CN2159398Y - 同轴磁控溅射靶 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种可应用于大面积基板上镀
装饰性铬膜和碳化钨、超硬膜以及多元素材料混合膜
的磁控溅射靶。它是由非磁性金属基体(1)、磁体
(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)组成。靶基体外层采用
高硬度、高熔点金属制做的靶环(5),环状套装结构,
可通过移动磁环位置来改变靶材的溅射部位,同时也
便于更换有缺陷靶环,靶材利用率可提高至70%以
上,为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶
材。本实用新型具有刻蚀均匀度好,刻蚀面积大,沉
积速度高,薄膜均匀度好,结构简单、易制做特点。
Description
本实用新型涉及一种能在金属材料及非金属材料制品上镀制超硬、防腐、装饰膜的同轴磁控溅射靶。
同轴磁控溅射装置,是把磁控溅射和离子镀有机结合的一种装置,它使膜层材料转化为分子(原子)的过程和条件,处于一个连续的矩形面积的状态下进行,所以膜层材料(靶)和基板(工件)之间膜材的分子(原子)分布,具有较好均布性。
现有的同轴磁控溅射装置,应用的是铜(仿金)和铝,以及少数氮化钛,可镀膜层材料数量少,靶材利用率不高,膜层与基板的结合力差,性能不太理想。
本实用新型的目的:成功地解决了熔点超过1200℃及硬度超过HRC60的纯金属、合金、化合物材料组合而成的同轴磁控溅射靶在玻璃、陶瓷、塑料、纺织品等非金属基材和各种金属基材上镀制出相应的纯铬膜,铬合金膜、纯钨膜和碳化钨膜的问题。
本实用新型可在2-2.4/10真空镀膜室中,以氩气为介质,控制靶电压DC0-660V,靶电流DC0-40A条件下镀制一超硬、防腐、装饰膜层,这些膜层具有高硬度,高抗腐蚀性,耐高温、附着力强等特性。由于靶材采用环状套装结构,便于更换有缺陷靶环,并通过移动磁环装置来改变靶材的溅射部位,因而靶材利用率可提高至70%以上(剩余部份可回收重新加工成新环再用),为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。
本实用新型由基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)构成,其特征在于:基体(1)采用非磁性金属材料制做,其基体内装有磁体(2),冷却水管(4)、隔离片(3),基体外面套装有靶环(5)。从而构成一种同轴磁控溅射靶。这种结构增加了磁场分量,减少磁通外漏,具有靶的刻蚀均匀度好,刻蚀面积大、淀积速度高的特点。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是说明书摘要附图。
现结合附图对本实用新型作详细描述。
本实用新型采用一些非磁性金属如:铝、铜、钛不锈钢材料制成基体(1),基体内装有磁性材料如:铁氧体、电磁体制成的永磁环(2)和冷却水管(4),永磁环(2)之间装有无碳电工铁,硅钢片制成的隔离片(3);基体外面套装有高硬度、高熔点金属或金属合金为材料,采用粉末冶金方法制做成的靶环(5),套装靶环的数量可视需要在2——100个。采用粉末冶金方法制做靶时,可根据需要配制不同成份或不同配比材料粉末制出相应的靶环。本实用新型以碳化钨、铬、铬合金、钨以及多元素材料分别制出了相应的碳化钨靶,纯铬靶、铬合金靶,纯钨靶以及多元素材料混合膜靶。
使用时将靶的两端套在塑料绝缘环和屏蔽环上,装到镀膜机上即可使用。靶在工作过程中通过进水口(6)进水、排水口(7)排水进行水循环,达到冷却。
Claims (3)
1、一种同轴磁控溅射靶,由基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)构成,其特征在于:基体(1)采用非磁性金属材料制做,其基体内装有磁体(2),冷却水管(4)、隔离片(3),基体外面套装有靶环(5)。
2、按权利要求1所述的同轴磁控溅射靶,其特征在于:磁体(2)采用铁氧体、电磁体制做成永磁环。
3、按权利要求1或2所述的同轴磁控溅射靶,其特征在于:套装在基体(1)上的靶环(5)数量视需要在2-100个。
Priority Applications (1)
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CN 93214070 CN2159398Y (zh) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 同轴磁控溅射靶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 93214070 CN2159398Y (zh) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 同轴磁控溅射靶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN2159398Y true CN2159398Y (zh) | 1994-03-23 |
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Family Applications (1)
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CN 93214070 Expired - Fee Related CN2159398Y (zh) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 同轴磁控溅射靶 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN2159398Y (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100437103C (zh) * | 2005-07-22 | 2008-11-26 | 浙江工业大学 | 一种碳化钨催化电极 |
CN102456478A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁铁及其加工方法和磁控溅射源 |
CN108118523A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-05 | 无锡中斯盾科技有限公司 | 一种无铅质射线辐射防护布及其制备方法 |
-
1993
- 1993-04-13 CN CN 93214070 patent/CN2159398Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100437103C (zh) * | 2005-07-22 | 2008-11-26 | 浙江工业大学 | 一种碳化钨催化电极 |
CN102456478A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁铁及其加工方法和磁控溅射源 |
CN108118523A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-05 | 无锡中斯盾科技有限公司 | 一种无铅质射线辐射防护布及其制备方法 |
CN108118523B (zh) * | 2017-11-28 | 2022-10-25 | 无锡中斯盾科技有限公司 | 一种无铅质射线辐射防护布及其制备方法 |
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GR01 | Patent grant | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |