CN207833216U - 抗蚀剂层的薄膜化装置 - Google Patents

Abstract

提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置在用于使形成有抗蚀剂层的基板的抗蚀剂层薄膜化而使用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够解决薄膜化处理液向浸渍槽的上游侧逆流、抗蚀剂层的薄膜化量不均匀的问题。在具备薄膜化处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，薄膜化处理单元具有装有薄膜化处理液的浸渍槽，借助对浸渍槽的入口辊对的上侧辊施加载荷的载荷机构，防止薄膜化处理液向上游侧的逆流。

Description

抗蚀剂层的薄膜化装置

技术领域

本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化装置。

背景技术

随着电气及电子零件的小型化、轻量化、多功能化，对于以用于形成电路的干膜抗蚀剂、阻焊剂为代表的感光性树脂(感光性材料)，为了与印刷电路板的高密度化对应而要求高分辨率。由这些感光性树脂进行的图像形成通过将感光性树脂曝光后，显影来进行。

为了与印刷电路板的小型化、高功能化对应，感光性树脂有薄膜化的倾向。感光性树脂中有涂敷液体来使用的类型的液态抗蚀剂和膜类型的干膜抗蚀剂。最近，开发出15μm以下的厚度的干膜抗蚀剂，其成品化也正在推进。但是，在这样的薄的干膜抗蚀剂中，存在如下问题：与以往的厚度的抗蚀剂相比，紧贴性及对于凹凸的追随性不足，会发生剥离、空隙等。

为了改善上述方面，提出了使用厚的感光性树脂，同时实现高分辨率的各种方案。例如，公开了一种导电图案的形成方法，其特征在于，在通过减成法制作导电图案的方法中，在绝缘层的单面或双面上设置金属层而成的层叠基板上贴上干膜抗蚀剂来形成抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行电路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序(例如，参照专利文献1)。此外，公开了一种阻焊剂图案的形成方法，其特征在于，在形成阻焊剂图案的方法中，在具有导电性图案的电路基板上形成由阻焊剂构成的抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案曝光工序，再次进行抗蚀剂层的薄膜化工序(例如，参照专利文献2及3)。

此外，在专利文献4中，公开了被用于抗蚀剂层的薄膜化工序的薄膜化装置。具体地，公开了抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置至少包括薄膜化处理单元、胶束除去处理单元、水洗处理单元、干燥处理单元这四个处理单元，前述薄膜化处理单元将形成有抗蚀剂层的基板浸渍(dip)于高浓度的碱性水溶液(薄膜化处理液)，抗蚀剂层的成分的胶束暂时不溶化，由此，胶束难以溶解扩散至处理液中，前述胶束除去处理单元借助胶束除去液喷雾将胶束一举溶解除去，前述水洗处理单元用水洗涤表面，前述干燥处理单元将水洗水除去。

关于专利文献4中公开的薄膜化装置的一部分，使用图5所示的概略剖视图进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入形成有抗蚀剂层的基板3。基板3穿过浸渍槽2的入口辊对27后，借助搬运辊对4，被以浸渍于浸渍槽2中的薄膜化处理液1的状态搬运。由此，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。此后，基板3被向胶束除去处理单元12搬运。在胶束除去处理单元12中，相对于被搬运辊对4搬运来的基板3，穿过胶束除去液供给管20从胶束除去液用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2中的薄膜化处理液1是高浓度的碱性水溶液。因此，在薄膜化处理单元11处，由于薄膜化处理液1，基板3上的抗蚀剂层的成分被胶束化。该胶束相对于薄膜化处理液1呈不溶性。此后，在胶束除去处理单元12处，借助胶束除去液喷雾22除去胶束，由此，抗蚀剂层被薄膜化。

此外，在专利文献4中，公开了如下问题：被从薄膜化处理单元11的浸渍槽2带出的薄膜化处理液1被大量带入胶束除去处理单元12中，由此，胶束除去液10的pH过度升高，在胶束除去性能上产生不均，抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀。在专利文献4中，为了解决该问题，如图6所示，也公开了如下抗蚀剂层的薄膜化装置：基板3穿过薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2的出口辊对5后，在被搬运至胶束除去处理单元12前之间的部分，设置有作为薄膜化处理液带出抑制机构的除液辊对8。

记载于专利文献4的薄膜化处理液带出机构抑制在浸渍槽2的下游侧薄膜化处理液1出来。但是，若从投入口7投入的基板3的末端进入至浸渍槽2的入口辊对27之间，则薄膜化处理液1从辊间向浸渍槽2的上游侧逆流，附着于基板3的未进入浸渍槽2的部分。在层叠于基板3上的抗蚀剂层表面存在凹凸的情况下，在辊和抗蚀剂层之间容易产生间隙，所以有该逆流现象更显著地产生的倾向。结果，在附着有逆流的薄膜化处理液1的抗蚀剂层和未附着有逆流的薄膜化处理液1的抗蚀剂层，薄膜化量变化，所以有时基板3的抗蚀剂量的薄膜化量变得不均匀。

这样，存在以下问题：若被薄膜化后的抗蚀剂层的厚度变得不均匀，在薄膜化后的抗蚀剂层中存在厚度较薄的部分，则在减成法的导电图案形成中成为电路的断路的原因，在阻焊剂的图案形成中成为耐候性低下的原因，二者都与生产中的成品率的下降相关。

专利文献1：国际公开第2009/096438号单行本。

专利文献2：日本特开2011-192692号公报。

专利文献3：国际公开第2012/043201号单行本。

专利文献4：日本实用新型登记第3186533号公报。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置在用于使形成有抗蚀剂层的基板的抗蚀剂层的薄膜化而使用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够解决由于薄膜化処理液向浸渍槽的上游侧逆流而引起的抗蚀剂层的薄膜化量不均匀的问题。

本实用新型的多位发明人发现能够借助下述方案解决这些问题。

(1)一种抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置具备薄膜化处理单元，其特征在于，薄膜化处理单元具有浸渍槽，前述浸渍槽装有薄膜化处理液，浸渍槽具有薄膜化处理液逆流防止机构。

(2)如上述(1)所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，浸渍槽具有入口辊对，薄膜化处理液逆流防止机构是对浸渍槽的入口辊对的上侧辊施加载荷的载荷机构。

(3)如上述(2)所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，载荷机构是浸渍槽的入口辊对的上侧辊上所具备的载荷辊。

(4)如上述(2)所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，载荷机构是浸渍槽的入口辊对，上侧辊比入口辊对的下侧辊重。

实用新型的效果

根据本实用新型，在用于使形成有抗蚀剂层的基板的抗蚀剂层的薄膜化而使用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够解决由于薄膜化処理液向浸渍槽的上游侧逆流而引起的抗蚀剂层的薄膜化量不均匀的问题。

附图说明

图1是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图。

图2是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的载荷机构的一例的放大概略图。

图3是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图。

图4是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图。

图5是表示抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图。

图6是表示抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图。

具体实施方式

＜薄膜化工序＞

抗蚀剂层的薄膜化工序是指包括薄膜化处理、胶束除去处理的工序，前述薄膜化处理对被形成于基板上的抗蚀剂层供给薄膜化处理液，借助薄膜化处理液将抗蚀剂层中的成分胶束化，并且暂时使将该胶束不溶化，难以溶解扩散至薄膜化处理液体中，前述胶束除去处理借助胶束除去液喷雾，将抗蚀剂层表面的胶束一举溶解除去。进而，还可以包括水洗处理、干燥处理，前述水洗处理将在胶束除去处理中不能完全除去的抗蚀剂层表面的胶束、残余的薄膜化处理液及胶束除去液用水洗涤，前述干燥处理将在水洗处理中使用的水除去。

＜薄膜化处理＞

在薄膜化处理中，可以使用搅动处理、喷雾处理、擦刷、刮削等方法，但薄膜化处理优选通过浸渍处理进行。在浸渍处理中，将形成有抗蚀剂层的基板浸渍(dip)于薄膜化处理液。在浸渍处理以外的处理方法中，有时在薄膜化处理液中容易产生气泡，该产生的气泡在薄膜化处理中附着于抗蚀剂层表面，薄膜化后的抗蚀剂层的厚度变得不均匀。在使用喷雾处理等的情况下，必须使喷雾压尽可能小，以使得不产生气泡。

在本实用新型中，根据抗蚀剂层形成后的厚度和抗蚀剂层被薄膜化的量，确定被薄膜化后的抗蚀剂层的厚度。此外，在本实用新型中，能够在0.01~500μm的范围内自由地调整抗蚀剂层的薄膜化量。

＜抗蚀剂＞

作为抗蚀剂，能够使用碱性显影型的抗蚀剂。此外，抗蚀剂可以是液态抗蚀剂，也可以是干膜抗蚀剂，只要是能够借助高浓度的碱性水溶液(薄膜化处理液)来进行薄膜化、且能够借助作为比薄膜化处理液浓度低的碱性水溶液的显影液来显影的抗蚀剂，则能够使用任意抗蚀剂。碱性显影型抗蚀剂包括光交联型树脂成分。光交联型树脂成分构成为例如含有碱性可溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂等。此外，也可以使抗蚀剂含有环氧树脂、热硬化剂、无机填料等。

作为碱性可溶性树脂，例如可以列举丙烯系树脂、甲基丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、环氧系树脂、酰胺系树脂、酰胺环氧系树脂、醇酸系树脂、酚醛系树脂等有机高分子。作为碱性可溶性树脂，优选为将具有烯属不饱和双键的单体(聚合性单体)聚合(自由基聚合等)而得到的。这些碱性水溶液中可溶的聚合物可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。

作为具有烯属不饱和双键的单体，例如可以列举苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、对乙基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、对乙氧基苯乙烯、对氯苯乙烯、对溴苯乙烯等苯乙烯衍生物；双丙酮丙烯酰胺等丙烯酰胺；丙烯腈；乙烯基-正丁基醚等乙烯醇的酯类；(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙基酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙基酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯、(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸等的(甲基)丙烯酸单酯；马来酸、马来酸酐、马来酸单甲酯、马来酸单乙酯、马来酸单异丙酯等马来酸系单体；富马酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。

作为光聚合性化合物，例如可以列举使多元醇与α，β-不饱和羧酸反应而得到的化合物；双酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物；使含缩水甘油基的化合物与α，β-不饱和羧酸反应而得到的化合物；分子内具有氨基甲酸酯键的(甲基)丙烯酸酯化合物等氨基甲酸酯单体；壬基苯氧基聚乙烯氧丙烯酸酯；邻苯二甲酸γ-氯-β-羟基丙基-β'-(甲基)丙烯酰基氧基乙基酯、邻苯二甲酸β-羟基烷基-β'-(甲基)丙烯酰基氧基烷基酯等邻苯二甲酸系化合物；(甲基)丙烯酸烷基酯、EO、PO改性(甲基)丙烯酸壬基苯基酯等。这里，EO及PO表示环氧乙烷及环氧丙烷，被EO改性的化合物具有环氧乙烷基团的嵌段结构，被PO改性的化合物具有环氧丙烷基团的嵌段结构。这些光聚合性化合物可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。

作为光聚合引发剂，可以列举二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二氨基二苯甲酮(米蚩酮)、N,N'-四乙基-4,4'-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1及2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙酮-1等芳族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌类；苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻苯基醚等苯偶姻醚化合物；苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻化合物；苯偶酰二甲基缩酮等苯偶酰衍生物；2-(邻氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚体、2-(邻氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体、2-(对甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体等2,4,5-三芳基咪唑二聚体；9-苯基吖啶、1,7-双(9,9'-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物；N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2,4,5-三芳基咪唑二聚体中的两个2,4,5-三芳基咪唑的芳基取代基可以相同而给出对称的化合物，也可以不同而给出非对称的化合物。此外，如二乙基噻吨酮和二甲基氨基苯甲酸的组合那样，也可以将噻吨酮系化合物和叔胺化合物组合。这些可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。

环氧树脂有作为硬化剂被使用的情况。通过使碱性可溶性树脂的羧酸与环氧反应，使抗蚀剂交联，实现耐热性、耐化学性的特性的提高。但是，羧酸和环氧的反应在常温也进行，所以抗蚀剂的保存稳定性变差。因此，碱性显影型阻焊剂一般呈在使用前混合的2液性的形态的情况较多。也有使抗蚀剂含有无机填料的情况，作为无机填料，例如可以列举滑石、硫酸钡、二氧化硅等。

在基板的表面上形成抗蚀剂层的方法可以是任意方法，例如可以列举，丝网印刷法、辊涂法、喷雾法、浸渍法、幕涂法、棒涂法、气刀法、热熔法、凹版涂敷法、刷涂法、胶版印刷法。干膜抗蚀剂的情况适合使用层压法。

＜基板＞

作为基板，可以列举印刷电路板用基板、引线框用基板、将印刷电路板用基板、引线框用基板加工所得到的电路基板。

作为印刷电路板用基板，例如可以列举挠性基板、刚性基板。

挠性基板的绝缘层的厚度为5~125μm，在其双面或单面设置有1~35μm的金属层来构成层叠基板，可挠性较大。对于绝缘层的材料，通常使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸乙二醇酯、液晶聚合物等。在绝缘层上具有金属层的材料也可以使用通过借助粘着剂贴合的粘着法、在金属箔上涂敷树脂液的铸造法、在通过溅射、蒸镀而在树脂膜上形成的厚度数nm的薄的导电层(籽晶层)上通过电解镀敷来形成金属层的溅射/镀敷法、通过热压来贴付的层压法等任意方法来制造的。作为金属层的金属，可以使用铜、铝、银、镍、铬、或者它们的合金等任意金属，但一般使用铜。

作为刚性基板，可以列举设置有金属层的层叠基板。该层叠基板为，在纸基材或者玻璃基材上层叠浸渍了环氧树脂或者酚醛树脂等的绝缘性基板而作为绝缘层，将金属箔载置于其单面或双面上，通过加热及加压来层叠而得到的。此外，也可以列举在内层配线图案加工后层叠预成形料、金属箔等而制作的多层用的屏蔽板、具有贯通孔或非贯通孔的多层板。厚度为60μm~3.2mm，根据作为印刷电路板的最终使用形态，选定其材质和厚度。作为金属层的材料，列举铜、铝、银、金等，但最一般的也是铜。这些印刷电路板用基板的示例被记载于《印刷电路技术便览-第二版-》(“プリント回路技术便览-第二版-”)(公司团法人印刷电路学会编、1987年刊、日刊工业新闻公司发刊)、《多层印刷电路指南》(“多层プリント回路ハンドブック”)(J.A.斯嘉丽编、1992年刊、株式会公司近代化学公司发刊)。

作为引线框用基板，可以列举铁镍合金、铜系合金等基板。

电路基板是指，在绝缘性基板上形成有用于连接半导体芯片等电子零件的连接焊板的基板。连接焊板由铜等金属构成。此外，也可以在电路基板上形成有导体配线。作为制作电路基板的方法，例如可以列举减成法、半加成法、加成法。在减成法中，例如，上述的在印刷电路板用基板上形成蚀刻抗蚀剂图案，实施曝光工序、显影工序、蚀刻工序、抗蚀剂剥离工序来制作电路基板。

＜薄膜化装置＞

图1、图3及图4是表示本实用新型的薄膜化装置的一例的概略图。本实用新型的薄膜化装置具备薄膜化处理单元11，前述薄膜化处理单元11对形成于基板3上的抗蚀剂层供给薄膜化处理液1，使抗蚀剂层中的成分胶束化。薄膜化处理单元11具有装有薄膜化处理液的浸渍槽2。

在薄膜化处理单元11中，形成有抗蚀剂层的基板3被从投入口7向薄膜化处理单元11投入。基板3穿过浸渍槽2的入口辊对27之后，借助搬运辊对4，在被浸渍于浸渍槽2中的薄膜化处理液1的状态下被搬运，穿过浸渍槽2的出口辊对5。通过这些处理，基板3上的抗蚀剂层中的成分被薄膜化处理液1胶束化，该胶束相对于薄膜化处理液1不溶化。

薄膜化处理液1被薄膜化处理液供给用泵(图中未示出)从薄膜化处理液储存罐13中的薄膜化处理液吸入口14吸入，经由薄膜化处理液供给管15被供给至浸渍槽2。被供给至浸渍槽2的薄膜化处理液1若从浸渍槽2溢出，则穿过薄膜化处理液回收管16被回收至薄膜化处理液储存罐13。这样，薄膜化处理液1在浸渍槽2和薄膜化处理储存罐13之间循环。剩余部分的薄膜化处理液1被从薄膜化处理液排水管17排出。

作为在用作薄膜化处理液1的碱水溶液中使用的碱性化合物，可以列举例如锂、钠或钾等碱金属的碱金属硅酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属磷酸盐、碱金属碳酸盐、铵磷酸盐、铵碳酸盐等无机碱性化合物；单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、环己基胺、四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、三甲基-2-羟乙基氢氧化铵(胆碱)等有机碱性化合物。这些碱性化合物可以单独使用，也可以作为混合物使用。对于作为薄膜化处理液1的介质的水，可以使用自来水、工业用水、纯水等，但特别优选地使用纯水。

碱性化合物能够使用0.1质量%以上50质量%以下的含量。此外，为了使抗蚀剂层表面更均匀地薄膜化，也能够对薄膜化处理液1添硫酸盐、亚硫酸盐。作为硫酸盐或亚硫酸盐，可以列举锂、钠或钾等碱金属的硫酸盐或亚硫酸盐、镁、钙等碱土金属的硫酸盐或亚硫酸盐。

作为薄膜化处理液1的碱性化合物，它们中，能够特别优选地使用从碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐选出的无机碱性化合物；从四甲基氢氧化铵、胆碱选出的有机碱性化合物。这些碱性化合物可以单独使用，也可以作为混合物使用。此外，为使表面更均匀地薄膜化，能够适当地使用碱性化合物的含量为5~25质量%的碱性水溶液。在碱性化合物的含量不足5质量%的情况下，有被薄膜化后的抗蚀剂层的厚度不均匀的情况。此外，若碱性化合物的含量超过25质量%，则有容易发生碱性化合物的析出的情况，有液体的经时稳定性、作业性变差的情况。碱性化合物的含量更优选为7~17质量%，进一步优选为8~13质量%。作为薄膜化处理液1被使用的碱性水溶液的pH优选为10以上。此外，对于薄膜化处理液1，也能够适当添加表面活性剂、消泡剂、溶剂等。

作为薄膜化处理液1被使用的碱性水溶液的温度优选为15~35℃，进一步优选为20~30℃。若温度过低，则有碱性化合物向抗蚀剂层的浸透速度变慢的情况，使所希望的厚度薄膜化需要较长时间。另一方面，若温度过高，则与碱性化合物向抗蚀剂层的浸透的同时进行溶解扩散，由此有被薄膜化后的抗蚀剂层的厚度变得不均匀的情况。

在薄膜化处理单元11之后具备的胶束除去处理单元12中，在薄膜化处理单元11处抗蚀剂层相对于薄膜化处理液1不溶化的基板3被搬运辊对4搬运。相对于被搬运的基板3，借助胶束除去液喷雾22供给胶束除去液10，胶束被一举溶解除去。

胶束除去液10被胶束除去液供给用泵(图中未示出)从胶束除去液储存罐18中的胶束除去液吸入口19吸入，经由胶束除去液供给管20，从胶束除去液用喷嘴21被作为胶束除去液喷雾22喷射。胶束除去液喷雾22从基板3流下后，被回收至胶束除去液储存罐18。这样，胶束除去液10在胶束除去处理单元12内循环。剩余部分的胶束除去液10被从胶束除去液排水管23排出。

作为胶束除去液10，也可以使用水，但优选为使用比薄膜化处理液1稀的含有碱性化合物的pH5~10的水溶液。借助胶束除去液10，在薄膜化处理液中不溶化的抗蚀剂层的成分的胶束再分散而被除去。作为被用于胶束除去液10的水，能够使用自来水、工业用水、纯水等，但特别优选地使用纯水。胶束除去液10的pH不足5的情况下，抗有蚀剂层的成分集聚而成为不溶性的淤渣、附着于薄膜化后的抗蚀剂层表面的情况。另一方面，在胶束除去液10的pH超过10的情况下，有抗蚀剂层过度溶解扩散、在表面内被薄膜化的抗蚀剂层的厚度不均匀的情况。此外，胶束除去液10的pH能够使用硫酸、磷酸、盐酸等进行调整。

胶束除去处理的胶束除去液喷雾22的条件(温度、喷雾压、供给流量)与被薄膜化处理的抗蚀剂层的溶解速度配合地被适当调整。具体地，处理温度优选为10~50℃，更优选为15~35℃。此外，喷雾压优选为0.01~0.5MPa，更优选为0.1~0.3MPa。胶束除去液10的供给流量优选为抗蚀剂层每1cm²为0.030~1.0L/min，更优选为0.050~1.0L/min，进一步优选为0.10~1.0L/min。若供给流量为该范围，则在薄膜化后的抗蚀剂层表面上不会残留不溶解成分，容易将不溶化的抗蚀剂层的成分的胶束在表面内大致均匀地除去。抗蚀剂层每1cm²的供给流量不足0.030L/min的话，有发生不溶化的抗蚀剂层的成分的溶解不良的情况。另一方面，若供给流量超过1.0L/min，则为了供给而必需的泵等零件变得庞大，有需要设置成大规模的装置的情况。进而，在超过1.0L/min的供给量下，有时对抗蚀剂层的成分的溶解扩散施加的效果不变。为了在抗蚀剂层表面上高效率地产生液流，优选地从喷雾的方向相对于与抗蚀剂层表面垂直的方向倾斜的方向喷射。

＜薄膜化处理液逆流防止机构＞

在薄膜化处理单元11中，若被从投入口7投入的基板3的末端进入浸渍槽2的入口辊对27之间，则薄膜化处理液1从辊间向浸渍槽2的上游侧逆流，有逆流的薄膜化处理液1附着于基板3的未进入浸渍槽2的部分的情况。该情况下，在附着有逆流的薄膜化处理液1的抗蚀剂层和未附着有逆流的薄膜化处理液1的抗蚀剂层，薄膜化量改变，所以基板3的抗蚀剂量的薄膜化量变得不均匀。浸渍槽2具有薄膜化处理液逆流防止机构，由此，能够防止薄膜化处理液1向上游侧的逆流。

图1、3及4是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略图。在图1、3及4的抗蚀剂层的薄膜化装置中，浸渍槽2具有入口辊对27，薄膜化处理液逆流防止机构是对浸渍槽2的入口辊对27的上侧辊30施加载荷的载荷机构。在图1的抗蚀剂层的薄膜化装置中，载荷机构是浸渍槽2的入口辊对27的上侧辊30上具备的载荷辊29。图2是图1的薄膜化处理液逆流防止机构的放大概略图。作为载荷机构，具备载荷辊29，由此对被夹于浸渍槽2的入口辊对27间的基板3施加载荷，基板3和浸渍槽2的入口辊对27紧贴，能够防止薄膜化处理液向上游侧逆流。作为载荷机构，对向浸渍槽2的入口辊对27的上侧辊30的宽度方向端部露出的辊轴28施加载荷的机构也是有用的，但由于基板3和浸渍槽2的入口辊对27的紧贴性优异这点，优选载荷辊29。

在图3及图4的抗蚀剂层的薄膜化装置中，载荷机构是具有比下侧辊32重的上侧辊30的浸渍槽2的入口辊对27。在图3中，作为上侧辊30的表面的弹性体，使用比下侧辊32的弹性体密度大的弹性体。在图4中，上侧辊的辊轴31的重量比下侧辊的辊轴28重。

用于本实用新型的薄膜化装置的搬运辊对4优选为不仅能够搬运基板3，并且紧贴于抗蚀剂层表面。搬运辊适合使用表面没有凹凸的直式的辊。作为搬运辊的种类，可以列举苯乙烯丁二烯橡胶(SBR)、丙烯腈丁二烯橡胶(NBR)、硅酮、乙烯丙烯二烯橡胶(EPDM)、氟等橡胶辊；发泡聚乙烯醇(PVA)、发泡聚氯乙烯(PVC)等海绵辊；金属辊；聚烯烃树脂、氟树脂等树脂辊等。其中，由于具有优异橡胶弹性(密封性、恢复性)，比重较小，轻量，是从低硬度至中硬度，对抗蚀剂层的接触引起的冲击较少，对于高浓度碱水溶液的薄膜化处理液1的耐化学性也优异，所以优选为烯烃系热塑性弹性体、或聚氯乙烯系热塑性弹性体的辊。作为烯烃系热塑性弹性体，可以列举萨茂拉（サーモラン）(THERMORUN、注册商标)，作为聚氯乙烯系热塑性弹性体，可以列举三普兰（サンプレーン）(SUNPRENE、注册商标)。此外，搬运辊的设置位置及个数只要能够搬运基板3，不特别限定于图1、图2及图4所示的设置位置及个数。

对于载荷辊29，也能够使用与搬运辊对4种类、功能、物性相同的辊。此外，为了施加适当的载荷，能够适当改变载荷辊29整体、载荷辊29的辊轴的重量。浸渍槽2的入口辊对27的下侧辊32也能够使用与搬运辊对4种类、功能、物性相同的辊。作为浸渍槽2的入口辊对27的上侧辊30，能够使用除了比下侧辊32重以外与搬运辊对4种类、功能、物性相同的辊。

作为浸渍槽的出口辊对5、薄膜化处理单元的出口辊对6、胶束除去处理单元的入口辊对9，也适当地使用与搬运辊对4种类、功能、物性相同的辊。特别地，浸渍槽的出口辊对5被用于，浸渍槽2的薄膜化处理液1的液面维持及将被覆盖于抗蚀剂层表面的薄膜化处理液1的液膜刮落的除液。此外，薄膜化处理单元的出口辊对6被用于，抑制将薄膜化处理液1带入胶束除去处理单元12和胶束除去液10向薄膜化处理单元11的逆流。胶束除去处理单元的入口辊对9主要为了将向薄膜化处理单元11内逆流的胶束除去液10堵住而被使用。

此外，虽在图1、2及4中未被图示，但在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽的出口辊对5和薄膜化处理单元的出口辊对6之间，也可以设置如图6所图示的除液辊对8。借助除液辊对8，薄膜化处理液1的液膜被刮落，且该液膜的厚度均匀地齐整。薄膜化处理液1的液膜均匀地齐整的基板3穿过薄膜化处理单元的出口辊对6后，被向胶束除去处理单元12搬运。除液辊对8有1对也能发挥该效果，但通过借助多个辊对连续地进行除液能够得到更大的效果。除液辊对8紧贴于抗蚀剂层表面较为重要。因此，作为除液辊，适合使用表面没有凹凸的直式的辊。作为除液辊的种类，适合使用与上述搬运辊相同的种类。

实施例

根据以下实施例对本实用新型进一步详细地说明，但本实用新型不限于该实施例。

(实施例1)

玻璃基材环氧树脂基板(面积510mm×340mm、铜箔厚度12μm、基材厚度0.2mm、三菱瓦斯化学公司(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.)制、商品名：CCL-E170)使用干膜抗蚀剂用塑封机，将干膜抗蚀剂(日立化成公司(Hitachi Chemical Co.，Ltd.)制、商品名：RY3625、厚度25μm)热压接来形成抗蚀剂层。

接着，将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，使用抗蚀剂层的薄膜化装置(图1)来使抗蚀剂层薄膜化。在该抗蚀剂层的薄膜化装置中，薄膜化处理单元11具有装有薄膜化处理液的浸渍槽2，浸渍槽2具有薄膜化处理液逆流防止机构，浸渍槽2具有入口辊对27，薄膜化处理液逆流防止机构是对浸渍槽的入口辊对27的上侧辊施加载荷的载荷机构，载荷机构是载荷辊29。

在该抗蚀剂层的薄膜化装置中，在薄膜化处理单元11中，若被从投入口7投入的基板3的末端进入浸渍槽2的入口辊对27之间，则借助载荷辊29，对被夹于浸渍槽2的入口辊对27间的基板3施加载荷。然后，基板3和浸渍槽2的入口辊对27紧贴，能够防止薄膜化处理液1向上游侧逆流。

作为薄膜化处理液1(碱性水溶液)，使用10质量%的碳酸钠水溶液(液温度25℃)，以浸渍槽2的浸渍处理时间为30秒的方式进行薄膜化处理。此后，在胶束除去处理单元12中，除去不溶化的胶束，使抗蚀剂层薄膜化。在胶束除去处理后，实施水洗处理及干燥处理。此后，在10处测定抗蚀剂层的薄膜化部的厚度，最大值为13.3μm，最小值为10.9μm，平均厚度为12.1μm。此外，用光学显微镜观察被薄膜化的抗蚀剂层的表面，确认是平滑的面。

(实施例2)

薄膜化处理液逆流防止机构是具有比下侧辊32重的上侧辊30的浸渍槽2的入口辊对27，作为上侧辊30的表面的弹性体，除了将使用比下游辊32的弹性体密度大的弹性体的抗蚀剂层的薄膜化装置(图3)使用以外，与实施例1相同地，使抗蚀剂层薄膜化。借助该抗蚀剂层的薄膜化装置，也能够防止向浸渍槽2的入口辊对27的上游侧薄膜化处理液1向上游侧逆流。测定10个抗蚀剂层的薄膜化部的厚度，最大值为13.2μm，最小值为11.0μm，平均厚度为12.2μm。此外，用光学显微镜观察被薄膜化的抗蚀剂层的表面，确认平滑的表面。

(实施例3)

薄膜化处理液逆流防止机构是具有比下侧辊32重的上侧辊30的浸渍槽2的入口辊对27，除了使用上侧辊的辊轴31比下游辊的辊轴28重的抗蚀剂层的薄膜化装置(图4)以外，与实施例1相同地使抗蚀剂层薄膜化。借助该抗蚀剂层的薄膜化装置，也能够防止向浸渍槽2的入口辊对27的上游侧薄膜化处理液1向上游侧逆流。测定10个抗蚀剂层的薄膜化部的厚度，最大值为13.1μm，最小值为11.1μm，平均厚度为12.2μm。此外，用光学显微镜观察被薄膜化的抗蚀剂层的表面，确认平滑的表面。

(比较例1)

除了使用没有薄膜化处理液逆流防止机构的抗蚀剂层的薄膜化装置(图5)以外，与实施例1相同地，使抗蚀剂层薄膜化。在该抗蚀剂层的薄膜化装置中，向浸渍槽2的入口辊对27的上游侧，薄膜化处理液1向上游侧逆流。测定10个抗蚀剂层的薄膜化部的厚度，最大值为13.5μm，最小值为10.6μm，平均厚度为11.8μm。此外，用光学显微镜观察被薄膜化的抗蚀剂层的表面，厚度不均匀。

产业上的可利用性

本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置在印刷电路板、引线框的电路基板的制作、或具备倒装芯片连接用的连接焊板的封装基板的制作中，能够应用于形成抗蚀剂图案的用途。

附图标记说明

1 薄膜化处理液

2 浸渍槽

3 基板

4 搬运辊对

5 浸渍槽的出口辊对

6 薄膜化处理单元的出口辊对

7 投入口

8 除液辊对

9 胶束除去处理单元的入口辊对

10 胶束除去液

11 薄膜化处理单元

12 胶束除去处理单元

13 薄膜化处理液储存罐

14 薄膜化处理液吸入口

15 薄膜化处理液供给管

16 薄膜化处理液回收管

17 薄膜化处理液排水管

18 胶束除去液储存罐

19 胶束除去液吸入口

20 胶束除去液供给管

21 胶束除去液用喷嘴

22 胶束除去液喷雾

23 胶束除去液排水管

24 除液辊对用薄膜化处理液供给管

25 除液辊对用喷嘴

26 除液辊对用辊浸渍槽

27 浸渍槽的入口辊对

28 辊轴(轻)

29 载荷辊

30 浸渍槽的入口辊对的上侧辊

31 辊轴(重)

32 浸渍槽的入口辊对的下侧辊。

Claims (4)

1.一种抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置具备薄膜化处理单元，其特征在于，

前述薄膜化处理单元具有浸渍槽，前述浸渍槽装有薄膜化处理液，前述浸渍槽具有薄膜化处理液逆流防止机构。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

前述浸渍槽具有入口辊对，前述薄膜化处理液逆流防止机构是对前述浸渍槽的入口辊对的上侧辊施加载荷的载荷机构。

3.如权利要求2所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

前述载荷机构是前述浸渍槽的前述入口辊对的前述上侧辊上所具备的载荷辊。

4.如权利要求2所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

前述载荷机构是前述浸渍槽的前述入口辊对，前述上侧辊比前述入口辊对的下侧辊重。