度对于去胶效率的影响比较明显，其它方面本实用新型不予以考虑。

采用本实用新型结构的装置，具有如下好处：

1、避免有机液体的大量使用，减少了芯片车间使用化学品的种类，达到了降低有机物对人体与环境的危害的目的。

2、降低原料成本与废液处理成本。

3、缩短了剥离去胶工艺的时间。

4、有效避免了细小金属膜层或颗粒回粘。

实施例对照表一

实施例对照表二：

Claims (10)

1.一种光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：包括低温介质供应装置和晶圆固定装置一，所述晶圆固定装置一包括固定支撑晶圆的晶圆固定元件一，晶圆固定元件一支撑并固定晶圆，所述的低温介质供应装置包括低温介质供应管路和低温介质源，低温介质源内的低温介质通过低温介质供应管路供应到晶圆表面，位于晶圆表面的光刻胶及位于光刻胶外的金属层在低温介质的作用下产生冷缩从而金属层与光刻胶间产生裂隙。

2.根据权利要求1所述的光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：还包括摆动装置一，所述摆动装置一包括摆动驱动装置一及摆臂一，摆动驱动装置一驱动摆臂一摆动，所述低温介质供应管路与摆臂一固定连接由摆臂一带动相对于晶圆表面摆动。

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：还包括常温介质供应装置及介质交替供应控制装置，所述常温介质供应装置包括常温介质源及常温介质供应管路，常温介质源内的常温介质通过常介质供应管路供应到晶圆表面，由所述介质交替供应控制装置控制所述的常温介质供应装置及低温介质供应装置交替供应低温介质及常温介质，当包括摆动装置时，所述常温介质供应管路与摆臂固定连接同步摆动。

4.根据权利要求1所述的光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：还包括晶圆旋转驱动装置一，由晶圆旋转驱动装置一驱动晶圆固定元件一转动从而带动晶圆转动。

5.根据权利要求4所述的光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：所述的晶圆旋转驱动装置一包括旋转驱动器一和旋转杆一，由旋转杆固定连接晶圆固定元件一，由所述旋转驱动器一驱动旋所述旋转杆一转动从而带动晶圆转动，所述的晶圆固定装置一为卡盘装卡固定装置，所述的晶圆固定元件一为卡盘，或所述的晶圆固定装置一为真空吸盘固定装置，包括作为晶圆固定元件一的吸盘、真空装置及真空管，真空装置通过真空管连接吸盘，所述真空管套设在旋转杆一的空芯腔内，并与旋转杆一密封转动连接，由旋转杆一密封连接吸盘。

6.根据权利要求1所述的光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：还包括低温介质回收装置，其至少包括一容腔一及保温装置，容腔一与晶圆固定元件一的位置相适应，从晶圆表面脱离的低温介质由容腔一收集。

7.根据权利要求3所述的光刻胶去除用预处理装置，其特征在于：所述的介质交替供应控制装置包括控制器，由控制器的输出端与低温介质供应管路上的电磁阀及常温介质供应管路上的电磁阀分别电连接，由控制器分别控制低温介质供应管路上的电磁阀及常温介质供应管路上的电磁阀的通断时间。

8.一种去除光刻胶所用的设备，其特征在于：包括光刻胶清洗装置及权利要求1-7各项之一所述的光刻胶去除用预处理装置，所述光刻胶清洗装置包括去胶液供应装置及晶圆固定装置二，晶圆固定装置二的晶圆固定元件二支撑固定金属层被处理的晶圆，所述去胶液供应装置包括去胶液容器、去胶液供应管路，由去胶液管路连接去胶液容器，并将去胶液供应到金属层被处理的晶圆表面。

9.如权利要求8所述的一种去除光刻胶所用的设备，其特征在于：所述的光刻胶清洗装置还包括晶圆旋转驱动装置二，由晶圆旋转驱动装置二驱动晶圆固定元件二转动。

10.如权利要求8所述的一种去除光刻胶所用的设备，其特征在于：所述的光刻胶去除用预处理装置及光刻胶清洗装置位于两个相互隔离的空间环境内，通过隔离装置隔离二者间的空气流通并通过隔离装置二实现二者间的连通。

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