CN209224256U - 一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机、联轴器、轧辊、精轧链轮、轴承座、精轧机机架、减速机皮带轮、皮带、精轧机底板、电机、电机皮带轮和电机调节架，所述精轧机机架的底部设置有电机，所述电机上设置有电机皮带轮，所述电机皮带轮通过皮带与减速机皮带轮相连接，所述减速机皮带轮设置在减速机上，所述减速机设置在精轧机底板上，所述精轧机底板设置在精轧机机架的上部，所述减速机与联轴器相连接，所述联轴器与轧辊相连，所述轧辊设置在轴承座上，所述精轧链轮设置在轴承座，所述轧辊与精轧链轮相连接。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机。
背景技术
半导体陶瓷具有半导体特性、电导率约在10-6～105S/m的陶瓷。半导体陶瓷的电导率因外界条件（温度、光照、电场、气氛和温度等）的变化而发生显著的变化，因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号，制成各种用途的敏感元件。
半导体陶瓷生产工艺的共同特点四必须经过半导化过程。半导化过程可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子(例如，BaTiO3中的Ba2+被La3+取代)，使晶格产生缺陷，形成施主或受主能级，以得到n型或p型的半导体陶瓷。另一种方法是控制烧成气氛、烧结温度和冷却过程。例如氧化气氛可以造成氧过剩，还原气氛可以造成氧不足，这样可使化合物的组成偏离化学计量而达到半导化。半导体陶瓷敏感材料的生产工艺简单，成本低廉，体积小，用途广泛。压敏陶瓷，指伏安特性为非线性的陶瓷。如碳化硅、氧化锌系陶瓷。它们的电阻率相对于电压是可变的，在某一临界电压下电阻值很高，超过这一临界电压则电阻急剧降低。典型产品是氧化锌压敏陶瓷，主要用于浪涌吸收、高压稳压、电压电流限制和过电压保护等方面。随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。
低氧铜烧结DBC半导体热电基片由于具有高导热性、高电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点，因此被广泛应用于航天、军工、汽车等特殊电子行业，用来做功率芯片的绝缘与散热。
现有工艺是采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的覆铜烧结，其中无氧铜氧化处理工艺复杂难以控制氧化的一致性，所以价格十分昂贵，无氧铜烧结DBC半导体热电基片售价是低氧铜烧结DBC半导体热电基片售价的5倍左右。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机。
一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机、联轴器、轧辊、精轧链轮、轴承座、精轧机机架、减速机皮带轮、皮带、精轧机底板、电机、电机皮带轮和电机调节架，所述精轧机机架的底部设置有电机，所述电机上设置有电机皮带轮，所述电机皮带轮通过皮带与减速机皮带轮相连接，所述减速机皮带轮设置在减速机上，所述减速机设置在精轧机底板上，所述精轧机底板设置在精轧机机架的上部，所述减速机与联轴器相连接，所述联轴器与轧辊相连，所述轧辊设置在轴承座上，所述精轧链轮设置在轴承座，所述轧辊与精轧链轮相连接。
所述减速机皮带轮的直径大于电机皮带轮的直径。
所述减速机皮带轮与电机皮带轮相平行。
所述电机为高扭矩电机。
所述电机调节架为可以调节高度的支架。
附图说明
本实用新型的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚，附图中：
图1是本实用新型一种优选方案的主视结构图；
图2是本实用新型一种优选方案的侧视结构图。
图中：
1、减速机，2、联轴器，3、轧辊，4、精轧链轮，5、轴承座，6、精轧机机架，7、减速机皮带轮，8、皮带，9、精轧机底板，10、电机，11、电机皮带轮，12、电机调节架。
具体实施方式
下面通过几个具体的实施例来进一步说明实现本实用新型目的技术方案，需要说明的是，本实用新型要求保护的技术方案包括但不限于以下实施例。
实施例1
作为本实用新型一种最基本的实施方案，一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机1、联轴器2、轧辊3、精轧链轮4、轴承座5、精轧机机架6、减速机皮带轮7、皮带8、精轧机底板9、电机10、电机皮带轮11和电机调节架12，所述精轧机机架6的底部设置有电机10，所述电机10上设置有电机皮带轮11，所述电机皮带轮11通过皮带8与减速机皮带轮7相连接，所述减速机皮带轮7设置在减速机1上，所述减速机1设置在精轧机底板9上，所述精轧机底板9设置在精轧机机架6的上部，所述减速机1与联轴器2相连接，所述联轴器2与轧辊3相连，所述轧辊设置在轴承座5上，所述精轧链轮4设置在轴承座5，所述轧辊3与精轧链轮4相连接。
实施例2
作为本实用新型一种最基本的实施方案，一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机1、联轴器2、轧辊3、精轧链轮4、轴承座5、精轧机机架6、减速机皮带轮7、皮带8、精轧机底板9、电机10、电机皮带轮11和电机调节架12，所述精轧机机架6的底部设置有电机10，所述电机10上设置有电机皮带轮11，所述电机皮带轮11通过皮带8与减速机皮带轮7相连接，所述减速机皮带轮7设置在减速机1上，所述减速机1设置在精轧机底板9上，所述精轧机底板9设置在精轧机机架6的上部，所述减速机1与联轴器2相连接，所述联轴器2与轧辊3相连，所述轧辊设置在轴承座5上，所述精轧链轮4设置在轴承座5，所述轧辊3与精轧链轮4相连接。
所述减速机皮带轮7的直径大于电机皮带轮11的直径。
实施例3
作为本实用新型一种最基本的实施方案，一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机1、联轴器2、轧辊3、精轧链轮4、轴承座5、精轧机机架6、减速机皮带轮7、皮带8、精轧机底板9、电机10、电机皮带轮11和电机调节架12，所述精轧机机架6的底部设置有电机10，所述电机10上设置有电机皮带轮11，所述电机皮带轮11通过皮带8与减速机皮带轮7相连接，所述减速机皮带轮7设置在减速机1上，所述减速机1设置在精轧机底板9上，所述精轧机底板9设置在精轧机机架6的上部，所述减速机1与联轴器2相连接，所述联轴器2与轧辊3相连，所述轧辊设置在轴承座5上，所述精轧链轮4设置在轴承座5，所述轧辊3与精轧链轮4相连接。
所述减速机皮带轮7的直径大于电机皮带轮11的直径。
所述减速机皮带轮7与电机皮带轮11相平行。
实施例4
作为本实用新型一种最基本的实施方案，一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机1、联轴器2、轧辊3、精轧链轮4、轴承座5、精轧机机架6、减速机皮带轮7、皮带8、精轧机底板9、电机10、电机皮带轮11和电机调节架12，所述精轧机机架6的底部设置有电机10，所述电机10上设置有电机皮带轮11，所述电机皮带轮11通过皮带8与减速机皮带轮7相连接，所述减速机皮带轮7设置在减速机1上，所述减速机1设置在精轧机底板9上，所述精轧机底板9设置在精轧机机架6的上部，所述减速机1与联轴器2相连接，所述联轴器2与轧辊3相连，所述轧辊设置在轴承座5上，所述精轧链轮4设置在轴承座5，所述轧辊3与精轧链轮4相连接。
所述减速机皮带轮7的直径大于电机皮带轮11的直径。
所述减速机皮带轮7与电机皮带轮11相平行。
所述电机10为高扭矩电机。
实施例5
作为本实用新型一种最基本的实施方案，一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于包括：减速机1、联轴器2、轧辊3、精轧链轮4、轴承座5、精轧机机架6、减速机皮带轮7、皮带8、精轧机底板9、电机10、电机皮带轮11和电机调节架12，所述精轧机机架6的底部设置有电机10，所述电机10上设置有电机皮带轮11，所述电机皮带轮11通过皮带8与减速机皮带轮7相连接，所述减速机皮带轮7设置在减速机1上，所述减速机1设置在精轧机底板9上，所述精轧机底板9设置在精轧机机架6的上部，所述减速机1与联轴器2相连接，所述联轴器2与轧辊3相连，所述轧辊设置在轴承座5上，所述精轧链轮4设置在轴承座5，所述轧辊3与精轧链轮4相连接。
所述减速机皮带轮7的直径大于电机皮带轮11的直径。
所述减速机皮带轮7与电机皮带轮11相平行。
所述电机10为高扭矩电机。
所述电机调节架12为可以调节高度的支架。
Claims (5)
1.一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于：包括：减速机（1）、联轴器（2）、轧辊（3）、精轧链轮（4）、轴承座（5）、精轧机机架（6）、减速机皮带轮（7）、皮带（8）、精轧机底板（9）、电机（10）、电机皮带轮（11）和电机调节架（12），所述精轧机机架（6）的底部设置有电机（10），所述电机（10）上设置有电机皮带轮（11），所述电机皮带轮（11）通过皮带（8）与减速机皮带轮（7）相连接，所述减速机皮带轮（7）设置在减速机（1）上，所述减速机（1）设置在精轧机底板（9）上，所述精轧机底板（9）设置在精轧机机架（6）的上部，所述减速机（1）与联轴器（2）相连接，所述联轴器（2）与轧辊（3）相连，所述轧辊设置在轴承座（5）上，所述精轧链轮（4）设置在轴承座（5），所述轧辊（3）与精轧链轮（4）相连接。
2.根据权利要求1所述一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于：所述减速机皮带轮（7）的直径大于电机皮带轮（11）的直径。
3.根据权利要求1所述一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于：所述减速机皮带轮（7）与电机皮带轮（11）相平行。
4.根据权利要求1所述一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于：所述电机（10）为高扭矩电机。
5.根据权利要求1所述一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机，其特征在于：所述电机调节架（12）为可以调节高度的支架。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201821216796.4U CN209224256U (zh) | 2018-07-30 | 2018-07-30 | 一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821216796.4U CN209224256U (zh) | 2018-07-30 | 2018-07-30 | 一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN209224256U true CN209224256U (zh) | 2019-08-09 |
Family
ID=67497273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821216796.4U Active CN209224256U (zh) | 2018-07-30 | 2018-07-30 | 一种用于制造半导体陶瓷片的精轧机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN209224256U (zh) |
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