CN215588812U - 基板处理装置和研磨头 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及基板处理装置和研磨头。提供一种有效地去除堆积于基板的周缘部的不需要的膜等牢固的附着物的技术。基板处理装置包括：保持部、旋转部、研磨头以及保持件。所述保持部保持在周缘部具有斜面和端面的基板。所述旋转部使所述保持部旋转。所述研磨头与被所述保持部所保持的所述基板的所述周缘部抵接，对所述基板的所述周缘部进行研磨。所述保持件供所述研磨头安装。

Description

基板处理装置和研磨头
技术领域
本公开涉及基板处理装置和研磨头。
背景技术
专利文献1所记载的基板清洗装置包括用于清洗基板的周缘部的由海绵状的树脂形成的刷子。刷子去除附着于基板的周缘部的附着物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-182507号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开的一技术方案提供一种有效地去除堆积于基板的周缘部的不需要的膜等牢固的附着物的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括：保持部，其保持在周缘部具有斜面和端面的基板；旋转部，其使所述保持部旋转；研磨头，其与被所述保持部所保持的所述基板的所述周缘部抵接，对所述基板的所述周缘部进行研磨；以及保持件，其供所述研磨头安装。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述研磨头包括：含有磨粒的研磨片、和具有供所述研磨片固定的平坦面的研磨块，所述研磨片固定于所述研磨块的所述平坦面，并能与所述基板的所述周缘部抵接。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述研磨块具有棱锥体，所述棱锥体具有所述平坦面即棱锥面，所述研磨片固定于所述棱锥体的所述棱锥面，对所述基板的所述斜面进行研磨。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述研磨块具有棱柱体，所述棱柱体具有所述平坦面即侧面，所述研磨片固定于所述棱柱体的所述侧面，对所述基板的所述端面进行研磨。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述保持件能够旋转，在所述基板的研磨过程中停止旋转，所述研磨块具有以所述保持件的旋转中心线为中心而旋转对称地配置的多个所述平坦面，所述研磨片固定于多个所述平坦面，以所述保持件的所述旋转中心线为中心而旋转对称地配置。
对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置包括：是否需要旋转判断部，其判断是否需要进行所述研磨片的利用所述保持件的旋转进行的切换；以及通知制御部，其根据所述是否需要旋转判断部的判断结果进行催促旋转所述保持件的通知控制。
对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置包括：旋转机构，其使所述保持件以所述旋转中心线为中心旋转；旋转控制部，其控制所述旋转机构；以及是否需要旋转判断部，其判断是否需要进行所述研磨片的利用所述保持件的旋转进行的切换，所述旋转控制部根据所述是否需要旋转判断部的判断结果使所述保持件旋转。
对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置包括：移动机构，其使所述保持件在使所述研磨头与所述基板的所述周缘部抵接的研磨位置与在所述基板的送入送出时防止所述基板与所述保持件干涉的待机位置之间移动；移动控制部，其控制所述移动机构；以及是否需要变更判断部，其判断是否需要变更所述保持件的所述研磨位置，所述移动控制部根据所述是否需要变更判断部的判断结果使所述保持件的所述研磨位置变更。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述研磨头还包括配置于所述研磨片与所述研磨块之间的挠性片。
对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置包括将所述研磨头以能够更换的方式安装于所述保持件的安装件。
对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置包括向被所述保持部所保持的所述基板供给清洗液的供液部，所述供液部具有朝向所述基板的所述周缘部喷出所述清洗液的喷嘴，所述喷嘴与所述保持件一起移动。
本公开的一技术方案的研磨头对在周缘部具有斜面和端面的基板的所述周缘部进行研磨，其中，该研磨头包括：研磨片，其含有磨粒；以及研磨块，其具有供所述研磨片固定的平坦面，所述研磨片固定于所述研磨块的所述平坦面，并能与所述基板的所述周缘部抵接。
对于上述研磨头，也可以是，所述研磨块具有棱锥体，所述棱锥体具有所述平坦面即棱锥面，所述研磨片固定于所述棱锥体的所述棱锥面，对所述基板的所述斜面进行研磨。
对于上述研磨头，也可以是，所述研磨块具有棱柱体，所述棱柱体具有所述平坦面即侧面，所述研磨片固定于所述棱柱体的所述侧面，对所述基板的所述端面进行研磨。
对于上述研磨头，也可以是，所述研磨块安装于能够旋转的保持件，具有以所述保持件的旋转中心线为中心而旋转对称地配置的多个所述平坦面，所述研磨片固定于多个所述平坦面，以所述保持件的所述旋转中心线为中心而旋转对称地配置。
对于上述研磨头，也可以是，该研磨头还包括配置于所述研磨片与所述研磨块之间的挠性片。
本公开的一技术方案的基板处理方法包括：使在周缘部具有斜面和端面的基板旋转；以及使研磨头与所述基板的所述周缘部抵接，利用所述研磨头对所述基板的所述周缘部进行研磨。
对于上述基板处理方法，也可以是，所述研磨头包括：含有磨粒的研磨片、和具有供所述研磨片固定的平坦面的研磨块，所述研磨片固定于所述研磨块的所述平坦面，并能与所述基板的所述周缘部抵接。
实用新型的效果
根据本公开的一技术方案，能够有效地去除堆积于基板的周缘部的不需要的膜等牢固的附着物。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的剖视图。
图2是表示基板的周缘部的一例的剖视图。
图3是表示基板的周缘部的变形例的剖视图。
图4是表示移动机构的一例的剖视图。
图5A是表示安装件的一例的剖视图，图5B是沿着图5A的B-B线的剖视图。
图6A是从侧方观察一实施方式的研磨头而得到的图，图6B是从下方观察图6A所示的研磨头而得到的图。
图7A是表示图2所示的第1斜面的研磨的一例的剖视图，图7B是表示图2所示的端面的研磨的一例的剖视图。
图8A是表示图3所示的第1斜面的研磨的一例的剖视图，图8B是表示图3所示的端面的研磨的一例的剖视图。
图9是利用功能模块表示一实施方式的基板处理装置的控制装置的构成要素的图。
图10是表示一实施方式的基板处理方法的流程图。
图11是表示一实施方式的基板处理方法的时序图。
图12A是从侧方观察第1变形例的研磨头而得到的图，图12B是从下方观察图12A所示的研磨头而得到的图。
图13A是从侧方观察第2变形例的研磨头而得到的图，图13B是从下方观察图13A所示的研磨头而得到的图。
图14A是从侧方观察第3变形例的研磨头而得到的图，图14B是从下方观察图14A所示的研磨头而得到的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本公开的实施方式。其中，在各附图中，有时对相同或者对应的结构标注相同的附图标记，并省略说明。
首先，参照图1，说明基板处理装置1。基板处理装置1处理基板W。基板W在本实施方式中是硅晶圆，但也可以是化合物半导体晶圆或者玻璃基板。在基板W的表面形成有电子回路等器件，并形成有导电膜、绝缘膜或者光致抗蚀剂膜等。也可以形成有多个膜。基板处理装置1具有：在内部收容基板W的处理容器11、保持基板W的保持部12、使保持部12旋转的旋转部13。
处理容器11具有未图示的门和使门开闭的未图示的闸阀。基板W经由门向处理容器11的内部送入，而在处理容器11的内部进行处理，之后，经由门向处理容器11的外部送出。
保持部12例如将基板W保持为水平。保持部12以使基板W的供器件形成的面朝上并使基板W的上表面的中心与旋转轴14的旋转中心线一致的方式将基板W保持为水平。保持部12在本实施方式中是真空卡盘，但也可以是机械卡盘或者静电卡盘等。保持部12只要是能够旋转的旋转卡盘即可。
旋转部13例如包括铅垂的旋转轴14和使旋转轴14旋转的旋转马达15。旋转马达15的旋转驱动力也可以借助同步带或者齿轮等旋转传递机构向旋转轴14传递。当旋转轴14旋转时，保持部12也旋转。
基板处理装置1具有回收被供给到基板W的清洗液等的杯17。杯17包围被保持部12所保持的基板W的周缘，接收从基板W的周缘飞散的清洗液等。杯17在本实施方式中不与旋转轴14一起旋转，但也可以与旋转轴14一起旋转。
杯17包括：水平的底壁17a、自底壁17a的周缘向上方延伸的外周壁17b、自外周壁17b的上端朝向外周壁17b的径向内侧向斜上方延伸的倾斜壁17c。在底壁17a设有排出积存于杯17的内部的液体的排液管17d和排出积存于杯17的内部的气体的排气管17e。
基板处理装置1包括研磨头20。研磨头20与被保持部12所保持的基板W的周缘部Wa抵接，而对基板W的周缘部Wa进行研磨。利用研磨头20能够削落堆积于基板W的周缘部Wa的不需要的膜等牢固的附着物。因此，与利用海绵状的刷子清洗基板W的周缘部Wa的情况相比，能够有效地去除附着物。
如图2所示，基板W的周缘部Wa例如包括第1斜面Wa1、第2斜面Wa2和端面Wa3。第1斜面Wa1自基板W的上表面的周缘越去向基板W的径向外方越向下方倾斜。另一方面，第2斜面Wa2自基板W的下表面的周缘越去向基板W的径向外方越向上方倾斜。端面Wa3形成于第1斜面Wa1与第2斜面Wa2之间，垂直地形成。端面Wa3也被称作顶端(Apex)。
如图2所示，在剖视观察时，第1斜面Wa1、第2斜面Wa2和端面Wa3均为直线状。不过，如图3所示，在剖视观察时，第1斜面Wa1、第2斜面Wa2和端面Wa3也可以均为曲线状。研磨头20对第1斜面Wa1和端面Wa3中的至少一者进行研磨。
如图6A和图6B所示，研磨头20例如包括：含有磨粒的研磨片21以及具有供研磨片21固定的平坦面的研磨块22。研磨片21例如具有：利用树脂将金刚石颗粒等磨粒固定而成的研磨材料层以及支承研磨材料层的树脂膜。研磨材料层也可以为了抑制堵塞而在表面具有凹凸图案。研磨块22由硬质树脂、例如PVC(聚氯乙烯)形成。
研磨片21固定于研磨块22的平坦面，与基板W的周缘部Wa抵接。与研磨片21固定于曲面的情况不同，在研磨片21固定于平坦面的情况下，能够不使研磨片21变形地直接固定。因此，能够使用硬度较硬的研磨片21，而能够有效地去除附着物。
研磨块22例如具有棱锥体23。棱锥体23为朝向下方的锥形状。棱锥体23包括：多个棱锥面23a、水平的上表面23b以及水平的下表面23c。如此，棱锥体23也可以是去除了锥体的顶端而成的锥台。棱锥面23a配置为朝向斜下。研磨片21固定于棱锥体23的棱锥面23a，如图7A或图8A所示，对基板W的第1斜面Wa1进行研磨。
另外，研磨块22也可以具有棱柱体24。棱柱体24例如配置于棱锥体23之上。棱柱体24包括：多个侧面24a、水平的上表面24b以及水平的下表面24c。侧面24a铅垂地配置。棱柱体24的下表面24c与棱锥体23的上表面23b为相同的形状且是相同的尺寸，但也可以是不同的形状或不同的尺寸。研磨片21固定于棱柱体24的侧面24a，如图7B或图8B所示，对基板W的端面Wa3进行研磨。
此外，研磨块22也可以具有圆柱体25(参照图5A等)。圆柱体25配置于棱柱体24之上。圆柱体25安装于保持件30。另外，在没有圆柱体25的情况下，棱柱体24安装于保持件30。另外，在也没有棱柱体24的情况下，棱锥体23安装于保持件30。
保持件30由硬质树脂、例如PEEK(聚醚醚酮)形成。保持件30也可以如后述那样能够旋转。研磨块22与保持件30一起旋转。
在研磨片21固定于研磨块22的平坦面的情况下，在基板W的研磨过程中，停止保持件30的旋转，以使研磨块22不旋转。使保持件30在基板W的研磨过程中停止旋转的目的是为了将基板W的旋转中心与研磨片21之间的距离维持为一定。
棱锥体23例如如图6A和图6B所示那样为正四棱锥，包括以保持件30的旋转中心线R为中心而旋转对称地配置的多个棱锥面23a。棱锥体23只要是正多棱锥即可，例如也可以如图12A和图12B所示那样为正三棱锥。
研磨片21固定于多个棱锥面23a，以保持件30的旋转中心线R为中心而旋转对称地配置。在一个研磨片21磨损而其寿命耗尽了的情况下，即使不更换研磨头20，只要旋转保持件30，就能够利用其他的研磨片21对基板W的第1斜面Wa1进行研磨，而能够切换与第1斜面Wa1抵接的研磨片21。
另外，棱柱体24例如如图6A和图6B所示那样为正四棱柱，包括以保持件30的旋转中心线R为中心而旋转对称地配置的多个侧面24a。棱柱体24只要是正多棱柱即可，例如也可以如图12A和图12B所示那样为正三棱柱。
研磨片21固定于多个侧面24a，以保持件30的旋转中心线R为中心而旋转对称地配置。在一个研磨片21磨损而其寿命耗尽了的情况下，即使不更换研磨头20，只要旋转保持件30，就能够利用其他的研磨片21对基板W的端面Wa3进行研磨，而能够切换与端面Wa3抵接的研磨片21。
另外，研磨块22也可以不具有正多棱锥和正多棱柱等。例如如图13A和图13B所示，研磨块22也可以具有使四棱柱的一对侧面斜倾而成的楔状体26。楔状体26包括以保持件30的旋转中心线R为中心而旋转对称地配置的一对锥面26a。一对锥面26a为朝向下方的锥形状，并朝向斜下。
研磨片21固定于一对锥面26a，以保持件30的旋转中心线R为中心而旋转对称地配置。在一个研磨片21磨损而其寿命耗尽了的情况下，即使不更换研磨头20，只要旋转保持件30，就能够利用其他的研磨片21对基板W的第1斜面Wa1进行研磨，而能够切换与第1斜面Wa1抵接的研磨片21。
如图13B所示，研磨片21仅固定于棱柱体24的一对侧面24a即可，也可以不固定于剩余的一对侧面24a。棱柱体24的供研磨片21固定的侧面24a与楔状体26的供研磨片21固定的锥面26a绕保持件30的旋转中心线R配置于相同的角度。在保持件30的旋转停止了的状态下，能够对基板W的第1斜面Wa1和端面Wa3相继进行研磨。
另外，研磨块22只要具有一个以上的供研磨片21固定的平坦面即可，也可以不具有多个该平坦面。如上所述，在研磨片21固定于平坦面的情况下，能够使用硬度较硬的研磨片21，而能够有效地去除附着物。因此，也可以是，多个平坦面不以保持件30的旋转中心线R为中心旋转对称地配置。
例如如图14A和图14B所示，研磨块22也可以具有使四棱柱的一个侧面斜倾而成的立体27。该立体27包括朝向斜下的倾斜面27a。在该倾斜面27a形成有研磨片21。
如图14B所示，研磨片21仅固定于棱柱体24的一个侧面24a即可，也可以不固定于剩余的3个侧面24a。棱柱体24的供研磨片21固定的侧面24a与立体27的供研磨片21固定的倾斜面27a绕保持件30的旋转中心线R配置于相同的角度。在保持件30的旋转停止了的状态下，能够对基板W的第1斜面Wa1和端面Wa3相继进行研磨。
研磨头20也可以还包括配置于研磨片21与研磨块22之间的挠性片28。挠性片28由海绵状的树脂形成，例如由PVA(聚乙烯醇)海绵形成。挠性片28仿照基板W的周缘部Wa的形状而变形，使研磨片21贴紧基板W的周缘部Wa。
如图5A和图5B所示，基板处理装置1包括安装有研磨头20的保持件30。例如，在保持件30的下表面安装有研磨块22。在保持件30的下表面形成凹部31，在研磨块22的上表面设有凸部29，凸部29与凹部31嵌合。
基板处理装置1包括将研磨头20以能够更换的方式安装于保持件30的安装件35。安装件35例如是紧定螺钉，将其拧入保持件30的螺钉孔32，并向凸部29的四棱柱29a的侧面压紧。与圆柱相比，四棱柱29a能够抑制旋转偏移。因此，能够抑制研磨头20的旋转偏移。
研磨头20的凸部29除了具有四棱柱29a之外还具有设于四棱柱29a的上端的圆盘状的上凸缘29b和设于四棱柱29a的下端的圆盘状的下凸缘29c。上凸缘29b的直径与下凸缘29c的直径均小于凹部31的直径。
在研磨头20的更换时，首先，使紧定螺钉从凹部31退出。接着，从保持件30的凹部31拔出使用完的研磨头20的凸部29。之后，向保持件30的凹部31嵌入未使用的研磨头20的凸部29。接着，将紧定螺钉拧入，并向凸部29的四棱柱29a的侧面压紧。
如图4所示，基板处理装置1包括使保持件30在研磨位置与待机位置之间移动的移动机构40。如图1所示，研磨位置是使研磨头20与基板W的周缘部Wa抵接的位置。待机位置虽未图示，但其是在基板W的送入送出时防止基板W与研磨头20干涉的位置。与研磨位置相比，待机位置设定于基板W的径向外方。
如图4所示，移动机构40具有使保持件30沿水平方向移动的水平移动部41。水平移动部41例如包括：铅垂的旋转轴41a、旋转轴41a的轴承41b以及使旋转轴41a旋转的马达41c。旋转轴41a与保持件30借助水平的臂50连结。臂50固定于旋转轴41a的上端。当旋转轴41a在马达41c的作用下旋转时，保持件30以旋转轴41a为中心旋转。
水平移动部41使保持件30沿被保持部12所保持的基板W的径向移动。另外，虽未图示，但水平移动部41也可以包括：水平的导轨、使臂50在导轨的长度方向上移动的马达、以及将马达的旋转运动变换为臂50的直线运动的滚珠丝杠。当臂50移动时，保持件30移动。
移动机构40具有使保持件30沿铅垂方向移动的铅垂移动部42。铅垂移动部42例如包括：升降盘42a、使升降盘42a升降的马达42b、以及将马达42b的旋转运动变换为升降盘42a的直线运动的滚珠丝杠42c。升降盘42a保持水平移动部41的马达41c，并且保持旋转轴41a的轴承41b。当升降盘42a升降时，臂50升降，结果，保持件30升降。
基板处理装置1也可以包括使保持件30旋转的旋转机构45。在一个研磨片21磨损而其寿命耗尽了的情况下，能够自动地旋转保持件30，而能够利用其他的研磨片21对基板W进行研磨，从而能够切换与基板W抵接的研磨片21。
旋转机构45例如包括：铅垂的旋转轴45a、旋转轴45a的轴承45b以及使旋转轴45a旋转的马达45c。马达45c的旋转运动借助驱动带轮45d、同步带45e以及从动带轮45f向旋转轴45a传递。保持件30与旋转轴45a同轴地配置，与旋转轴45a一起旋转。旋转机构45的旋转轴45a的轴线为保持件30的旋转中心线R。
臂50例如为方筒状，在其内部收容有马达45c、驱动带轮45d、同步带45e以及从动带轮45f。另外，臂50保持旋转轴45a的轴承45b。旋转轴45a自臂50向下方突出，在其下端保持保持件30。旋转轴45a例如包括供从动带轮45f安装的轴45a1和供保持件30安装的轴45a2。
如图1所示，基板处理装置1包括向被保持部12所保持的基板W供给清洗液的供液部60。清洗液并未被特别地限定，但例如为DIW(去离子水)。清洗液对研磨屑等微粒进行冲洗，而抑制微粒的附着。另外，清洗液抑制由基板W与研磨头20之间的摩擦热引起的温度上升。
供液部60包括朝向基板W的周缘部Wa喷出清洗液的第1喷嘴61。第1喷嘴61从基板W的上方对基板W的第1斜面Wa1供给清洗液。第1喷嘴61在移动机构40的作用下与保持件30一起移动。第1喷嘴61例如由固定于臂50的下表面的支架51所保持。第1喷嘴61与保持件30一起移动，因此能够在基板W的送入送出时防止基板W与第1喷嘴61干涉，另外，能够在基板W的研磨时朝向研磨头20供给清洗液。
供液部60也可以具有第2喷嘴62。第2喷嘴62从旋转的基板W的上表面中心的正上向基板W的上表面中心供给清洗液。清洗液在离心力的作用下湿润基板W的整个上表面，而对微粒进行冲洗，从而自基板W的上表面周缘被甩掉。第2喷嘴62在基板W的上表面中心的正上的中央位置与在基板W的送入出时防止基板W与第2喷嘴62干涉的待机位置之间移动。
另外，供液部60也可以具有第3喷嘴63。第3喷嘴63从基板W的下方对基板W的第2斜面Wa2供给清洗液，而抑制微粒绕到基板W的下表面。第3喷嘴63与第1喷嘴61以及第2喷嘴62不同，由于其不与基板W干涉，因此也可以不进行移动。第3喷嘴63相对于杯17固定。
基板处理装置1包括控制部90。控制部90例如是计算机，包括CPU(CentralProcessing Unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储对基板处理装置1所执行的各种处理进行控制的程序。控制部90使CPU91执行存储于存储介质92的程序，从而控制基板处理装置1的动作。
接着，参照图9，说明控制部90的功能。其中，图9所图示的各功能模块为概念上的功能模块，不一定需要在物理上如图所示地构成。各功能模块的全部或一部分能够以任意的单位在功能上或物理上拆分、合并地构成。由各功能模块进行的各处理功能的全部或任意的一部分能够利用由CPU执行的程序实现、或者作为利用接线逻辑的硬件实现。控制部90例如具有：是否需要旋转判断部93、通知控制部94、旋转控制部95、是否需要变更判断部96以及移动控制部97。
是否需要旋转判断部93判断是否需要进行研磨片21的利用保持件30的旋转进行的切换。是否需要旋转判断部93监视研磨片21的磨损量。研磨片21的磨损量例如由研磨片21的使用次数和使用时间中的至少一者表示。使用次数为研磨了的基板W的总计张数。使用时间为与基板W接触了的总计时间。是否需要旋转判断部93监视研磨片21的磨损量，当磨损量达到设定值时，判断为：需要旋转保持件30，需要切换与基板W的周缘部Wa抵接的研磨片21。
通知控制部94根据是否需要旋转判断部93的判断结果进行催促旋转保持件30的通知控制。当是否需要旋转判断部93判断为需要旋转保持件30时，通知控制部94使显示装置或音响装置等通知装置工作，而使通知装置输出催促旋转保持件30的画面或声音。能够在一个研磨片21磨损而其寿命耗尽了的情况下手动地旋转保持件30，而能够利用其他的研磨片21对基板W进行研磨。
旋转控制部95控制保持件30的旋转机构45。例如，旋转控制部95在基板W的研磨过程中停止保持件30的旋转。另外，旋转控制部95根据是否需要旋转判断部93的判断结果旋转保持件30。当是否需要旋转判断部93判断为需要旋转保持件30时，旋转控制部95旋转保持件30。能够在一个研磨片21磨损而其寿命耗尽了的情况下自动地旋转保持件30，而能够利用其他的研磨片21对基板W进行研磨。
是否需要变更判断部96判断是否需要变更保持件30的研磨位置。是否需要变更判断部96将一张研磨片21分为多个管理区域来进行管理，针对每个管理区域监视磨损量。从多个管理区域中选出的一个管理区域与基板W的周缘部Wa抵接。是否需要变更判断部96监视与基板W抵接的管理区域的磨损量，当磨损量达到设定值时，判断为：需要切换与基板W抵接的管理区域，需要变更研磨位置。
移动控制部97控制保持件30的移动机构40。例如，移动控制部97使保持件30在研磨位置与待机位置之间移动。另外，移动控制部97根据是否需要变更判断部96的判断结果使研磨位置变更。当是否需要变更判断部96判断为需要变更研磨位置时，移动控制部97使研磨位置变更。在一个管理区域磨损而其寿命耗尽了的情况下，即使不切换研磨片21，只要使研磨位置变更，就能够利用其他的管理区域对基板W进行研磨，而能够不浪费地使用整个研磨片21。
当一张研磨片21的所有管理区域的磨损量均达到设定值时，是否需要旋转判断部93判断为需要旋转保持件30。最终，当旋转对称地配置的多张研磨片21的所有管理区域的磨损量均达到设定值时，进行研磨头20的更换。
接着，参照图10和图11对基板处理方法进行说明。图10所图示的步骤S1～S5在控制部90的控制下实施。
首先，在S1中，未图示的输送装置将基板W向处理容器11的内部送入。在基板W载置于保持部12之后，输送装置从处理容器11的内部退出。保持部12从输送装置接收基板W，并保持基板W。
在S1之后且是S2之前，如图11所示，旋转部13使保持部12旋转，使基板W旋转。另外，第2喷嘴62从待机位置P2移动到中央位置P3，继而向基板W的上表面中心供给清洗液。另外，第3喷嘴63从基板W的下方对基板W的周缘部Wa供给清洗液。此外，移动机构40使保持件30从待机位置P0移动到研磨位置P1。移动机构40也使第1喷嘴61与保持件30一起移动。
接着，在S2中，在移动机构40使保持件30停止于研磨位置P1的状态下，研磨头20与基板W的周缘部Wa抵接，对基板W的周缘部Wa进行研磨。其间，第1喷嘴61从基板W的上方对基板W的周缘部Wa供给清洗液。在清洗液能够被回收到杯17的限度内，如图11所示，第1喷嘴61也可以在保持件30到达研磨位置P1之前向研磨头20供给清洗液。
在S2中，也可以按顺序进行第1斜面Wa1的研磨和端面Wa3的研磨。该顺序并未被特别地限定，既可以先进行第1斜面Wa1的研磨，也可以先进行端面Wa3的研磨。根据第1斜面Wa1的研磨与端面Wa3的研磨而分别设定研磨位置P1。
在S2之后且是S3之前，如图11所示，移动机构40使保持件30从研磨位置P1朝向待机位置P0移动。结果，研磨头20离开基板W的周缘部Wa。之后，第1喷嘴61停止清洗液的喷出。另外，在S2之后且是S3之前，旋转部13使保持部12的转速从第1转速R1增大到第2转速R2。
接着，在S3中，第2喷嘴62向基板W的上表面中心供给清洗液，并且第3喷嘴63从基板W的下方对基板W的周缘部Wa供给清洗液，而对附着于基板W的微粒进行冲洗。在S3中，由于与S2相比，基板W的转速较大，因此离心力较大，易于对微粒进行冲洗。不过，在S3和S2中，基板W的转速也可以相同。
在S3之后且是S4之前，如图11所示，第2喷嘴62停止清洗液的喷出，并从中央位置P3朝向待机位置P2移动。另外，第3喷嘴63停止清洗液的喷出。另外，在S3之后且是S4之前，旋转部13使保持部12的转速从第2转速R2增大到第3转速R3。
接着，在S4中，旋转部13使基板W旋转，甩掉残留于基板W的清洗液，而对基板W进行干燥。在S4中，由于与S3相比，基板W的转速较大，因此离心力较大，易于进行干燥。不过，在S4和S3中，基板W的转速也可以相同。
在S4之后且是S5之前，如图11所示，旋转部13停止基板W的旋转。
最后，在S5中，保持部12解除对基板W的保持，继而，未图示的输送装置从保持部12接收基板W，并将接收到的基板W向处理容器11的外部送出。之后，结束本次处理。
在基板W的送出后且是接下来的基板W的送入前，是否需要变更判断部96判断是否需要变更保持件30的研磨位置P1。当是否需要变更判断部96判断为需要变更研磨位置P1时，移动控制部97使研磨位置P1变更。变更后的研磨位置P1存储于存储介质92，在下一次的基板W的研磨时读取并使用。
另外，在基板W的送出后且是接下来的基板W的送入前，是否需要旋转判断部93判断是否需要进行研磨片21的利用保持件30的旋转进行的切换。当是否需要旋转判断部93判断为需要旋转保持件30时，旋转控制部95使保持件30旋转。或者，当是否需要旋转判断部93判断为需要旋转保持件30时，通知控制部94输出催促旋转保持件30的画面或声音。在后者的情况下，在实施保持件30的旋转之前，下一次的基板W的送入被禁止。
以上，说明了本公开的基板处理装置、研磨头和基板处理方法的实施方式等，但本公开并不限定于上述实施方式等。能够在权利要求书所记载的范围内进行各种变更、修正、置换、附加、削除和组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
保持部，其保持在周缘部具有斜面和端面的基板；
旋转部，其使所述保持部旋转；
研磨头，其与被所述保持部所保持的所述基板的所述周缘部抵接，对所述基板的所述周缘部进行研磨；以及
保持件，其供所述研磨头安装。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述研磨头包括：含有磨粒的研磨片、和具有供所述研磨片固定的平坦面的研磨块，
所述研磨片固定于所述研磨块的所述平坦面，并能与所述基板的所述周缘部抵接。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述研磨块具有棱锥体，
所述棱锥体具有所述平坦面即棱锥面，
所述研磨片固定于所述棱锥体的所述棱锥面，对所述基板的所述斜面进行研磨。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述研磨块具有棱柱体，
所述棱柱体具有所述平坦面即侧面，
所述研磨片固定于所述棱柱体的所述侧面，对所述基板的所述端面进行研磨。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持件能够旋转，在所述基板的研磨过程中停止旋转，
所述研磨块具有以所述保持件的旋转中心线为中心而旋转对称地配置的多个所述平坦面，
所述研磨片固定于多个所述平坦面，以所述保持件的所述旋转中心线为中心而旋转对称地配置。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
是否需要旋转判断部，其判断是否需要进行所述研磨片的利用所述保持件的旋转进行的切换；以及
通知制御部，其根据所述是否需要旋转判断部的判断结果进行催促旋转所述保持件的通知控制。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
旋转机构，其使所述保持件以所述旋转中心线为中心旋转；
旋转控制部，其控制所述旋转机构；以及
是否需要旋转判断部，其判断是否需要进行所述研磨片的利用所述保持件的旋转进行的切换，
所述旋转控制部根据所述是否需要旋转判断部的判断结果使所述保持件旋转。
8.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
移动机构，其使所述保持件在使所述研磨头与所述基板的所述周缘部抵接的研磨位置与在所述基板的送入送出时防止所述基板与所述保持件干涉的待机位置之间移动；
移动控制部，其控制所述移动机构；以及
是否需要变更判断部，其判断是否需要变更所述保持件的所述研磨位置，
所述移动控制部根据所述是否需要变更判断部的判断结果使所述保持件的所述研磨位置变更。
9.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述研磨头还包括配置于所述研磨片与所述研磨块之间的挠性片。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括将所述研磨头以能够更换的方式安装于所述保持件的安装件。
11.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括向被所述保持部所保持的所述基板供给清洗液的供液部，
所述供液部具有朝向所述基板的所述周缘部喷出所述清洗液的喷嘴，
所述喷嘴与所述保持件一起移动。
12.一种研磨头，其对在周缘部具有斜面和端面的基板的所述周缘部进行研磨，其特征在于，
该研磨头包括：
研磨片，其含有磨粒；以及
研磨块，其具有供所述研磨片固定的平坦面，
所述研磨片固定于所述研磨块的所述平坦面，并能与所述基板的所述周缘部抵接。
13.根据权利要求12所述的研磨头，其特征在于，
所述研磨块具有棱锥体，
所述棱锥体具有所述平坦面即棱锥面，
所述研磨片固定于所述棱锥体的所述棱锥面，对所述基板的所述斜面进行研磨。
14.根据权利要求12所述的研磨头，其特征在于，
所述研磨块具有棱柱体，
所述棱柱体具有所述平坦面即侧面，
所述研磨片固定于所述棱柱体的所述侧面，对所述基板的所述端面进行研磨。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的研磨头，其特征在于，
所述研磨块安装于能够旋转的保持件，具有以所述保持件的旋转中心线为中心而旋转对称地配置的多个所述平坦面，
所述研磨片固定于多个所述平坦面，以所述保持件的所述旋转中心线为中心而旋转对称地配置。
16.根据权利要求12～14中任一项所述的研磨头，其特征在于，
该研磨头还包括配置于所述研磨片与所述研磨块之间的挠性片。
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Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2738392B1 (ja) * 1996-11-05 1998-04-08 日本電気株式会社 半導体装置の研磨装置及び研磨方法
US6913520B1 (en) * 2004-01-16 2005-07-05 United Microelectronics Corp. All-in-one polishing process for a semiconductor wafer
JP4284215B2 (ja) * 2004-03-24 2009-06-24 株式会社東芝 基板処理方法
JP2006022185A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Nitta Haas Inc 両面粘着テープ
TWI368555B (en) * 2004-11-01 2012-07-21 Ebara Corp Polishing apparatus
JP2009147044A (ja) 2007-12-13 2009-07-02 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
KR101175696B1 (ko) * 2008-06-16 2012-08-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치
KR20110077314A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 에지 연마용 챔퍼 유니트 및 이를 이용한 에지 연마방법
JP2012182507A (ja) 2012-06-28 2012-09-20 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置
JP2015006709A (ja) 2013-06-25 2015-01-15 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法及び研削装置
JP6394337B2 (ja) 2014-12-04 2018-09-26 株式会社Sumco 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法
US10460926B2 (en) * 2017-11-17 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for chemical mechanical polishing process
CN110450018A (zh) * 2019-07-29 2019-11-15 云和县凯毅德电子设备厂 一种外圈滚子沟槽自动打磨装置
CN110919485B (zh) * 2019-12-17 2021-06-04 赣州市桐鑫金属制品有限公司 一种可自动进行不同精度打磨的建筑圆形板材加工设备

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