CN209805767U - 一种压控振荡电路和压控振荡器 - Google Patents

Abstract

一种压控振荡电路，通过外接控制信号源和控制电压来调节振荡模块从而生成目标振荡信号，并通过加入负阻模块为电路提供负阻来补偿谐振模块中的能量损耗，且通过加入电容分压反馈模块和补偿模块来改善目标振荡信号的相位噪声，其中，负阻模块由于尺寸不平衡会导致的输出到振荡模块的负阻信号的严重非对称从而增大目标振荡信号的相位噪声，而补偿模块能使所述负阻模块提供对称性的输出信号进而改善目标振荡信号的相位噪声，本压控振荡电路解决了传统的技术方案中存在的相位噪声大和功耗高的问题。

Description

一种压控振荡电路和压控振荡器

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，尤其涉及一种压控振荡电路和压控振荡器。

背景技术

在无线通信***中，频率源的相位噪声特性是最主要的参数之一，而且对于越来越多的手持式等依赖于电池的设备而言，低功耗的需求越来越迫切，但是目前传统的压控振荡器往往都存在相位噪声大和功耗高的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一压控振荡电路和压控振荡器，旨在解决传统的技术方案中存在的相位噪声大和功耗高的问题。

本实用新型实施例的第一方面提供了一种压控振荡电路，与控制信号源、控制电压以及工作电源连接，所述压控振荡电路包括：与所述控制信号源和所述控制电压连接的，用于在所述控制信号源和所述控制电压的控制下生成目标振荡信号的振荡模块；与所述振荡模块和所述工作电源连接的，用于为所述振荡模块注入能量的负阻模块；与所述振荡模块和所述负阻模块连接的，用于改善所述目标振荡信号的相位噪声的电容分压反馈模块；与所述负阻模块和所述工作电源连接的，用于为所述负阻模块提供负反馈信号的负反馈模块；以及与所述负阻模块连接的，用于弥补所述目标振荡信号的非对称性的补偿模块。

在一个实施例中，所述振荡模块包括：第一电感，所述第一电感的第一端为所述振荡模块的第一输出端，所述第一电感的第二端为所述振荡模块的第二输出端；频段选择单元，所述频段选择单元的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述频段选择单元的第二端与所述第一电感的第二端连接，所述频段选择单元的控制端与所述控制信号源连接，所述频段选择单元用于选择所述振荡模块的输出频段；以及频率调节单元，所述频率调节单元的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述频率调节单元的第二端与所述第一电感的第二端连接，所述频率调节单元的控制端与所述控制电压连接，所述频率调节单元用于调节所述振荡模块的输出频率。

在一个实施例中，所述频段选择单元包括第一变容管和第二变容管，所述第一变容管的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述第一变容管的第二端和所述第二变容管的第一端与所述控制信号源连接，所述第二变容管的第二端与所述第一电感的第二端连接。

在一个实施例中，所述频率调节单元包括第三变容管和第四变容管，所述第三变容管的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述第三变容管的第二端和所述第四变容管的第一端与所述控制电压连接，所述第四变容管的第二端与所述第一电感的第二端连接。

在一个实施例中，所述负阻模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的衬底引线端外接第一偏置电压源，所述第二晶体管的衬底引线端外接第二偏置电压源，所述第一晶体管的输入端与所述第二晶体管的控制端共接于所述振荡模块的第一输出端，所述第二晶体管的输入端与所述工作电源连接，所述第二晶体管的输出端与所述振荡模块的第二输出端和所述第一晶体管的控制端连接，所述第一晶体管的输出端与所述补偿模块的输入端连接。

在一个实施例中，所述补偿模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的衬底引线端外接所述第一偏置电压源，所述第三晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第三晶体管的输入端与所述第一晶体管的输出端连接，所述第三晶体管的输出端接地。

在一个实施例中，还包括第一二极管、第二二极管以及第三二极管，所述第一二极管的输入端与所述第一晶体管的衬底引线端和所述第一偏置电压源连接，所述第一二极管的输出端和所述第三二极管的输出端共接于地，所述第一二极管的控制端和所述第三二极管的控制端与所述工作电源连接，所述第二二极管的正极接地，所述第二二极管的负极与所述第二晶体管的衬底引线端和所述第二偏置电压源连接，所述第三二极管的输入端与所述第三晶体管的衬底引线端和所述第一偏置电压源连接。

在一个实施例中，所述电容分压反馈模块包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端与所述振荡模块的第一输出端连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端共接于所述负阻模块的输出端和所述补偿模块输入端，所述第二电容的第二端和所述补偿模块的输出端共接于地。

在一个实施例中，所述负反馈模块包括第三电容和第四电容，所述第三电容的第一端与所述振荡模块和所述负阻模块连接，所述第三电容的第二端和所述工作电源和所述第四电容的第一端连接，所述第四电容接地。

本实用新型实施例的第二方面提供了一种压控振荡器，包括工作电源；控制电压；控制信号源；第一偏置电压源；第二偏置电压源；以及如本实用新型实施例的第一方面所述的压控振荡电路，所述压控振荡电路分别与所述工作电源、所述控制电压、所述控制信号源、所述第一偏置电压源以及所述第二偏置电压源连接。

上述的压控振荡电路，通过外接控制信号源和控制电压来调节振荡模块从而生成目标振荡信号，并通过加入负阻模块为电路注入能量来补偿谐振模块中的能量损耗，且通过加入电容分压反馈模块和补偿模块来改善目标振荡信号的相位噪声，其中，负阻模块由于尺寸不平衡会导致的输出到振荡模块的能量信号的严重非对称从而增大目标振荡信号的相位噪声，而补偿模块能使所述负阻模块提供对称性的输出信号进而改善目标振荡信号的相位噪声，本压控振荡电路解决了传统的技术方案中存在的相位噪声大和功耗高的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例提供的压控振荡电路的电路示意图；

图2为图1所示的压控振荡电路中振荡模块的示例电路原理图；

图3为图1所示的压控振荡电路的示例电路原理图；

图4为图3所示的压控振荡电路的等效电路图；

图5为图3所示的压控振荡电路的输出电压摆幅的仿真结果图；

图6为图3所示的压控振荡电路的输出频率图；

图7为包含图3所示的压控振荡电路的压控振荡器的输出相位噪声的仿真图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1，本实用新型实施例提供的压控振荡电路的电路示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：

本实施例中的压控振荡电路，与控制信号源SW、控制电压VCTRL以及工作电源Vcc连接，压控振荡电路包括振荡模块100、负阻模块200、电容分压反馈模块300、负反馈模块400以及补偿模块500；振荡模块100与控制信号源SW和控制电压VCTRL连接，负阻模块200与振荡模块100和工作电源Vcc连接，电容分压反馈模块300与振荡模块100和负阻模块200连接，负反馈模块400与负阻模块200和工作电源Vcc连接，补偿模块500与负阻模块200连接；振荡模块100用于在控制信号源SW和控制电压VCTRL的控制下生成目标振荡信号，负阻模块200用于为振荡模块100注入能量，电容分压反馈模块300用于改善振荡信号的相位噪声，负反馈模块400用于为负阻模块200提供负反馈信号的负反馈模块400，补偿模块500用于弥补目标振荡信号的非对称性。

其中，振荡模块100可以由电感L1和变容管组成，通过控制信号源SW和控制电压VCTRL来改变变容管的结电容进而改变振荡模块100输出信号的频率从而得到目标振荡信号，可选的，控制信号源SW可以设定为一个字节控制的信号源，先通过控制信号源SW对振荡模块100进行粗调，然后通过调节控制电压VCTRL来对振荡模块100进行细调，从而实现振荡信号在多频段内可选和在小范围内连续可调；负阻模块200用于为电路提供能量，补偿振荡模块100中的能量损耗，即负阻模块200可用于抵消振荡模块100的能量损失，从而维持振荡模块100的持续振荡，可选的，负阻模块200由能产生负阻效应的和/或能对振荡模块100起正反馈作用的器件构成，例如括MOS管或者二极管等晶体管组成的交叉耦合对管；电容分压反馈模块300用于改善相位噪声，从而实现压控振荡电路的低相位噪声，电容分压反馈模块300可以由多个串联电容构成；负反馈模块400用于提供负反馈信号，稳定负阻模块200的静态工作点，负反馈模块400可以由电容和/或电阻构成；补偿模块500用于弥补目标振荡信号的非对称性，具体的，补偿模块500用来弥补负阻模块200内部的电流特性存在的不平衡，从而使得负阻模块200对振荡模块100输出的能量信号的满足对称性的要求，进而使得振荡模块100最终对外输出的目标振荡信号为对称性的目标振荡信号，其中，电流特性包括电流大小等，补偿模块500可以由恒流源或者无源电阻构成，可选的，在CMOS工艺中，因无法实现精确的无源电阻值，补偿模块500可以由处于开关状态的晶体管构成。

应理解，目标振荡信号为具有等幅反相关系的差分正弦波，从振荡模块的第一输出端VOUT1和第二输出端VOUT2输出。

本实施例中的压控振荡电路，通过外接控制信号源SW和控制电压VCTRL来调节振荡模块100从而生成目标振荡信号，并通过加入负阻模块200为电路注入能量来补偿谐振模块中的能量损耗，且通过加入电容分压反馈模块300和补偿模块500来改善目标振荡信号的相位噪声，其中，负阻模块200由于尺寸不平衡会导致的输出到振荡模块100的能量信号的严重非对称从而增大目标振荡信号的相位噪声，而补偿模块500能使负阻模块200提供对称性的输出信号进而改善目标振荡信号的相位噪声，本压控振荡电路解决了传统的技术方案中存在的相位噪声大和功耗高的问题。

请参阅图2，在一个实施例中，振荡模块100包括第一电感L1、频段选择单元110以及频率调节单元120，第一电感L1的第一端为振荡模块100的第一输出端VOUT1，第一电感L1的第二端为振荡模块100的第二输出端VOUT2，频段选择单元110的第一端与第一电感L1的第一端连接，频段选择单元110的第二端与第一电感L1的第二端连接，频段选择单元110的控制端与控制信号源SW连接，频率调节单元120的第一端与第一电感L1的第一端连接，频率调节单元120的第二端与第一电感L1的第二端连接，频率调节单元120的控制端与控制电压VCTRL连接；频段选择单元110用于选择振荡模块100的输出频段；频率调节单元120用于调节振荡模块100的输出频率。

应理解，控制信号源SW可以为一个字节控制的信号源，例如输出高低电平的信号源；控制电压VCTRL可以为电压源；频段选择单元110用于粗选振荡模块100的输出频段，频段选择单元110可以由至少一个变容管组成，通过控制信号源SW提供的高低电平来完成频段选择单元110的频段选择；频率调节单元120用于细调小范围内的输出频率，频率调节单元120可以由至少一个变容管组成，通过控制电压VCTRL提供的不同控制电压来控制频率调节单元120以使振荡模块100输出不同的频率。

请参阅图3，在一个实施例中，频段选择单元110包括第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2，第一变容管Cvar1的第一端与第一电感L1的第一端连接，第一变容管Cvar1的第二端和第二变容管Cvar2的第一端与控制信号源SW连接，第二变容管Cvar2的第二端与第一电感L1的第二端连接。频率调节单元120包括第三变容管Cvar3和第四变容管Cvar4，第三变容管Cvar3的第一端与第一电感L1的第一端连接，第三变容管Cvar3的第二端和第四变容管Cvar4的第一端与控制电压VCTRL连接，第四变容管Cvar4的第二端与第一电感L1的第二端连接。

应理解，为了便于控制，第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2可以为大小一致，结构对称的两个变容管；第三变容管Cvar3和第四变容管Cvar4可以为大小一致，结构对称的两个变容管。在其他实施例中，频段选择单元110也可以包括一个或者3个及以上的串联的变容管，频率调节单元120也可以包括一个或者3个及以上的串联的变容管。

目前，大多数应用环境中都需要频率源能够覆盖较宽的频率范围，但是传统的压控振荡器一般是通过采用固定电容值的MIM电容组成的电容阵列并通过增加开关管来切换从而实现频段选择。而本实施例中，通过采用第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2来根据控制信号源SW的高低电平引起电容值的变化来作为频段的选择，在通过采用第三变容管Cvar3和第四变容管Cvar4根据控制电压VCTRL引起的电筒值的变化作为频段内小范围的频率的连续可调，避免了第一变容管Cvar1和第二变容管Cvar2的Q值的剧烈变化，有利于压控振荡电路在整个工作范围内能保持一定的品质因数。

请参阅图3，在一个实施例中，负阻模块200包括第一晶体管M1和第二晶体管M2，第一晶体管M1的衬底引线端外接第一偏置电压源Vbias1，第二晶体管M2的衬底引线端外接第二偏置电压源Vbias2，第一晶体管M1的输入端与第二晶体管M2的控制端共接于振荡模块100的第一输出端VOUT1，第二晶体管M2的输入端与工作电源Vcc连接，第二晶体管M2的输出端与振荡模块100的第二输出端VOUT2和第一晶体管M1的控制端连接，第一晶体管M1的输出端与补偿模块500的输入端连接。

应理解，本实施例中的第一晶体管M1和第二晶体管M2的各个端口为对应于工作电源流向的命名，对于小信号流向来说，可理解：第一晶体管M1与振荡模块100的第一输出端VOUT1连接的端口为信号输出端，该信号输出端用于对振荡模块100注入能量从而弥补振荡模块的能量损耗，第一晶体管M1与振荡模块100的第二输出端VOUT2连接的端口为信号输入端，第一晶体管M1与补偿模块连接的端口为反馈信号输入端；第二晶体管M2与振荡模块100的第二输出端VOUT2连接的端口为信号输出端，该信号输出端用于对振荡模块100注入能量从而弥补振荡模块的能量损耗，第二晶体管M2与振荡模块100的第一输出端VOUT1连接的端口为信号输入端，第二晶体管M2与负反馈模块的输出端连接的端口为负反馈信号输入端。

应理解，本实施例中的第一晶体管M1为NMOS管，第二晶体管M2为PMOS管，其中，NMOS管的栅极为第一晶体管M1的控制端，NMOS管的漏极为第一晶体管M1的输入端，NMOS管的源极为第一晶体管M1的输出端，PMOS管的栅极为第二晶体管M2的控制端，PMOS管的源极为第二晶体管M2的输入端，PMOS管的漏极为第二晶体管M2的输出端；在其他实施例中，第一晶体管M1和第二晶体管M2可以为三极管或者其他类型的场效应管等。

应理解，第一偏置电压源Vbias1为对应于第一晶体管M1的衬底偏置电压，第二偏置电压源Vbias2为对应于第二晶体管M2的衬底偏置电压，本实施例中通过加入第一晶体管M1和第二晶体管M2，组成了交叉耦合对管，为电路提供负阻，补偿谐振模块中的能量损耗，并通过加入第一偏置电压源Vbias1和第二偏置电压源Vbias2来减小了第一晶体管M1和第二晶体管M2的阀值电压，从而实现更低的工作电压，进而降低了压控振荡电路的能量损耗。

请参阅图3，在一个实施例中，补偿模块500包括第三晶体管M3，第三晶体管M3的衬底引线端外接第一偏置电压源Vbias1，第三晶体管M3的控制端与第一晶体管M1的控制端连接，第三晶体管M3的输入端与第一晶体管M1的输出端连接，第三晶体管M3的输出端接地。

应理解，本实施例中的第三晶体管M3为MOS管，MOS管的栅极为第三晶体管M3的控制端，MOS管的源极和漏极为第三晶体管M3的输入端或输出端，在其他实施例中，第三晶体管M3可以为其他类型的晶体管，例如三极管、IGBT晶闸管等。

本实施例中通过采用工作于开关状态的第三晶体管M3来作为第一晶体管M1的源电阻，从而弥补了第一晶体管M1和第二晶体管M2由于尺寸不平衡带来的输出信号波形的失真，即使得负阻模块200输出的能量信号更加对称，进而使得最终输出的目标振荡信号更加对称，从而降低了电路的相位噪声，从而实现输出的目标振荡信号的低相位噪声。

请参阅图3，在一个实施例中，还包括第一二极管D1、第二二极管D2以及第三二极管D3，第一二极管D1的输入端与第一晶体管M1的衬底引线端和第一偏置电压源Vbias1连接，第一二极管D1的输出端和第三二极管D3的输出端共接于地，第一二极管D1的控制端和第三二极管D3的控制端与工作电源Vcc连接，第二二极管D2的正极接地，第二二极管D2的负极与第二晶体管M2的衬底引线端和第二偏置电压源Vbias2连接，第三二极管D3的输入端与第三晶体管M3的衬底引线端和第一偏置电压源Vbias1连接。

应理解，第一二极管D1的控制端和第三二极管D3的控制端与工作电源Vcc的连接为弱连接，即为半导体结构本身存在的连接关系，并不需要导线进行连接。

应理解，本实施例中的第一二极管D1和第三二极管D3为瞬变电压抑制二极管，第二二极管D2为普通二极管，第一二极管D1、第二二极管D2以及第三二极管D3所起的作用为钳位作用，用以保持第一晶体管M1、第二晶体管M2以及第三晶体管M3的输出波形。在其他实施例中，如果第二晶体管M2的第二偏置电压源Vbias2为负电压，则可采用瞬变电压抑制二极管作为起钳位作用的第二二极管D2。

请参阅图3，在一个实施例中，电容分压反馈模块300包括第一电容C1和第二电容C2，第一电容C1的第一端与振荡模块100的第一输出端VOUT1连接，第一电容C1的第二端和第二电容C2的第一端共接于负阻模块200的输出端和补偿模块500输入端，第二电容C2的第二端和补偿模块500的输出端共接于地。

请参阅图3，在一个实施例中，负反馈模块400包括第三电容C3和第四电容C4，第三电容C3的第一端与振荡模块100和负阻模块200连接，第三电容C3的第二端和工作电源Vcc和第四电容C4的第一端连接，第四电容C4接地。

为了便于理解，请参考图4，图4为图3所示的压控振荡电路的等效电路图，其中，Vi代表的第一晶体管M1的输入端的输入信号，即第一晶体管M1相对于地而言的输入信号；Vgs1代表了第一晶体管M1的输入端电压；Cvar为第一变容管Cvar1、第二变容管Cvar2、第三变容管Cvar3以及第四变容管Cvar4的等效电容，可理解为电路中的第一变容管Cvar1、第二变容管Cvar2、第三变容管Cvar3以及第四变容管Cvar4物理连接后的等效电容值；从第一晶体管M1的漏极看进去的电导为：

其中，g_m1和g_m3分别为第一晶体管M1和第二晶体管M2的跨导，s是代表jw，w代表信号的角频率，单位是rad/s，j是代表虚数。

其中的实部为：

而对于传统的压控振荡器中，其电导的实部为：

Re[Y′_in]＝-g_m1#(3)

比较式(2)和式(3)，假设g_m1＝g_m3及C₁＝C₃，得到Re[Y_in]<Re[Y’_in]，可见，我们提出的结构在相同条件下能够提供更多的负阻。因此为了保证振荡器电路能够可靠起振的功耗需求就降低了。从式(2)中也可以看出，振荡器的输出电压摆幅由于电容分压反馈技术的引入，摆幅增加了C₃/C₁倍。可参见图5，图5为输出电压摆幅的仿真结果图，从图5可见，当C₁＝C₃时，输出摆幅近似增加一倍。

本实施例中的压控振荡电路可以通过采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现，整个芯片的面积为570umX820um，在1.2V电源电压下消耗电流为1.4mA，请参阅图6，图6为本实施例中的压控振荡电路的输出频率范围与控制信号源SW和控制电压VCTRL的关系图，其中，SW＝0代表控制信号源SW接低电平，即控制信号源SW接地时的输出频率，SW＝1代表控制信号源SW接高电平，即控制信号源SW接电源时的输出频率范围，由图6可见，压控振荡电路的输出频率范围为4.59GHz～4.91GHz。

本实用新型实施例的第二方面提供了一种压控振荡器，包括：工作电源Vcc；控制电压VCTRL；控制信号源SW；第一偏置电压源Vbias1；第二偏置电压源Vbias2；以及如上的压控振荡电路，压控振荡电路分别与工作电源Vcc、控制电压VCTRL、控制信号源SW、第一偏置电压源Vbias1以及第二偏置电压源Vbias2连接。

参见图7，图7给出了压控振荡电路工作在4.83GHz时的相位噪声，此时的输出功率为-5.47dBm，相位噪声在1MHz频偏处为-118.3dBc/Hz，计算得到综合衡量压控振荡器的性能指标FOM为-189.7dB，可见本实施例中的压控振荡器实现了低功耗低相位噪声的设计目标。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种压控振荡电路，其特征在于，与控制信号源、控制电压以及工作电源连接，所述压控振荡电路包括：

与所述控制信号源和所述控制电压连接的，用于在所述控制信号源和所述控制电压的控制下生成目标振荡信号的振荡模块；

与所述振荡模块和所述工作电源连接的，用于为所述振荡模块注入能量的负阻模块；

与所述振荡模块和所述负阻模块连接的，用于改善所述目标振荡信号的相位噪声的电容分压反馈模块；

与所述负阻模块和所述工作电源连接的，用于为所述负阻模块提供负反馈信号的负反馈模块；以及

与所述负阻模块连接的，用于弥补所述目标振荡信号的非对称性的补偿模块。

2.如权利要求1所述的压控振荡电路，其特征在于，所述振荡模块包括：

第一电感，所述第一电感的第一端为所述振荡模块的第一输出端，所述第一电感的第二端为所述振荡模块的第二输出端；

频段选择单元，所述频段选择单元的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述频段选择单元的第二端与所述第一电感的第二端连接，所述频段选择单元的控制端与所述控制信号源连接，所述频段选择单元用于选择所述振荡模块的输出频段；以及

频率调节单元，所述频率调节单元的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述频率调节单元的第二端与所述第一电感的第二端连接，所述频率调节单元的控制端与所述控制电压连接，所述频率调节单元用于调节所述振荡模块的输出频率。

3.如权利要求2所述的压控振荡电路，其特征在于，所述频段选择单元包括第一变容管和第二变容管，所述第一变容管的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述第一变容管的第二端和所述第二变容管的第一端与所述控制信号源连接，所述第二变容管的第二端与所述第一电感的第二端连接。

4.如权利要求2所述的压控振荡电路，其特征在于，所述频率调节单元包括第三变容管和第四变容管，所述第三变容管的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述第三变容管的第二端和所述第四变容管的第一端与所述控制电压连接，所述第四变容管的第二端与所述第一电感的第二端连接。

5.如权利要求1所述的压控振荡电路，其特征在于，所述负阻模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的衬底引线端外接第一偏置电压源，所述第二晶体管的衬底引线端外接第二偏置电压源，所述第一晶体管的输入端与所述第二晶体管的控制端共接于所述振荡模块的第一输出端，所述第二晶体管的输入端与所述工作电源连接，所述第二晶体管的输出端与所述振荡模块的第二输出端和所述第一晶体管的控制端连接，所述第一晶体管的输出端与所述补偿模块的输入端连接。

6.如权利要求5所述的压控振荡电路，其特征在于，所述补偿模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的衬底引线端外接所述第一偏置电压源，所述第三晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第三晶体管的输入端与所述第一晶体管的输出端连接，所述第三晶体管的输出端接地。

7.如权利要求6所述的压控振荡电路，其特征在于，还包括第一二极管、第二二极管以及第三二极管，所述第一二极管的输入端与所述第一晶体管的衬底引线端和所述第一偏置电压源连接，所述第一二极管的输出端和所述第三二极管的输出端共接于地，所述第一二极管的控制端和所述第三二极管的控制端与所述工作电源连接，所述第二二极管的正极接地，所述第二二极管的负极与所述第二晶体管的衬底引线端和所述第二偏置电压源连接，所述第三二极管的输入端与所述第三晶体管的衬底引线端和所述第一偏置电压源连接。

8.如权利要求1-7任意一项所述的压控振荡电路，其特征在于，所述电容分压反馈模块包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端与所述振荡模块的第一输出端连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端共接于所述负阻模块的输出端和所述补偿模块输入端，所述第二电容的第二端和所述补偿模块的输出端共接于地。

9.如权利要求1-7任意一项所述的压控振荡电路，其特征在于，所述负反馈模块包括第三电容和第四电容，所述第三电容的第一端与所述振荡模块和所述负阻模块连接，所述第三电容的第二端和所述工作电源和所述第四电容的第一端连接，所述第四电容接地。

10.一种压控振荡器，其特征在于，包括：

工作电源；

控制电压；

控制信号源；

第一偏置电压源；

第二偏置电压源；以及

如权利要求1-9任意一项所述的压控振荡电路，所述压控振荡电路分别与所述工作电源、所述控制电压、所述控制信号源、所述第一偏置电压源以及所述第二偏置电压源连接。