CN212257440U - 一种高侧面亮度的led封装结构及灯饰 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高侧面亮度的LED封装结构及灯饰，包括：正极支架；负极支架，与所述正极支架间隔设置，所述正极支架和所述负极支架的顶端均为平面结构；LED芯片，倒装设置于所述正极支架及所述负极支架的顶端，且所述LED芯片的正极和负极分别与所述正极支架及所述负极支架电连接：圆柱形封装胶体，封装于所述正极支架、所述负极支架、所述LED芯片的***，其中，所述圆柱形封装胶体远离所述正极支架以及所述负极支架的一端设置有内凹结构的反射碗；所述反射碗正对所述LED芯片设置，且所述反射碗用于将所述LED芯片的部分光线沿侧面反射。LED芯片发出的光以LED芯片为圆心向外散射，LED芯片尽可能不被支架阻挡，人眼在LED芯片的侧面能感受到LED芯片更高的亮度。

Description

一种高侧面亮度的LED封装结构及灯饰
技术领域
本发明涉及LED封装领域，具体指有一种高侧面亮度的LED封装结构及灯饰。
背景技术
当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成LED芯片。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机LED芯片OLED和无机LED芯片LED。
用于装饰的LED灯，例如圣诞树装饰用的LED灯，需要在侧面获得更高亮度，从而能够给人更美观、更亮的感觉。传统的LED的封装结构，需要在支架上设置内凹的碗口，用于放置LED芯片，这样的结构阻挡了LED芯片的发光角度，当人眼从侧面看时，LED 芯片给人的感受较差。
针对上述的现有技术存在的问题设计一种高侧面亮度的LED封装结构及灯饰是本发明研究的目的。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题，本发明在于提供一种高侧面亮度的LED封装结构，能够有效解决上述现有技术存在的问题。
本发明的技术方案是：
一种高侧面亮度的LED封装结构，包括：
正极支架；
负极支架，与所述正极支架间隔设置，所述正极支架和所述负极支架的顶端均为平面结构；
LED芯片，倒装设置于所述正极支架及所述负极支架的顶端，且所述LED芯片的正极和负极分别与所述正极支架及所述负极支架电连接：
圆柱形封装胶体，封装于所述正极支架、所述负极支架、所述LED芯片的***，其中，所述圆柱形封装胶体远离所述正极支架以及所述负极支架的一端设置有内凹结构的反射碗；所述反射碗正对所述LED芯片设置，且所述反射碗用于将所述LED芯片的部分光线沿侧面反射。
进一步地，所述LED芯片的正极焊接至所述正极支架，所述LED芯片的负极焊接至所述负极支架。
进一步地，所述正极支架及所述负极支架靠近所述LED芯片的一端设置有外延的散热部。
进一步地，所述反射碗为锥形的内凹结构。
进一步地，所述反射碗与所述LED芯片之间的距离D为1-8mm。
进一步地，所述反射碗的锥角θ为95-115°。
进一步地，所述锥角和所述距离的关系为：θ＝-7.728ln(D)+110.67。
进一步提供一种灯饰，安装有上述LED封装结构。
因此，本发明提供以下的效果和/或优点：
LED芯片发出的光以LED芯片为圆心向外散射，其中只有少量角度的光被正极支架或者负极支架阻挡，其余角度的光均向外散射。其中，朝向反射碗的角度的光被反射碗反射，其光路的走向反射碗的作用下变为朝向反射碗的侧面。因此，LED芯片尽可能不被支架阻挡，以及反射碗的反射作用两者的协同作用下，人体在LED芯片的侧面能感受到 LED芯片更高的亮度。
由于LED芯片和反射碗及其***结构的相配合，人眼看向本发明时，人眼能看到LED 芯片和反射碗的两道独立的光路，给与人眼两个发光源的感觉，从而提高本发明的给人的亮度感受。
本发明采用了LED直接倒装并焊接至支架的封装结构，避免了金线焊接，从而避免了金线虚焊、断裂等带来的LED故障，提高了良品率。并且更容易焊接，提高生产效率。
应当明白，本发明的上文的概述和下面的详细说明是示例性和解释性的，并且意在提供对如要求保护的本发明的进一步的解释。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为光走向示意图。
图3为人眼感受本发明的示意图。
图4为角度θ与距离D的趋势曲线图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员理解，现将实施例结合附图对本发明的结构作进一步详细描述：
参考图1，一种高侧面亮度的LED封装结构，包括：
正极支架1；
负极支架2，与所述正极支架1间隔设置，所述正极支架1和所述负极支架2的顶端均为平面结构；
LED芯片3，倒装设置于所述正极支架1及所述负极支架2的顶端，且所述LED芯片3的正极和负极分别与所述正极支架1及所述负极支架2电连接：
圆柱形封装胶体4，封装于所述正极支架1、所述负极支架2、所述LED芯片3的***，其中，所述圆柱形封装胶体4远离所述正极支架1以及所述负极支架2的一端设置有内凹结构的反射碗5；所述反射碗5正对所述LED芯片3设置，且所述反射碗5用于将所述LED芯片3的部分光线沿侧面反射。
进一步地，所述LED芯片3的正极焊接至所述正极支架1，所述LED芯片3的负极焊接至所述负极支架2。
进一步地，所述正极支架1及所述负极支架2靠近所述LED芯片3的一端设置有外延的散热部6。
进一步地，所述反射碗5为锥形的内凹结构。
进一步地，所述反射碗5与所述LED芯片3之间的距离D为1-8mm。
进一步地，所述反射碗5的锥角θ为95-115°。
进一步地，所述锥角和所述距离的关系为：θ＝-7.728ln(D)+110.67。
工作原理：本申请的所述正极支架1和所述负极支架2并列齐平设置，并且LED芯片3倒装设置于所述正极支架1和所述负极支架2之间，因此LED芯片3的高度高于正极支架1或负极支架2，并且正极支架1或负极支架2不设置用于定位LED芯片3的凹槽，也不设置用于辅助定位LED芯片3的***凸沿，LED芯片3是倒装并且直接焊接在正极支架1或负极支架2之间的，因此LED芯片3的光线可以尽可能大角度地散射到外界。
参考图2，LED芯片3发出的光以LED芯片3为圆心向外散射，其中只有少量角度的光被正极支架1或者负极支架2阻挡，其余角度的光均向外散射。其中，朝向反射碗4 的角度的光被反射碗4反射，其光路的走向反射碗4的作用下变为朝向反射碗4的侧面。因此，LED芯片3尽可能不被支架阻挡，以及反射碗4的反射作用两者的协同作用下，人眼在LED芯片3的侧面能感受到LED芯片3更高的亮度。
参考图3，由于LED芯片3和反射碗4及其***结构的相配合，人眼看向本发明时，人眼能看到LED芯片3和反射碗4的两道独立的光路，给与人眼两个发光源的感觉，从而提高本发明的给人的亮度感受。
参考图4，图4为本为角度θ与距离D的趋势曲线图。
实施例一
本实施例的所述反射碗4与所述LED芯片3之间的距离为D，D＝8mm。所述反射碗 4的锥角为θ，θ＝95°，本实施例的侧面流明度为：5.12lm。现有LED封装结构的侧面流明度为：3.78lm。本实施例的侧面流明度提高了35.4％。
实施例二
本实施例的所述反射碗4与所述LED芯片3之间的距离为D，D＝3mm。所述反射碗 4的锥角为θ，θ＝102°，本实施例的侧面流明度为：5.23lm。现有LED封装结构的侧面流明度为：3.82lm。本实施例的侧面流明度提高了36.9％。
实施例三
本实施例的所述反射碗4与所述LED芯片3之间的距离为D，D＝1.5mm。所述反射碗4的锥角为θ，θ＝106°，本实施例的侧面流明度为：5.96lm。现有LED封装结构的侧面流明度为：4.23lm。本实施例的侧面流明度提高了40.8％。
实施例四
本实施例的所述反射碗4与所述LED芯片3之间的距离为D，D＝1mm。所述反射碗 4的锥角为θ，θ＝112°，本实施例的侧面流明度为：6.12lm。现有LED封装结构的侧面流明度为：4.22lm。本实施例的侧面流明度提高了45.0％。
实施例五
进一步提供一种灯饰，安装有LED封装结构，所述LED封装结构包括：
正极支架1；
负极支架2，与所述正极支架1间隔设置，所述正极支架1和所述负极支架2的顶端均为平面结构；
LED芯片3，倒装设置于所述正极支架1及所述负极支架2的顶端，且所述LED芯片3的正极和负极分别与所述正极支架1及所述负极支架2电连接：
圆柱形封装胶体4，封装于所述正极支架1、所述负极支架2、所述LED芯片3的***，其中，所述圆柱形封装胶体4远离所述正极支架1以及所述负极支架2的一端设置有内凹结构的反射碗5；所述反射碗5正对所述LED芯片3设置，且所述反射碗5用于将所述LED芯片3的部分光线沿侧面反射。
进一步地，所述LED芯片3的正极焊接至所述正极支架1，所述LED芯片3的负极焊接至所述负极支架2。
进一步地，所述正极支架1及所述负极支架2靠近所述LED芯片3的一端设置有外延的散热部6。
进一步地，所述反射碗5为锥形的内凹结构。
进一步地，所述反射碗5与所述LED芯片3之间的距离D为1-8mm。
进一步地，所述反射碗5的锥角θ为95-115°。
进一步地，所述锥角和所述距离的关系为：θ＝-7.728ln(D)+110.67。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属于本发明的涵盖范围。

Claims (8)

1.一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于，包括：
正极支架；
负极支架，与所述正极支架间隔设置，所述正极支架和所述负极支架的顶端均为平面结构；
LED芯片，倒装设置于所述正极支架及所述负极支架的顶端，且所述LED芯片的正极和负极分别与所述正极支架及所述负极支架电连接：
圆柱形封装胶体，封装于所述正极支架、所述负极支架、所述LED芯片的***，其中，所述圆柱形封装胶体远离所述正极支架以及所述负极支架的一端设置有内凹结构的反射碗；所述反射碗正对所述LED芯片设置，且所述反射碗用于将所述LED芯片的部分光线沿侧面反射。
2.根据权利要求1所述的一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片的正极焊接至所述正极支架，所述LED芯片的负极焊接至所述负极支架。
3.根据权利要求1所述的一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于：所述正极支架及所述负极支架靠近所述LED芯片的一端设置有外延的散热部。
4.根据权利要求1所述的一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于：所述反射碗为锥形的内凹结构。
5.根据权利要求4所述的一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于：所述反射碗与所述LED芯片之间的距离D为1-8mm。
6.根据权利要求5所述的一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于：所述反射碗的锥角θ为95-115°。
7.根据权利要求6所述的一种高侧面亮度的LED封装结构，其特征在于：所述锥角和所述距离的关系为：θ＝-7.728ln(D)+110.67。
8.一种灯饰，其特征在于：安装有权利要求1-7任意一条所述的LED封装结构。
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US7842526B2 (en) * 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2010512662A (ja) * 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
US7851990B2 (en) * 2007-09-06 2010-12-14 He Shan Lide Electronic Enterprise Company Ltd. Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same
KR20150092423A (ko) * 2014-02-04 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 발광소자 패키지
KR102594815B1 (ko) * 2018-06-20 2023-10-30 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
CN110794614B (zh) * 2018-08-03 2022-10-25 日亚化学工业株式会社 发光模块

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