CN213847006U - 传感器封装结构和电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种传感器封装结构和电子设备，其中，传感器封装结构包括封装框架、ASIC芯片及传感器芯片，所述封装框架形成有容纳腔；所述ASIC芯片陷于所述封装框架内部，并于所述容纳腔的内壁面凸设有第一焊接点；所述传感器芯片的表面设有第二焊接点，所述传感器芯片通过所述第二焊接点与第一焊接点的电连接而固定于所述容纳腔内。本实用新型技术方案的传感器封装结构可减少平面占用空间，实现小型化。

Description

传感器封装结构和电子设备

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种传感器封装结构和电子设备。

背景技术

目前，传感器封装结构所占平面空间受限于MEMS芯片及ASIC芯片的布局，且高度方向受限于MEMS芯片高度及金线弧高等，从而使得其体积小型化受到制约。同时，MEMS芯片与ASIC芯片间线路连接靠金线导通，存在Wire Bonding工序，且金属线容易受到外应力导致断裂，造成传感器失效。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种传感器封装结构，旨在得到一种占用平面空间小的传感器封装结构。

为实现上述目的，本实用新型提出的传感器封装结构包括：

封装框架，所述封装框架形成有容纳腔；

ASIC芯片，所述ASIC芯片陷于所述封装框架内部，并于所述容纳腔的内壁面凸设有第一焊接点；及；

传感器芯片，所述传感器芯片的表面设有第二焊接点，所述传感器芯片通过所述第二焊接点与第一焊接点的电连接而固定于所述容纳腔内。

可选的实施例中，所述封装框架包括底基板、顶基板以及连接所述底基板与顶基板的侧基板，所述第一焊接点凸设于所述顶基板或所述底基板。

可选的实施例中，所述传感器芯片为MEMS芯片，所述MEMS芯片设于所述底基板上，所述底基板开设有对应所述MEMS芯片的声孔。

可选的实施例中，所述ASIC芯片嵌设于所述侧基板，所述顶基板凸设与所述ASIC芯片电连接的所述第一焊接点，所述MEMS芯片包括基底和连接于所述基底一端的振膜，所述振膜上设有所述第二焊接点，所述基底与所述底基板连接，所述第二焊接点与所述第一焊接点电连接。

可选的实施例中，所述顶基板包括至少两层PCB板，至少两层所述PCB 板中靠近所述MEMS芯片的一个为第一PCB板，所述第一PCB板的中部开设有与所述振膜对应的避让孔，所述第一焊接点凸设于所述避让孔的外周缘，所述第一PCB板开设有连通所述避让孔和所述容纳腔的过孔。

可选的实施例中，所述传感器封装结构还包括金属外壳，所述金属外壳罩盖于所述底基板的周缘，并与所述底基板围合形成屏蔽腔，所述顶基板和所述侧基板置于所述屏蔽腔内，所述顶基板开设有与所述屏蔽腔连通的贯通孔。

可选的实施例中，所述MEMS芯片与所述底基板之间夹设有防护件，所述防护件遮盖所述声孔。

可选的实施例中，所述防护件包括防护膜、环设于所述防护膜周缘的连接件以及支撑件；

所述连接件一端固定于所述底基板，所述支撑件连接于所述连接件的另一端，并向所述防护膜中部弯折延伸，所述MEMS芯片固定于所述连接件背离所述防护膜的表面，所述支撑件开设有连通所述声孔与所述MEMS芯片的第一让位孔。

可选的实施例中，所述防护件包括两固定片和夹设于两所述固定片之间的防护膜；

两所述固定片背离所述防护膜的表面分别连接所述底基板和所述侧基板，所述固定片开设有与所述声孔连通的第二让位孔，所述MEMS芯片固定于所述固定片，并环绕所述第二让位孔设置。

本实用新型又提出一种电子设备，包括壳体和如上任一所述的传感器封装结构，所述传感器封装结构设于所述壳体内。

本实用新型技术方案的传感器封装结构包括封装框架、传感器芯片以及 ASIC芯片，封装框架形成有容纳腔，能够为传感器芯片提供防护空间。而 ASIC芯片则直接内嵌于封装框架内部，并裸露出第一焊接点与传感器芯片的第二焊接点电连接，一方面可以最大程度地减少对容纳腔的空间占用，缩小传感器封装结构的平面占用空间，有利于产品小型化。另一方面，ASIC芯片可以在制作封装框架时一起完成，减少了后续通过胶粘或焊接等方式进行组装的工序，同时，也减少了与传感器芯片进行金属线键合的工序，有效提高了组装效率，也可以避免因金属线的易断裂导致的传感器封装结构的失效问题，进而提高了封装结构的可靠性和良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型传感器封装结构第一实施例的结构示意图；

图2为图1所示传感器封装结构的横向剖视图；

图3为图1所示传感器封装结构的纵向剖视图；

图4为本实用新型的传感器封装结构第二实施例的剖视图

图5为本实用新型的传感器封装结构第三实施例的剖视图；

图6为本实用新型的传感器封装结构第四实施例的剖视图；

图7为本实用新型的传感器封装结构第五实施例的剖视图；

图8为本实用新型的传感器封装结构第六实施例的剖视图。

附图标号说明：

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提出一种传感器封装结构100。

请结合参照图1至图3，在本实用新型的一实施例中，传感器封装结构 100包括封装框架10、ASIC芯片30芯片及传感器芯片50，所述封装框架10 形成有容纳腔10a；

所述ASIC芯片30芯片陷于所述封装框架10内部，并于所述容纳腔10a 的内壁面凸设有第一焊接点31；

所述传感器芯片50的表面设有第二焊接点531，所述传感器芯片50通过所述第二焊接点531与第一焊接点31的电连接而固定于所述容纳腔10a内。

本实施例中，封装框架10可以是基板和盖板的组合，也可以是若干层基板的叠加设置，在此不作限定，只需形成有防护的容纳腔10a即可。封装框架10的横截面形状可以是方形、圆形或多边形等，在此不作限定，可以根据实际需要进行设定。此处，设于容纳腔10a内的传感器芯片50可以为环境传感器芯片50，比如，气压传感器芯片50、湿度传感器芯片50、温度传感器芯片50等，也可以为声学传感器芯片50，比如，麦克风传感器芯片50等，在此不作限制，均在本实用新型的保护范围内。将ASIC芯片30芯片内陷于封装框架10内，具体并不限于封装框架10的位置，可以通过挖槽将ASIC芯片 30芯片的整体结构放于槽内，再盖合密封起来，并通过内部走线将第一焊接点31设置在容纳腔10a内壁面的任一位置；或者直接在制备封装框架10的基板时进行电路的布置，从而形成ASIC芯片30芯片的处理控制电路。

为了实现ASIC芯片30芯片与传感器芯片50之间的电信号传输，ASIC 芯片30芯片和传感器芯片50通过第一焊接点31和第二焊接点531电连接，两者可以直接焊接或者通过导电胶连接，从而使ASIC芯片30芯片可以对传感器芯片50传输的电信号进行处理。可以理解的，传感器芯片50的第二焊接点531可设置有多个，ASIC芯片30芯片引出多个第一焊接点31，第一焊接点31与第二焊接点531一一对应设置，即使其中一个出现故障，也能保证两者的电连接，从而保障传感器的使用性能。

当然，为了将封装框架10与所应用的产品或***进行固定和电信号的传输，可以通过封装框架10内部走线，将第一焊接点31的电信号引到封装框架10的外表面，并设有焊脚，该焊脚可以通过SMT等工艺焊接到具体产品的主板电路上，具体的焊脚可以有3个或4个，以提高结构连接和数据传输的稳定性。

本实用新型技术方案的传感器封装结构100包括封装框架10、传感器芯片50以及ASIC芯片30芯片，封装框架10形成有容纳腔10a，能够为传感器芯片50提供防护空间。而ASIC芯片30芯片则直接内嵌于封装框架10内部，并裸露出第一焊接点31与传感器芯片50的第二焊接点531电连接，一方面可以最大程度地减少对容纳腔10a的空间占用，缩小传感器封装结构100 的平面占用空间，有利于产品小型化。另一方面，ASIC芯片30芯片可以在制作封装框架10时一起完成，减少了后续通过胶粘或焊接等方式进行组装的工序，同时，也减少了与传感器芯片50进行金属线键合的工序，有效提高了组装效率，也可以避免因金属线的易断裂导致的传感器封装结构100的失效问题，进而提高了封装结构的可靠性和良品率。

请继续参照图3，可选的实施例中，所述封装框架10包括底基板11、顶基板15以及连接所述底基板11与顶基板15的侧基板13，所述第一焊接点 31凸设于所述顶基板15或所述底基板11。

本实施例中，选择封装框架10包括分体的底基板11、顶基板15和侧基板13，三者均由印制电路板组成，即PCB，PCB板的基材可以选择硅基材或环氧树脂基材等，在此不作限定。底基板11和顶基板15为正常的方体板状 PCB结构，而侧基板13可以通过在PCB板上挖孔形成环状的墙体结构，分别连接底基板11和顶基板15并与之围合形成容纳腔10a，该连接方式可以是锡膏或导电胶等，在此不作限定。如此，该结构的封装框架10，可以分别批量生产各个基板，再进行最后的叠加焊接，从而实现批量生产，显著提高生产效率。将AISC芯片内嵌于封装框架10，此处，可以是将ASIC芯片30芯片沉入底基板11、顶基板15或侧基板13中的任意一个，在此不作限定。此处，将第一焊接点31凸设于顶基板15或底基板11，从而可以实现传感器芯片50的电连接后方便进行相应功能的检测，适应性好。

可选的实施例中，所述传感器芯片50为MEMS芯片，所述MEMS芯片设于所述底基板11上，所述底基板11开设有对应所述MEMS芯片的声孔111。

本实施例中，设置传感器芯片50为MEMS芯片，即，麦克风芯片。为了实现声电转换，在封装框架10上对应MEMS芯片开设有声孔111，方便声音信号的流入。MEMS芯片用于感知和检测从声孔111流入的声音信号，可将声音信号转换为电信号进行传输，并通过第一焊接点31传输至ASIC芯片 30芯片，ASIC芯片30芯片对MEMS芯片输出的信号进行处理放大，从而使得传感器封装结构100为电子设备提供收声功能。此处，将MEMS芯片设于底基板11上，可以通过粘胶方式固定，从而提高MEMS芯片的连接结构稳定性，对应的，声孔111开设在底基板11上，提高检测灵敏度。此时，当第一焊接点31设于顶基板15时，MEMS芯片可以抵接顶基板15进行连接，也可以通过第一焊接点31和第二焊接点531的凸起结构设置，在未抵接顶基板15的同时也可以实现电连接。当然，于其他实施例中，也可以在顶基板15上开设有对应的声孔111；或者将第一焊接点31设于顶基板15上，MEMS芯片通过第一焊接点31与第二焊接点531的连接而固定，当然，此处需要在顶基板15上预留MEMS芯片的检测空间。

请结合参照图2和图3，可选的实施例中，所述ASIC芯片30芯片嵌设于所述侧基板13，所述顶基板15凸设与所述ASIC芯片30芯片电连接的所述第一焊接点31，所述MEMS芯片包括基底51和连接于所述基底51一端的振膜53，所述振膜53上设有所述第二焊接点531，所述基底51与所述底基板11连接，所述第二焊接点531与所述第一焊接点31电连接。

具体地，MEMS芯片包括有基底51和振膜53，基底51的材质一般为单晶硅、多晶硅或是氮化硅等材料，基底51的外部形状大致呈方体，其与底基板11可以通过胶体连接，形成稳定固定结构。该基底51环绕声孔111的周缘设置，并开设有与声孔111连通的通孔511，两者配合形成传感器封装结构100 的声腔前腔体，可保证声音传入的顺畅性。通孔511的横截面形状为圆形、方形或多边形等，声孔111的开口形状也可以为圆形，使得声腔腔体的周壁为光滑的圆弧面。

振膜53设于基底51背离顶基板15的端面，其可以感应从通孔511传入的声音信号并将其转换为电信号，再传输至ASIC芯片30芯片上，故MEMS 芯片设有第二焊接点531，是设置在振膜53上的，第二焊接点531设于振膜 53组件背离基底51的表面。此处，将与ASIC芯片30芯片电连接的第一焊接点31凸设于顶基板15上，则MEMS芯片的顶部设置第二焊接点531与第一焊接点31电连接，而基底51设于底基板11上，如此则可以降低传统封装结构的高度占用空间，当然，为了实现振膜53的振动，顶基板15对应的位置需要设置避让空间，在此不做赘述。同时，将ASIC芯片30芯片嵌设于侧基板13，可以将ASIC芯片30芯片的表面与侧基板13的表面相平行设置，如此，只需要将侧基板13的一侧面稍微加厚些即可，不过多占用传感器封装结构100的平面空间。且因ASIC芯片30芯片为集中处理电路，会产生较大的热量，将其设于MEMS芯片的一侧，可以防止产生角度的热量对MEMS 芯片造成影响，从而有效保证传感器封装机构的使用性能。

可选的实施例中，所述顶基板15包括至少两层PCB板，至少两层所述 PCB板中靠近所述MEMS芯片的一个为第一PCB板151，所述第一PCB板 151的中部开设有与所述振膜53对应的避让孔1511，所述第一焊接点31凸设于所述避让孔1511的外周缘，所述第一PCB板151开设有连通所述避让孔 1511和所述容纳腔10a的过孔1513。

本实施例中，为了进一步增大MEMS芯片的后腔体积，此处将顶基板15 设置为多层PCB板叠加后形成的结构，例如，顶基板15包括两层PCB板，其中，靠近MEMS芯片的PCB板为第一PCB板151，为了方便电连接MEMS 芯片，第一焊接点31设于第一PCB板151上，为了避让振膜53振动，在第一PCB板151的中部开设避让孔1511，避让孔1511的形状可与MEMS芯片的横截面形状相匹配，且大小可与振膜53振动的面积尺寸相匹配，从而使得MEMS芯片的功能性不受影响，且也能够实现第一焊接点31与第二焊接点 531的电连接。

同时，在第一PCB板151上还开设有过孔1513，该过孔1513连通避让孔1511和容纳腔10a，此处的容纳腔10a是指未被MEMS芯片占据的其他空间，即MEMS芯片周侧方向上的空间，因通孔511与声孔111形成了MEMS 芯片的前腔，故开设过孔1513可以将多余的其他空间利用起来，形成MEMS 芯片的后腔空间，从而增大了后腔体积，进而能够有效提高传感器封装结构 100的声学性能。此处，过孔1513的轴线可以是弯折的或直线，例如，在避让孔1511的周壁开设过孔1513的一开口，该过孔1513的轴线沿垂直于避让孔1511的周壁延伸，并垂直弯折沿着避让孔1511的轴线方向延伸，从而贯穿第一PCB板151朝向底基板11的表面，进而实现贯通。当然，于其他实施例中，也可以在远离MEMS芯片的PCB板上开设凹槽，该凹槽朝向振膜53，并与避让孔1511连通，且凹槽的开口尺寸大于避让孔1511的尺寸，进而在第一PCB板151上开设的过孔1513可以直接连通凹槽和容纳腔10a即可，此时过孔1513的轴线为直线。

此外，于其他实施例中，也可以设置顶基板15包括三层、四层等PCB 板，对应可以形成更大的后腔体积，提升声学效果。

请参照图4，可选的实施例中，所述传感器封装结构100还包括金属外壳 70，所述金属外壳70罩盖于所述底基板11的周缘，并与所述底基板11围合形成屏蔽腔70a，所述顶基板15和所述侧基板13置于所述屏蔽腔70a内，所述顶基板15开设有与所述屏蔽腔70a连通的贯通孔153。

本实施例中，为了使得传感器封装结构100的屏蔽效果好，其还包括有金属外壳70，该金属外壳70的纵切面呈U型设置，金属外壳70可以是一体成型的金属材料或是涂覆有金属材质的非金属材料，金属外壳70以开口方向的一端和底基板11围成封闭的屏蔽腔70a。可以理解地，金属外壳70和底基板11可通过导电胶或锡膏连接，可以实现两者的电连接，从而形成一个封闭的屏蔽空间，传感器芯片50位于该屏蔽腔70a内，可以防止外界电磁波干扰，增强对传感器芯片50的保护作用，提高该传感器封装结构100的抗干扰性能，保证传感器芯片50的转换性能。

同时，因外部增加了金属外壳70作为封闭墙体，故而内部的顶基板15 的中部可以开设有连通屏蔽腔70a的贯通孔153，使得屏蔽腔70a成为了后腔空间，从而显著增大了传感器芯片50的后腔体积，即使不设置多层PCB板也可以实现较好的声学效果。此外，在顶基板15未对接MEMS芯片的位置还可以开设连通屏蔽腔70a和容纳腔10a的小尺寸孔洞，进一步增大传感器芯片 50的后腔体积，进一步提升声学效果。

请参照图5，可选的实施例中，所述MEMS芯片与所述底基板11之间夹设有防护件90，所述防护件90遮盖所述声孔111。

本实施例中，为了提高对传感器封装结构100的防护作用，在MEMS芯片与底基板11之间设置防护件90，该防护件90遮盖声孔111，例如，防护件 90为防水件或防尘件，可以允许气流通过，但是能够阻挡外部的水汽或灰尘进入声孔111内，避免对振膜53造成污染影响其振动效果，有效提高传感器封装结构100的工作性能，延长其使用寿命。且当防护件90为防水件时，还可以在减小产品尺寸的同时，增加了产品水下使用的可行性。当然，防护件 90还可以是防冲击片，该防冲击片开设有多个孔洞，允许气流通过，但是可以有效分散气流的冲击力，从而对振膜53起到保护作用，使得MEMS芯片的抗声波冲击能力加强。当然，于其他实施例中，防护件90也可以设置在底基板11中，只要遮盖声孔111即可。

具体地，防护件90可以通过胶体分别与底基板11和MEMS芯片连接，也可以通过其他固定结构固定于底基板11与MEMS芯片之间，在此不作限定。该防护件90的设置可以仅在ASIC芯片30芯片沉入封装框架10的结构基础上设置，也可以在包含有金属外壳70且ASIC芯片30芯片沉入封装框架 10的结构基础上设置，在此不作限定。

请参照图6和图7，于一实施例中，所述防护件90包括防护膜91、环设于所述防护膜91周缘的连接件93以及支撑件95；

所述连接件93一端固定于所述底基板11，所述支撑件95连接于所述连接件93的另一端，并向所述防护膜中部弯折延伸，所述MEMS芯片固定于所述连接件93背离所述防护膜91的表面，所述支撑件95开设有连通所述声孔111与所述MEMS芯片的第一让位孔951。

本实施例中，防护件90包括防护膜91和连接件93以及支撑件95，防护膜91是起主要的防护作用部件，例如，防水膜或防尘膜等，但因为其厚度较薄，为了增强其结构稳定性，在防护膜91的周缘连接有连接件93，该连接件 93呈环状，环设于防护膜91的周缘，例如，连接件93的内周壁开设有环形槽，将防护膜91的周缘通过胶体连接于环形槽内，再将连接件93部分固定于底基板11中，提高连接结构的稳定，也可增强防护膜91的张力，有效避免防护膜91的变形，提高防护作用。具体地，在底基板11上开设有环形底槽，连接件93的一端通过胶粘等方式固定于环形底槽内，使得防护膜91的表面贴设或高于底基板11的表面均可。

当然，为了增大对MEMS芯片的支撑作用，在连接件93的外周缘连接有支撑件95，该支撑件95也呈环状设置，并且支撑件95具有朝向防护膜91 中心弯折延伸的支撑臂953，从而且支撑臂953围合形成一个与通孔511相同尺寸的第一让位孔951，允许气流流入，该支撑臂953的材质可以是钢片，可以提供稳定支撑力，使得MEMS芯片的连接结构更加稳定。同时，支撑件95 的设置也可以增大MEMS芯片的前腔体积，改善声学性能。此处，支撑件95 与连接件93的连接、支撑件95与底基板11的连接可以通过胶体连接，为了增大连接面积，可以将支撑件95的底端进行倒圆角设置，增大与胶体接触的面积，从而提高固定结构的稳定性，且支撑件95在粘接过程中，会压迫支撑件95与连接件93之间的胶水向内侧上侧移动的力，增大了防护膜91的连接效果。

当然，于其他实施例中，也可以将连接件93完全沉入底基板11中，此时，需将底基板11分为多个PCB板，将防护膜91夹设于两层PCB板中， MEMS芯片则可以设于最上层的PCB板上，无需增设支撑结构。

请参照图8，于另一实施例中，所述防护件90包括两固定片97和夹设于两所述固定片97之间的防护膜91；

两所述固定片97背离所述防护膜91的表面分别连接所述底基板11和所述侧基板13，所述固定片97开设有与所述声孔111连通的第二让位孔971，所述MEMS芯片固定于所述固定片97，并环绕所述第二让位孔971设置。

本实施例中，防护件90包括两固定片97和防护膜91，固定片97的尺寸与防护膜91的尺寸大小相同，但是中部开设有避让气流的第二让位孔971，两固定片97的材质可以是金属类，结构强度高且不易变形，例如钢片等，固定片97夹设防护膜91的结构可以显著提高防护膜91的结构稳定性和张紧力，有效减少其受力变形的几率，延长使用寿命。此处，将防护件90的表面尺寸与底基板11的尺寸设置一致，如此，无需在底基板11上开槽，也无需多层PCB板叠加设置，将其固定于底基板11的表面，再将MEMS芯片固定于防护件90上即可。当然，为了提高防护件90与侧基板13及底基板11的连接有效性，在固定片97的上下两表面还设有铜箔，铜箔内侧有部分阻焊，从而可以避免底基板11、侧基板13与固定片97直接连接，通过铜箔焊接连接，实现较好的连接效果。

此外，上述两种防护件90的具体结构和固定结构也可以应用在ASIC芯片30芯片未沉入封装框架10中的结构中。如此，于一实施例中，在传感器芯片50和ASIC芯片30芯片设于底基板11时，防护件90也可以设于顶基板 15上，并在顶基板15上开设声孔111。

本实用新型又提出一种电子设备(未图示)，包括壳体和如上任一所述的传感器封装结构，所述传感器封装结构设于所述壳体内，所述传感器封装结构100的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备的传感器封装结构100 采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

其中，电子设备可以是穿戴电子设备，例如智能手表或手环，也可以是移动终端，例如，手机或笔记本电脑等，或是其他需要具备声电转换功能的设备，在此不作限定。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括：

封装框架，所述封装框架形成有容纳腔；

ASIC芯片，所述ASIC芯片陷于所述封装框架内部，并于所述容纳腔的内壁面凸设有第一焊接点；及；

传感器芯片，所述传感器芯片的表面设有第二焊接点，所述传感器芯片通过所述第二焊接点与第一焊接点的电连接而固定于所述容纳腔内。

2.如权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装框架包括底基板、顶基板以及连接所述底基板与顶基板的侧基板，所述第一焊接点凸设于所述顶基板或所述底基板。

3.如权利要求2所述的传感器封装结构，其特征在于，所述传感器芯片为MEMS芯片，所述MEMS芯片设于所述底基板上，所述底基板开设有对应所述MEMS芯片的声孔。

4.如权利要求3所述的传感器封装结构，其特征在于，所述ASIC芯片嵌设于所述侧基板，所述顶基板凸设与所述ASIC芯片电连接的所述第一焊接点，所述MEMS芯片包括基底和连接于所述基底一端的振膜，所述振膜上设有所述第二焊接点，所述基底与所述底基板连接，所述第二焊接点与所述第一焊接点电连接。

5.如权利要求4所述的传感器封装结构，其特征在于，所述顶基板包括至少两层PCB板，至少两层所述PCB板中靠近所述MEMS芯片的一个为第一PCB板，所述第一PCB板的中部开设有与所述振膜对应的避让孔，所述第一焊接点凸设于所述避让孔的外周缘，所述第一PCB板开设有连通所述避让孔和所述容纳腔的过孔。

6.如权利要求3至5中任一项所述的传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构还包括金属外壳，所述金属外壳罩盖于所述底基板的周缘，并与所述底基板围合形成屏蔽腔，所述顶基板和所述侧基板置于所述屏蔽腔内，所述顶基板开设有与所述屏蔽腔连通的贯通孔。

7.如权利要求3至5中任一项所述的传感器封装结构，其特征在于，所述MEMS芯片与所述底基板之间夹设有防护件，所述防护件遮盖所述声孔。

8.如权利要求7所述的传感器封装结构，其特征在于，所述防护件包括防护膜、环设于所述防护膜周缘的连接件以及支撑件；

所述连接件一端固定于所述底基板，所述支撑件连接于所述连接件的另一端，并向所述防护膜中部弯折延伸，所述MEMS芯片固定于所述连接件背离所述防护膜的表面，所述支撑件开设有连通所述声孔与所述MEMS芯片的第一让位孔。

9.如权利要求7所述的传感器封装结构，其特征在于，所述防护件包括两固定片和夹设于两所述固定片之间的防护膜；

两所述固定片背离所述防护膜的表面分别连接所述底基板和所述侧基板，所述固定片开设有与所述声孔连通的第二让位孔，所述MEMS芯片固定于所述固定片，并环绕所述第二让位孔设置。

10.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和如权利要求1至9中任一项所述的传感器封装结构，所述传感器封装结构设于所述壳体内。

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