CN211829530U - 一种硅基激光器热沉芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于光通信的应用技术领域,尤其为一种硅基激光器热沉芯片,包括硅片,硅片的上端面设置有固定区,第一焊接区的上端面设置有衬底层,衬底层的上端面设置有热沉平台,固定区的上端面设置有限制圆孔,限制圆孔的内侧面设置有透镜,第二焊接区的一侧设置有固定端,固定端的内侧面设置有转轴,转轴的一端设置有壳体,壳体的一端设置有卡扣,卡扣的外表面设置有凹槽。本实用新型通过设置衬底层与热沉平台,减小了装置的体积,降低了装置生产的成本,节省了工厂的人力、物力与财力;通过设置固定区、限制圆孔与透镜,提高了激光器发送出来的光功率,增强了装置与光纤或者波导耦合,提高了装置的使用性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及光通信的应用技术领域,具体为一种硅基激光器热沉芯片。
背景技术
光模块主要包括光发射和接收两部分,其中发射部分是将输入一定码率的电信号经内部的驱动芯片处理后驱动半导体激光器(LD)或发光二极管(LED)发射出相应速率的调制光信号。
存在以下问题:
1、传统的装置需要将TO底座、过渡块、LD芯片、TO帽、管体、陶瓷插针等光学元件组合在一起,导致装置体积大以及人工成本非常大,占到整个产品成本的百分之二十五以上。
2、生产光模块的发射部分所涉及到的对准设备、焊接设备都是昂贵设备,并且目前自动化程度不高,不适合批量生产以及由于发射部分属于独立工作部分,与其他功能模块的扩展性差。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种硅基激光器热沉芯片,解决了传统的装置的体积大、人工成本非常大以及自动化程度不高,不适合批量生产、发射部分扩展性差的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种硅基激光器热沉芯片,包括硅片,所述硅片的上端面设置有固定区,所述固定区的一侧设置有第一焊接区,所述第一焊接区的一侧设置有第二焊接区,所述第二焊接区的一端设置有第三焊接区,所述第一焊接区的上端面设置有衬底层,所述衬底层的上端面设置有热沉平台,所述第二焊接区的上端面、第三焊接区的上端面与热沉平台的上端面均设置有电极,所述固定区的上端面设置有限制圆孔,所述限制圆孔的内侧面设置有透镜,所述第二焊接区的一侧设置有固定端,所述固定端的内侧面设置有转轴,所述转轴的一端设置有壳体,所述壳体的一端设置有卡扣,所述卡扣的外表面设置有凹槽,所述壳体的下端面设置有胶皮垫。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述固定区固定连接于硅片的上端面,所述第一焊接区固定连接于固定区的一侧。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述第二焊接区固定连接于第一焊接区的一侧,所述第三焊接区固定连接于第二焊接区的一端。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述衬底层固定连接于第一焊接区的上端面,所述热沉平台固定连接于衬底层的上端面。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述电极分别固定连接于第二焊接区的上端面、第三焊接区的上端面与热沉平台的上端面,所述限制圆孔固定连接于固定区的上端面。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述透镜活动连接于限制圆孔的内侧面,所述固定端固定连接于第二焊接区的一侧。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述转轴活动连接于固定端的内侧面,所述壳体固定连接于转轴的一端。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述卡扣固定连接于壳体的一端,所述凹槽活动连接于卡扣的外表面。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种硅基激光器热沉芯片,具备以下有益效果:
1、该硅基激光器热沉芯片,通过设置衬底层与热沉平台,减小了装置的体积,降低了装置生产的成本,节省了工厂的人力、物力与财力。
2、该硅基激光器热沉芯片,通过设置固定区、限制圆孔与透镜,提高了激光器发送出来的光功率,增强了装置与光纤或者波导耦合,提高了装置的使用性能。
附图说明
图1为本实用新型的俯视图;
图2为本实用新型壳体的连接图;
图3为本实用新型的主视图。
图中:1、硅片;2、固定区;3、第一焊接区;4、第二焊接区;5、第三焊接区;6、衬底层;7、热沉平台;8、电极;9、透镜;10、固定端;11、胶皮垫;12、转轴;13、凹槽;14、卡扣;15、壳体;16、限制圆孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3,本实用新型提供以下技术方案:一种硅基激光器热沉芯片,包括硅片1,硅片1的上端面设置有固定区2,固定区2的一侧设置有第一焊接区3,第一焊接区3的一侧设置有第二焊接区4,第二焊接区4的一端设置有第三焊接区5,第一焊接区3的上端面设置有衬底层6,衬底层6的上端面设置有热沉平台7,第二焊接区4的上端面、第三焊接区5的上端面与热沉平台7的上端面均设置有电极8,固定区2的上端面设置有限制圆孔16,限制圆孔16的内侧面设置有透镜9,第二焊接区4的一侧设置有固定端10,固定端10的内侧面设置有转轴12,转轴12的一端设置有壳体15,壳体15的一端设置有卡扣14,卡扣14的外表面设置有凹槽13,壳体15的下端面设置有胶皮垫11。
本实施方案中,硅片1是装置的主体结构,为三个焊接区与热沉平台7作支撑;胶皮垫11增加了光纤与电极8连接的牢固性;壳体15为胶皮垫11提供了保护作用。
具体的,固定区2固定连接于硅片1的上端面,第一焊接区3固定连接于固定区2的一侧。
本实施例中,固定区2为限制圆孔16提供了支撑作用;第一焊接区3为衬底层6提供了固定的安装位置。
具体的,第二焊接区4固定连接于第一焊接区3的一侧,第三焊接区5固定连接于第二焊接区4的一端。
本实施例中,第二焊接区4与第三焊接区5均为电极8提供了支撑作用,方便光纤的连接。
具体的,衬底层6固定连接于第一焊接区3的上端面,热沉平台7固定连接于衬底层6的上端面。
本实施例中,衬底层6为热沉平台7提供了支撑力;热沉平台7为锥形平台,锥形的角度为五十四点七四度。
具体的,电极8分别固定连接于第二焊接区4的上端面、第三焊接区5的上端面与热沉平台7的上端面,限制圆孔16固定连接于固定区2的上端面。
本实施例中,电极8有两种材料组成,一种材料为CR,另外一种材料为AU,两种材料的合成提高了芯片的集成度;限制圆孔16用来安装透镜9。
具体的,透镜9活动连接于限制圆孔16的内侧面,固定端10固定连接于第二焊接区4的一侧。
本实施例中,透镜9提高了激光器发送出来的光功率以及与光纤或者波导耦合;固定端10为转轴12作支撑。
具体的,转轴12活动连接于固定端10的内侧面,壳体15固定连接于转轴12的一端。
本实施例中,转轴12能够带动壳体15进行转动;壳体15为胶皮垫11作支撑。
具体的,卡扣14固定连接于壳体15的一端,凹槽13活动连接于卡扣14的外表面。
本实施例中,卡扣14与凹槽13两者之间互相配合使用,可将壳体15固定在硅片1上。
本实用新型的工作原理及使用流程:首先,将透镜9固定到限制圆孔16中,随后将光纤分别连接到三个焊接区的电极8上,透镜9提高了激光器发送出来的光功率,增强了装置与光纤或者波导耦合,从而提高了装置的使用性能;进而将卡扣14连接到凹槽13中,使胶皮垫11紧贴于第二焊接区4的电极8,增加了光纤与电极8连接的牢固性;衬底层6与热沉平台7,减小了装置的体积,降低了装置生产的成本,节省了工厂的人力、物力与财力。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种硅基激光器热沉芯片,包括硅片(1),其特征在于:所述硅片(1)的上端面设置有固定区(2),所述固定区(2)的一侧设置有第一焊接区(3),所述第一焊接区(3)的一侧设置有第二焊接区(4),所述第二焊接区(4)的一端设置有第三焊接区(5),所述第一焊接区(3)的上端面设置有衬底层(6),所述衬底层(6)的上端面设置有热沉平台(7),所述第二焊接区(4)的上端面、第三焊接区(5)的上端面与热沉平台(7)的上端面均设置有电极(8),所述固定区(2)的上端面设置有限制圆孔(16),所述限制圆孔(16)的内侧面设置有透镜(9),所述第二焊接区(4)的一侧设置有固定端(10),所述固定端(10)的内侧面设置有转轴(12),所述转轴(12)的一端设置有壳体(15),所述壳体(15)的一端设置有卡扣(14),所述卡扣(14)的外表面设置有凹槽(13),所述壳体(15)的下端面设置有胶皮垫(11)。
2.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述固定区(2)固定连接于硅片(1)的上端面,所述第一焊接区(3)固定连接于固定区(2)的一侧。
3.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述第二焊接区(4)固定连接于第一焊接区(3)的一侧,所述第三焊接区(5)固定连接于第二焊接区(4)的一端。
4.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述衬底层(6)固定连接于第一焊接区(3)的上端面,所述热沉平台(7)固定连接于衬底层(6)的上端面。
5.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述电极(8)分别固定连接于第二焊接区(4)的上端面、第三焊接区(5)的上端面与热沉平台(7)的上端面,所述限制圆孔(16)固定连接于固定区(2)的上端面。
6.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述透镜(9)活动连接于限制圆孔(16)的内侧面,所述固定端(10)固定连接于第二焊接区(4)的一侧。
7.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述转轴(12)活动连接于固定端(10)的内侧面,所述壳体(15)固定连接于转轴(12)的一端。
8.根据权利要求1所述的一种硅基激光器热沉芯片,其特征在于:所述卡扣(14)固定连接于壳体(15)的一端,所述凹槽(13)活动连接于卡扣(14)的外表面。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020803296.1U CN211829530U (zh) | 2020-05-14 | 2020-05-14 | 一种硅基激光器热沉芯片 |
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CN202020803296.1U CN211829530U (zh) | 2020-05-14 | 2020-05-14 | 一种硅基激光器热沉芯片 |
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CN211829530U true CN211829530U (zh) | 2020-10-30 |
Family
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CN202020803296.1U Active CN211829530U (zh) | 2020-05-14 | 2020-05-14 | 一种硅基激光器热沉芯片 |
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CN (1) | CN211829530U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112817088A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-05-18 | 苏州海光芯创光电科技股份有限公司 | 一种具有低耦合插损的硅光芯片耦合结构及硅基晶圆 |
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2020
- 2020-05-14 CN CN202020803296.1U patent/CN211829530U/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112817088A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-05-18 | 苏州海光芯创光电科技股份有限公司 | 一种具有低耦合插损的硅光芯片耦合结构及硅基晶圆 |
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