CN210535686U - 一种提高倒装led固晶良率的结构 - Google Patents
一种提高倒装led固晶良率的结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210535686U CN210535686U CN201921739328.XU CN201921739328U CN210535686U CN 210535686 U CN210535686 U CN 210535686U CN 201921739328 U CN201921739328 U CN 201921739328U CN 210535686 U CN210535686 U CN 210535686U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inorganic insulating
- protection block
- layer
- insulating medium
- medium layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种提高倒装LED固晶良率的结构，包括顶针、金属电极和无机绝缘介质层，无机绝缘介质层和金属电极均设置在顶针上方，金属电极安装在无机绝缘介质层上，所述无机绝缘介质层下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块，所述有机绝缘缓冲介质保护块设置在顶针的正上方，所述无机绝缘介质层上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层、氮化镓外延发光层、N型氮化镓外延层和蓝宝石衬底；本实用新型可对无机绝缘介质进行有效保护，无机绝缘介质层不容易被顶针顶伤，有效防止造成芯片破损漏电短路，从而大大提高固晶良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED生产技术领域，尤其涉及一种提高倒装LED固晶良率的结构。
背景技术
目前在生产LED的过程中，倒装LED固晶良率较低。良率偏低的主要原因是固晶制程中，顶针刺破蓝膜后接着刺到倒装LED芯片中部无机绝缘介质层，而无机绝缘介质层为无机薄膜，该无机绝缘介质层坚硬脆弱，容易顶伤，造成芯片破损漏电短路，因此导致固晶良率低。
实用新型内容
为了克服上述技术的不足，本实用新型的目的是提供一种提高倒装LED固晶良率的结构，可对无机绝缘介质进行有效保护，从而大大提高固晶良率。
本实用新型所采用的技术方案是：一种提高倒装LED固晶良率的结构，包括顶针、金属电极和无机绝缘介质层，无机绝缘介质层和金属电极均设置在顶针上方，金属电极安装在无机绝缘介质层上，所述无机绝缘介质层下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块，所述有机绝缘缓冲介质保护块设置在顶针的正上方，所述无机绝缘介质层上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层、氮化镓外延发光层、N型氮化镓外延层和蓝宝石衬底。
优选的，所述有机绝缘缓冲介质保护块为二氧化硅缓冲介质保护块。
优选的，所述有机绝缘缓冲介质保护块为二氧化钛缓冲介质保护块。
优选的，所述有机绝缘缓冲介质保护块为氮化硅缓冲介质保护块。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构，可对无机绝缘介质进行有效保护，无机绝缘介质层不容易被顶针顶伤，有效防止造成芯片破损漏电短路，从而大大提高固晶良率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作详细说明。
如图1所示，一种提高倒装LED固晶良率的结构，包括顶针1、金属电极2和无机绝缘介质层3，无机绝缘介质层3和金属电极2均设置在顶针1上方，金属电极2安装在无机绝缘介质层3上，所述无机绝缘介质层3下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块4，所述有机绝缘缓冲介质保护块4设置在顶针1的正上方，所述无机绝缘介质层3上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层5、氮化镓外延发光层6、N型氮化镓外延层7和蓝宝石衬底8。
当顶针1向上顶时，先顶到有机绝缘缓冲介质保护块4，有机绝缘缓冲介质保护块4起到了缓冲作用，从而使有机绝缘缓冲介质保护块4对无机绝缘介质层3进行保护。有机绝缘缓冲介质保护块4在具备一定的硬度的同时也具备良好的韧性，可以有效阻挡顶针1的顶刺，保证无机绝缘介质层3的完整，从而大大提高了固晶良率。所述无机绝缘介质层3上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层5、氮化镓外延发光层6、N型氮化镓外延层7和蓝宝石衬底8，通过此种结构设置也防止顶针1影响P型氮化镓外延层5、氮化镓外延发光层6、N型氮化镓外延层7和蓝宝石衬底8，使该倒装结构更加稳定。
所述有机绝缘缓冲介质保护块4优选为二氧化硅缓冲介质保护块。
所述有机绝缘缓冲介质保护块4优选为二氧化钛缓冲介质保护块。
所述有机绝缘缓冲介质保护块4优选为氮化硅缓冲介质保护块。
上述实施例以本实用新型技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于上述的实施例。
Claims (4)
1.一种提高倒装LED固晶良率的结构，包括顶针(1)、金属电极(2)和无机绝缘介质层(3)，无机绝缘介质层(3)和金属电极(2)均设置在顶针(1)上方，金属电极(2)安装在无机绝缘介质层(3)上，其特征在于：所述无机绝缘介质层(3)下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块(4)，所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)设置在顶针(1)的正上方，所述无机绝缘介质层(3)上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层(5)、氮化镓外延发光层(6)、N型氮化镓外延层(7)和蓝宝石衬底(8)。
2.如权利要求1所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构，其特征在于：所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)为二氧化硅缓冲介质保护块。
3.如权利要求1所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构，其特征在于：所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)为二氧化钛缓冲介质保护块。
4.如权利要求1所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构，其特征在于：所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)为氮化硅缓冲介质保护块。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921739328.XU CN210535686U (zh) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 一种提高倒装led固晶良率的结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921739328.XU CN210535686U (zh) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 一种提高倒装led固晶良率的结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210535686U true CN210535686U (zh) | 2020-05-15 |
Family
ID=70608010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921739328.XU Active CN210535686U (zh) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 一种提高倒装led固晶良率的结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210535686U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112823427A (zh) * | 2020-07-03 | 2021-05-18 | 天津三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| CN113903836A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-01-07 | 厦门三安光电有限公司 | 倒装发光二极管和发光装置 |
-
2019
- 2019-10-16 CN CN201921739328.XU patent/CN210535686U/zh active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112823427A (zh) * | 2020-07-03 | 2021-05-18 | 天津三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| WO2022000474A1 (zh) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | 天津三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| CN112823427B (zh) * | 2020-07-03 | 2023-02-03 | 天津三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
| CN113903836A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-01-07 | 厦门三安光电有限公司 | 倒装发光二极管和发光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100735496B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 | |
| CN210535686U (zh) | 一种提高倒装led固晶良率的结构 | |
| CN103474539A (zh) | 含有超晶格层的led结构外延生长方法及其结构 | |
| CN205264741U (zh) | GaN基LED外延片 | |
| CN203339208U (zh) | 具有多重垒层led外延结构 | |
| CN103346219B (zh) | 复式多量子阱发光层结构的生长方法及led外延结构 | |
| CN106449931B (zh) | 一种led倒装芯片的钝化沉积方法 | |
| CN103594579A (zh) | 一种氮化物发光二极管的外延结构 | |
| CN210379099U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| CN102969411B (zh) | 氮化镓基3d垂直结构发光二极管的制作方法 | |
| CN210575998U (zh) | 一种高质量外延结构 | |
| CN205595340U (zh) | 一种快速恢复二极管芯片结构 | |
| CN211555925U (zh) | 一种具有高逆向崩塌电压的外延结构 | |
| CN215731779U (zh) | 一种减少硅基oled电学串扰的结构 | |
| WO2008147105A3 (en) | Manufacturing method of vertically structured gan led device | |
| CN104733584A (zh) | 一种多出光面、高光亮度、三维立体led半导体芯片 | |
| CN204577403U (zh) | 一种晶片键合治具 | |
| CN102969418A (zh) | 氮化镓基3d垂直结构发光二极管的结构 | |
| CN104425667A (zh) | 一种SiC衬底倒装LED芯片及其制备方法 | |
| CN202167494U (zh) | 台面工艺可控硅芯片结构 | |
| CN102760813A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN220543903U (zh) | 一种GaN增强型功率晶体管裸芯片 | |
| CN101800278A (zh) | 一种能减低位错密度的led芯片 | |
| CN101621003A (zh) | 高压二极管新型生产工艺 | |
| CN104241479A (zh) | 一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层led芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |