CN216054672U - 一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构 - Google Patents
一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN216054672U CN216054672U CN202122475030.6U CN202122475030U CN216054672U CN 216054672 U CN216054672 U CN 216054672U CN 202122475030 U CN202122475030 U CN 202122475030U CN 216054672 U CN216054672 U CN 216054672U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor diode
- heat dissipation
- diode structure
- insulating layer
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及半导体二极管技术领域,且公开了一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,包括壳体,所述壳体的左侧固定连接有第一芯片引脚,所述壳体的右侧固定连有第二芯片引脚,所述壳体的上端开设有散热孔。该提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,在半导体二极管长时间工作时,所产生的热量通过散热孔进行散热,热量依次通过第一绝缘层、散热底座、散热管和散热片进行散热,大幅度的降低了半导体二极管的温度,同时减少电阻的产生,提高了半导体二极管的过流能力,第一绝缘层采用导热硅胶片材料与第二绝缘层采用pc板材料设计,有效避免半导体二极管受静电损坏,大大增加半导体二极管的实用性。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体二极管技术领域,具体为一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构。
背景技术
半导体二极管是指利用半导体二极管特性的两端电子器件,最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体二极管接触二极管,它们的共同特点是伏安特性的不对称性,即电流沿其一个方向呈现良好的导电性,而在相反方向呈现高阻特性,可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等,利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管PN结两端各引出一个电极并加上管壳,就形成了半导体二极管,PN结的P型半导体二极管一端引出的电极称为阳极,PN结的N型半导体二极管一端引出的电极称为阴极,半导体二极管按结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型,点接触型半导体二极管由一根金属丝与半导体二极管表面相接触,经过特殊工艺,在接触点上形成PN结,作出引线,加上管壳封装而成,点接触型二极管的PN结面积小,高频性能好,适用于高频检波电路、开关电路,面接触型半导体二极管,它的PN结是用合金法工艺制作而成的,面接触型二极管的PN结面积大,可通过较大的电流,一般用于低频整流电路中,是平面型半导体二极管。
然而,现有的半导体二极管工作电流较大、工作功率高,工作时会产生大量的热量,影响二极管的正常工作的同时,也降低了半导体二极管的使用寿命,同时也存在降低过流的问题,现有半导体二极管的绝缘性较差,存在半导体二极管受静电损坏的情况,大大降低了半导体二极管的实用性。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,以解决上述背景技术提出的现有的半导体二极管工作电流较大、工作功率高,工作时会产生大量的热量,影响二极管的正常工作的同时,也降低了半导体二极管的使用寿命,同时也存在降低过流,现有半导体二极管的绝缘性较差,存在半导体二极管受静电损坏的情况,大大降低了半导体二极管实用性的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,包括壳体,所述壳体的左侧固定连接有第一芯片引脚,所述壳体的右侧固定连有第二芯片引脚,所述壳体的上端开设有散热孔,所述壳体的上端设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层的上端设置有散热连接座,所述散热连接座的内部设置有散热管,所述散热管的外侧设置有散热片,所述壳体的内部固定连接有第二绝缘层,所述第二绝缘层的内部设置有半导体二极管。
优选的,所述第一芯片引脚和第二芯片引脚均等间距设置有两个,所述第一芯片引脚与第二芯片引脚分别穿过壳体与半导体二极管相互接通,方便将壳体与机械进行焊接。
优选的,所述散热孔穿过第二绝缘层延伸至壳体的内部,所述散热孔等间距开设有多个,增强了散热的性能。
优选的,所述第一绝缘层采用导热硅胶片材料设计,所述第二绝缘层采用pc板材料设计,减少了热阻的产生,提高了散热的性能同时增强了绝缘性,有效的防止静电对半导体二极管产生的损坏。
优选的,所述散热连接座与壳体通过螺栓可拆卸连接,所述散热连接座采用铜材料设计,方便进行拆卸安装。
优选的,所述散热片与散热连接座固定连接,所述散热管等间距设置有十二个,所述散热片等间距设置有多个,增强了散热的性能。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,具备以下有益效果:该提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,在半导体二极管长时间工作时,所产生的热量通过散热孔进行散热,热量依次通过第一绝缘层、散热底座、散热管和散热片进行散热,大幅度的降低了半导体二极管的温度,同时减少电阻的产生,提高了半导体二极管的过流能力,第一绝缘层采用导热硅胶片材料与第二绝缘层采用pc板材料设计,有效避免半导体二极管受静电损坏,大大增加半导体二极管的实用性。
附图说明
图1为本实用新型立体结构示意图;
图2为本实用新型壳体剖面结构示意图;
图3为本实用新型图2中A放大结构示意图;
图4为本实用新型散热连接座立体结构示意图。
其中:1、壳体;2、第一芯片引脚;3、第二芯片引脚;4、散热连接座;5、散热管;6、散热片;7、第一绝缘层;8、第二绝缘层;9、散热孔;10、半导体二极管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4,一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,包括壳体1,壳体1的左侧固定连接有第一芯片引脚2,第一芯片引脚2和第二芯片引脚3均等间距设置有两个,第一芯片引脚2与第二芯片引脚3分别穿过壳体1与半导体二极管10相互接通,方便将壳体1与机械进行焊接;
壳体1的右侧固定连有第二芯片引脚3,壳体1的上端开设有散热孔9,散热孔9穿过第二绝缘层8延伸至壳体1的内部,散热孔9等间距开设有多个,增强了散热的性能,壳体1的上端设置有第一绝缘层7,第一绝缘层7采用导热硅胶片材料设计,第二绝缘层8采用pc板材料设计,减少了热阻的产生,提高了散热的性能,同时增强了绝缘性,有效避免静电损坏半导体二极管10;
第一绝缘层7的上端设置有散热连接座4,散热连接座4与壳体1通过螺栓可拆卸连接,散热连接座4采用铜材料设计,方便进行拆卸安装,散热连接座4的内部设置有散热管5,散热管5的外侧设置有散热片6,壳体1的内部固定连接有第二绝缘层8,第二绝缘层8的内部设置有半导体二极管10,散热片6与散热连接座4固定连接,散热管5等间距设置有十二个,散热片6等间距设置有多个,通过增强散热管5和散热片6与空气的接触面积,提升了半导体二极管10的散热性能。
在使用时,通过螺栓将散热连接座4与第一绝缘层7安装在壳体1的上方,第一绝缘层7采用导热硅胶片材料,在半导体二极管10长时间工作时,所产生的热量通过散热孔9进行排放,热量依次通过第一绝缘层7、散热连接座4、散热管5和散热片6进行散热,大幅度的降低了半导体二极管10的温度,同时减少电阻的产生,提高了半导体二极管10的过流能力,其中第一绝缘层7采用导热硅胶片材料与第二绝缘层8采用pc板材料,有效的防止静电导致半导体二极管10损坏,大大增加半导体二极管10的实用性。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,包括壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)的左侧固定连接有第一芯片引脚(2),所述壳体(1)的右侧固定连有第二芯片引脚(3),所述壳体(1)的上端开设有散热孔(9),所述壳体(1)的上端设置有第一绝缘层(7),所述第一绝缘层(7)的上端设置有散热连接座(4),所述散热连接座(4)的内部设置有散热管(5),所述散热管(5)的外侧设置有散热片(6),所述壳体(1)的内部固定连接有第二绝缘层(8),所述第二绝缘层(8)的内部设置有半导体二极管(10)。
2.根据权利要求1所述的一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,其特征在于:所述第一芯片引脚(2)和第二芯片引脚(3)均等间距设置有两个,所述第一芯片引脚(2)与第二芯片引脚(3)分别穿过壳体(1)与半导体二极管(10)相互接通。
3.根据权利要求1所述的一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,其特征在于:所述散热孔(9)穿过第二绝缘层(8)延伸至壳体(1)的内部,所述散热孔(9)等间距开设有多个。
4.根据权利要求1所述的一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,其特征在于:所述第一绝缘层(7)采用导热硅胶片材料设计,所述第二绝缘层(8)采用pc板材料设计。
5.根据权利要求1所述的一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,其特征在于:所述散热连接座(4)与壳体(1)通过螺栓可拆卸连接,所述散热连接座(4)采用铜材料设计。
6.根据权利要求1所述的一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构,其特征在于:所述散热片(6)与散热连接座(4)固定连接,所述散热管(5)等间距设置有十二个,所述散热片(6)等间距设置有多个。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122475030.6U CN216054672U (zh) | 2021-10-14 | 2021-10-14 | 一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122475030.6U CN216054672U (zh) | 2021-10-14 | 2021-10-14 | 一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN216054672U true CN216054672U (zh) | 2022-03-15 |
Family
ID=80609145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202122475030.6U Active CN216054672U (zh) | 2021-10-14 | 2021-10-14 | 一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN216054672U (zh) |
-
2021
- 2021-10-14 CN CN202122475030.6U patent/CN216054672U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110996491B (zh) | 电路板装置以及电子设备 | |
CN216054672U (zh) | 一种提高过流能力便于散热的半导体二极管结构 | |
CN208874535U (zh) | 热能对流散热型光伏组件 | |
CN210247145U (zh) | 嵌入式散热结构的pcb板 | |
CN111403359B (zh) | 一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管 | |
CN212874492U (zh) | 一种具有优良开关特性的二极管 | |
CN213755498U (zh) | 一种方型热管散热器 | |
CN211607201U (zh) | 一种用于雷达的工字型散热器 | |
CN219497781U (zh) | 一种塑封式耐高温光伏二极管及其集成结构 | |
CN205016530U (zh) | 一种高稳定开关半导体三极管 | |
CN214176015U (zh) | 一种肖特基二极管 | |
CN219553618U (zh) | 一种节能效果好的发光二极管 | |
CN213453539U (zh) | 一种易散热led灯珠贴片pcb电路板结构 | |
CN219372258U (zh) | 光伏发电逆变器用散热器 | |
CN210743936U (zh) | 一种用于半导体器件的散热装置 | |
CN217281222U (zh) | 一种便于装配的新型铜排 | |
CN220526897U (zh) | 一种功率器件散热结构 | |
CN217009201U (zh) | 一种肖特基二极管 | |
CN209981201U (zh) | 一种高压肖特基二极管 | |
CN218123405U (zh) | 一种mos管并联封装模块 | |
CN217544598U (zh) | 一种用于半导体芯片的封装结构 | |
CN213342032U (zh) | 一种新型的逆变桥结构 | |
CN210984737U (zh) | 一种带有防护装置的肖特基二极管 | |
CN219459635U (zh) | 一种单管igbt用的散热装置 | |
CN209544313U (zh) | 一种基于石墨烯封装的二极管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |