CN210379053U - 显示基板及电子装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种显示基板及电子装置。该显示基板包括显示区，该显示区包括第一显示区和第二显示区，该第一显示区的像素密度高于该第二显示区的像素密度，该显示区包括衬底基板以及依次设置于该衬底基板上的第一电极层、发光功能层和第二电极层，该第二电极层位于该发光功能层远离该衬底基板的一侧，该第一电极层和所述第二电极层配置为对该发光功能层施加电压以使该发光功能层发光。该第二电极层包括位于该第一显示区的第一电极部分和位于该第二显示区的第二电极部分，该第一电极部分与该第二电极部分彼此电连接，该第二电极部分的透光率高于该第一电极部分的透光率。该显示基板可以有效提高第二显示区的透光率。

Description

显示基板及电子装置

技术领域

本公开实施例涉及一种显示基板及电子装置。

背景技术

在显示领域，有机发光二极管(OLED)显示面板具有自发光、对比度高、能耗低、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、制造简单等特点，具有广阔的发展前景。为了丰富显示面板的功能，通常会集成具有其它功能的组件，如具有感光功能的成像元件等，以实现摄像、指纹识别等功能。

实用新型内容

本公开至少一些实施例提供一种显示基板，包括显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的像素密度高于所述第二显示区。所述显示区包括衬底基板，依次设置于所述衬底基板上的第一电极层、发光功能层和第二电极层。所述第二电极层位于所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层和所述第二电极层配置为对所述发光功能层施加电压以使所述发光功能层发光，所述第二电极层包括位于所述第一显示区的第一电极部分和位于所述第二显示区的第二电极部分，所述第一电极部分与所述第二电极部分彼此电连接，所述第二电极部分的透光率高于所述第一电极部分的透光率。

在一些示例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极部分的厚度大于所述第二电极部分的厚度。

在一些示例中，所述第一电极部分包括依次层叠设置于所述发光功能层上的第一子层和第二子层，所述第一子层更靠近所述发光功能层，所述第一子层或所述第二子层与所述第二电极部分为一体的结构。

在一些示例中，所述第一子层与所述第二电极部分为一体的结构且材料为金属或金属合金。

在一些示例中，所述第一子层的材料的功函数低于所述第二子层的材料的功函数。

在一些示例中，所述第一子层的材料包括金属或金属合金，所述第二子层的材料包括透明导电材料，所述第二子层和所述第二电极部分为一体的结构。

在一些示例中，所述第一电极部分和所述第二电极部分分别为一体的结构且彼此之间存在界面，所述第一电极部分和所述第二电极部分的材料不同。

在一些示例中，所述第一电极部分的材料包括金属或金属合金，所述第二电极部分的材料包括透明导电材料。

在一些示例中，所述第二电极层还包括位于所述第一电极部分和所述第二电极部分之间的第三电极部分，所述第三电极部分分别与所述第一电极部分和所述第二电极部分电连接，第三电极部分厚度不均一。

在一些示例中，沿所述第一显示区指向所述第二显示区的方向，所述第三电极部分的厚度逐渐减小。

在一些示例中，沿所述第一显示区指向所述第二显示区的方向，所述第三电极部分的厚度先减小后增大。

本公开至少一些实施例还提供一种电子装置，包括上述显示基板和成像元件，所述成像元件设置于所述第二显示区且位于所述第二电极层靠近所述衬底基板的一侧，所述成像元件包括感光面，所述感光面朝向所述第二电极层。

本公开至少一些实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板形成显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的像素密度高于所述第二显示区的像素密度。形成所述显示区包括：在所述衬底基板上依次形成第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层配置为对所述发光功能层施加电压以使所述发光功能层发光，所述第二电极层包括位于所述第一显示区的第一电极部分和位于所述第二显示区的第二电极部分，所述第一电极部分与所述第二电极部分彼此电连接，所述第二电极部分的透光率高于所述第一电极部分的透光率。

在一些示例中，所述第一电极部分包括依次层叠设置于所述发光功能层上的第一子层和第二子层，所述第一子层更靠近所述发光功能层；形成所述第二电极层包括：采用第一掩模板在所述第一显示区形成所述第一子层及在所述第二显示区形成所述第二电极部分，采用第二掩模板在所述第一显示区形成所述第二子层。

在一些示例中，所述第一电极部分包括依次层叠设置于所述发光功能层上的第一子层和第二子层，所述第一子层更靠近所述发光功能层；形成所述第二电极层包括：采用第一掩膜板在所述第一显示区形成所述第一子层，采用第二掩膜板在所述第一显示区形成所述第二子层及在所述第二显示区形成所述第二电极部分。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。

图1为本公开实施例提供的显示基板的平面示意图；

图2A和图2B为本公开实施例提供的显示基板的子像素的分布示意图；

图3为本公开实施例提供的显示基板的剖视图；

图4A-4C为本公开实施例提供的显示基板的第二电极层的示意图；

图5为蒸镀工艺示意图；

图6A为本公开实施例提供的电子装置的示意图；

图6B为本公开实施例提供的电子装置的剖视图；

图7A-7C为本公开实施例提供的显示基板的制作方法中使用的掩膜板的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本公开的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。

除非另外特别定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。此外，在本公开各个实施例中，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。

在集成有成像元件的显示装置中，将成像元件设置于显示装置的显示区，有利于实现窄边框显示。然而，由于显示区中制作有显示器件，会影响成像元件的光透过率，例如，子像素中的发光元件、不透光走线等都可能对成像元件摄取光线形成阻挡从而影响成像品质。例如，可以通过将设置有成像元件的区域中的子像素的密度降低来提高该区域的透光率。

本公开至少一些实施例提供一种显示基板，包括显示区，该显示区包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的像素密度高于所述第二显示区，该显示区包括衬底基板及依次设置于该衬底基板上的第一电极层、发光功能层和第二电极层。该第二电极层位于该发光功能层远离该衬底基板的一侧，该第一电极层和该第二电极层配置为对该发光功能层施加电压以使该发光功能层发光，该第二电极层包括位于该第一显示区的第一电极部分和位于该第二显示区的第二电极部分，该第一电极部分与该第二电极部分彼此电连接，该第二电极部分的透光率高于该第一电极部分的透光率。

通过提高该第二电极层位于该第二显示区(像素密度较低的显示区)中的部分的透光率，进一步提高了该第二显示区的透光率。

图1为本公开实施例提供的一种显示基板的平面示意图。如图1所示，该显示基板20包括多条栅线11和多条数据线12，多条栅线11和多条数据线12彼此交叉在显示区110中定义出阵列分布的多个子像素区，每个子像素区设置有一个子像素100，每个子像素包括发光元件和驱动该发光元件发光的驱动电路。该驱动电路例如为常规的像素电路。例如，该驱动电路包括常规的2T1C(即两个晶体管和一个电容)像素电路、4T2C、5T1C、7T1C等nTmC(n、m为正整数)像素电路，并且不同的实施例中，该驱动电路还可以进一步包括补偿电路，该补偿电路包括内部补偿电路或外部补偿电路，补偿电路可以包括晶体管、电容等。例如，根据需要，该驱动电路还可以进一步包括复位电路、发光控制电路、检测电路等。例如，该显示基板还可以包括位于显示区110外的非显示区111中的数据驱动电路6和栅极驱动电路7，该数据驱动电路和栅极驱动电路分别通过数据线12和栅线11与发光元件的驱动电路连接以提供电信号。该数据驱动电路用于提供数据信号，该栅极驱动电路用于提供扫描信号，还可以进一步用于提供各种控制信号、电源信号等。

在另一些示例中，例如，该显示基板采用硅基板作为衬底基板，该栅极驱动电路6和数据驱动电路7都可以集成于该硅基板上。在此情形下，由于硅基电路可以实现较高的集成度和精度，该栅极驱动电路6和数据驱动电路7例如也可以形成于对应于该显示基板的显示区的区域中，而并不一定位于非显示区。

如图1所示，显示区110包括第一显示区21和第二显示区22，第一显示区21中的像素密度(单位面积子像素的个数)高于第二显示区22中的像素密度，例如第一显示区21的分辨率高于第二显示区22。需要说明的是，本公开中的像素密度是指实际存在的子像素的密度，而不是参与显示的子像素的密度。由于第二显示区22中的像素密度较低，因此子像素中走线和器件对于光线的遮挡降低，有利于提高第二显示区22的透光率。

例如，第二显示区22位于显示区110的靠近中心的位置，也可以位于显示区110的靠近边缘(如左上角、右上角、上边缘的中心区域等)的位置。例如，第二显示区22的形状可以是矩形、圆形、椭圆形等规则形状或者水滴形等不规则形状。例如，第二显示区22的尺寸(边长或直径)为2-8mm，例如为4-6mm。

图2A和图2B分别示出了本公开实施例中两种子像素分布的示意图。例如，同一行中相邻的三个子像素构成一个像素单元200，该三个子像素分别配置为发出三原色(R、G、B)的光。然而，本公开实施例对于像素单元的具体结构不作限制。如图所示，第一显示区21中的像素单元的分布密度高于第二显示区22中的像素单元的分布密度。

例如，如图2A所示，第二显示区22中的像素单元200的结构与第一显示区21中的像素单元200的结构相同。第二显示区22中的像素单元200内相邻的子像素100的间距与第一显示区21相同。这种设置并不改变第二显示区22中的像素单元200(最小重复单元)的结构，而只是增加了像素单元200之间的间距，因此驱动电路的设计较为简单。

在另一些示例中，如图2B所示，第二显示区22中像素单元200的结构与第一显示区21中的像素单元200的结构不同。第二显示区22中的像素单元200内相邻的子像素100之间的间距大于第一显示区21中像素单元内200相邻的子像素100之间的间距。

图3示出了图1所示显示基板沿A-A’方向的剖视图的一个示例。例如，该显示基板为有机发光二极管(OLED)显示基板或微型OLED(Micro OLED)显示基板。该发光元件可以是有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)等，本公开实施例对于发光元件的类型不作限定。例如，OLED的发光层可以为小分子有机材料或高分子有机材料。

为了清楚起见，图3中仅示意性地分别示出了第一显示区21和第二显示区22中的一个子像素100，并且对于每个子像素，仅示出了发光元件201以及驱动电路中与该发光元件201直接连接的晶体管203。例如，该晶体管203可以是驱动晶体管，配置为工作在饱和状态下并控制驱动发光元件201发光的电流的大小。例如，该晶体管203也可以为发光控制晶体管，用于控制驱动发光元件201发光的电流是否流过。本公开的实施例对此不作限制。

如图3所示，第一电极层204、发光功能层205和第二电极层206依次层叠设置于驱动电路远离衬底基板101的一侧，第二电极层206位于发光功能层205远离衬底基板101的一侧，第一电极层204和第二电极层206配置为对发光功能层205施加电压以使发光功能层205发光。第一电极层204包括间隔设置、彼此绝缘的多个第一电极211，多个第一电极211分别位于多个子像素中，用于构成该子像素中的发光元件201。第二电极层206包括分别位于多个子像素中的第二电极，该多个第二电极彼此电连接。发光功能层205包括分别位于多个子像素中的发光功能层部分213。每个子像素100的第一电极211、发光功能层部分213及第二电极构成该子像素中的发光元件201。相邻子像素100中的发光功能层部分213通过像素界定层220彼此间隔。

例如，晶体管203包括有源层121、栅极绝缘层125、栅极122、第一极123和第二极124。本公开的实施例对于晶体管203的类型、材料、结构不作限制，例如其可以为顶栅型、底栅型等，晶体管203的有源层可以为微晶硅、非晶硅、多晶硅(低温多晶硅或高温多晶硅)、氧化物半导体(例如IGZO)等无机半导体材料，或者还可以为有机材料，例如为PBTTT、PDBT-co-TT、PDQT、PDVT-10、二萘并-并二噻吩(DNTT)或并五苯等有机半导体材料。例如，晶体管203可以为N型或P型。

例如，晶体管203的第一极123与发光元件201的第一电极211电连接。

需要说明的是，本公开实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管、场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，例如，可直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极。

例如，第一电极层204配置为阳极层，第一电极层204的材料具有高功函数，在发光元件201为顶发射结构的情形，该第一电极层204的材料还具有高反射率。例如，该第一电极层204可以包括镁(Mg)、锂(Li)、钙(Ca)、锶(Sr)、铯(Cs)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)等金属以及以上金属组合而成的合金材料；或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。例如，第一电极层204为层叠结构，例如为ITO/Ag/ITO叠层结构、或者Ti/Al/Ti/Mo层叠结构。

例如，第二电极层206配置为阴极层，第二电极层206的材料为具有低功函数和高透射率的材料。例如，第二电极层206的材料可以是半透射的金属或金属合金材料、透明导电金属氧化物材料(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等)、透明纳米电极材料等。

例如，为了防止水和氧气对于低功函数金属阴极产生不利影响，可以采用高功函数的金属与低功函数的金属形成合金性质的第二电极层206，例如，第二电极层206的材料为Ca/Al、Mg/Ag、Gd/Al、Al/Li、Sn/Li、Sn/Al、Ag/Al等合金材料。例如，第二电极层206的材料为低功函数的金属Mg和高功函数且化学性能比较稳定的金属Ag共蒸形成的合金Mg/Ag。

例如，发光功能层205可以包括至少一个发光层，并且根据需要还可以包括电子/空穴注入层、电子/空穴传输层、电子/空穴阻挡层、电荷生成层等。例如，发光功能层205为串联(tandem)结构，包括由电荷生成层串联的多个发光层。

如图3所示，第二电极层206包括位于第一显示区21的第一电极部分212和位于第二显示区22的第二电极部分222，第一电极部分212与第二电极部分222彼此电连接。第二电极部分222的透光率高于第一电极部分212的透光率。

例如，可以通过对第一电极部分212和第二电极部分222进行材料或厚度等的选择使得第二电极部分222的透光率高于第一电极部分的透光率212。

例如，垂直于衬底基板101的方向上，第一电极部分212的厚度大于第二电极部分222的厚度。例如，第二电极部分222的厚度为第一电极部分212的60％-95％。第二电极部分222的厚度不能过小，否则会使得第二电极部分222的电阻增大，从而影响第二显示区22中驱动电路的驱动能力导致第二显示区22中的子像素的发光亮度不够。例如，第一电极部分212的厚度为10nm-20nm，第二电极部分222的厚度范围为6nm-18nm，例如为6nm-12nm或10nm-15nm。

例如，如图3所示，第一电极部分212和第二电极部分222一体成型，也即为一体的结构；同时在垂直于衬底基板101的方向上，第一电极部分212的厚度大于第二电极部分222的厚度。本公开中“一体的结构”是指多个结构由在同一沉积工艺中形成的彼此连接的结构，因而该多个结构彼此之间不存在界面并且具有相同的材料。例如，可以通过在发光功能层205上形成导电层，并选择性地对该导电层位于该第二显示区22的部分进行刻蚀得到该一体结构的第二电极层206。

例如，第一电极部分212的厚度也可以与第二电极部分222的厚度相同，且第一电极部分212的材料的透过率低于第二电极部分222的材料的透过率。

由于发光功能层205对温度以及黄光制程敏感，因此可以通过多次沉积工艺(例如蒸镀工艺)来形成第二电极层206而避免引入光刻工艺。

图4A-4C示出了本公开实施例提供的第二电极层的几种示例。

在一些示例中，第一电极部分212包括依次层叠设置于发光功能层205上的第一子层301和第二子层302，第一子层301更靠近发光功能层205，例如第一子层301与发光功能层205直接接触。第一电极部分212的第一子层301或第二子层302与第二电极部分222为一体的结构。

例如，第一子层301和第二子层302的材料不同，第一子层301的材料的功函数低于第二子层302的材料的功函数。例如，第一子层301的材料包括上述金属或金属合金材料，第二子层302的材料包括上述透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。将低功函数的第一子层301设置为更靠近发光功能层205，可以提高电子的注入能力。此外，由于高功函数材料化学性能相对较稳定，将高功函数的第二子层302设置于第一子层301的外侧，有助于对第一子层301形成保护，并防止水和氧气的入侵。

例如，第一子层301和第二子层302的材料也可以相同，这样可以简化工艺。

例如，在一些示例中，如图4A所示，第一电极部分212的第二子层302与第二电极部分222为一体的结构。例如，第一电极部分212的第二子层302与第二电极部分222均为透明导电材料，从而使得第二显示区22具有较高的透光率。

由于第二子层302为透明导电材料，可以适当将其厚度做厚以降低电阻，例如，第二子层的厚度大于第一子层。例如，第一子层301的厚度为10nm-20nm，第二电极部分222和第二子层302的厚度为50-100nm。第二子层302搭接在第一子层301上，可以有效降低第一电极部分212的电阻。

例如，在另一些示例中，如图4B所示，第一电极部分212的第一子层301与第二电极部分222为一体的结构。例如，第一子层301和第二子层302的材料均为金属或金属合金材料，例如为半透射的金属或金属合金材料。由于金属或金属合金材料通常具有较低的功函数，将第一子层和第二子层均采用金属或金属合金材料可以同时提高第一显示区与第二显示区中的电子注入能力。

例如，第二子层302的材料可以是金属或金属合金材料，或者透明导电材料。

例如，第二电极部分222的厚度不能过小，否则会使得第二电极部分222的电阻增大，从而影响第二显示区22中驱动电路的驱动能力导致第二显示区中的子像素的发光亮度不够。

例如，在第一子层301和第二子层302的材料均为金属或金属合金的情形，第一子层301的厚度(也即第二电极部分222的厚度)大于第二子层302的厚度。例如，第一子层301和第二电极部分222的厚度范围为6nm-18nm，第二子层302的厚度为6nm-12nm。

在另一些示例中，如图4C所示，第一电极部分212和第二电极部分222分别形成并具有不同的材料，第二电极部分222材料的透过率高于第一电极部分212材料的透过率。第一电极部分212与第二电极部分222各自为一体的结构，且彼此之间存在界面。例如，第一电极部分212的材料为上述金属或金属合金材料，第二电极部分222的材料为上述透明导电材料。

如图4A-4C所示，第二电极层206还包括位于第一电极部分212和第二电极部分222之间的第三电极部分232，第三电极部分232分别与第一电极部分212和第二电极部分222电连接，第三电极部分232的厚度不均一。这是由于在蒸镀工艺过程中的阴影效应所导致的。

图5为蒸镀工艺示意图。如图5所示，蒸镀材料会在掩膜板310的开口区320的边缘发生扩散，导致实际形成的膜层会超出开口区320，在开口区320的边缘外侧形成阴影区SH。并且，膜层的边缘不是直角，而是具有一个坡度，也即在该阴影区(shadow)，膜层的厚度不是均一的，而是渐变的。由于阴影效应的存在，可以将掩膜板的开口区设计为小于实际成膜的区域，从而可以节省蒸镀材料，降低成本。

如图4A和4B所示，沿第一显示区21指向第二显示区22的方向D1，第三电极部分232的厚度逐渐减小。如图4A所示，在蒸镀形成第一电极部分212的第一子层301时，第一子层301靠近第二显示区22的边缘处形成了阴影区。如图4B所示，在蒸镀形成第一电极部分212的第二子层302时，第二子层302靠近第二显示区22的边缘处形成了阴影区。

如图4C所示，沿第一显示区21指向第二显示区22的方向D1，第三电极部分232的厚度先减小后增大。这是由于第一电极部分212和第二电极部分222分别通过蒸镀工艺形成，第一电极部分212在靠近第二显示区22的边缘处形成阴影区，第二电极部分222在靠近第一显示区21的边缘处也形成阴影区，两个阴影区彼此连接或交叠从而形成第三电极部分232，该第三电极部分232中存在第一电极部分212和第二电极部分222之间的界面。在下面制作方法的实施例中将具体说明该第三电极部分232的形成过程。

本公开实施例还提供一种电子装置，包括上述显示基板20和成像元件，该成像元件设置于显示基板20的第二显示区22并位于该第二电极层靠近该衬底基板的一侧，该成像元件包括感光面，该感光面朝向显示基板20的第二电极层。该成像元件401包括光电传感器，配置为接收穿过第二电极层206到达该成像元件401光线并将该光线转换成电信号并用于形成图像。

图6A示出了本公开一些实施例提供的电子装置40的结构示意图，图6B为图6A所示电子装置沿B-B’的剖视图。例如，该电子装置40还包括设置于显示基板20上的封装层207和盖板208，该封装207配置为对显示基板20中的发光元件进行密封以防止外界的湿气和氧向该发光元件及驱动电路的渗透而造成对器件的损坏。例如，封装层207包括有机薄膜或者包括有机薄膜及无机薄膜交替层叠的结构。例如，该封装层207与显示基板20之间还可以设置吸水层(未示出)，配置为吸收发光元件在前期制作工艺中残余的水汽或者溶胶。盖板208例如为玻璃盖板。例如，盖板208和封装层207可以为一体的结构。

例如，成像元件401可以贴附于显示基板20的背面(与显示面相对的一面)。如图6B所示，成像元件401贴附在衬底基板101远离第二电极层206的一侧。在另一些示例中，成像元件401也可以形成于显示基板20的内部，例如形成于衬底基板101靠近第二电极层206的一侧。例如，成像元件401可以和显示基板20中的像素电路一起形成。

在一些示例中，该成像元件401为摄像头。在另一些示例中，该成像元件401也可以为指纹识别元件，配置为在手指靠近或接触盖板208时、接收经手指反射并穿过第二电极层的光线，并将该光线转换为电信号，用于形成手指的指纹图像。

该电子装置例如可以数码相框、智能手环、智能手表、手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。

本公开实施例还提供上述显示基板的制作方法，该制作方法至少包括：在该衬底基板上依次形成第一电极层、发光功能层和第二电极层，该第二电极层包括位于该第一显示区的第一电极部分和位于该第二显示区的第二电极部分，该第一电极部分与该第二电极部分彼此电连接，该第二电极部分的透光率高于该第一电极部分的透光率。

图7A-7C示出了本公开实施例提供的制作方法中所用到的掩膜板的几种示例。以下将结合图3、图4A-4C、图7A-7C对本公开实施例提供的显示基板的制作方法进行示例性说明。参照图3，该制作方法至少包括如下步骤S701-S702。

步骤S701：在衬底基板101上形成发光元件201的驱动电路。

例如，如图3所示，形成该驱动电路包括形成晶体管203，例如包括在衬底基板101上依次形成晶体管203的有源层121、栅极绝缘层125、栅极122、层间绝缘层及源漏电极层(包括第一极123和第二极124)。

例如，该有源层121的材料可以为单质半导体材料或化合物半导体材料，例如可以包括非晶硅、多晶硅(低温多晶硅或高温多晶硅)、金属氧化物半导体(如IGZO、AZO)等。

例如，该栅极122和源漏电极层的材料包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料；或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。

例如，该栅极绝缘层125和该层间绝缘层可以为氮化硅或氧化硅的单层结构或者由氮化硅和氧化硅堆叠形成的多层结构。

例如，可以通过溅射等物理气相淀积工艺形成上述导电材料层，可以通过化学气相淀积等工艺形成上述绝缘材料层。

步骤S702：在该驱动电路上形成发光元件201。

例如，如图3所示，形成该发光元件201包括依次形成第一电极层204、发光功能层205和第二电极层206。

例如，采用物理气相淀积(例如溅射)工艺形成第一导电层，并对该第一导电层进行构图工艺形成彼此间隔的多个第一电极211。

例如，采用蒸镀工艺依次形成发光功能层205和第二电极层206。

在一些示例中，形成第二电极层206包括：采用第一掩膜板51在第一显示区21形成第一电极部分212的第一子层301，采用第二掩膜板52在第一显示区21形成第一电极部分212的第二子层302及在第二显示区22形成第二电极部分222。

例如，第一掩膜板和第二掩膜板可以均为开放式掩膜板(Open Mask)。开放式掩膜板相较于精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FFM)成本更低，并且可以避免精细金属掩膜板的精度对显示基板的结构所造成的限制。

图7A示出了第一掩膜板51和第二掩膜板52的一个示例。如图7A所示，该第一掩膜板51的开口区510对应于第一显示区21。例如，由于阴影效应的存在，蒸镀材料会在开口区510的边缘扩散至开口区510所暴露的区域之外，因此该开口区510可以小于第一显示区21。第二掩膜板52的开口区520对应于第一显示区21和第二显示区22。

例如，先使用第一掩膜板51在第一显示区21形成第一电极部分212的第一子层301，然后使用第二掩膜板52一体形成位于第一显示区21的第二子层302及位于第二显示区22的第二电极部分222，从而形成如图4A所示的第二电极层206。

例如，采用金属或金属合金作为蒸发源在发光功能层205上形成第一子层301，采用透明导电材料作为蒸发源形成第二子层302和第二电极部分222。

例如，先使用第二掩膜板52一体形成位于第一显示区21的第一子层301以及位于第二显示区22的第二电极部分222，然后使用第一掩膜板51在第一显示区21形成第二子层302，从而形成如图4B所示的第二电极层206。

例如，采用金属或金属合金作为蒸发源在发光功能层206上形成第一子层301和第二电极部分222，仍然采用金属或金属合金作为蒸发源形成第二子层302，也可以采用透明导电材料作为蒸发源形成第二子层302。

例如，第二显示区22的形状为规则形状，如矩形、圆形等。相应地，如图7A所示，第一掩膜板51的开口区510为矩形。

在另一些示例中，第二显示区22也可以为不规则形状。如图6A所示，第二显示区22的形状为圆缺(即圆形的一部分)。图7B示出了形成该显示基板所对应的第一掩膜板51和第二掩膜板52。

在另一些示例中，形成第二电极层206包括：采用第一掩膜板在第一显示区21形成第一电极部分212，采用第二掩膜板在第二显示区22形成第二电极部分222。

图7C示出了该示例中的第一掩膜板51和第二掩膜板52。如图7C所示，第一掩膜板51的开口区510对应于第一显示区21，第二掩膜板52的开口区520对应于第二显示区22。由于阴影效应的存在，开口区510可以小于第一显示区21，开口区520可以小于第二显示区22。

例如，先使用第一掩膜板51在第一显示区21形成第一电极部分212，然后使用第二掩膜板52在第二显示区22形成第二电极部分222；或者先使用第二掩膜板52在第二显示区22形成第二电极部分222，然后使用第一掩膜板51在第一显示区21形成第一电极部分212。结合参照图4C，形成第一电极部分212的同时在第一电极部分212靠近第二显示区22的边缘形成阴影区SH，形成第二电极部分222的同时在第二电极部分222靠近第一显示区21的边缘形成阴影区SH，两个阴影区搭接使得第一电极部分212和第二电极部分222电连接，并形成第三电极部分232。

例如，采用金属或金属合金作为蒸发源在发光功能层206上形成第一电极部分212，采用透明导电材料在发光功能层206上形成第二电极部分222；也即该第三电极部分232包括该金属材料及该透明导电材料。

例如，还可以在该第二电极层206上形成封装层、提供偏光层、并贴上盖板。

例如，在显示基板20的制作完成后，在显示基板的背面(与显示面相对的表面)对应第二显示区22贴附成像元件401，从而形成如图6A-6B所示的电子装置。在另一些示例中，也可以在形成驱动电路的过程中形成该成像元件401，本公开实施例对此不作限制。

以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (12)

1.一种显示基板，包括显示区，所述显示区包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的像素密度高于所述第二显示区的像素密度，

所述显示区包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第二电极层位于所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层和所述第二电极层配置为对所述发光功能层施加电压以使所述发光功能层发光，

其特征在于，所述第二电极层包括位于所述第一显示区的第一电极部分和位于所述第二显示区的第二电极部分，所述第一电极部分与所述第二电极部分彼此电连接，所述第二电极部分的透光率高于所述第一电极部分的透光率。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极部分的厚度大于所述第二电极部分的厚度。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极部分包括依次层叠设置于所述发光功能层上的第一子层和第二子层，所述第一子层更靠近所述发光功能层，

所述第一子层或所述第二子层与所述第二电极部分为一体的结构。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层与所述第二电极部分为一体的结构且材料为金属或金属合金。

5.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料的功函数低于所述第二子层的材料的功函数。

6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括金属或金属合金，所述第二子层的材料包括透明导电材料，

所述第二子层和所述第二电极部分为一体的结构。

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极部分和所述第二电极部分分别为一体的结构且彼此之间存在界面，所述第一电极部分和所述第二电极部分的材料不同。

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极部分的材料包括金属或金属合金，所述第二电极部分的材料包括透明导电材料。

9.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极层还包括位于所述第一电极部分和所述第二电极部分之间的第三电极部分，所述第三电极部分分别与所述第一电极部分和所述第二电极部分电连接，第三电极部分厚度不均一。

10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，沿所述第一显示区指向所述第二显示区的方向，所述第三电极部分的厚度逐渐减小。

11.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，沿所述第一显示区指向所述第二显示区的方向，所述第三电极部分的厚度先减小后增大。

12.一种电子装置，包括如权利要求1-11任一所述的显示基板和成像元件，

其特征在于，所述成像元件设置于所述第二显示区且位于所述第二电极层靠近所述衬底基板的一侧，所述成像元件包括感光面，所述感光面朝向所述第二电极层。

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