CN217133305U - 一种用于二极管的老炼电路 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种用于二极管的老炼电路,涉及电子电路的技术领域,其包括老炼子电路和控制子电路,老炼子电路与第一二极管D1相连接,老炼子电路用于对第一二极管D1进行老炼,控制子电路与老炼子电路相连接。老炼子电路包括MOS管Q1、第三二极管D3、第六电阻器R6、第七电阻器R7、第二二极管D2和第八电阻器R8。本申请具有便于调节老炼电流的大小的效果。
Description
技术领域
本申请涉及电子电路的技术领域,尤其是涉及一种用于二极管的老炼电路。
背景技术
老炼,又称老化,通常指在一定的环境温度下、较长的时间内对元器件连续施加一定的电应力,通过电应力以及热应力的综合作用来加速元器件内部的各种物理、化学反应过程,促使隐藏于元器件内部的各种潜在缺陷及早暴露,从而达到剔除早期失效产品的目的。
在相关技术中,参照图1和图2,POW为交流电源,POW提供的电压波形的正负半周不对称,R1为第一电阻器,D1为第一二极管,即被老炼器件;为描述方便,将流过第一二极管D1的电流称为老炼电流。在交流电源POW的正半周,老炼电流逐渐增大,在正半周的电压最大时,老炼电流达到最大值,然后老炼电流逐渐减小,直到接近0时不满足管压降而关断,即正偏老炼试验;在交流电源POW的负半周,则对第一二极管D1进行反偏老炼试验。
针对上述相关技术,发明人发现:在上述相关技术中,不便于调节老炼电流的大小。
实用新型内容
为了便于调节老炼电流的大小,本申请提供一种用于二极管的老炼电路。
一种用于二极管的老炼电路,包括:
老炼子电路,与所述第一二极管D1相连接,用于对所述第一二极管D1进行老炼;以及,
控制子电路,与所述老炼子电路相连接;
所述老炼子电路包括:
MOS管Q1,其控制端与所述控制子电路相连接;
第三二极管D3,其阳极与所述第一二极管D1的阴极相连接,所述第三二极管D3的阴极与所述MOS管Q1的输入端相连接;
第六电阻器R6,一端与所述MOS管Q1的输出端相连接,另一端接功率地;
第七电阻器R7,与所述第六电阻器R6并联;
第二二极管D2,其阴极与所述第三二极管D3的阳极相连接;以及,
第八电阻器R8,一端与所述第二二极管D2的阳极相连接,另一端接功率地。
通过采用上述技术方案,当交流电源POW的正半周,即控制子电路中的电流为正向电流时,电流从交流电源POW流出,并依次流过第一二极管D1、第三二极管D3,接着从MOS管Q1的源极流入,从MOS管Q1的漏极流出,然后电流同时流过第六电阻器R6和第七电阻器R7,最后流入功率地;当交流电源POW处于负半周时,即控制子电路中的电流为反向电流时,电流从功率地流出,并依次流过第八电阻器R8、第二二极管D2和第一二极管D1,然后流入交流电源POW;工作人员通过控制子电路控制输入到MOS管Q1的控制端的控制信号的大小及波形,进而控制MOS管Q1的导通量,从而调节流过第一二极管D1的电流大小及波形。
可选的,所述控制子电路包括:
控制芯片N2,包括第一输入端、第一输出端、第二输入端、第二输出端;所述第一输入端用于与直流电源的正极相连接,所述第一输出端用于与所述直流电源的负极相连接,所述第二输入端用于接与所述交流电源POW的相位相同的外接信号;
第三电容器C3,一端与所述第一输入端相连接;另一端接模拟地;
第四电容器C4,一端与所述第一输出端相连接,另一端接模拟地;以及,
第五电阻器R5,一端与所述第二输出端相连接,另一端与所述MOS管Q1的控制端相连接。
通过采用上述技术方案,工作人员通过第二输入端控制输入到MOS管Q1的控制信号的的大小及波形,进而控制MOS管Q1的导通量,从而控制老炼电流的大小及老炼电流的波形。
可选的,所述第八电阻器R8与所述第二二极管D2之间设置有第一采样端口;所述老炼子电路连接有用于对老炼电流进行采样的第一采样子电路,所述第一采样子电路包括:
第一采样芯片N1,包括第四输入端、第四输出端、第五输入端、第五输出端和第六输出端;所述第四输入端与所述直流电源的正极相连接,所述第四输出端与所述直流电源的负极相连接;
第一电容器C1,一端与所述第四输入端相连接,另一端接模拟地;
第二电容器C2,一端与所述第四输出端相连接,另一端接模拟地;
第三电阻器R3,一端与所述第五输入端相连接,另一端接功率地;
第四电阻器R4,一端与所述第五输入端相连接,另一端接模拟地;
第二电阻器R2,一端与所述第五输出端相连接,另一端与所述第一采样端口相连接;以及,
第一电阻器R1,一端与所述第五输出端相连接,另一端与所述第六输出端相连接。
通过采用上述技术方案,在交流电源POW处于负半周时,第一采样芯片N1采集第八电阻器R8两端的电压降,并根据第八电阻器R8的阻值换算得到通过第八电阻器R8的电流,从而对反向电流进行采样。
可选的,所述第六电阻器R6与所述MOS管Q1之间设置有第二采样端口,所述控制芯片N2还包括第三输出端;所述老炼子电路连接有用于对老炼电流进行采样的第二采样子电路,所述第二采样子电路包括:
第二采样芯片N3,包括第七输入端、第七输出端、第八输入端、第八输出端和第九输出端;所述第七输入端与所述直流电源的正极相连接,所述第七输出端与所述直流电源的负极相连接;
第五电容器C5,一端与所述第七输入端相连接,另一端接模拟地;
第六电容器C6,一端与所述第七输出端相连接,另一端接模拟地;
第十一电阻器R11,一端与所述第八输入端相连接,另一端与所述第二采样端口相连接;
第十电阻器R10,一端与所述第八输出端相连接,另一端接功率地;以及,
第九电阻器R9,一端与所述第八输入端相连接,另一端与所述第九输出端相连接且与所述第三输出端相连接。
通过采用上述技术方案,在交流电源POW处于正半周时,第二采样芯片N3能够采集第六电阻器R6两端的电压降,并根据第六电阻器R6的阻值以及第七电阻器R7的阻值换算得到通过第三二极管D3的电流,从而对正向电流进行采样。
可选的,所述老炼子电路连接有用于控制老炼子电路通断的通断子电路,所述通断子电路包括:
继电器K1,包括线圈、常闭触点及公共触点;所述常闭触点与所述第三二极管D3的阳极相连接,所述公共触点与所述第一二极管D1的阴极相连接;以及,
第一二极管D4,与所述线圈并联。
通过采用上述技术方案,当第一二极管D1损坏时,工作人员通过控制继电器K1,使得线圈通电,常闭触点断开,进而使得老炼子电路断开,从而将第一二极管D1剔除出电路,工作人员进而能够对第一二极管D1进行更换。
可选的,所述第八电阻器R8的两端并联有瞬态二极管D5。
通过采用上述技术方案,当流过第八电阻器R8的电流过大时,瞬态二极管D5从高阻态变为低阻态,瞬态二极管D5导通;绝大部分电流从瞬态二极管D5流过,将R8两端的电压限制在瞬态二极管的安全电压,从而减小第二电阻器R8损坏的可能性,提高老炼子电路的安全性。
可选的,所述MOS包括NMOS管,所述NMOS管的源极与所述第三二极管D3的阴极相连接,所述NMOS管的漏极与所述第六电阻器R6相连接,所述NMOS管的栅极与第五电阻器R5相连接。
通过采用上述技术方案,工作人员通过控制从NMOS管的栅极输入的控制信号的大小及波形,进而对控制NMOS管的导通量,从而对老炼电流的大小及波形进行调节。
可选的,所述继电器K1包括电压继电器。
综上所述,本申请至少包括以下有益技术效果:
1.工作人员通过控制子电路控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形,进而控制MOS管Q1的导通量,从而调节老炼电流的大小及老炼电流的波形。
2.瞬态二极管的设置,减小了第八电阻器R8损坏的可能性,提高了老炼子电路的安全性。
附图说明
图1是现有技术中的老炼电路的电路图。
图2是现有技术中的交流电源POW的电压波形图。
图3是本申请实施例的用于二极管的老炼电路的电路图。
附图标记说明:1、老炼子电路;2、控制子电路;3、第一采样子电路;4、第二采样子电路;5、通断子电路。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图3及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
本申请实施例公开了一种用于二极管的老炼电路。
参照图3,一种用于二极管的老炼电路包括老炼子电路1和控制子电路2。老炼子电路1与第一二极管D1相连接,在本实施例中,第一二极管D1的阳极与交流电源POW相连接,第一二极管D1的阴极与老炼子电路1相连接;老炼子电路1用于对第一二极管D1进行老炼。控制子电路2与老炼子电路1相连接,控制子电路2用于调节老炼电流的大小及老炼电流的波形,即流过第一二极管D1的电流大小及波形。
继续参照图3,老炼子电路1包括MOS管Q1、第三二极管D3、第六电阻器R6、第七电阻器R7、第二二极管D2和第八电阻器R8。MOS管Q1的控制端与控制子电路2相连接。第三二极管D3起电流分流作用,第三二极管D3的阳极与第一二极管D1的阴极相连接,第三二极管D3的阴极与MOS管Q1的输入端相连接。第六电阻器R6与第七电阻器R7均为采样电阻,第六电阻器R6的一端与MOS管Q1的输出端相连接,第六电阻器R6的另一端接功率地;第七电阻器R7与第六电阻器R6并联,即第七电阻器R7的一端与MOS管Q1的输出端相连接,第七电阻器R7的另一端接功率地;在满足电路的电流范围和采样电阻的功率耗散要求的情况下,可以使用一个采样电阻代替第六电阻器R6和第七电阻器R7。第二二极管D2起电流分流作用,第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阳极相连接,即第二二极管D2的阴极与第一二极管D1的阴极相连接;第八电阻器R8为采样电阻,第八电阻器R8的一端与第二二极管D2的阳极相连接,第八电阻器R8的另一端接功率地。在交流电源POW的正半周,老炼子电路1中的电流为正向电流,电流依次流过第一二极管D1、第三二极管D3,并从MOS管Q1的输入端流入,从MOS管Q1的输出端流出,然后电流同时流过第六电阻器R6和第七电阻器R7,最后流入功率地;在交流电源POW的负半周,老炼子电路1中的电流为反向电流,电流从功率地流出,然后依次流过第八电阻器R8、第二二极管D2和第一二极管D1;工作人员通过控制子电路2控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形,调节MOS管Q1的导通量,从而调节老炼电流的大小及老炼电流的波形。
参考图3,第八电阻器R8的两端并联有瞬态二极管D5。在交流电源POW的正半周,交流电源POW的电压较低,老炼子电路1危险性较低,第六电阻器R6和第七电阻器R7损坏的可能性较低;在交流电源POW的负半周,交流电源POW的电压较高,第八电阻器R8损坏的可能性较高,瞬态二极管D5的设置,减小了第八电阻器R8损坏的可能性,从而提高了老炼子电路1的安全性。
参照图3,控制子电路2包括控制芯片N2、第三电容器C3、第四电容器C4和第五电阻器R5。控制芯片N2包括第一输入端V+、第一输出端V-、第二输入端VCON1、第二输出端VO;第一输入端V+用于与直流电源的正极相连接,第一输出端V-用于与直流电源的负极相连接。第二输入端VCON1用于接与交流电源POW的相位相同的外接信号,该外接信号可使用多种生成方式,如DDS信号发生、交流电源POW的分压生成;根据实际需求,该外接信号的波形可以是正弦波,可以是方波,相应的,老炼电流的波形也可以是正弦波或方波。第三电容器C3的一端与第一输入端V+相连接;第三电容器C3的另一端接模拟地;第四电容器C4的一端与第一输出端V-相连接,第四电容器C4的另一端接模拟地;第五电阻器R5的一端与第二输出端VO相连接,第五电阻器R5的另一端与MOS管Q1的控制端相连接。工作人员通过第二输入端VCON1控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形,进而控制MOS管Q1的导通量,从而控制老炼电流的大小及老炼电流的波形。
参考图3,作为MOS管的一种实施方式,MOS包括NMOS管。在本实施例中,NMOS为增强型的NMOS管,NMOS管的源极与第三二极管D3的阴极相连接,NMOS管的漏极与第六电阻器R6相连接,NMOS管的栅极与第五电阻器R5相连接。
参照图3,第八电阻器R8与第二二极管D2之间设置有第一采样端口NNI1;老炼子电路1连接有用于对反向电流进行采样的第一采样子电路3。第一采样子电路3包括第一采样芯片N1、第一电容器C1、第二电容器C2、第三电阻器R3、第四电阻器R4、第二电阻器R2和第一电阻器R1。第一采样芯片N1包括第四输入端V+、第四输出端V-、第五输入端+、第五输出端-和第六输出端VO;第四输入端V+与直流电源的正极相连接,第四输出端V-与直流电源的负极相连接。第一电容器C1的一端与第四输入端V+相连接,第一电容器C1的另一端接模拟地;第二电容器C2的一端与第四输出端V-相连接,第二电容器C2的另一端接模拟地;第三电阻器R3的一端与第五输入端+相连接,第三电阻器R3的另一端接功率地;第四电阻器R4的一端与第五输入端+相连接,第四电阻器R4的另一端接模拟地;第二电阻器R2的一端与第五输出端-相连接,第二电阻器R2的另一端与第一采样端口NNI1相连接;第一电阻器R1为反馈电阻,第一电阻器R1的一端与第五输出端-相连接,第一电阻器R1的另一端与第六输出端VO相连接。在交流电源POW处于负半周时,第一采样芯片N1采集第八电阻器R8两端的电压降,并根据第八电阻器R8的阻值换算得到通过第八电阻器R8的电流,从而对反向电流进行采样。
参照图3,第六电阻器R6与MOS管Q1之间设置有第二采样端口PPI1,控制芯片N2还包括第三输出端PI1。老炼子电路1连接有用于对正向电流进行采样的第二采样子电路4,第二采样子电路4包括第二采样芯片N3、第五电容器C5、第六电容器C6、第十一电阻器R11、第十电阻器R10和第九电阻器R9。第二采样芯片N3包括第七输入端V+、第七输出端V-、第八输入端+、第八输出端-和第九输出端VO;第七输入端V+与直流电源的正极相连接,第七输出端V-与直流电源的负极相连接。第五电容器C5的一端与第七输入端V-相连接,第五电容器C5的另一端接模拟地;第六电容器C6的一端与第七输出端V-相连接,第六电容器C6的另一端接模拟地;第十一电阻器R11的一端与第八输入端+相连接,第十一电阻器R11的另一端与第二采样端口PPI1相连接;第十电阻器R10的一端与第八输出端-相连接,第十电阻器R10的另一端接功率地;第九电阻器R9的一端与第八输入端+相连接,第九电阻器R9的另一端与第九输出端VO相连接且与第三输出端PI1相连接。在交流电源POW处于正半周时,第二采样芯片N3能够采集第六电阻器R6两端的电压降,并根据第六电阻器R6的阻值以及第七电阻器R7的阻值换算得到通过第三二极管D3的电流,从而对正向电流进行采样。
参考图3,老炼子电路1连接有用于控制老炼子电路1通断的通断子电路5,通断子电路5包括继电器K1和第一二极管D4,继电器K1包括电压继电器。继电器K1包括线圈、常闭触点及公共触点,常闭触点与第三二极管D3的阳极相连接,公共触点与第一二极管D1的阴极相连接。第一二极管D4与继电器线圈并联,即第一二极管D1的阴极与继电器线圈的电流输入端相连接,第一二极管D1的阳极与继电器线圈的电流输出端相连接。当第一二极管D1故障时,工作人员通过控制继电器K1,使得线圈通电,常闭触点断开,进而使得老炼子电路1断开,从而将第一二极管D1剔除出电路。
本申请实施例的一种用于二极管的老炼电路的基本原理为:在对第一二极管D1(即被老练器件)进行老炼时,第三输入端VCON1接有与交流电源POW的相位相同的外接信号;当交流电源POW处于正半周时,工作人员通过第三输入端VCON1控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形,进而控制MOS管Q1的导通量,从而调节老炼电流的大小及老炼电流的波形。
同时,在交流电源POW处于负半周时,第一采样芯片N1能够采集第八电阻器R8两端的电压降,进而对电压降进行低电平转换,并根据第八电阻器R8的阻值换算得到通过第八电阻器R8的电流,从而对反向电流进行采样;在交流电源POW处于正半周时,第二采样芯片N3能够采集第六电阻器R6两端的电压降,进而对电压降进行低电平转换,并根据第六电阻器R6的阻值以及第七电阻器R7的阻值换算得到通过第三二极管D3的电流,从而对正向电流进行采样。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围,本说明书(包括摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其它等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
Claims (8)
1.一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,包括:
老炼子电路(1),与第一二极管D1相连接,用于对第一二极管D1进行老炼;以及,
控制子电路(2),与所述老炼子电路(1)相连接;
所述老炼子电路(1)包括:
MOS管Q1,其控制端与所述控制子电路(2)相连接;
第三二极管D3,其阳极与第一二极管D1的阴极相连接,所述第三二极管D3的阴极与所述MOS管Q1的输入端相连接;
第六电阻器R6,一端与所述MOS管Q1的输出端相连接,另一端接功率地;
第七电阻器R7,与所述第六电阻器R6并联;
第二二极管D2,其阴极与所述第三二极管D3的阳极相连接;以及,
第八电阻器R8,一端与所述第二二极管D2的阳极相连接,另一端接功率地。
2.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述控制子电路(2)包括:
控制芯片N2,包括第一输入端、第一输出端、第二输入端、第二输出端;所述第一输入端用于与直流电源的正极相连接,所述第一输出端用于与直流电源的负极相连接,所述第二输入端用于接与交流电源POW的相位相同的外接信号;
第三电容器C3,一端与所述第一输入端相连接;另一端接模拟地;
第四电容器C4,一端与所述第一输出端相连接,另一端接模拟地;以及,
第五电阻器R5,一端与所述第二输出端相连接,另一端与所述MOS管Q1的控制端相连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述第八电阻器R8与所述第二二极管D2之间设置有第一采样端口;所述老炼子电路(1)连接有用于对老炼电流进行采样的第一采样子电路(3),所述第一采样子电路(3)包括:
第一采样芯片N1,包括第四输入端、第四输出端、第五输入端、第五输出端和第六输出端;所述第四输入端与直流电源的正极相连接,所述第四输出端与直流电源的负极相连接;
第一电容器C1,一端与所述第四输入端相连接,另一端接模拟地;
第二电容器C2,一端与所述第四输出端相连接,另一端接模拟地;
第三电阻器R3,一端与所述第五输入端相连接,另一端接功率地;
第四电阻器R4,一端与所述第五输入端相连接,另一端接模拟地;
第二电阻器R2,一端与所述第五输出端相连接,另一端与所述第一采样端口相连接;以及,
第一电阻器R1,一端与所述第五输出端相连接,另一端与所述第六输出端相连接。
4.根据权利要求2所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述第六电阻器R6与所述MOS管Q1之间设置有第二采样端口,所述控制芯片N2还包括第三输出端;所述老炼子电路(1)连接有用于对老炼电流进行采样的第二采样子电路(4),所述第二采样子电路(4)包括:
第二采样芯片N3,包括第七输入端、第七输出端、第八输入端、第八输出端和第九输出端;所述第七输入端与直流电源的正极相连接,所述第七输出端与直流电源的负极相连接;
第五电容器C5,一端与所述第七输入端相连接,另一端接模拟地;
第六电容器C6,一端与所述第七输出端相连接,另一端接模拟地;
第十一电阻器R11,一端与所述第八输入端相连接,另一端与所述第二采样端口相连接;
第十电阻器R10,一端与所述第八输出端相连接,另一端接功率地;以及,
第九电阻器R9,一端与所述第八输入端相连接,另一端与所述第九输出端相连接且与所述第三输出端相连接。
5.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述老炼子电路(1)连接有用于控制老炼子电路(1)通断的通断子电路(5),所述通断子电路(5)包括:
继电器K1,包括线圈、常闭触点及公共触点;所述常闭触点与所述第三二极管D3的阳极相连接,所述公共触点与第一二极管D1的阴极相连接;以及,
第一二极管D4,与所述线圈并联。
6.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述第八电阻器R8的两端并联有瞬态二极管D5。
7.根据权利要求2所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述MOS管Q1包括NMOS管,所述NMOS管的源极与所述第三二极管D3的阴极相连接,所述NMOS管的漏极与所述第六电阻器R6相连接,所述NMOS管的栅极与第五电阻器R5相连接。
8.根据权利要求5所述的一种用于二极管的老炼电路,其特征在于,所述继电器K1包括电压继电器。
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---|---|---|---|
CN202220744973.6U CN217133305U (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 一种用于二极管的老炼电路 |
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CN202220744973.6U CN217133305U (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 一种用于二极管的老炼电路 |
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CN115308453A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-11-08 | 杭州三海电子有限公司 | 一种老炼试验夹具及老炼试验*** |
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2022
- 2022-04-01 CN CN202220744973.6U patent/CN217133305U/zh active Active
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CN115308453A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-11-08 | 杭州三海电子有限公司 | 一种老炼试验夹具及老炼试验*** |
CN115308453B (zh) * | 2022-10-10 | 2023-05-12 | 杭州三海电子科技股份有限公司 | 一种老炼试验夹具及老炼试验*** |
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