CN209766371U - 基板清洗装置 - Google Patents

Abstract

一种基板清洗装置，具备：第1吸附保持部，其吸附基板背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平；第2吸附保持部，其吸附基板背面的中央部并保持为水平；第1清洗部件及第2清洗部件，其设置为相互在横方向分离；回转机构，其设置于第1清洗部件及第2清洗部件的下方；升降机构，其设置于回转机构的下方；以及清洗液供给部，其设置于第1清洗部件及第2清洗部件的附近，其中，至少在清洗包含中央部的基板背面的区域时，回转轴配置为位于与基板重叠的位置，第1清洗部件及第2清洗部件配置为：在基板被保持于第2吸附保持部并旋转时，从回转轴观察第2吸附保持部的旋转轴，位于左侧及右侧中的一方侧的第1清洗部件朝向另一方侧回转并移动。

Description

基板清洗装置

技术领域

本实用新型涉及一种清洗例如半导体晶圆或液晶显示用的玻璃基板(LCD基板)这样的基板的背面的基板清洗装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，为了将例如半导体晶圆(以下称为晶圆)保持洁净状态，而在各制造过程或处理过程的前后，根据需要设置清洗晶圆的过程。

像这样的晶圆的清洗，伴随着电路图案的细微化，作为失焦对策，即使对晶圆背面也必须实施。失焦是指由于晶圆弯曲而在曝光时焦点分散的现象，例如因附着于晶圆背面的颗粒进入用来载置晶圆的平台与晶圆的之间却直接进行曝光而产生。

关于像这样的晶圆背面的清洗，在专利文献1中，提出一种支承并保持基板的背面，通过刷子来清洗基板背面的技术。由于该手法是在保持基板背面的边缘区域的第1基板保持手段与保持基板背面的中央区域的第2基板保持手段之间换持基板而进行基板背面的清洗，因此，可针对基板背面整个面进行清洗。另外，由于不需要用来进行基板的翻转动作的空间，因此，能够实现装置的小型化。

然而，近年来，随着液浸曝光或双重图案这样的配线技术进一步细微化，也增加了半导体装置的制造工序所包含的工序数。因此，颗粒附着到晶圆背面的风险也变大，从而要求更进一步提高清洗力。另外，还在研究晶圆尺寸从300mm尺寸向450mm尺寸的进一步大口径化，优选尽可能小型的装置。为此，还在研究在1台清洗装置中，使用多个刷子提高清洗力，并能够实现装置的小型化。

在专利文献2中，提出有一种在使基板绕垂直轴旋转的同时通过安装于1根支承臂的两个清洁刷来清洗基板上面时，支承臂的前端组件构成为圆弧状，并绕垂直轴旋转的构造。由于该手法是清洗基板的上面，因此，为了清洗基板的中央区域，必须使清洁刷通过基板的旋转中心移动至外周部。另外，由于支承臂的驱动机构设置于覆盖基板周围的杯体的外侧，因此，清洁刷的支承臂的回转半径会变得比基板的半径更大，从而难以实现装置的小型化。并且，由于清洁刷是通过基板的旋转中心移动至外周部，因此，会导致清洁刷的移动距离变长，处理时间会随之变长。

在专利文献3中，虽提出一种使用功能不同的两个清洗具来清洗基板表面的技术，但由于清洗具分别被设置于不同的支臂，且这些支臂均被设置于晶圆的外部，因此，难以将装置小型化。另外，在清洗时使各支臂从晶圆的一端侧移动至另一端侧，因此，支臂的移动距离(移动时间)会变长，从而处理花费较多时间。由此，专利文献2及专利文献3不是进行基板背面的清洗的装置，且即使使用这些也难以实现装置的小型化，因此，无法解决本实用新型的课题。

专利文献1:日本特开2008-177541号公报

专利文献2:日本特开平10-308370号公报：图8、图12、第0044段、第0058段等

专利文献3:日本特开2002-66467号公报

实用新型内容

本实用新型鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够实现清洗基板背面的基板清洗装置的小型化，并且提高基板清洗处理的清洗力的基板清洗装置。

因此，本实用新型的第一种形态的基板清洗装置，是清洗圆形的基板背面的基板清洗装置，具备：第1吸附保持部，其吸附基板背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平，且能在水平方向上自由移动；第2吸附保持部，其吸附基板背面的所述中央部并保持为水平，且能绕垂直轴旋转；第1清洗部件及第2清洗部件，其设置为相互在横方向分离，在基板被保持于第1吸附保持部时，接触并清洗包含所述中央部的基板背面的区域，在基板被保持于第2吸附保持部时，接触并清洗除所述中央部以外的基板背面的区域；回转机构，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的下方，在清洗基板背面时，通过共同的回转轴，使所述第1清洗部件及第2清洗部件分别在水平方向回转；升降机构，其设置于所述回转机构的下方，用来使所述第1清洗部件及第2清洗部件升降；以及清洗液供给部，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的附近，在通过所述第1清洗部件及所述第2清洗部件清洗基板背面时，对基板背面供给清洗液，其中，至少在清洗包含所述中央部的基板背面的区域时，所述回转轴配置为位于与基板重叠的位置，第1清洗部件及第2清洗部件配置为：在基板被保持于所述第2吸附保持部并旋转时，从所述回转轴观察第2吸附保持部的旋转轴，位于左侧及右侧中的一方侧的第1清洗部件朝向另一方侧回转并移动，由此使第1清洗部件及第2清洗部件清洗除所述中央部以外的基板背面的全部区域。

进一步地，本实用新型的第一种形态的基板清洗装置，构成为：在所述第1清洗部件从所述一方侧朝向另一方侧开始回转时，第2清洗部件位于连结所述回转轴与第2吸附保持部的旋转轴的直线上，在回转结束时，所述第1清洗部件位于所述直线上。

进一步地，本实用新型的第一种形态的基板清洗装置，所述第1清洗部件及第2清洗部件的的回转半径小于基板的半径。

进一步地，本实用新型的第一种形态的基板清洗装置，所述回转机构，具备设置为在回转轴沿着圆周方向扩展的面状体，所述第1清洗部件及第2清洗部件设置于所述面状体。

本实用新型的第二种形态的基板清洗装置，是清洗圆形的基板背面的基板清洗装置，其特征在于，具备：第1吸附保持部，其吸附基板背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平，且能在水平方向上自由移动；第2吸附保持部，其吸附基板背面的所述中央部并保持为水平，且能绕垂直轴旋转；第1清洗部件及第2清洗部件，其设置为相互在横方向分离，在基板被保持于第1吸附保持部时，接触并清洗包含所述中央部的基板背面的区域，在基板被保持于第2吸附保持部时，接触并清洗除所述中央部以外的基板背面的区域；回转机构，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的下方，在清洗基板背面时，通过共同的回转轴，使所述第1清洗部件及第2清洗部件分别在水平方向回转；升降机构，其设置于所述回转机构的下方，用来使所述第1清洗部件及第2清洗部件升降；以及清洗液供给部，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的附近，在通过所述第1清洗部件及所述第2清洗部件清洗基板背面时，对基板背面供给清洗液，其中，至少在清洗包含所述中央部的基板背面的区域时，所述回转轴配置为位于与基板重叠的位置，所述第1清洗部件及第2清洗部件，彼此种类不同。

进一步地，本实用新型的第二种形态的基板清洗装置，所述第1清洗部件及第2清洗部件的的回转半径小于基板的半径。

进一步地，本实用新型的第二种形态的基板清洗装置，所述回转机构，具备设置为在回转轴沿着圆周方向扩展的面状体，所述第1清洗部件及第2清洗部件设置于所述面状体。

根据本实用新型的基板清洗装置，由于设置有第1清洗部件与第2清洗部件，因此，与仅设置单个清洗部件的情况相比能够提高清洗力。另外，第1清洗部件与第2清洗部件构成为通过共同的回转轴分别在水平方向回转。包含基板背面的中央部的区域，是通过吸附基板并保持于第1基板保持部且使其在水平方向移动的同时被清洗，在清洗包含所述中央部的区域时，回转轴配置为位于与基板重叠的位置。由于回转轴是利用基板的移动区域而设置的，因此，能够实现装置的小型化。

附图说明

图1是表示本实用新型涉及的清洗装置的立体图。

图2是表示清洗装置的纵剖面侧视图。

图3是表示清洗装置的平面图。

图4是表示清洗装置的纵剖面侧视图。

图5是表示设置于清洗装置的气刀的立体图。

图6a是表示晶圆与第1清洗部件及第2清洗部件与旋转板的平面图。

图6b是表示晶圆与第1清洗部件及第2清洗部件与旋转板的平面图。

图7a是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的工序图。

图7b是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的工序图。

图7c是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的工序图。

图7d是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的工序图。

图7e是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的工序图。

图7f是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的工序图。

图8a是用来说明在清洗装置进行的清洗装置的纵剖面侧视图。

图8b是用来说明在清洗装置进行的清洗装置的纵剖面侧视图。

图9a是用来说明在清洗装置进行的清洗装置的纵剖面侧视图。

图9b是用来说明在清洗装置进行的清洗装置的纵剖面侧视图。

图10是用来说明在清洗装置进行的清洗装置的纵剖面侧视图。

图11a是表示晶圆与第1清洗部件及第2清洗部件与旋转板的平面图。

图11b是表示晶圆与第1清洗部件及第2清洗部件与旋转板的平面图。

图12a是表示晶圆与第1清洗部件及第2清洗部件与旋转板的平面图。

图12b是表示晶圆与第1清洗部件及第2清洗部件与旋转板的平面图。

图13a是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的其他的示例的工序图。

图13b是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的其他的示例的工序图。

图13c是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的其他的示例的工序图。

图13d是用来说明在清洗装置进行的清洗处理的其他的示例的工序图。

图14是表示组装入有清洗装置的涂敷、显像装置的平面图。

图15是表示涂敷、显像装置的立体图。

图16是表示涂敷、显像装置的纵剖面侧视图。

具体实施方式

在以下说明的实施方式中，作为基板清洗装置(以下称为清洗装置)的一例，对设置于涂敷、显像装置的类型的清洗装置进行说明。包含通过该清洗装置进行清洗工序的光刻工序的具体例如后所述，本清洗装置设置于例如涂敷、显像装置的出口附近，具有在清洗形成有光刻胶膜的晶圆背面之后，将其向后续的曝光装置送出的作用。

首先，参照图1～图4说明本实施方式的清洗装置的构造。图1是表示清洗装置1的立体图，图2及图4是表示其纵剖面图，第3图是表示其平面图。

如图1～图3所示，清洗装置1具备：吸附垫2，其吸附晶圆W并保持为大致水平；旋转吸盘3，其从该吸附垫2接收晶圆W，并同样地吸附并保持为大致水平；以及清洗机构5，其清洗晶圆W的背面。所述吸附垫2形成第1基板保持部，所述旋转吸盘3形成第2基板保持部，吸附垫2、旋转吸盘3及清洗机构5等安装于上面呈开口的箱状的下杯43。例如下杯43具备在俯视图上形成为长方形状且彼此对向的侧壁，将其中朝向图1的前方侧与里侧的对向的两个侧壁43a、43b所延伸的方向作为X方向进行说明。

首先，说明吸附垫2。该吸附垫2构成为：吸附晶圆W背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平，且能在水平方向上自由移动。清洗装置1具备两个吸附垫2，各吸附垫2例如均由细长的组件构成。两个吸附垫2，配置为能够将晶圆W背面的边缘附近部分(第1区域)支承保持为大致平行。吸附垫2与未图示的吸引管连接，具备作为经由图3所示的吸附孔2a吸附的同时保持晶圆W的真空卡盘的功能。各吸附垫2安装于细长棒状的垫支承部21的大致中央部，通过将这两根垫支承部21的两端部分别安装于两根桁架部22构成由垫支承部21与桁架部22所形成的井桁20。

两根桁架部22的两端分别被固定于两根皮带23，该皮带是沿着这些侧壁43a、43b铺设于与上述下杯43对向的两个侧壁43a、43b的外侧。各皮带23卷绕于由两个一组构成的卷轴24，各卷轴24安装于两片侧板26，该侧板分别平行地配置于上述的两个侧壁43a、43b。卷轴24的一个连接于驱动机构25，构成为经由卷轴24或皮带23使桁架部22移动，从而使上述的井桁20整体在如图1～图3所示的X方向上自由移动。

此外，如图1所示，各侧板26通过由滑动器27a和导引轨27b构成的两组升降机构27支承该底面，且固定于清洗装置1的未图示的壳体底面。在这些升降机构27的一个设置有未图示的驱动机构，通过在导引轨27b内使滑动器27a升降，能够使所述井桁20整体在图中的Z方向升降。

并且，在井桁20上，跨设有用以抑制清洗液飞散的环状的上杯41。在上杯41的上面设置有比晶圆W更大口径的开口部41a，经由该开口部41a，能够在后述的涂敷、显像装置的搬送机构与吸附垫2或旋转吸盘3的之间进行晶圆W的交接。另外，被跨设于井桁20上的上杯41构成为随着井桁20的动作而在X方向与Z方向移动。

接着，说明旋转吸盘3。旋转吸盘3构成为吸附晶圆W背面的中央部(第2区域)并保持为水平，且其绕垂直轴自由旋转。旋转吸盘3形成为圆板状，被设置于大致平行配置的两个吸附垫2的中间，并且设置为由各基板保持部(吸附垫2、旋转吸盘3)所支承的晶圆W背面的第1区域与第2区域不重叠。如图2所示，旋转吸盘3经由旋转升降轴3b连接于驱动机构(旋转吸盘马达)33，旋转吸盘3构成为通过该驱动机构33自由旋转及升降。此外，与吸附垫2相同，旋转吸盘3也与未图示的吸引管连接，具备作为经由图3所示的吸附孔3a吸附的同时保持晶圆W的真空卡盘的功能。

在旋转吸盘3的侧方，以支承晶圆W背面并能够升降的方式设置有与升降机构32a连接的支承销32，通过与外部的搬送机构的共同动作，能够将晶圆W从搬送机构交接至吸附垫2，或将晶圆W从旋转吸盘3交接至搬送机构。

并且，如图3及图5所示，在旋转吸盘3或支承销32的周围，以包围这些机器的方式设置有气刀31。气刀31例如由圆筒状的包围部件构成，在其上端沿着圆周方向形成有气体的喷射口31a，该喷射口31a构成为朝向晶圆W背面喷出例如压缩气体等的气体。例如气刀31由双重圆筒构成，经由该双重圆筒间的中空部，能够对喷射口31a供给从未图示的供给部所供给的气体。为了使旋转吸盘3的表面与由该旋转吸盘3所支承的基板背面(第2区域)以互相干燥的形态接触，该气刀31在晶圆W被交接到旋转吸盘3时，具有朝向圆筒的外侧吹散晶圆W背面的清洗液而使其干燥的作用。

这里说明晶圆W的高度位置。如后所述，晶圆W以从外部的搬送机构被交接至吸附垫2并保持于吸附垫2的形态在图2所示的右X方向移动，进行晶圆W背面的中央部(第2区域)的清洗。图2及图4表示晶圆W的高度位置位于清洗位置的状态，在该清洗位置中，晶圆W背面比气刀31的前端更靠上方侧，以晶圆W被保持于吸附垫2的形态在X方向移动时，晶圆W背面不会妨碍气刀31。

接下来，说明进行晶圆W背面清洗的清洗机构5。清洗机构5，例如由圆板构成，具备：旋转板51，其形成为面状体，设置为与被保持于吸附垫2或旋转吸盘3的晶圆W对向；以及多个清洗部件6，其设置于该旋转板51上。所述旋转板51构成为经由设置于其背面侧的回转轴52并通过驱动机构53而绕着垂直自由轴旋转，例如回转轴52被设置于旋转板51的中心。因此，从平面方向观察，旋转板51的中心与回转轴52的中心为一致，该中心会成为回转中心O1。在本例中，通过旋转板51、回转轴52以及驱动机构53形成有回转机构。

图6a、图6b表示保持于旋转吸盘3的晶圆W与旋转板51。由此，旋转板51被设定为其半径R1小于晶圆W的半径R2。另外，如后所述，在清洗包含晶圆W背面的中央部的区域时，晶圆W虽被保持于吸附垫2并在右X方向移动，但所述回转轴52被设置于该晶圆W的移动区域内。即，在清洗包含所述中央部的区域时，回转轴52配置为位于与晶圆W重叠的位置。并且，从平面方向观察时，旋转板51的回转轴52与旋转吸盘3的旋转升降轴3b沿着所述X方向并排设置。并且，在旋转板51的下方侧，以包围驱动机构53的周围的方式设置有盖体54。该盖体54例如由筒状体构成，以使回转轴52能够移动的方式在其上面形成有开口部54a。

本例的清洗机构5，具备多个例如两个类别彼此不同的清洗部件6(6A、6B)，一方的第1清洗部件6A被用作清洗用，另一方的第2清洗部件6B被用作研磨用。这里晶圆W的背面的研磨处理也包含于清洗处理的一个环节。这些第1清洗部件6A及第2清洗部件6B，例如由圆柱状的刷子构成，经由驱动轴61A、61B，与使该清洗部件6A、6B升降及绕垂直轴旋转的驱动机构62A、62B连接，这些驱动机构62A、62B安装于旋转板51上。所述驱动机构62A、62B及清洗部件6A、6B的侧面，例如被筒状的刷盖63A、63B覆盖，在该刷盖63A、63B的上面，以使清洗部件6A、6B能够移动的方式形成有开口部64A、64B。另外，在图1中省略刷盖63A、63B。

图2表示晶圆W被保持于旋转吸盘3而位于清洗位置，且第1清洗部件6A位于等待位置的状态。另外，图4是表示晶圆W被保持于吸附垫2并位于清洗位置，且第1清洗部件6A位于等待位置、第2清洗部件6B位于清洗位置的状态。由此，在清洗部件6A、6B位于等待位置时，清洗部件6A、6B的上面位于处于清洗位置的晶圆W的下方侧，在研磨或清洗晶圆W时，清洗部件6A、6B上升，而能够将该清洗部件6A、6B的上面推压至晶圆背面。

清洗部件6A、6B，例如由PVC海绵、氨基甲酸酯海绵、尼龙纤维等构成，研磨用的第1清洗部件6A和清洗用的第2清洗部件6B分别选择适当的材质构成刷子。另外，第1清洗部件6A和第2清洗部件6B配置为如图6a、图6b所示在旋转板51上相互在横方向分离。并且，第1清洗部件6A及第2清洗部件6B配置为：通过在晶圆W被旋转吸盘3保持并旋转时向一个方向回转，能够使用这些第1清洗部件6A及第2清洗部件6B两者来清洗晶圆W背面的除中央部以外的所有的区域。向一个方向回转是指从旋转板51的回转轴52观察旋转吸盘3的旋转升降轴3b，左侧及右侧中的一方侧在本例中是位于左侧的第1清洗部件6A朝向另一方侧在本例中是朝向右侧回转并移动。

在本例中，从平面方向观察时，相对于保持在旋转吸盘3的晶圆W，设置为：第1清洗部件6A位于中央时第2清洗部件6B位于边缘，在第2清洗部件6B位于中央时第1清洗部件6A位于边缘。位于边缘是指清洗部件6A、6B位于能够清洗(研磨)被保持于所述旋转吸盘3的晶圆W的外缘的位置，位于中央是指清洗部件6A、6B位于能够清洗(研磨)连结了旋转吸盘的旋转中心O2与回转中心O1的线L上的位置。图6a表示第1清洗部件6A位于边缘，第2清洗部件6B位于中央的状态，图6b是表示第1清洗部件6A位于中央，第2清洗部件6B位于边缘的状态。

由此，在位于所述左侧的第1清洗部件6A朝向所述右侧开始回转时，第2清洗部件6B位于连结了旋转板51的回转轴52与旋转吸盘3的旋转升降轴3b的直线L上，在回转结束时，所述第1清洗部件6A位于所述直线L上。并且，由于旋转板51的半径R1比晶圆W的半径R2短，因此，第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的回转半径会比晶圆W的半径R2短。所述回转半径是指连结清洗部件6A、6B的中心与旋转板51的回转中心O1的线的长度。

此外，在旋转板51中，如图3及图4所示，设置有清洗液喷嘴55与吹风喷嘴56。自清洗液喷嘴55供给用来流冲由第2清洗部件6B从晶圆W背面所去除的颗粒的清洗液(例如DIW)，自吹风喷嘴56供给用来在结束清洗之后加速附着于晶圆W背面的清洗液的干燥的例如氮(N2)等的气体。

此外，如图2及图4所示，在下杯43的底部设置有：排液管16，其用来排出积存于下杯43内的清洗液；及两个排气管15，其用来对清洗装置1内的气流进行排气。为了防止积存于下杯43底部的清洗液流入排气管15，排气管15从下杯43的底面延伸至上方。另外，以使从上方滴落的清洗液不直接进入排气管15的方式覆盖有内杯42，内杯42由安装于气刀31周围的环状的盖体形成。另外，图中的13是吹风喷嘴，用来在晶圆W的清洗结束之后从上方对晶圆W外边缘附近喷吹压缩气体等，对残留的清洗液干燥提供辅助，图中的14是清洗液喷嘴，用来与设置于清洗机构5的清洗液喷嘴55一起对晶圆W背面供给清洗液。另外，吹风喷嘴13具备未图示的升降机构，在晶圆W搬入搬出时，以不妨碍搬送中的晶圆W或搬送机构的方式退避至上方。

另外，在未铺设各皮带23的下杯43的侧壁43c，安装有收纳UV灯12的灯箱11。处理对象的晶圆W由左X方向被搬入搬出至清洗装置1内，并构成为此时通过UV灯12的上方。UV灯12具有对完成清洗而被搬出的晶圆W背面照射紫外光，并使残留于晶圆W背面的颗粒收缩的作用。

另外，各驱动机构25、53或UV灯12、以及设置于排气管15的未图示的压力调整部等由控制涂敷、显像装置整体的动作的控制部100进行控制。控制部100由具有例如未图示的程序存储部的计算机构成，在程序存储部存储有计算机程序，该计算机程序具备与在吸附垫2与旋转吸盘3之间交接从外部的搬运装置接收的晶圆W，或者通过清洗机构5进行清洗的动作等相关的步骤(命令)群。并且，通过将该计算机程序读出至控制部100，控制部100控制清洗装置1的动作。另外，该计算机程序以被收纳于例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等的存储机构的形态，存储于程序存储部。

根据上述说明的构成，参照图7a～图12b说明清洗晶圆W背面的动作。图7a～图7f是用来说明与晶圆W的背面清洗相关的工序的平面图，以虚线表示第1清洗部件6A及第2清洗部件6B以及其回转路径。图8a～图10是用来说明清洗装置1的各动作的纵剖面图。另外，图11a、图11b、图12a、及图12b是示意地表示在被保持于吸附垫2或旋转吸盘3的各状态下，晶圆W被清洗的区域的平面图。另外，在这些图中，为了便于图示，根据需要适当省略了盖体54或刷盖64、内杯42、排气管15、UV灯12或吹风喷嘴13等的记载。

例如马蹄形状的搬送机构(后述的搬送臂F3)将处理对象的晶圆W搬入至清洗装置1内而在上杯41的开口部41a上方停止，支承销32是从旋转吸盘3的下方上升而在搬送机构的下方等待。搬送机构从支承销32的上方下降并将晶圆W交给支承销32，退出至清洗装置1外。此时，吸附垫2以保持晶圆W的面高于第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的上面的清洗位置的方式等待，旋转吸盘3退避至低于第1清洗部件6A、6B的上面的位置。通过像这样的位置关系，当支承销32下降时，晶圆W会首先被交接至吸附垫2，通过吸附垫2，以即使从晶圆W背面推压清洗部件6A、6B也不动的方式，吸附并保持晶圆W(图7a、图8a)。

接下来，如图7b、图8b所示，进行包含晶圆W背面的中央部的区域(中央区域)的研磨处理。所述中央区域是指包含在晶圆W背面被旋转吸盘3保持的区域的区域。在该处理中通过使研磨用的第2清洗部件6B上升而推压至晶圆W背面，并且使吸附并保持晶圆W的吸附垫2移动至右X方向的方式，使晶圆W从图8a所示的第1位置移动，从而开始研磨晶圆W背面。接着，将晶圆W搬送至事先决定的第2位置(例如晶圆W的右端位于比旋转板51的右端稍微往右侧的位置)。此时，通过驱动机构53使第2清洗部件6B绕垂直轴旋转，并且使旋转板51回转。由此，通过对由吸附垫2进行的晶圆W的移动与由旋转板51进行的第2清洗部件6B的回转移动进行组合，进行晶圆W背面的研磨。

图11a是表示旋转板51的回转的开始位置，图11b是表示旋转板51的回转的结束位置。并且，开始位置及结束位置设定成清洗部件6B遍及所述进行研磨的中央区域整体，由此，设定从开始位置起至结束位置的旋转板51的回转角度。在本例中，回转角度以形成角θ的方式分别设定回转开始位置及结束位置，该角θ例如从平面方向观察，由连结了回转中心O1与第1清洗部件6A的中心的线和连结了回转中心O1与第2清洗部件6B的中心的线构成。

由此，通过使旋转板51从图11a所示的位置以顺时针旋转的方式回转θ度至图11b所示的位置，如图11a、图11b所示，使例如第2清洗部件6B的中心从位置P1移动至位置P2，从而进行研磨。由此，通过第2清洗部件6B能够无遗漏地研磨图11b中以左上斜线所涂画的区域T1。在使第2清洗部件6B移动至位置P2并结束研磨之后，使第2清洗部件6B下降至等待位置。此时，第1清洗部件6A的中心位于位置P1。

接下来，如图7c、图9a所示，进行晶圆W背面的中央区域的清洗。在该清洗中使清洗用的第1清洗部件6A上升并推压至晶圆W背面，而且使吸附并保持晶圆W的吸附垫2从所述第2位置往左X方向移动至所述第1位置。另外，使气刀31动作而防止清洗液回流附着于旋转吸盘3的表面，并且通过清洗液喷嘴55来供给清洗液。然后，使第1清洗部件6A绕垂直轴旋转，并且使旋转板51以顺时针回转θ度。由此第1清洗部件6A的中心从位置P1移动至位置P2。

这里进行清洗的过程中，晶圆W的背面整体被清洗液的液膜覆盖，由第1清洗部件6A去除了的颗粒与从该晶圆W背面流落的清洗液一起被流冲至下杯43。另外，从气刀31的喷出口31a朝向晶圆W背面喷出气体，清洗液朝向气刀31的外侧吹散，由此与气刀31对向的晶圆W背面会保持干燥的状态。通过像这样的构成，可防止覆盖晶圆W背面的清洗液回流至气刀31的内侧。其结果，旋转吸盘3的表面总是维持干燥状态，能够防止由处理过的清洗液造成的污染或水痕的形成。由此，通过对由吸附垫2进行的晶圆W的移动与由旋转板51进行的第1清洗部件6A的回转移动进行组合，能够由第1清洗部件6A无遗漏地清洗所述区域T1。并且，在使第1清洗部件6A移动至位置P2并结束清洗之后，使第1清洗部件6A下降至等待位置。

结束上述区域T1的清洗之后，将晶圆W从吸附垫2交接至旋转吸盘3。晶圆W的交接，例如使气刀31保持动作的同时，停止清洗机构5的移动或旋转、清洗液的供给，解除由吸附垫2进行的晶圆W的吸附，另一方面，使退避的旋转吸盘3上升至清洗位置的高度位置而支承晶圆W的背面，接着通过使吸附垫2退避至下方的方式来进行。

接下来，如图7d、图7e、图9b所示，进行晶圆W的除中央部以外的区域(边缘区域)的研磨及清洗。具体而言，如图12a所示，使旋转板51回转移动至清洗用的第1清洗部件6A位于边缘、研磨用的第2清洗部件6B位于中央的回转开始位置之后，使第1清洗部件6A及第2清洗部件6B上升而推压至晶圆W背面。并且，通过旋转吸盘3使晶圆W绕垂直轴旋转的同时，旋转板51回转到第1清洗部件6A及第2清洗部件6B，如图12b所示，第1清洗部件6A位于中央、第2清洗部件6B位于边缘区域。此时使第1清洗部件6A及第2清洗部件6B分别旋转，并且从清洗液喷嘴55供给清洗液。

由此，在晶圆W背面的边缘区域中，通过对由旋转吸盘3进行的晶圆W的旋转与由旋转板51进行的第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的回转移动进行组合，来同时进行研磨与清洗。通过使晶圆W旋转的同时使清洗部件6A从边缘朝向中央、使清洗部件6B从中央朝向边缘慢慢移动，使得清洗部件6A及清洗部件6B抵接于晶圆W的区域并分别描画出同心圆状的轨迹的同时移动晶圆W背面。由此能够无遗漏地研磨及清洗在图12b中以右上斜线所涂画的区域T2。

这里由区域T1和区域T2组合的区域如图12b所示包含晶圆W背面整体，以不产生无法清洗的无效空间的方式调整各机器的尺寸或移动范围。另外在由旋转吸盘3保持晶圆W并进行清洗的过程中，不仅从清洗液喷嘴55，也从被设置于气刀31的左侧方的清洗液喷嘴14供给清洗液。如果在晶圆W表面混合存在浸润区域和干燥区域、则会在干燥清洗液时成为产生水痕的原因，因此使清洗液无遗漏地散布是为了抑制水痕的产生。由此在本例中由清洗液喷嘴55及清洗液喷嘴14构成清洗液供给部。但是也可以由清洗液喷嘴55及清洗液喷嘴14的任一方来构成清洗液供给部。

由此当完成晶圆W背面整体的清洗时，则如图7f及图10所示，使第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的旋转停止并且下降，停止清洗液的供给，移至清洗液的甩干处理动作。甩干处理通过以使旋转吸盘3高速旋转从而甩掉附着于晶圆W背面的清洗液的方式进行。如上所述，通过一口气甩干无遗漏地浸润的晶圆W并使其干燥的方式，可抑制水痕的产生。此时，使退避至上方的吹风喷嘴13下降，同时以使吹风喷嘴56位于晶圆W边缘部的方式使旋转板51移动，通过从晶圆W边缘部的上面与下面喷吹气体的方式加速甩干处理。另外，虽无法针对保持于旋转吸盘3的第2区域进行甩干处理，但通过气刀31而成为以干燥的形态与旋转吸盘3接触，因此，几乎不会产生水痕。

通过以上说明的动作，晶圆W背面整体的清洗与干燥结束之后，以与搬入时相反的动作将晶圆W交给搬运机构并搬出。此时UV灯12点亮，从马蹄形状的搬运机构的下方朝向晶圆W背面照射紫外线。由此，即使万一附著有颗粒的情况，例如有机物也因紫外线的照射而被分解，因此，能够使这种类型的颗粒收缩，从而减少失焦等的影响。

另一方面与晶圆W的搬出动作同时，吸附垫2或旋转吸盘3移动至图8a所示的位置，等待下一个晶圆W的搬入。然后，重复参照图8a～图12b所说明的动作，依序清洗多个晶圆W。

根据上述的实施方式，由于支承晶圆W的背面并保持，且直接以该形态进行清洗，因此，除清洗装置1以外，不需要设置翻转晶圆W的翻转机的空间或用来进行晶圆W的翻转动作的空间。其结果相较于以往类型的清洗装置，能够使设置有该清洗装置1的涂敷、显像装置小型化。另外，因为清洗装置1在两个基板保持机构(吸附垫2、旋转吸盘3)之间换持晶圆W，因此，不会产生因被吸附垫2或旋转吸盘3覆盖而导致无法清洗的无效空间。

另外，通过第1清洗部件6A与第2清洗部件6B清洗晶圆W的背面，因此，晶圆W与清洗部件的接触面积会变大，相较于单独的清洗部件能够提高清洗力。并且，第1清洗部件6A与第2清洗部件6B构成为通过共同的回转轴52分别在水平方向回转，在清洗基板的中央区域时，回转轴52配置为位于与晶圆W重叠的位置。由此，回转轴52是利用晶圆W的移动区域而设置的，因此，能够实现装置的小型化。

并且，在本实用新型中将晶圆W的背面分成中央区域与边缘区域进行清洗，因此，与一口气清洗晶圆W的背面整体的情况相比，每个清洗区域较小。因此即使将第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的回转半径变为比晶圆W短，也能够清洗晶圆W的背面整个面。由此，由于旋转板51的半径小于晶圆W、并且在晶圆W的移动区域的下方设置旋转板51的回转轴52，因此，在清洗晶圆W的背面的中央区域时，使晶圆W滑行移动时，从平面方向观察，晶圆W与旋转板51重叠。因此，即使在旋转吸盘3的侧方设置了旋转板51，也不需在上述移动区域之外确保设置空间，从而更能够实现清洗装置1的小型化。

与此相对，在不将晶圆W的背面分成中央区域与边缘区域进行清洗的情况下，必须使清洗部件通过晶圆W的中心移动至晶圆W的外缘。因此，在晶圆W的外侧具有清洗部件的驱动机构的情况下，清洗部件的回转半径大于晶圆W，而导致装置大型化。

另外，如上所述，由于将晶圆W背面分成中央区域与边缘区域进行清洗，各清洗区域小，因此，清洗部件6A、6B的移动距离短。由于该移动距离是直接反映于清洗时间，因此与使刷子从晶圆W的中心移动至外缘的情况(移动距离长时)相比，清洗时间会缩短，因此，生产量会提高。

并且，在清洗晶圆W背面的除中央部以外的边缘区域时，以通过使第1清洗部件6A从旋转板51的回转轴52在一个方向回转移动来使第1清洗部件6A及第2清洗部件6B清洗晶圆W背面的上述边缘区域的方式，配置这些清洗部件6A、6B。因此，通过使清洗部件6A、6B在一个方向回转移动来清洗晶圆W背面的上述边缘区域整体，从而能够缩短清洗部件6A、6B的移动时间，能够实现生产量的提高。

进一步配置为：在第1清洗部件6A朝向上述一个方向开始回转时，第2清洗部件6B位于连结旋转板51的回转轴52与旋转吸盘3的旋转升降轴3b的直线L上，在回转结束时，所述第1清洗部件6A是位于所述直线L上。即在同时使用了两个清洗部件6A、6B的清洗中，通过使一方的清洗部件6A(6B)从中央移动至边缘的方式，能够无遗漏地清洗晶圆W背面的边缘区域整体。因此，不需要使清洗部件6A、6B大范围回转，就能够进行清洗，对于生产量的提高是有效的。

另外，即使在逐一使用了两个清洗部件6A、6B的清洗中，当使一方的清洗部件6A以例如顺时针从中央移动至边缘时，由于另一方的清洗部件6B位于中央，因此，接下来通过使另一方的清洗部件6B以逆时针或顺时针从中央移动至边缘，能够无遗漏地进行晶圆W的边缘区域整体的清洗。

由此，通过调整第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的配置，使旋转板51的回转移动没有无效的移动，因此，可缩短处理时间，从而实现生产量的提高。

进一步，由于第1清洗部件6A是清洗用，第2清洗部件6B是研磨用，彼此种类不同，因此在1台的装置中，能够进行研磨处理与清洗处理的2种类的处理，因此，与不同的装置组装入涂敷、显像装置相比，能够使涂敷、显像装置整体小型化。另外，第1清洗部件6A及第2清洗部件6B安装于呈面状的旋转板51，在该旋转板51的背面侧设置有驱动机构53。因此，即使是对晶圆W的背面从下方侧供给清洗液而清洗液飞散的环境，由于在晶圆W与驱动机构53之间存在有旋转板51，因此，可防止清洗液附着至驱动机构53。进一步，通过盖体54及刷盖64分别覆盖驱动机构53的周围或刷子的驱动机构的周围，因此，能够实现这些驱动机构53、64的防水。

在上述示例中列举了清洗手法的一个示例，清洗时的清洗部件的移动并不限于上述示例。例如如图13a～图13d所示，也可以在实施了整个图7a～图7f所示的工序后，进一步与图7d、图7e相同地，重复晶圆W的边缘区域的研磨及清洗(图13a的工序、图13b的工序)，然后实施晶圆W的再清洗(图13c的工序)。关于图13a的工序、图13b的工序如上所述。另外，在图13c的工序的晶圆W的再清洗中将研磨用的第2清洗部件6B维持于等待位置，而仅使清洗用的第1清洗部件6A上升至清洗位置。然后通过旋转吸盘3使晶圆W旋转并使该第2清洗部件6B旋转的同时，使该清洗部件6A从中央回转移动至边缘，来进行清洗晶圆W背面的边缘区域。然后，如图13d的工序所示，例如使第1清洗部件6A及第2清洗部件6B退避至晶圆W的外部并停止第2清洗部件6B的旋转并停止清洗液的供给，以高速使旋转吸盘3旋转而进行甩干处理。

另外，也可以按晶圆W的搬入(图7a的工序)→晶圆W的中央区域的研磨(图7b的工序)→晶圆W的中央区域的清洗(图7c的工序)→晶圆W的边缘区域的研磨及清洗(图13a的工序、图13b的工序)→晶圆W的再清洗(图13c的工序)→晶圆W的干燥(图13d的工序)的顺序来实施各工序。关于各工序如上所述。

另外，在图13a的工序中不一定要使清洗用的第1清洗部件6A与晶圆W接触，在该情况下，图13a的工序是通过第2清洗部件6B进行研磨。

如上所述，第1清洗部件6A及第2清洗部件6B只要是设置为相互在横方向分离，清洗被保持于吸附垫2的晶圆W背面的包含中央部的区域，并对被保持于旋转吸盘3的晶圆W背面的除所述中央部以外的区域进行清洗的构成，就能够提高清洗力。因此，第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的配置不限于上述示例。另外，第1清洗部件6A及第2清洗部件6B的回转轴52只要位于晶圆W的移动区域，就能够实现装置的小型化，因此，不一定要使所述第1及第2清洗部件6A、6B的回转半径小于晶圆W的半径。并且，第1及第2清洗部件6A、6B可以为种类彼此相同，也可以为彼此不同。种类相同指材质或孔径尺寸相同。另外，也可以根据清洗处理的种类，在清洗晶圆W背面的中央区域时，使第1及第2清洗部件6A、6B同时与晶圆W背面接触并进行清洗，也可以在清洗晶圆W的边缘区域时，使第1清洗部件6A，6B的一方接触并进行清洗。

另外，清洗部件也可以不与晶圆W背面接触地清洗该晶圆W背面，也可以采用例如双流体喷嘴或喷射喷嘴、机械式喷嘴等通过喷吹清洗液等来去除颗粒的类型的清洗部件。进一步在实施方式中虽例示了旋转式的清洗部件6A、6B，但也可以采用振动式的清洗部件(刷子)来代替。并且，清洗液的种类也不限定于DIW，也可以为其他清洗液。另外，回转机构只要具备设置于回转轴且沿周向延伸的面状体即可，面状体不限于圆板。

进一步，设置于清洗装置的基板保持机构并不限定于只是如实施方式所示的2种类(吸附垫2、旋转吸盘3)。也可以构成为具备例如3种以上的基板保持机构，在这些基板保持机构之间换持基板2次以上。另外，不限定于仅2种的清洗部件6A、6B，也可设置例如3种以上的清洗部件。此时，也可组合设置接触清洗晶圆W背面的类型的清洗部件与非接触清洗晶圆W背面的类型的清洗部件。

并且，在本实用新型的基板的清洗中如上所述，也包含有使用清洗部件研磨基板背面的处理或在彼此剥离了被粘合剂接合的基板后，用来去除附着于这些基板的粘合剂的清洗处理等的处理。简单地说明例如在彼此剥离了上述基板之后，清洗基板的处理。为了抑制伴随作为基板的晶圆W的大口径化而在研磨晶圆W背面时的晶圆W的翘曲或破裂，进行利用粘合剂将被处理晶圆粘合于支承基板来加以补强。此时，以使晶圆背面朝上的方式，使晶圆W的被处理面朝向下接合于支承基板，晶圆的被处理面成为接合面。然后在使晶圆背面朝向上并直接进行研磨之后，剥离被处理晶圆与支承基板，被处理晶圆的被处理面的清洗。由于被处理晶圆是在被处理面朝下的形态被剥离，因此，利用本实用新型的清洗装置1使被处理面朝下并直接进行该被处理面的清洗。因此在该清洗处理中，被处理晶圆的被处理面相当于基板的背面。例如作为清洗部件使用接触到晶圆而进行清洗的类型或双流体喷嘴等的不与晶圆接触而进行清洗的类型。

在图14～图16中，表示组装入上述的清洗装置1的涂敷、显像装置的一例。图14、图15、图16分别为该涂敷、显像装置7的平面图、立体图、概略纵剖面侧视图。该涂敷、显像装置7被构成直线状地连接载置组件D1、处理组件D2及接口组件D3。接口组件D3还连接有曝光装置D4。在下面的说明中将组件D1～D3的排列方向设成为前后方向。载置组件D1具有将载体C(该载体C是包含复数片同一批次的基板的晶圆W)搬入搬出至涂敷、显像装置7的作用，且具备载体C的载置台71、开关部72及经由开关部72而用来从载体C搬送晶圆W的移载机构73。

处理组件D2是从下方依序层叠对晶圆W进行液处理的第1～第6单位组件B1～B6而构成的。为了方便说明，会有下述各情况，将在晶圆W形成下层侧的反射防止膜的处理称作“BCT”，将在晶圆W形成光刻胶膜的处理称作“COT”，将在曝光后的晶圆W形成光刻胶图案的处理称作“DEV”。在本例中如图15所示，从下方起分别层叠2层BCT层、2层COT层、2层DEV层，并且在相同的单位组件中相互平行地进行晶圆W的搬送及处理。

在此参照图14说明以COT层E3为代表的单位组件。在从载置组件D1朝向接口组件D3的搬送区域74左右的一方侧，在前后方向上配置有多个棚架单元U，在另一方侧，在前后方向上分别排列设置有作为液处理模块的光刻胶膜形成模块COT、保护膜形成模块ITC。上述光刻胶膜形成模块COT对晶圆W供给光刻胶从而形成光刻胶膜。保护膜形成模块ITC在光刻胶膜上供给规定的处理液，从而形成保护该光刻胶膜的保护膜。棚架单元U具备加热模块及清洗装置1，上述清洗装置1配置于例如接口组件D3侧。在上述搬送区域74，设有晶圆W的搬送机构即搬送臂F3。

除供给至晶圆W的药液不同以外，其他单位组件E1、E2、E5及E6与单元组件E3、E4的构成相同。单位组件E1、E2具备反射防止膜形成模块来代替光刻胶膜形成模块COT，单位组件E5、E6具备显像模块。在图16中，各单位组件E1～E6的搬送臂表示为F1～F6。

在处理组件D2中的载置组件D1侧设置有塔柱T1以及自由升降的交接臂部75，所述塔柱T1横跨各单位组件E1～E6而上下延伸，所述交接臂部75用来对塔柱T1进行晶圆W的交接。塔柱T1由互相层叠的多个模块构成，而被设置在单位组件E1～E6的各高度的模块可在该单位组件E1～E6的各搬送臂F1～F6之间交接晶圆W。作为这些模块包含有：交接模块TRS、进行晶圆W的温度调整的调温模块CPL、暂时保管复数片晶圆W的缓冲模块及使晶圆W的表面疏水化的疏水化处理模块等。

接口组件D3，具备横跨单位组件E1～E6而上下延伸的塔柱T2、T3、T4。塔柱T2与塔柱T3通过自由升降的接口臂76来进行晶圆W的交接；塔柱T2与塔柱T4通过自由升降的接口臂77来进行晶圆W的交接。另外，在塔柱T2与曝光装置D4之间，设置有用来进行晶圆W的交接的接口臂78。

在塔柱T2互相层叠有交接模块TRS、收纳曝光处理前的复数片晶圆W的缓冲模块、收纳曝光处理后的复数片晶圆W的缓冲模块及进行晶圆W的温度调整的调温模块等。另外，在塔柱T3、T4也分别设置有模块，但在此省略说明。

对由该涂敷、显像装置7及曝光装置D4构成的晶圆W的搬送路径进行地说明。晶圆W依照各批次从载体C被搬出。即，设定为一个批次的晶圆W全部被搬出之后其他批次的晶圆W从载体C搬出。另外，在从载体C搬出之前，各晶圆W的搬送路径已事先设定，如上所述，被搬送至双重化的单位组件中事先设定好的单位组件。

晶圆W通过移载机构73从载体C被搬送至处理组件D2中的塔柱T1的交接模块TRS0。晶圆W从该交接模块TRS0被分配搬送至单位组件E1、E2。

例如将晶圆W交接至单位组件E1时，对于塔柱T1的交接模块TRS中对应于单位组件E1的交接模块TRS1(可通过搬送臂F1进行晶圆W的交接的交接模块)，从上述TRS0交接晶圆W。另外，将晶圆W交接至单位组件E2时，对于塔柱T1的交接模块TRS中对应于单位组件E2的交接模块TRS2，从上述TRS0交接晶圆W。这些晶圆W的交接通过交接臂部75进行。

由此，被分配的晶圆W以TRS1(TRS2)→反射防止膜形成模块→加热模块→TRS1(TRS2)的顺序被搬送，接着通过交接臂部75分配至对应于单位组件E3的交接模块TRS3和对应于单位组件E4的交接模块TRS4。

并且，被分配至TRS3、TRS4的晶圆W以TRS3(TRS4)→光刻胶膜形成模块COT→加热模块→保护膜形成模块ITC→加热模块→清洗装置1→塔柱T2的交接模块TRS的顺序被搬送。被搬送至所述交接模块TRS的晶圆W通过接口臂76、78，经由塔柱T3被搬入到曝光装置D4。曝光后的晶圆W通过接口臂77被搬送在塔柱T2、T4之间，且分别被搬送至对应于单位组件E5、E6的塔柱T2的交接模块TRS5、TRS6。然后，被搬送至加热模块→显像模块→加热模块→塔柱T1的交接模块TRS之后，经由移载机构73返回至载体C。

由此，清洗装置1，例如设置于单位组件E3、E4的棚架单元U，但在涂敷、显像装置7中设置清洗装置1的位置也可以为接口组件D3的塔柱T2。在该情况下，例如将形成有光刻胶膜及保护膜的晶圆W搬送至接口组件D3，在此进行清洗处理之后，搬送到曝光装置D4。

AI：人工智能

控制部100还可以具备AI(Artificial Intelligence，人工智能)。AI包括机械学习模块，其使用例如将包含各种参数的处理方法数据、根据上述处理方法数据执行的基板处理的结果(处理后的晶圆W的检验结果等)与基板处理中从各种传感器获取的传感器值等关联起来而得到的积累数据来进行机械学习。

由此，AI例如能够输出以能获得更佳检验结果的方式使参数最优化的处理方法数据。能够进行最优化的参数例如有：各种处理液的温度、流量及供给时间；装置内的温度、湿度、气压及排气流量；晶圆W的搬运速度、待机时间等。

控制部100通过使用最优化的处理方法数据，能够使一系列基板处理最优化。例如，能够降低在检验工序中判定为次品的晶圆W的比例，或者能够提高晶圆W的加工精度。

另外，作为机械学习例如能够使用深度学习、SVM(Support Vector Machine，支持向量机)，自适应增强(AdaBoost)、随机森林(Random Forest)等公知算法。

Claims (7)

1.一种基板清洗装置，是清洗圆形的基板背面的基板清洗装置，其特征在于，具备：

第1吸附保持部，其吸附基板背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平，并且能在水平方向上自由移动；

第2吸附保持部，其吸附基板背面的所述中央部并保持为水平，且能绕垂直轴旋转；

第1清洗部件及第2清洗部件，其设置为相互在横向分离，在基板被保持于所述第1吸附保持部时，接触并清洗基板背面的包含所述中央部的区域，在基板被保持于所述第2吸附保持部时，接触并清洗基板背面的除所述中央部以外的区域；

回转机构，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的下方，在清洗基板背面时，通过共同的回转轴，使所述第1清洗部件及所述第2清洗部件分别在水平方向回转；

升降机构，其设置于所述回转机构的下方，用来使所述第1清洗部件及所述第2清洗部件升降；以及

清洗液供给部，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的附近，在通过所述第1清洗部件及所述第2清洗部件清洗基板背面时，对基板背面供给清洗液，其中，

至少在清洗基板背面的包含所述中央部的区域时，所述回转轴配置为位于与基板重叠的位置，

所述第1清洗部件及所述第2清洗部件配置为：在基板被保持于所述第2吸附保持部并旋转时，从所述回转轴观察所述第2吸附保持部的旋转轴，位于左侧及右侧中的一侧的所述第1清洗部件朝向另一侧回转地移动，由此使所述第1清洗部件及所述第2清洗部件清洗基板背面的除所述中央部以外的全部区域。

2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，构成为：

在所述第1清洗部件从所述一侧朝向所述另一侧开始回转时，所述第2清洗部件位于连结所述回转轴与所述第2吸附保持部的旋转轴的直线上，在回转结束时，所述第1清洗部件位于所述直线上。

3.根据权利要求1和权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的回转半径小于基板的半径。

4.根据权利要求1和权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述回转机构具备面状体，所述面状体设置于所述回转轴且沿其周向延伸，

所述第1清洗部件及所述第2清洗部件设置于所述面状体。

5.一种基板清洗装置，是清洗圆形的基板背面的基板清洗装置，其特征在于，具备：

第1吸附保持部，其吸附基板背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平，并且能在水平方向上自由移动；

第2吸附保持部，其吸附基板背面的所述中央部并保持为水平，且能绕垂直轴旋转；

第1清洗部件及第2清洗部件，其设置为相互在横向分离，在基板被保持于所述第1吸附保持部时，接触并清洗基板背面的包含所述中央部的区域，在基板被保持于所述第2吸附保持部时，接触并清洗基板背面的除所述中央部以外的区域；

回转机构，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的下方，在清洗基板背面时，通过共同的回转轴，使所述第1清洗部件及所述第2清洗部件分别在水平方向回转；

升降机构，其设置于所述回转机构的下方，用来使所述第1清洗部件及所述第2清洗部件升降；以及

清洗液供给部，其设置于所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的附近，在通过所述第1清洗部件及所述第2清洗部件清洗基板背面时，对基板背面供给清洗液，其中，

所述回转轴配置为：至少在清洗基板背面的包含所述中央部的区域时，位于与基板重叠的位置，

所述第1清洗部件与所述第2清洗部件，彼此种类不同。

6.根据权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述第1清洗部件及所述第2清洗部件的回转半径小于基板的半径。

7.根据权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于：

所述回转机构具备面状体，所述面状体设置于所述回转轴且沿其周向延伸，

所述第1清洗部件及所述第2清洗部件设置于所述面状体。