CN210535686U - 一种提高倒装led固晶良率的结构 - Google Patents
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Abstract
一种提高倒装LED固晶良率的结构,包括顶针、金属电极和无机绝缘介质层,无机绝缘介质层和金属电极均设置在顶针上方,金属电极安装在无机绝缘介质层上,所述无机绝缘介质层下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块,所述有机绝缘缓冲介质保护块设置在顶针的正上方,所述无机绝缘介质层上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层、氮化镓外延发光层、N型氮化镓外延层和蓝宝石衬底;本实用新型可对无机绝缘介质进行有效保护,无机绝缘介质层不容易被顶针顶伤,有效防止造成芯片破损漏电短路,从而大大提高固晶良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED生产技术领域,尤其涉及一种提高倒装LED固晶良率的结构。
背景技术
目前在生产LED的过程中,倒装LED固晶良率较低。良率偏低的主要原因是固晶制程中,顶针刺破蓝膜后接着刺到倒装LED芯片中部无机绝缘介质层,而无机绝缘介质层为无机薄膜,该无机绝缘介质层坚硬脆弱,容易顶伤,造成芯片破损漏电短路,因此导致固晶良率低。
实用新型内容
为了克服上述技术的不足,本实用新型的目的是提供一种提高倒装LED固晶良率的结构,可对无机绝缘介质进行有效保护,从而大大提高固晶良率。
本实用新型所采用的技术方案是:一种提高倒装LED固晶良率的结构,包括顶针、金属电极和无机绝缘介质层,无机绝缘介质层和金属电极均设置在顶针上方,金属电极安装在无机绝缘介质层上,所述无机绝缘介质层下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块,所述有机绝缘缓冲介质保护块设置在顶针的正上方,所述无机绝缘介质层上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层、氮化镓外延发光层、N型氮化镓外延层和蓝宝石衬底。
优选的,所述有机绝缘缓冲介质保护块为二氧化硅缓冲介质保护块。
优选的,所述有机绝缘缓冲介质保护块为二氧化钛缓冲介质保护块。
优选的,所述有机绝缘缓冲介质保护块为氮化硅缓冲介质保护块。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:本实用新型所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构,可对无机绝缘介质进行有效保护,无机绝缘介质层不容易被顶针顶伤,有效防止造成芯片破损漏电短路,从而大大提高固晶良率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作详细说明。
如图1所示,一种提高倒装LED固晶良率的结构,包括顶针1、金属电极2和无机绝缘介质层3,无机绝缘介质层3和金属电极2均设置在顶针1上方,金属电极2安装在无机绝缘介质层3上,所述无机绝缘介质层3下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块4,所述有机绝缘缓冲介质保护块4设置在顶针1的正上方,所述无机绝缘介质层3上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层5、氮化镓外延发光层6、N型氮化镓外延层7和蓝宝石衬底8。
当顶针1向上顶时,先顶到有机绝缘缓冲介质保护块4,有机绝缘缓冲介质保护块4起到了缓冲作用,从而使有机绝缘缓冲介质保护块4对无机绝缘介质层3进行保护。有机绝缘缓冲介质保护块4在具备一定的硬度的同时也具备良好的韧性,可以有效阻挡顶针1的顶刺,保证无机绝缘介质层3的完整,从而大大提高了固晶良率。所述无机绝缘介质层3上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层5、氮化镓外延发光层6、N型氮化镓外延层7和蓝宝石衬底8,通过此种结构设置也防止顶针1影响P型氮化镓外延层5、氮化镓外延发光层6、N型氮化镓外延层7和蓝宝石衬底8,使该倒装结构更加稳定。
所述有机绝缘缓冲介质保护块4优选为二氧化硅缓冲介质保护块。
所述有机绝缘缓冲介质保护块4优选为二氧化钛缓冲介质保护块。
所述有机绝缘缓冲介质保护块4优选为氮化硅缓冲介质保护块。
上述实施例以本实用新型技术方案为前提,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限于上述的实施例。
Claims (4)
1.一种提高倒装LED固晶良率的结构,包括顶针(1)、金属电极(2)和无机绝缘介质层(3),无机绝缘介质层(3)和金属电极(2)均设置在顶针(1)上方,金属电极(2)安装在无机绝缘介质层(3)上,其特征在于:所述无机绝缘介质层(3)下部设置有有机绝缘缓冲介质保护块(4),所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)设置在顶针(1)的正上方,所述无机绝缘介质层(3)上部由下至上依次设置有P型氮化镓外延层(5)、氮化镓外延发光层(6)、N型氮化镓外延层(7)和蓝宝石衬底(8)。
2.如权利要求1所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构,其特征在于:所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)为二氧化硅缓冲介质保护块。
3.如权利要求1所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构,其特征在于:所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)为二氧化钛缓冲介质保护块。
4.如权利要求1所述的一种提高倒装LED固晶良率的结构,其特征在于:所述有机绝缘缓冲介质保护块(4)为氮化硅缓冲介质保护块。
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CN112823427A (zh) * | 2020-07-03 | 2021-05-18 | 天津三安光电有限公司 | 一种半导体发光元件 |
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