CN217133305U - 一种用于二极管的老炼电路 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种用于二极管的老炼电路，涉及电子电路的技术领域，其包括老炼子电路和控制子电路，老炼子电路与第一二极管D1相连接，老炼子电路用于对第一二极管D1进行老炼，控制子电路与老炼子电路相连接。老炼子电路包括MOS管Q1、第三二极管D3、第六电阻器R6、第七电阻器R7、第二二极管D2和第八电阻器R8。本申请具有便于调节老炼电流的大小的效果。

Description

一种用于二极管的老炼电路

技术领域

本申请涉及电子电路的技术领域，尤其是涉及一种用于二极管的老炼电路。

背景技术

老炼，又称老化，通常指在一定的环境温度下、较长的时间内对元器件连续施加一定的电应力,通过电应力以及热应力的综合作用来加速元器件内部的各种物理、化学反应过程,促使隐藏于元器件内部的各种潜在缺陷及早暴露,从而达到剔除早期失效产品的目的。

在相关技术中，参照图1和图2，POW为交流电源,POW提供的电压波形的正负半周不对称，R1为第一电阻器，D1为第一二极管，即被老炼器件；为描述方便，将流过第一二极管D1的电流称为老炼电流。在交流电源POW的正半周，老炼电流逐渐增大，在正半周的电压最大时，老炼电流达到最大值，然后老炼电流逐渐减小，直到接近0时不满足管压降而关断，即正偏老炼试验；在交流电源POW的负半周，则对第一二极管D1进行反偏老炼试验。

针对上述相关技术，发明人发现：在上述相关技术中，不便于调节老炼电流的大小。

实用新型内容

为了便于调节老炼电流的大小,本申请提供一种用于二极管的老炼电路。

一种用于二极管的老炼电路，包括：

老炼子电路，与所述第一二极管D1相连接，用于对所述第一二极管D1进行老炼；以及，

控制子电路，与所述老炼子电路相连接；

所述老炼子电路包括：

MOS管Q1，其控制端与所述控制子电路相连接；

第三二极管D3，其阳极与所述第一二极管D1的阴极相连接，所述第三二极管D3的阴极与所述MOS管Q1的输入端相连接；

第六电阻器R6，一端与所述MOS管Q1的输出端相连接，另一端接功率地；

第七电阻器R7，与所述第六电阻器R6并联；

第二二极管D2，其阴极与所述第三二极管D3的阳极相连接；以及，

第八电阻器R8，一端与所述第二二极管D2的阳极相连接，另一端接功率地。

通过采用上述技术方案，当交流电源POW的正半周，即控制子电路中的电流为正向电流时，电流从交流电源POW流出，并依次流过第一二极管D1、第三二极管D3，接着从MOS管Q1的源极流入，从MOS管Q1的漏极流出，然后电流同时流过第六电阻器R6和第七电阻器R7,最后流入功率地；当交流电源POW处于负半周时，即控制子电路中的电流为反向电流时，电流从功率地流出，并依次流过第八电阻器R8、第二二极管D2和第一二极管D1,然后流入交流电源POW；工作人员通过控制子电路控制输入到MOS管Q1的控制端的控制信号的大小及波形，进而控制MOS管Q1的导通量，从而调节流过第一二极管D1的电流大小及波形。

可选的，所述控制子电路包括：

控制芯片N2，包括第一输入端、第一输出端、第二输入端、第二输出端；所述第一输入端用于与直流电源的正极相连接，所述第一输出端用于与所述直流电源的负极相连接，所述第二输入端用于接与所述交流电源POW的相位相同的外接信号；

第三电容器C3，一端与所述第一输入端相连接；另一端接模拟地；

第四电容器C4，一端与所述第一输出端相连接，另一端接模拟地；以及，

第五电阻器R5，一端与所述第二输出端相连接，另一端与所述MOS管Q1的控制端相连接。

通过采用上述技术方案，工作人员通过第二输入端控制输入到MOS管Q1的控制信号的的大小及波形，进而控制MOS管Q1的导通量，从而控制老炼电流的大小及老炼电流的波形。

可选的，所述第八电阻器R8与所述第二二极管D2之间设置有第一采样端口；所述老炼子电路连接有用于对老炼电流进行采样的第一采样子电路，所述第一采样子电路包括：

第一采样芯片N1，包括第四输入端、第四输出端、第五输入端、第五输出端和第六输出端；所述第四输入端与所述直流电源的正极相连接，所述第四输出端与所述直流电源的负极相连接；

第一电容器C1,一端与所述第四输入端相连接，另一端接模拟地；

第二电容器C2,一端与所述第四输出端相连接，另一端接模拟地；

第三电阻器R3，一端与所述第五输入端相连接，另一端接功率地；

第四电阻器R4,一端与所述第五输入端相连接，另一端接模拟地；

第二电阻器R2，一端与所述第五输出端相连接，另一端与所述第一采样端口相连接；以及，

第一电阻器R1,一端与所述第五输出端相连接，另一端与所述第六输出端相连接。

通过采用上述技术方案，在交流电源POW处于负半周时，第一采样芯片N1采集第八电阻器R8两端的电压降，并根据第八电阻器R8的阻值换算得到通过第八电阻器R8的电流，从而对反向电流进行采样。

可选的，所述第六电阻器R6与所述MOS管Q1之间设置有第二采样端口，所述控制芯片N2还包括第三输出端；所述老炼子电路连接有用于对老炼电流进行采样的第二采样子电路，所述第二采样子电路包括：

第二采样芯片N3，包括第七输入端、第七输出端、第八输入端、第八输出端和第九输出端；所述第七输入端与所述直流电源的正极相连接，所述第七输出端与所述直流电源的负极相连接；

第五电容器C5,一端与所述第七输入端相连接，另一端接模拟地；

第六电容器C6，一端与所述第七输出端相连接，另一端接模拟地；

第十一电阻器R11，一端与所述第八输入端相连接，另一端与所述第二采样端口相连接；

第十电阻器R10，一端与所述第八输出端相连接，另一端接功率地；以及，

第九电阻器R9,一端与所述第八输入端相连接，另一端与所述第九输出端相连接且与所述第三输出端相连接。

通过采用上述技术方案，在交流电源POW处于正半周时，第二采样芯片N3能够采集第六电阻器R6两端的电压降，并根据第六电阻器R6的阻值以及第七电阻器R7的阻值换算得到通过第三二极管D3的电流,从而对正向电流进行采样。

可选的，所述老炼子电路连接有用于控制老炼子电路通断的通断子电路，所述通断子电路包括：

继电器K1，包括线圈、常闭触点及公共触点；所述常闭触点与所述第三二极管D3的阳极相连接，所述公共触点与所述第一二极管D1的阴极相连接；以及，

第一二极管D4,与所述线圈并联。

通过采用上述技术方案，当第一二极管D1损坏时，工作人员通过控制继电器K1，使得线圈通电，常闭触点断开，进而使得老炼子电路断开，从而将第一二极管D1剔除出电路，工作人员进而能够对第一二极管D1进行更换。

可选的，所述第八电阻器R8的两端并联有瞬态二极管D5。

通过采用上述技术方案，当流过第八电阻器R8的电流过大时，瞬态二极管D5从高阻态变为低阻态，瞬态二极管D5导通；绝大部分电流从瞬态二极管D5流过，将R8两端的电压限制在瞬态二极管的安全电压，从而减小第二电阻器R8损坏的可能性，提高老炼子电路的安全性。

可选的，所述MOS包括NMOS管，所述NMOS管的源极与所述第三二极管D3的阴极相连接，所述NMOS管的漏极与所述第六电阻器R6相连接，所述NMOS管的栅极与第五电阻器R5相连接。

通过采用上述技术方案，工作人员通过控制从NMOS管的栅极输入的控制信号的大小及波形，进而对控制NMOS管的导通量，从而对老炼电流的大小及波形进行调节。

可选的，所述继电器K1包括电压继电器。

综上所述，本申请至少包括以下有益技术效果：

1.工作人员通过控制子电路控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形，进而控制MOS管Q1的导通量，从而调节老炼电流的大小及老炼电流的波形。

2.瞬态二极管的设置，减小了第八电阻器R8损坏的可能性，提高了老炼子电路的安全性。

附图说明

图1是现有技术中的老炼电路的电路图。

图2是现有技术中的交流电源POW的电压波形图。

图3是本申请实施例的用于二极管的老炼电路的电路图。

附图标记说明：1、老炼子电路；2、控制子电路；3、第一采样子电路；4、第二采样子电路；5、通断子电路。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图3及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例公开了一种用于二极管的老炼电路。

参照图3，一种用于二极管的老炼电路包括老炼子电路1和控制子电路2。老炼子电路1与第一二极管D1相连接，在本实施例中，第一二极管D1的阳极与交流电源POW相连接，第一二极管D1的阴极与老炼子电路1相连接；老炼子电路1用于对第一二极管D1进行老炼。控制子电路2与老炼子电路1相连接，控制子电路2用于调节老炼电流的大小及老炼电流的波形，即流过第一二极管D1的电流大小及波形。

继续参照图3，老炼子电路1包括MOS管Q1、第三二极管D3、第六电阻器R6、第七电阻器R7、第二二极管D2和第八电阻器R8。MOS管Q1的控制端与控制子电路2相连接。第三二极管D3起电流分流作用，第三二极管D3的阳极与第一二极管D1的阴极相连接，第三二极管D3的阴极与MOS管Q1的输入端相连接。第六电阻器R6与第七电阻器R7均为采样电阻，第六电阻器R6的一端与MOS管Q1的输出端相连接，第六电阻器R6的另一端接功率地；第七电阻器R7与第六电阻器R6并联，即第七电阻器R7的一端与MOS管Q1的输出端相连接,第七电阻器R7的另一端接功率地；在满足电路的电流范围和采样电阻的功率耗散要求的情况下，可以使用一个采样电阻代替第六电阻器R6和第七电阻器R7。第二二极管D2起电流分流作用，第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阳极相连接，即第二二极管D2的阴极与第一二极管D1的阴极相连接；第八电阻器R8为采样电阻，第八电阻器R8的一端与第二二极管D2的阳极相连接，第八电阻器R8的另一端接功率地。在交流电源POW的正半周，老炼子电路1中的电流为正向电流，电流依次流过第一二极管D1、第三二极管D3，并从MOS管Q1的输入端流入，从MOS管Q1的输出端流出，然后电流同时流过第六电阻器R6和第七电阻器R7,最后流入功率地；在交流电源POW的负半周，老炼子电路1中的电流为反向电流，电流从功率地流出，然后依次流过第八电阻器R8、第二二极管D2和第一二极管D1；工作人员通过控制子电路2控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形，调节MOS管Q1的导通量，从而调节老炼电流的大小及老炼电流的波形。

参考图3，第八电阻器R8的两端并联有瞬态二极管D5。在交流电源POW的正半周，交流电源POW的电压较低，老炼子电路1危险性较低，第六电阻器R6和第七电阻器R7损坏的可能性较低；在交流电源POW的负半周，交流电源POW的电压较高，第八电阻器R8损坏的可能性较高，瞬态二极管D5的设置，减小了第八电阻器R8损坏的可能性，从而提高了老炼子电路1的安全性。

参照图3，控制子电路2包括控制芯片N2、第三电容器C3、第四电容器C4和第五电阻器R5。控制芯片N2包括第一输入端V+、第一输出端V-、第二输入端VCON1、第二输出端VO；第一输入端V+用于与直流电源的正极相连接，第一输出端V-用于与直流电源的负极相连接。第二输入端VCON1用于接与交流电源POW的相位相同的外接信号，该外接信号可使用多种生成方式，如DDS信号发生、交流电源POW的分压生成；根据实际需求，该外接信号的波形可以是正弦波，可以是方波，相应的，老炼电流的波形也可以是正弦波或方波。第三电容器C3的一端与第一输入端V+相连接；第三电容器C3的另一端接模拟地；第四电容器C4的一端与第一输出端V-相连接，第四电容器C4的另一端接模拟地；第五电阻器R5的一端与第二输出端VO相连接，第五电阻器R5的另一端与MOS管Q1的控制端相连接。工作人员通过第二输入端VCON1控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形，进而控制MOS管Q1的导通量，从而控制老炼电流的大小及老炼电流的波形。

参考图3，作为MOS管的一种实施方式，MOS包括NMOS管。在本实施例中，NMOS为增强型的NMOS管,NMOS管的源极与第三二极管D3的阴极相连接，NMOS管的漏极与第六电阻器R6相连接，NMOS管的栅极与第五电阻器R5相连接。

参照图3，第八电阻器R8与第二二极管D2之间设置有第一采样端口NNI1；老炼子电路1连接有用于对反向电流进行采样的第一采样子电路3。第一采样子电路3包括第一采样芯片N1、第一电容器C1、第二电容器C2、第三电阻器R3、第四电阻器R4、第二电阻器R2和第一电阻器R1。第一采样芯片N1包括第四输入端V+、第四输出端V-、第五输入端+、第五输出端-和第六输出端VO；第四输入端V+与直流电源的正极相连接，第四输出端V-与直流电源的负极相连接。第一电容器C1的一端与第四输入端V+相连接，第一电容器C1的另一端接模拟地；第二电容器C2的一端与第四输出端V-相连接，第二电容器C2的另一端接模拟地；第三电阻器R3的一端与第五输入端+相连接，第三电阻器R3的另一端接功率地；第四电阻器R4的一端与第五输入端+相连接，第四电阻器R4的另一端接模拟地；第二电阻器R2的一端与第五输出端-相连接，第二电阻器R2的另一端与第一采样端口NNI1相连接；第一电阻器R1为反馈电阻，第一电阻器R1的一端与第五输出端-相连接，第一电阻器R1的另一端与第六输出端VO相连接。在交流电源POW处于负半周时，第一采样芯片N1采集第八电阻器R8两端的电压降，并根据第八电阻器R8的阻值换算得到通过第八电阻器R8的电流，从而对反向电流进行采样。

参照图3，第六电阻器R6与MOS管Q1之间设置有第二采样端口PPI1，控制芯片N2还包括第三输出端PI1。老炼子电路1连接有用于对正向电流进行采样的第二采样子电路4，第二采样子电路4包括第二采样芯片N3、第五电容器C5、第六电容器C6、第十一电阻器R11、第十电阻器R10和第九电阻器R9。第二采样芯片N3包括第七输入端V+、第七输出端V-、第八输入端+、第八输出端-和第九输出端VO；第七输入端V+与直流电源的正极相连接，第七输出端V-与直流电源的负极相连接。第五电容器C5的一端与第七输入端V-相连接，第五电容器C5的另一端接模拟地；第六电容器C6的一端与第七输出端V-相连接，第六电容器C6的另一端接模拟地；第十一电阻器R11的一端与第八输入端+相连接，第十一电阻器R11的另一端与第二采样端口PPI1相连接；第十电阻器R10的一端与第八输出端-相连接，第十电阻器R10的另一端接功率地；第九电阻器R9的一端与第八输入端+相连接，第九电阻器R9的另一端与第九输出端VO相连接且与第三输出端PI1相连接。在交流电源POW处于正半周时，第二采样芯片N3能够采集第六电阻器R6两端的电压降，并根据第六电阻器R6的阻值以及第七电阻器R7的阻值换算得到通过第三二极管D3的电流,从而对正向电流进行采样。

参考图3，老炼子电路1连接有用于控制老炼子电路1通断的通断子电路5，通断子电路5包括继电器K1和第一二极管D4，继电器K1包括电压继电器。继电器K1包括线圈、常闭触点及公共触点，常闭触点与第三二极管D3的阳极相连接，公共触点与第一二极管D1的阴极相连接。第一二极管D4与继电器线圈并联，即第一二极管D1的阴极与继电器线圈的电流输入端相连接，第一二极管D1的阳极与继电器线圈的电流输出端相连接。当第一二极管D1故障时，工作人员通过控制继电器K1，使得线圈通电，常闭触点断开，进而使得老炼子电路1断开，从而将第一二极管D1剔除出电路。

本申请实施例的一种用于二极管的老炼电路的基本原理为：在对第一二极管D1（即被老练器件）进行老炼时，第三输入端VCON1接有与交流电源POW的相位相同的外接信号；当交流电源POW处于正半周时，工作人员通过第三输入端VCON1控制输入到MOS管Q1的控制信号的大小及波形，进而控制MOS管Q1的导通量，从而调节老炼电流的大小及老炼电流的波形。

同时，在交流电源POW处于负半周时，第一采样芯片N1能够采集第八电阻器R8两端的电压降，进而对电压降进行低电平转换，并根据第八电阻器R8的阻值换算得到通过第八电阻器R8的电流，从而对反向电流进行采样；在交流电源POW处于正半周时，第二采样芯片N3能够采集第六电阻器R6两端的电压降，进而对电压降进行低电平转换，并根据第六电阻器R6的阻值以及第七电阻器R7的阻值换算得到通过第三二极管D3的电流,从而对正向电流进行采样。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其它等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

Claims (8)

1.一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，包括：

老炼子电路（1），与第一二极管D1相连接，用于对第一二极管D1进行老炼；以及，

控制子电路（2），与所述老炼子电路（1）相连接；

所述老炼子电路（1）包括：

MOS管Q1，其控制端与所述控制子电路（2）相连接；

第三二极管D3，其阳极与第一二极管D1的阴极相连接，所述第三二极管D3的阴极与所述MOS管Q1的输入端相连接；

第六电阻器R6，一端与所述MOS管Q1的输出端相连接，另一端接功率地；

第七电阻器R7，与所述第六电阻器R6并联；

第二二极管D2，其阴极与所述第三二极管D3的阳极相连接；以及，

第八电阻器R8，一端与所述第二二极管D2的阳极相连接，另一端接功率地。

2.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述控制子电路（2）包括：

控制芯片N2，包括第一输入端、第一输出端、第二输入端、第二输出端；所述第一输入端用于与直流电源的正极相连接，所述第一输出端用于与直流电源的负极相连接，所述第二输入端用于接与交流电源POW的相位相同的外接信号；

第三电容器C3，一端与所述第一输入端相连接；另一端接模拟地；

第四电容器C4，一端与所述第一输出端相连接，另一端接模拟地；以及，

第五电阻器R5，一端与所述第二输出端相连接，另一端与所述MOS管Q1的控制端相连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述第八电阻器R8与所述第二二极管D2之间设置有第一采样端口；所述老炼子电路（1）连接有用于对老炼电流进行采样的第一采样子电路（3），所述第一采样子电路（3）包括：

第一采样芯片N1，包括第四输入端、第四输出端、第五输入端、第五输出端和第六输出端；所述第四输入端与直流电源的正极相连接，所述第四输出端与直流电源的负极相连接；

第一电容器C1,一端与所述第四输入端相连接，另一端接模拟地；

第二电容器C2,一端与所述第四输出端相连接，另一端接模拟地；

第三电阻器R3，一端与所述第五输入端相连接，另一端接功率地；

第四电阻器R4,一端与所述第五输入端相连接，另一端接模拟地；

第二电阻器R2，一端与所述第五输出端相连接，另一端与所述第一采样端口相连接；以及，

第一电阻器R1,一端与所述第五输出端相连接，另一端与所述第六输出端相连接。

4.根据权利要求2所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述第六电阻器R6与所述MOS管Q1之间设置有第二采样端口，所述控制芯片N2还包括第三输出端；所述老炼子电路（1）连接有用于对老炼电流进行采样的第二采样子电路（4），所述第二采样子电路（4）包括：

第二采样芯片N3，包括第七输入端、第七输出端、第八输入端、第八输出端和第九输出端；所述第七输入端与直流电源的正极相连接，所述第七输出端与直流电源的负极相连接；

第五电容器C5,一端与所述第七输入端相连接，另一端接模拟地；

第六电容器C6，一端与所述第七输出端相连接，另一端接模拟地；

第十一电阻器R11，一端与所述第八输入端相连接，另一端与所述第二采样端口相连接；

第十电阻器R10，一端与所述第八输出端相连接，另一端接功率地；以及，

第九电阻器R9,一端与所述第八输入端相连接，另一端与所述第九输出端相连接且与所述第三输出端相连接。

5.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述老炼子电路（1）连接有用于控制老炼子电路（1）通断的通断子电路（5），所述通断子电路（5）包括：

继电器K1，包括线圈、常闭触点及公共触点；所述常闭触点与所述第三二极管D3的阳极相连接，所述公共触点与第一二极管D1的阴极相连接；以及，

第一二极管D4,与所述线圈并联。

6.根据权利要求1所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述第八电阻器R8的两端并联有瞬态二极管D5。

7.根据权利要求2所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述MOS管Q1包括NMOS管，所述NMOS管的源极与所述第三二极管D3的阴极相连接，所述NMOS管的漏极与所述第六电阻器R6相连接，所述NMOS管的栅极与第五电阻器R5相连接。

8.根据权利要求5所述的一种用于二极管的老炼电路，其特征在于，所述继电器K1包括电压继电器。

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