CN207801881U - 共模扼流线圈以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种能够形成多个衰减极且能够降低传输损耗的共模扼流线圈以及电子设备。本实用新型涉及的共模扼流线圈的特征在于，具备：差动传输线路，包含第一信号线路以及第二信号线路；主电路，包含设置在所述第一信号线路的第一线圈、以及设置在所述第二信号线路且与所述第一线圈进行磁场耦合的第二线圈；以及并联谐振电路，包含与所述第一线圈以及所述第二线圈进行磁场耦合的第三线圈、以及与该第三线圈以电方式并联连接的第一电容器，所述主电路的第一谐振频率与所述并联谐振电路的第二谐振频率大致相等。

Description

共模扼流线圈以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及具备相互进行磁场耦合的第一线圈以及第二线圈的共模扼流线圈以及电子设备。

背景技术

作为以往的与共模扼流线圈相关的发明，例如，已知有专利文献1记载的共模噪声滤波器。图16是专利文献1记载的共模滤波器500的等效电路图。

如图16所示，共模滤波器500具备线圈502、504、506、508以及输入输出端子510、512、514、516。线圈502、504串联地连接在输入输出端子510与输入输出端子512之间。线圈506、508串联地连接在输入输出端子514与输入输出端子516之间。线圈502和线圈506进行磁场耦合，构成第一滤波器部。线圈504和线圈508进行磁场耦合，构成第二滤波器部。此外，第一滤波器部与第二滤波器部的耦合系数设定为-0.5～+0.5。

在以上那样的共模滤波器500中，第一滤波器部以及第二滤波器部在共模衰减特性中在不同的两个频带形成衰减极。其结果是，共模滤波器500 能够除去宽频带的共模噪声。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-195332号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

然而，在专利文献1记载的共模滤波器500中，由于以下说明的理由，容易产生大的传输损耗。更详细地，在共模滤波器500中，为了形成两个衰减极，将线圈502、504串联连接，并且将线圈506、508串联连接。因此，输入输出端子510与输入输出端子512之间的直流电阻值、以及输入输出端子514与输入输出端子516之间的直流电阻值变大。其结果是，在共模滤波器500中，产生大的传输损耗。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种能够在宽频带使共模噪声衰减、且能够降低传输损耗的共模扼流线圈以及电子设备。

用于解决课题的技术方案

(1)本实用新型的一个方式涉及的共模扼流线圈的特征在于，具备：差动传输线路，包含第一信号线路以及第二信号线路；主电路，包含第一线圈以及第二线圈，所述第一线圈设置在所述第一信号线路，所述第二线圈设置在所述第二信号线路，且与所述第一线圈进行磁场耦合；以及并联谐振电路，包含第三线圈以及第一电容器，所述第三线圈与所述第一线圈以及所述第二线圈进行磁场耦合，所述第一电容器与该第三线圈以电方式并联连接，所述主电路的第一谐振频率与所述并联谐振电路的第二谐振频率大致相等。

(2)优选地，在上述(1)中，

还具备：坯体，通过在第一方向上层叠多个基材层而构成，

所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈以及所述第一电容器由设置在所述基材层的导体层构成。

(3)优选地，在上述(2)中，

所述第一线圈、所述第二线圈以及所述第三线圈构成具有在所述第一方向上延伸的卷绕轴的螺旋状，

所述第一线圈包含第一线圈部以及第二线圈部，所述第一线圈部位于比所述第三线圈靠所述第一方向上的一侧，所述第二线圈部位于比该第三线圈靠该第一方向上的另一侧，

所述第二线圈包含第三线圈部以及第四线圈部，所述第三线圈部位于比所述第三线圈靠所述第一方向上的一侧，所述第四线圈部位于比该第三线圈靠该第一方向上的另一侧。

(4)优选地，在上述(2)或(3)中，

所述第一线圈以及所述第二线圈相互并行地环绕，

每当该第一线圈以及该第二线圈环绕一周时，所述第一线圈的直径以及所述第二线圈的直径变化为第一直径和比该第一直径大的第二直径。

(5)优选地，在上述(2)至(4)中，

所述多个基材层包含第一基材层以及第二基材层，

所述第一线圈以及所述第二线圈相互并行地环绕，

所述第一线圈包含多个第一线圈导体层以及将该多个第一线圈导体层进行连接的一个以上的第一层间连接导体，

所述第二线圈包含多个第二线圈导体层以及将该多个第二线圈导体层进行连接的一个以上的第二层间连接导体，

所述多个第一线圈导体层以及所述多个第二线圈导体层具有1/2周的量的长度，

设置在所述第一基材层上的一个所述第一线圈导体层与一个所述第二线圈导体层的第一组合、和设置在所述第二基材层上的一个所述第一线圈导体层与一个所述第二线圈导体层的第二组合在所述第一方向上交替地排列，

在所述第一组合中，所述第二线圈导体层以位于比所述第一线圈导体层靠内周侧的状态进行环绕，

在所述第二组合中，所述第二线圈导体层以位于比所述第一线圈导体层靠外周侧的状态进行环绕。

(6)优选地，在上述(2)至(5)中，

所述第三线圈包含隔着所述基材层对置的两个第三线圈导体层，

所述第一电容器是形成在所述两个第三线圈导体层之间的电容。

(7)优选地，在上述(6)中，

所述第三线圈包含具有第一端部以及第二端部的两个第三线圈导体层和第三层间连接导体，

所述第三层间连接导体通过在所述第一方向上贯通所述基材层，从而将所述两个第三线圈导体层的所述第一端部彼此进行连接，

所述两个第三线圈导体层的所述第二端部的宽度比该两个第三线圈导体层的除所述第一端部以及该第二端部以外的部分的宽度大，

所述两个第三线圈导体层的所述第二端部隔着所述基材层对置。

(8)优选地，在上述(7)中，

所述第一线圈以及所述第二线圈构成具有在所述第一方向上延伸的卷绕轴的螺旋状，

在从所述第一方向观察时，所述第二端部不与被所述第一线圈以及所述第二线圈所包围的区域的中心重叠。

(9)优选地，在上述(1)中，

所述主电路包含在所述第一线圈与所述第二线圈之间产生的寄生电容，

所述第一谐振频率由所述第一线圈、所述第二线圈以及所述寄生电容决定。

(10)优选地，在上述(1)中，

所述共模扼流线圈具有两个衰减极，所述两个衰减极具有相互不同的频率。

(11)本实用新型的一个方式涉及的电子设备的特征在于，具备电路和共模扼流线圈，所述共模扼流线圈具备：差动传输线路，包含与所述电路电连接的第一信号线路以及第二信号线路；主电路，包含第一线圈以及第二线圈，所述第一线圈设置在所述第一信号线路，所述第二线圈设置在所述第二信号线路，且与所述第一线圈进行磁场耦合；以及并联谐振电路，包含第三线圈以及第一电容器，所述第三线圈与所述第一线圈以及所述第二线圈进行磁场耦合，所述第一电容器与该第三线圈以电方式并联连接，所述主电路的第一谐振频率与所述并联谐振电路的第二谐振频率大致相等。

实用新型效果

根据本实用新型，能够在宽频带使共模噪声衰减，且能够降低传输损耗。

附图说明

图1是共模扼流线圈10的等效电路图。

图2是共模扼流线圈10的外观立体图。

图3是共模扼流线圈10的坯体12的分解立体图。

图4是共模扼流线圈10的坯体12的分解立体图。

图5是共模扼流线圈10的坯体12的分解图。

图6是共模扼流线圈10的坯体12的分解图。

图7是示出了轨迹R1、R2的图。

图8是示出了轨迹R3、R4的图。

图9是电子设备100的框图。

图10是比较例涉及的共模扼流线圈200的等效电路图。

图11是示出了共模扼流线圈200的共模噪声的通过特性(Scc21)的曲线图。

图12是共模扼流线圈10的说明用的等效电路图。

图13是示出了共模扼流线圈10的共模噪声的通过特性(Scc21)的曲线图。

图14是实施例涉及的共模扼流线圈310的局部分解立体图。

图15A是共模扼流线圈10的剖面构造图。

图15B是共模扼流线圈310的剖面构造图。

图16是专利文献1记载的共模滤波器500的等效电路图。

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的一个实施方式涉及的共模扼流线圈10 以及电子设备100进行说明。

(关于共模扼流线圈的等效电路图)

首先，参照附图对共模扼流线圈10的等效电路进行说明。图1是共模扼流线圈10的等效电路图。

如图1所示，共模扼流线圈10具备差动传输线路SL0、主电路MC、并联谐振电路LC以及外部电极14a～14d。差动传输线路SL0是用于传输差模信号的信号线路，包含信号线路SL1(第一信号线路的一个例子)以及信号线路SL2(第二信号线路的一个例子)。信号线路SL1的一端与外部电极14a连接，信号线路SL1的另一端与外部电极14b连接。信号线路 SL2的一端与外部电极14c连接，信号线路SL2的另一端与外部电极14d 连接。

主电路MC包含线圈L1(第一线圈的一个例子)、线圈L2(第二线圈的一个例子)以及寄生电容Cp1、Cp2。线圈L1设置在信号线路SL1 上。线圈L2设置在信号线路SL2上。线圈L1和线圈L2相互进行磁场耦合。寄生电容(电容器)Cp1、Cp2是在线圈L1与线圈L2之间产生的寄生电容。寄生电容Cp1连接在线圈L1的一端与线圈L2的一端之间。寄生电容Cp2连接在线圈L1的另一端与线圈L2的另一端之间。

像以上那样构成的主电路MC的谐振频率为频率f1(第一谐振频率的一个例子)。频率f1由线圈L1、L2的电感值以及寄生电容Cp1、Cp2的电容值决定。在本实施方式中，频率f1例如为3.2GHz。

并联谐振电路LC包含线圈L3(第三线圈的一个例子)以及电容器 C1(第一电容器的一个例子)。进而，线圈L3包含线圈La、Lb。线圈 La、线圈Lb以及电容器C1相互并联连接。线圈La与线圈L1、L2进行磁场耦合，主要与线圈L1进行磁场耦合。线圈Lb与线圈L1、L2进行磁场耦合，主要与线圈L2进行磁场耦合。另外，并联谐振电路LC未对信号线路SL1、SL2进行连接。

像以上那样构成的并联谐振电路LC的谐振频率为频率f2(第二谐振频率的一个例子)。频率f2由线圈L3的电感值以及电容器C1的电容值决定。而且，共模扼流线圈10被设计为频率f1与频率f2大致相等。在本实施方式中，频率f2例如为3.5GHz。

(关于共模扼流线圈的具体结构)

接着，参照附图对共模扼流线圈10的具体结构进行说明。图2是共模扼流线圈10的外观立体图。图3以及图4是共模扼流线圈10的坯体12 的分解立体图。图5以及图6是共模扼流线圈10的坯体12的分解图。其中，在图5以及图6中，省略了绝缘体层16a、16w。图7是示出了轨迹 R1、R2的图。图8是示出了轨迹R3、R4的图。

以下，将坯体12的层叠方向定义为上下方向(第一方向的一个例子)，在从上侧观察坯体12时，将坯体12的长边延伸的方向定义为左右方向，将坯体12的短边延伸的方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。

作为具体的结构，共模扼流线圈10具备坯体12、外部电极14a～14d、线圈导体层18a～18s、20a～20s、30a、30b、引出导体层24a、24b、26a、26b以及过孔导体v1～v40、v50。

坯体12通过从上侧向下侧依次层叠绝缘体层16a～16w(多个基材层的一个例子)而构成。绝缘体层16a～16w呈长方形，将LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics，低温共烧陶瓷)作为材料。以下，将绝缘体层16a～16w的上侧的主面称为正面，将绝缘体层16a～16w的下侧的主面称为背面。

外部电极14a在坯体12的后表面的左半部分的区域中构成在上下方向上延伸的带状。外部电极14b在坯体12的前表面的左半部分的区域中构成在上下方向上延伸的带状。外部电极14c在坯体12的后表面的右半部分的区域中构成在上下方向上延伸的带状。外部电极14d在坯体12的后表面的右半部分的区域中构成在上下方向上延伸的带状。外部电极14a～14d向上表面以及下表面折返。以上那样的外部电极14a～14d通过在以铜为主成分的基底电极上实施镀Ni以及镀Sn而形成。

像以下说明的那样，线圈L1～L3以及电容器C1由设置在绝缘体层的导体层构成。

线圈L1构成具有在上下方向上延伸的卷绕轴(未图示)的螺旋状，在本实施方式中，在从上侧观察时，构成在向逆时针方向环绕的同时从上侧向下侧前进的螺旋状。在从上侧观察时，线圈L1的卷绕轴位于坯体12 的对角线的交点。线圈L1包含线圈导体层18a～18s(多个第一线圈导体层的一个例子)以及过孔导体v1～v20(第一层间连接导体的一个例子)。

线圈导体层18a～18s分别是设置在绝缘体层16b～16l、16o～16v的正面上的线状的导体层，在从上侧观察时，通过相互重叠，从而如图7以及图 8所示地形成轨迹R1、R3。轨迹R1、R3呈长方形。其中，轨迹R1、R3 的左半部分分别大于轨迹R1、R3的右半部分。进而，轨迹R1的直径(第二直径的一个例子)大于轨迹R3的直径(第一直径的一个例子)。此外，轨迹R3收敛在轨迹R1内。另外，轨迹R1、R3呈长方形，而不是圆形。因此，所谓轨迹R1、R3的直径，设为从轨迹R1、R3的重心到轨迹R1、 R3的距离的平均值。

线圈导体层18a、18e、18i、18o、18s设置在绝缘体层16b、16f、16j、 16r、16v的正面的左半部分的区域。线圈导体层18a、18e、18i、18o、18s 从绝缘体层16b、16f、16j、16r、16v的后侧的长边的中央附近到绝缘体层16b、16f、16j、16r、16v的前侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。此外，线圈导体层18a、18e、18i、18o、 18s与轨迹R1的左半部分重叠，具有相对大的直径(第二直径的一个例子)。

线圈导体层18d、18h、18n、18r设置在绝缘体层16e、16i、16q、16u 的正面的右半部分的区域。线圈导体层18d、18h、18n、18r从绝缘体层 16e、16i、16q、16u的前侧的长边的中央附近到绝缘体层16e、16i、16q、 16u的后侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。此外，线圈导体层18d、18h、18n、18r与轨迹R1的右半部分重叠，并具有相对大的直径(第二直径的一个例子)。

线圈导体层18c、18g、18k、18m、18q设置在绝缘体层16d、16h、 16l、16p、16t的正面的左半部分的区域。线圈导体层18c、18g、18k、18m、 18q从绝缘体层16d、16h、16l、16p、16t的后侧的长边的中央附近到绝缘体层16d、16h、16l、16p、16t的前侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。此外，线圈导体层18c、18g、18k、18m、 18q与轨迹R3的左半部分重叠，并具有相对小的直径(第一直径的一个例子)。

线圈导体层18b、18f、18j、18l、18p设置在绝缘体层16c、16g、16k、 16o、16s的正面的右半部分的区域。线圈导体层18b、18f、18j、18l、18p 从绝缘体层16c、16g、16k、16o、16s的前侧的长边的中央附近到绝缘体层16c、16g、16k、16o、16s的后侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。此外，线圈导体层18b、18f、18j、18l、 18p与轨迹R3的右半部分重叠，并具有相对小的直径(第一直径的一个例子)。

在以上那样的线圈导体层18a～18s中，将逆时针方向上的上游侧的端部称为上游端，将逆时针方向上的下游侧的端部称为下游端。

过孔导体v1在上下方向上贯通绝缘体层16b，将线圈导体层18a的下游端与线圈导体层18b的上游端进行连接。过孔导体v2在上下方向上贯通绝缘体层16c，将线圈导体层18b的下游端与线圈导体层18c的上游端进行连接。过孔导体v3在上下方向上贯通绝缘体层16d，将线圈导体层 18c的下游端与线圈导体层18d的上游端进行连接。过孔导体v4在上下方向上贯通绝缘体层16e，将线圈导体层18d的下游端与线圈导体层18e的上游端进行连接。过孔导体v5在上下方向上贯通绝缘体层16f，将线圈导体层18e的下游端与线圈导体层18f的上游端进行连接。过孔导体v6在上下方向上贯通绝缘体层16g，将线圈导体层18f的下游端与线圈导体层18g 的上游端进行连接。过孔导体v7在上下方向上贯通绝缘体层16h，将线圈导体层18g的下游端与线圈导体层18h的上游端进行连接。过孔导体v8 在上下方向上贯通绝缘体层16i，将线圈导体层18h的下游端与线圈导体层18i的上游端进行连接。过孔导体v9在上下方向上贯通绝缘体层16j，将线圈导体层18i的下游端与线圈导体层18j的上游端进行连接。过孔导体v10在上下方向上贯通绝缘体层16k，将线圈导体层18j的下游端与线圈导体层18k的上游端进行连接。

过孔导体v11～v13在上下方向上贯通绝缘体层16l～16n且相互连接而构成一连串的过孔导体。过孔导体v11～v13将线圈导体层18k的下游端与线圈导体层18l的上游端进行连接。过孔导体v14在上下方向上贯通绝缘体层16o，将线圈导体层18l的下游端与线圈导体层18m的上游端进行连接。过孔导体v15在上下方向上贯通绝缘体层16p，将线圈导体层18m的下游端与线圈导体层18n的上游端进行连接。过孔导体v16在上下方向上贯通绝缘体层16q，将线圈导体层18n的下游端与线圈导体层18o的上游端进行连接。过孔导体v17在上下方向上贯通绝缘体层16r，将线圈导体层18o的下游端与线圈导体层18p的上游端进行连接。过孔导体v18在上下方向上贯通绝缘体层16s，将线圈导体层18p的下游端与线圈导体层18q 的上游端进行连接。过孔导体v19在上下方向上贯通绝缘体层16t，将线圈导体层18q的下游端与线圈导体层18r的上游端进行连接。过孔导体v20 在上下方向上贯通绝缘体层16u，将线圈导体层18r的下游端与线圈导体层18s的上游端进行连接。

在像以上那样构成的线圈L1中，线圈导体层18b、18c以相对小的直径环绕一周，线圈导体层18d、18e以相对大的直径环绕一周。此外，关于线圈导体层18f～18s，也是由相互连接的两个线圈导体层以相对小的直径环绕一周，并由相互连接的两个线圈导体层以相对大的直径环绕一周。其结果是，每当线圈L1环绕一周时，线圈L1的直径变化为相对小的直径(第一直径的一个例子)和相对大的直径(第二直径的一个例子)。

信号线路SLl包含引出导体层24a、24b。引出导体层24a是设置在绝缘体层16b的正面的线状的导体层，将线圈导体层18a的上游端与外部电极14a进行连接。引出导体层24b是设置在绝缘体层16v的正面的线状的导体层，将线圈导体层18s的下游端与外部电极14b进行连接。

线圈L2构成具有在上下方向上延伸的卷绕轴(未图示)的螺旋状，在本实施方式中，在从上侧观察时，构成在向逆时针方向环绕的同时从上侧向下侧前进的螺旋状。在从上侧观察时，线圈L2的卷绕轴位于坯体12 的对角线的交点。此外，线圈L2与线圈L1并行地环绕。线圈L2包含线圈导体层20a～20s(多个第二线圈导体层的一个例子)以及过孔导体 v21～v40(第二层间连接导体的一个例子)。

线圈导体层20a～20s分别是设置在绝缘体层16b～16l、16o～16v的正面上的线状的导体层，在从上侧观察时，通过相互重叠，从而如图7以及图 8所示地形成轨迹R2、R4。轨迹R2、R4呈长方形。其中，轨迹R2、R4 的右半部分分别大于轨迹R2、R4的左半部分。进而，轨迹R2的直径(第二直径的一个例子)大于轨迹R4的直径(第一直径的一个例子)。此外，轨迹R4收敛在轨迹R2内。另外，轨迹R2、R4呈长方形，而不是圆形。因此，所谓轨迹R2、R4的直径，设为从轨迹R2、R4的重心到轨迹R2、 R4的距离的平均值。

线圈导体层20a、20e、20i、20o、20s设置在绝缘体层16b、16f、16j、 16r、16v的正面的左半部分的区域。线圈导体层20a、20e、20i、20o、20s 从绝缘体层16b、16f、16j、16r、16v的后侧的长边的中央附近到绝缘体层16b、16f、16j、16r、16v的前侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。其中，线圈导体层20a、20e、20i、20o、 20s分别以位于比线圈导体层18a、18e、18i、18o、18s靠内周侧的状态进行环绕。此外，线圈导体层20a、20e、20i、20o、20s与轨迹R2的左半部分重叠，并具有相对大的直径(第二直径的一个例子)。

线圈导体层20d、20h、20n、20r设置在绝缘体层16e、16i、16q、16u 的正面的右半部分的区域。线圈导体层20d、20h、20n、20r从绝缘体层 16e、16i、16q、16u的前侧的长边的中央附近到绝缘体层16e、16i、16q、 16u的后侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。其中，线圈导体层20d、20h、20n、20r分别以位于比线圈导体层 18d、18h、18n、18r靠外周侧的状态进行环绕。此外，线圈导体层20d、 20h、20n、20r与轨迹R2的右半部分重叠，并具有相对大的直径(第二直径的一个例子)。

线圈导体层20c、20g、20k、20m、20q设置在绝缘体层16d、16h、 16l、16p、16t的正面的左半部分的区域。线圈导体层20c、20g、20k、20m、 20q从绝缘体层16d、16h、16l、16p、16t的后侧的长边的中央附近到绝缘体层16d、16h、16l、16p、16t的前侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。其中，线圈导体层20c、20g、20k、20m、 20q分别以位于比线圈导体层18c、18g、18k、18m、18q靠内周侧的状态进行环绕。此外，线圈导体层20c、20g、20k、20m、20q与轨迹R4的左半部分重叠，并具有相对小的直径(第一直径的一个例子)。

线圈导体层20b、20f、20j、20l、20p设置在绝缘体层16c、16g、16k、 16o、16s的正面的右半部分的区域。线圈导体层20b、20f、20j、20l、20p 从绝缘体层16c、16g、16k、16o、16s的前侧的长边的中央附近到绝缘体层16c、16g、16k、16o、16s的后侧的长边的中央附近为止向逆时针方向环绕，具有1/2周的量的长度。其中，线圈导体层20b、20f、20j、20l、 20p分别以位于比线圈导体层18b、18f、18j、18l、18p靠外周侧的状态进行环绕。此外，线圈导体层20b、20f、20j、20l、20p与轨迹R4的右半部分重叠，并具有相对小的直径(第一直径的一个例子)。

在以上那样的线圈导体层20a～20s中，将逆时针方向上的上游侧的端部称为上游端，将逆时针方向上的下游侧的端部称为下游端。

过孔导体v21在上下方向上贯通绝缘体层16b，将线圈导体层20a的下游端与线圈导体层20b的上游端进行连接。过孔导体v22在上下方向上贯通绝缘体层16c，将线圈导体层20b的下游端与线圈导体层20c的上游端进行连接。过孔导体v23在上下方向上贯通绝缘体层16d，将线圈导体层20c的下游端与线圈导体层20d的上游端进行连接。过孔导体v24在上下方向上贯通绝缘体层16e，将线圈导体层20d的下游端与线圈导体层20e 的上游端进行连接。过孔导体v25在上下方向上贯通绝缘体层16f，将线圈导体层20e的下游端与线圈导体层20f的上游端进行连接。过孔导体v26 在上下方向上贯通绝缘体层16g，将线圈导体层20f的下游端与线圈导体层20g的上游端进行连接。过孔导体v27在上下方向上贯通绝缘体层16h，将线圈导体层20g的下游端与线圈导体层20h的上游端进行连接。过孔导体v28在上下方向上贯通绝缘体层16i，将线圈导体层20h的下游端与线圈导体层20i的上游端进行连接。过孔导体v29在上下方向上贯通绝缘体层16j，将线圈导体层20i的下游端与线圈导体层20j的上游端进行连接。过孔导体v30在上下方向上贯通绝缘体层16k，将线圈导体层20j的下游端与线圈导体层20k的上游端进行连接。

过孔导体v31～v33在上下方向上贯通绝缘体层16l～16n且相互连接而构成一连串的过孔导体。过孔导体v31～v33将线圈导体层20k的下游端与线圈导体层20l的上游端进行连接。过孔导体v34在上下方向上贯通绝缘体层16o，将线圈导体层20l的下游端与线圈导体层20m的上游端进行连接。过孔导体v35在上下方向上贯通绝缘体层16p，将线圈导体层20m的下游端与线圈导体层20n的上游端进行连接。过孔导体v36在上下方向上贯通绝缘体层16q，将线圈导体层20n的下游端与线圈导体层20o的上游端进行连接。过孔导体v37在上下方向上贯通绝缘体层16r，将线圈导体层20o的下游端与线圈导体层20p的上游端进行连接。过孔导体v38在上下方向上贯通绝缘体层16s，将线圈导体层20p的下游端与线圈导体层20q 的上游端进行连接。过孔导体v39在上下方向上贯通绝缘体层16t，将线圈导体层20q的下游端与线圈导体层20r的上游端进行连接。过孔导体v40 在上下方向上贯通绝缘体层16u，将线圈导体层20r的下游端与线圈导体层20s的上游端进行连接。

在像以上那样构成的线圈L2中，线圈导体层20b、20c以相对小的直径环绕一周，线圈导体层20d、20e以相对大的直径环绕一周。此外，关于线圈导体层20f～20s，也是由相互连接的两个线圈导体层以相对小的直径环绕一周，并由相互连接的两个线圈导体层以相对大的直径环绕一周。其结果是，每当线圈L2环绕一周时，线圈L2的直径变化为相对小的直径(第一直径的一个例子)和相对大的直径(第二直径的一个例子)。

将设置在绝缘体层16b(第一绝缘体层的一个例子)上的线圈导体层 18a与线圈导体层20a的组合称为第一组合。以下，同样地，将分别设置在绝缘体层16d、16f、16h、16j、16l、16p、16r、16t、16v(第一绝缘体层的一个例子)上的一个线圈导体层18c、18e、18g、18i、18k、18m、18o、 18q、18s与一个线圈导体层20c、20e、20g、20i、20k、20m、20o、20q、 20s的组合称为第一组合。在各第一组合中，线圈导体层20a、20c、20e、 20g、20i、20k、20m、20o、20q、20s以位于比线圈导体层18a、18c、18e、 18g、18i、18k、1gm、18o、18q、18s靠内周侧的状态进行环绕。

将设置在绝缘体层16c(第二绝缘体层的一个例子)上的线圈导体层 18b与线圈导体层20b的组合称为第二组合。以下，同样地，将分别设置在绝缘体层16e、16g、16i、16k、16l、16q、16s、16u(第二绝缘体层的一个例子)上的一个线圈导体层18d、18f、18h、18j、18l、18n、18p、18r 与一个线圈导体层20d、20f、20h、20j、20l、20n、20p、20r的组合称为第二组合。在各第二组合中，线圈导体层20b、20d、20f、20h、20j、20l、 20n、20p、20r以位于比线圈导体层18b、18d、18f、18h、18j、18l、18n、 18p、18r靠外周侧的状态进行环绕。

以上那样的第一组合和第二组合在上下方向上交替地排列。由此，线圈L1与线圈L2的位置关系每隔1/2周在内周侧与外周侧之间调换。

信号线路SL2包含引出导体层26a、26b。引出导体层26a是设置在绝缘体层16b的正面的线状的导体层，将线圈导体层20a的上游端与外部电极14c进行连接。引出导体层26b是设置在绝缘体层16v的正面的线状的导体层，将线圈导体层20s的下游端与外部电极14d进行连接。

线圈L3构成具有在上下方向上延伸的卷绕轴(未图示)的螺旋状，在本实施方式中，在从上侧观察时，构成在向逆时针方向环绕的同时从上侧向下侧前进的螺旋状。在从上侧观察时，线圈L3的卷绕轴位于坯体12 的对角线的交点。线圈L3包含线圈导体层30a、30b(第三线圈导体层的一个例子)以及过孔导体v50(第三层间连接导体的一个例子)。

线圈导体层30a是设置在绝缘体层16m的正面上的线状的导体层，在从上侧观察时，构成在向逆时针方向环绕的同时从内周侧朝向外周侧的漩涡状。线圈导体层30b是设置在绝缘体层16n的正面上的线状的导体层，在从上侧观察时，构成在向逆时针方向环绕的同时从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在以上那样的线圈导体层30a中，将逆时针方向上的上游侧的端部称为上游端t2，将逆时针方向上的下游侧的端部称为下游端t1。在线圈导体层30b中，将逆时针方向上的上游侧的端部称为上游端t3，将逆时针方向上的下游侧的端部称为下游端t4。

线圈导体层30a的上游端t2(第二端部的一个例子)的宽度比线圈导体层30a的除下游端t1以及上游端t2以外的部分的宽度大。同样地，线圈导体层30b的下游端t4(第二端部的一个例子)的宽度比线圈导体层30b 的除上游端t3以及下游端t4以外的部分的宽度大。而且，上游端t2与下游端t4隔着绝缘体层16m对置。由此，在上游端t2与下游端t4之间形成了电容。进而，线圈导体层30a的除上游端t2以外的部分与线圈导体层 30b的除下游端t4以外的部分隔着绝缘体层16m对置。由此，在线圈导体层30a的除上游端t2以外的部分与线圈导体层30b的除下游端t4以外的部分之间形成了电容。电容器C1是这两个电容的合计，是形成在线圈导体层30a与线圈导体层30b之间的电容。在此，所谓宽度，是指在与线圈导体层30a、30b的延伸方向正交的方向上的线圈导体层30a、30b的宽度。

进而，在从上侧观察时，上游端t2以及下游端t4不与被线圈L1、L2 所包围的区域的中心(即，线圈L1、L2的卷绕轴)重叠。在本实施方式中，上游端t2以及下游端t4位于比线圈L1、L2的卷绕轴靠右侧。

过孔导体v50在上下方向上贯通绝缘体层16m，将线圈导体层30a的下游端t1(第一端部的一个例子)与线圈导体层30b的上游端t3(第一端部的一个例子)(第一端部彼此的一个例子)进行连接。

此外，过孔导体v11～v13、v31～v33在上下方向上通过线圈导体层30a、 30b的内周侧的部分与线圈导体层30a、30b的外周侧的部分之间。

在像以上那样构成的共模扼流线圈10中，线圈L3被线圈L1、L2从上下方向上的两侧夹住。更详细地，线圈L1包含线圈部Lpl、Lp2。线圈部Lpl是线圈导体层18a～18k以及过孔导体v1～v10。即，线圈部Lp1(第一线圈部的一个例子)是位于比线圈L3靠上侧(第一方向上的一侧的一个例子)的部分。线圈部Lp2(第二线圈部的一个例子)是线圈导体层18l～18s以及过孔导体v14～v20。即，线圈部Lp2是位于比线圈L3靠下侧(第一方向上的另一侧的一个例子)的部分。

此外，线圈L2包含线圈部Lp3、Lp4。线圈部Lp3(第三线圈部的一个例子)是线圈导体层20a～20k以及过孔导体v21～v30。即，线圈部Lp3 是位于比线圈L3靠上侧(第一方向上的一侧的一个例子)的部分。线圈部Lp4(第四线圈部的一个例子)是线圈导体层20l～20s以及过孔导体 v34～v40。即，线圈部Lp4是位于比线圈L3靠下侧(第一方向上的另一侧的一个例子)的部分。像以上那样，线圈部Lp1、Lp3位于线圈L3的上侧且线圈部Lp2、Lp4位于线圈L3的下侧，由此，线圈L3位于坯体12的上下方向上的中央附近。

以上那样的线圈导体层18a～18s、20a～20s、30a、30b以及引出导体层 24a、24b、26a、26b例如通过将以铜等金属为主成分的导电性膏涂敷在绝缘体层16b～16v而形成。此外，过孔导体v1～v40、v50例如通过对在上下方向上贯通绝缘体层16b～16u的过孔填充以铜等金属为主成分的导电性膏而形成。

接着，对共模扼流线圈10的动作进行说明。外部电极14a、14c例如用作输入端子。外部电极14b、14d例如用作输出端子。

在外部电极14a、14c分别输入由相位相差180度的第一信号以及第二信号构成的差动传输信号。由于第一信号以及第二信号是差模，所以在通过线圈L1、L2时会使线圈L1、L2产生相互反向的磁通量。而且，由线圈L1产生的磁通量与由线圈L2产生的磁通量相互抵消。因此，在线圈 L1、L2内，几乎不会产生由于流过第一信号以及第二信号而造成的磁通量的增减。即，线圈L1、L2不产生妨碍第一信号以及第二信号流过的反向电动势。因此，共模扼流线圈10对第一信号以及第二信号仅具有非常小的阻抗。

另一方面，在第一信号以及第二信号中包含共模噪声的情况下，共模噪声在通过线圈L1、L2时使线圈L1、L2产生相同方向的磁通量。因此，在线圈L1、L2内，由于流过共模噪声，所以磁通量增加。由此，线圈L1、 L2产生妨碍共模噪声流过的反向电动势。因此，共模扼流线圈10对共模噪声具有大的阻抗。

以上那样的共模扼流线圈10在工作频带中在共模噪声的通过特性 (Scc21)具有两个衰减极。将两个衰减极的频率设为频率fa、fb。频率 fb高于频率fa。此时，主电路MC的谐振频率f1以及并联谐振电路LC的谐振频率f2成为fa以上且fb以下。例如，在共模扼流线圈10被用于USB3.0 和USB3.1的差动传输线路的情况下，频率fa为作为USB3.0的基频的2.5GHz(数据传送速度5.0Gbps)，频率fb为作为USB3.1的基频的5.0GHz (数据传送速度10.0Gbps)。即，共模扼流线圈10从差动传输信号中除去2.5GHz(频率fa)以及5.0GHz(频率fb)的共模噪声。

(关于电子设备)

接着，参照附图对使用了共模扼流线圈10的电子设备100进行说明。图9是电子设备100的框图。

电子设备100例如是个人电脑、便携式电话等，具备共模扼流线圈10、外部电极114a、114b以及接口IC120(电路的一个例子)。外部电极114a、 114b分别与外部电极14a、14c电连接。此外，外部电极14b、14d与接口 IC120电连接。即，信号线路SLl、SL2经由外部电极14b、14d与接口IC120 连接。接口IC120例如是USB收发器IC。

在以上那样的电子设备100中，共模扼流线圈10从对接口IC输入的差动传输信号除去共模噪声，或者从由接口IC输出的差动传输信号除去共模噪声。

(关于共模扼流线圈的制造方法)

接着，参照附图对共模扼流线圈10的制造方法进行说明。

首先，准备应成为图3以及图4的绝缘体层16a～16w的陶瓷生片。具体地，通过刮刀法将LTCC的陶瓷浆料在载置片上形成为片状并使其干燥，制作厚度为20μm的应成为绝缘体层16a～16w的陶瓷生片。

接着，如图3以及图4所示，向应成为绝缘体层16b～16u的陶瓷生片的应形成过孔导体v1～v40、v50的位置照射激光束，从而形成过孔。接着，通过印刷涂敷等方法对该过孔填充以铜为主成分的导电性膏。

接着，如图3以及图4所示，在应成为绝缘体层16b～16v的陶瓷生片的正面上形成线圈导体层18a～18s、20a～20s、30a、30b以及引出导体层 24a、24b、26a、26b。具体地，通过用丝网印刷法、光刻法等方法在应成为绝缘体层16b～16v的陶瓷生片的正面上涂敷以铜为主成分的导电性膏，从而形成线圈导体层18a～18s、20a～20s、30a、30b以及引出导体层24a、 24b、26a、26b。另外，形成线圈导体层18a～18s、20a～20s、30a、30b以及引出导体层24a、24b、26a、26b的工序和对过孔填充导电性膏的工序也可以在相同工序中进行。

接着，如图3以及图4所示，将应成为绝缘体层16a～16w的陶瓷生片进行层叠、压接，使得依次排列，得到未烧成的母层叠体。关于应成为绝缘体层16a～16w的陶瓷生片的层叠、压接，在一片一片地进行层叠并进行临时压接而得到母坯体之后，通过等静压等对未烧成的母坯体进行加压，从而进行正式压接。

接着，通过切割刀将母坯体切割为给定尺寸的坯体12。由此，得到未烧成的坯体12。对该未烧成的坯体12进行脱粘合剂处理以及烧成。

接着，对坯体12实施滚筒研磨加工，从而进行倒角。进而，通过将以铜为主成分的导电性膏涂敷于坯体12，从而形成外部电极14a～14d的基底电极。然后，通过对基底电极实施镀Ni以及镀Sn，从而形成外部电极 14a～14d。通过以上的工序，完成图2所示的共模扼流线圈10。

(效果)

像以下说明的那样，根据本实施方式涉及的共模扼流线圈10，能够形成多个衰减极，且能够降低传输损耗。图10是比较例涉及的共模扼流线圈200的等效电路图。图11是示出了共模扼流线圈200的共模噪声的通过特性(Scc21)的曲线图。图12是共模扼流线圈10的说明用的等效电路图。图13是示出了共模扼流线圈10的共模噪声的通过特性(Scc21) 的曲线图。在图11以及图13中，纵轴表示衰减量，横轴表示频率。

图10所示的比较例涉及的共模扼流线圈200与共模扼流线圈10的不同点在于，不具备并联谐振电路LC。关于共模扼流线圈200的其它结构，与共模扼流线圈10相同，因此省略说明。此外，对于共模扼流线圈200 中与共模扼流线圈10共同的结构，使用了相同的附图标记。

共模扼流线圈200具备主电路MC。因此，如图11所示，共模扼流线圈200的衰减极的频率为频率f1。像这样，在两个线圈L1、L2中，仅得到一个衰减极。

因此，本申请发明人进行了创意设计，结果发现，像以下说明的那样，通过将共模扼流线圈10设计为频率f1与频率f2大致相等，从而可得到具有频率fa、fb的两个衰减极。

线圈L1、L2以及寄生电容Cp1、Cp2构成在频率f1除去共模的共模滤波器。此时，线圈L1和线圈L2相互增强磁场并以频率f1谐振。将在频率f1附近谐振的由线圈L3以及电容器C1构成的并联谐振器配置为妨碍该磁场。在该情况下，由线圈L3以及电容器C1构成的谐振电路接受线圈L1、L2的磁场能量而谐振。其结果是，产生磁场，使得妨碍线圈L1、 L2的磁场。因此，在基于线圈L3以及电容器C1的谐振频率以上的频率，线圈L1以及线圈L2的磁场被线圈L3以及电容器C1分离。由此，线圈 L1以及线圈L2的值减小为大约1/2，在频率f2处新出现谐振。通过使线圈L3以及电容器C1的谐振器的位置向片材方向变化，从而线圈L1、L2 被分离的电感值变化。由此，例如，若将谐振器置于将线圈L1、L2分离为1：3的位置，则能够生成两个谐振点(除了频率f2以外，还有一个)。

线圈L3与线圈L1、L2进行磁场耦合。通过这样的磁场耦合，如图 12所示，能够视为线圈L1与并联谐振电路LC1串联地连接且线圈L2与并联谐振电路LC2串联地连接。并联谐振电路LC1由线圈L4和电容器 C2并联连接而构成。并联谐振电路LC2由线圈L5和电容器C2并联连接而构成。线圈L4的电感值由线圈L1、L3的电感值、线圈L1与线圈L3 的耦合度等决定。线圈L5的电感值由线圈L2、L3的电感值、线圈L2与线圈L3的耦合度等决定。在本实施方式中，设线圈L4的电感值与线圈 L5的电感值相等。在该情况下，并联谐振电路LC1、LC2的谐振频率成为频率fb(5.0GHz)。因此，共模扼流线圈200会对频率fb(5.0GHz) 的共模噪声产生大的阻抗。

进而，线圈L1、L2与线圈L3进行磁场耦合。因此，线圈L1、L2的电感值会受到磁场耦合的影响。因此，主电路MC的谐振频率也从频率f1 变动而成为频率fa(2.5GHz)。基于以上理由，共模扼流线圈10在共模噪声的通过特性中具有两个衰减极。

进而，在共模扼流线圈10中，在外部电极14a与外部电极14b之间设置有一个线圈L1，并在外部电极14c与外部电极14d之间设置有一个线圈L2。因此，在共模扼流线圈10中，无需像专利文献1记载的共模滤波器500那样，将线圈502、504串联连接，并且将线圈506、508串联连接。其结果是，在共模扼流线圈10中，可抑制直流电阻值的增大，可抑制传输损耗的增大。

此外，在共模扼流线圈10中，能够谋求小型化。更详细地，在专利文献1记载的共模滤波器500中，通过线圈502与线圈504之间的电容以及线圈506与线圈508之间的电容形成了衰减极。在共模滤波器500中，由线圈502、506构成的第一滤波器部与由线圈504、508构成的第二滤波器部的耦合系数小，因此线圈502与线圈504之间的电容以及线圈506与线圈508之间的电容变小。因此，共模滤波器500的衰减极的频率变高。因此，需要增大线圈502、504、506、508的电感值，从而使衰减极的频率下降至所希望的频率。其结果是，存在共模滤波器500大型化这样的问题。

因此，在共模扼流线圈10中，通过以下的两个电容形成了电容器C3。第一个电容是通过线圈导体层30a与线圈导体层30b对置而形成的电容。第二个电容是在线圈导体层30a的上游端t2与线圈导体层30b的下游端t4 之间形成的电容。由此，电容器C3具有大的电容值。其结果是，可抑制线圈L2的大型化，可谋求共模扼流线圈10的小型化。

此外，在共模扼流线圈10中，能够抑制线圈L1、L2的电感值的下降。在线圈L1、L2的卷绕轴附近，磁通量密度增高。因此，不优选在线圈L1、 L2的卷绕轴附近配置妨碍磁场那样的导体。因此，在共模扼流线圈10中，在从上侧观察时，上游端t2以及下游端t4不与被线圈L1、L2所包围的区域的中心(即，线圈L1、L2的卷绕轴)重叠。由此，可抑制线圈L1、L2 的电感值下降。

此外，在共模扼流线圈10中，可抑制在线圈L1与线圈L2之间产生大的电容。以下，作为实施例，举例说明线圈L1的直径以及线圈L2的直径均匀的共模扼流线圈。图14是实施例涉及的共模扼流线圈310的局部分解立体图。图15A是共模扼流线圈10的剖面构造图。图15B是共模扼流线圈310的剖面构造图。

实施例涉及的共模扼流线圈310也包含于本实用新型的共模扼流线圈的概念。此外，在实施例涉及的共模扼流线圈310中，对于与共模扼流线圈10对应的结构使用相同的附图标记。

在共模扼流线圈310中，如图14所示，例如，线圈导体层18c、20c 与线圈导体层18e、20e构成相同的形状。而且，在线圈导体层18c、20c 与线圈导体层18e、20e之间，存在两层绝缘体层16d、16e。因此，如图 15B所示，线圈导体层18c与线圈导体层20e接近，线圈导体层20c与线圈导体层18e接近。因此，在线圈L1与线圈L2之间形成大的电容。

另一方面，在共模扼流线圈10中，每当线圈L1、L2环绕一周时，线圈L1的直径以及线圈L2的直径变化为相对大的直径和相对小的直径。因此，如图15A所示，共模扼流线圈10中的线圈导体层18c与线圈导体层 20e的距离和共模扼流线圈310中的线圈导体层18c与线圈导体层20e的距离大致相等。另一方面，共模扼流线圈10中的线圈导体层18e与线圈导体层20c的距离比共模扼流线圈310中的线圈导体层18e与线圈导体层 20c的距离长。因此，在共模扼流线圈10中在线圈L1与线圈L2之间产生的电容比在共模扼流线圈310中在线圈L1与线圈L2之间产生的电容小。根据以上，在共模扼流线圈10中，可抑制在线圈L1与线圈L2之间产生大的电容。

此外，在共模扼流线圈10中，能够使线圈Ll与线圈L2的构造接近。更详细地，在共模扼流线圈10中，第一组合和第二组合在上下方向上交替地排列。在各第一组合中，线圈导体层20a、20c、20e、20g、20i、20k、 20m、20o、20q、20s以位于比线圈导体层18a、18c、18e、18g、18i、18k、 18m、18o、18q、18s靠内周侧的状态进行环绕。在各第二组合中，线圈导体层20b、20d、20f、20h、20j、20l、20n、20p、20r以位于比线圈导体层18b、18d、18f、18h、18j、18l、18n、18p、18r靠外周侧的状态进行环绕。由此，线圈L1与线圈L2的位置关系每隔1/2周在内周侧与外周侧之间调换。因此，线圈L1与线圈L2的长度接近，线圈L1与线圈L2的构造接近。其结果是，在共模噪声输入到线圈L1、L2时，线圈L1因共模噪声而产生的磁场的强度与线圈L2因共模噪声而产生的磁场的强度接近。因此，这些磁场抵消，可有效地除去共模噪声。

此外，能够消除共模扼流线圈10的方向性。更详细地，通过线圈部Lp1、Lp3位于线圈L3的上侧且线圈部Lp2、Lp4位于线圈L3的下侧，从而线圈L3位于坯体12的上下方向上的中央附近。由此，能够使比线圈 L3靠上侧的部分(线圈部Lp1、Lp3)的构造与比线圈L3靠下侧的部分 (线圈部Lp2、Lp4)的构造接近。其结果是，能够使将外部电极14a、14c 用作输入端子的情况下的共模扼流线圈10的特性与将外部电极14b、14d 用作输入端子的情况下的共模扼流线圈10的特性接近。其结果是，共模扼流线圈10的方向性消失。由此，无需在坯体12的上表面设置方向识别标记。但是，上述记载并不妨碍设置方向识别标记。

此外，在共模扼流线圈10中，能够将坯体12的上表面以及下表面的双方用作与电路基板对置的安装面。更详细地，通过线圈部Lpl、Lp3位于线圈L3的上侧且线圈部Lp2、Lp4位于线圈L3的下侧，从而线圈L3 位于坯体12的上下方向上的中央附近。由此，能够使比线圈L3靠上侧的部分(线圈部Lp1、Lp3)的构造与比线圈L3靠下侧的部分(线圈部Lp2、 Lp4)的构造接近。因此，能够使将坯体12的上表面作为安装面的情况下的共模扼流线圈10的特性与将坯体12的下表面作为安装面的情况下的共模扼流线圈10的特性接近。因此，在共模扼流线圈10中，能够将坯体12 的上表面以及下表面的双方用作与电路基板对置的安装面。其结果是，无需在坯体12的上表面或底面设置方向识别标记。但是，上述记载并不妨碍设置方向识别标记。

此外，在共模扼流线圈10中，可抑制流过过孔导体v11～v13、v31～v33 的高频信号受到线圈L3的磁场的影响。更详细地，在线圈导体层30a、30b 的内周侧的部分与线圈导体层30a、30b的外周侧的部分之间，这些部分各自产生的磁场相互抵消。因此，过孔导体v11～v13、v31～v33在上下方向上通过线圈导体层30a、30b的内周侧的部分与线圈导体层30a、30b的外周侧的部分之间。其结果是，可抑制流过过孔导体v11～v13、v31～v33 的高频信号受到线圈L3的磁场的影响。

(其它实施方式)

另外，本实用新型涉及的共模扼流线圈以及电子设备并不限于上述实施方式涉及的共模扼流线圈10、310以及电子设备100，能够在其主旨的范围内进行变更。

另外，虽然共模扼流线圈10、310通过逐次压接法来制作，但是，例如也可以通过印刷法、光刻法等其它的方法来制作。印刷法是交替地重复陶瓷浆料的涂敷和导电性膏的涂敷的方法。光刻法是通过光刻法来形成由树脂构成的绝缘体层16a～16w的方法。

另外，虽然绝缘体层16a～16w的材料设为了LTCC，但是也可以使用树脂材料等LTCC以外的材料。作为绝缘体层16a～16w的材料，也可以使用铁氧体等磁性体材料。但是，在使用磁性体材料的情况下，在高频带中存在损耗增加的趋势，因此作为绝缘体层16a～16w的材料，优选利用在高频带中不易产生损耗的非磁性体材料。

另外，在共模扼流线圈10中使用的各谐振频率为一个例子，也可以是其它频率。

另外，线圈导体层30a、30b的上游端t2以及下游端t4的宽度也可以与线圈导体层30a、30b的上游端t2以及下游端t4以外的部分的宽度相等。

另外，所谓频率f1与频率f2大致相等，是指如下的概念，即，包含例如频率f1与频率f2一致的情况，以及频率f1与频率f2之差为几百MHz 程度的情况。但是，只要至少频率f1以及频率f2收敛于频率fa以上且频率fb以下的范围，便称为频率f1与频率f2大致相等。

此外，虽然在共模扼流线圈10中设置有一个并联谐振电路LC，但是也可以设置有两个以上的并联谐振电路LC。两个以上的并联谐振电路LC 的线圈L3分别对线圈L1、L2进行磁场耦合。由此，能够将共模噪声的通过特性中的衰减极形成三个以上。

产业上的可利用性

像以上那样，本实用新型对于共模扼流线圈以及电子设备是有用的，特别是，在能够形成多个衰减极且能够降低传输损耗方面是优异的。

附图标记说明

10、310：共模扼流线圈；

12：坯体；

14a～14d、114a、114b：外部电极；

16a～16w：绝缘体层；

18a～18s、20a～20s、30a、30b：线圈导体层；

24a、24b、26a、26b：引出导体层；

100：电子设备；

C1～C3：电容器；

Cp1、Cp2：寄生电容；

120：接口IC；

L1～L5：线圈；

LC、LC1、LC2：并联谐振电路；

La、Lb：线圈；

Lp1～Lp4：线圈部；

MC：主电路；

R1～R4：轨迹；

SL0：差动传输线路；

SL1、SL2：信号线路；

t1、t4：下游端；

t2、t3：上游端；

v1～v40、v50：过孔导体。

Claims (11)

1.一种共模扼流线圈，其特征在于，具备：

差动传输线路，包含第一信号线路以及第二信号线路；

主电路，包含第一线圈以及第二线圈，所述第一线圈设置在所述第一信号线路，所述第二线圈设置在所述第二信号线路，且与所述第一线圈进行磁场耦合；以及

并联谐振电路，包含第三线圈以及第一电容器，所述第三线圈与所述第一线圈以及所述第二线圈进行磁场耦合，所述第一电容器与该第三线圈以电方式并联连接，

所述主电路的第一谐振频率与所述并联谐振电路的第二谐振频率大致相等。

2.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其特征在于，

还具备：坯体，通过在第一方向上层叠多个基材层而构成，

所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈以及所述第一电容器由设置在所述基材层的导体层构成。

3.根据权利要求2所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述第一线圈、所述第二线圈以及所述第三线圈构成具有在所述第一方向上延伸的卷绕轴的螺旋状，

所述第一线圈包含第一线圈部以及第二线圈部，所述第一线圈部位于比所述第三线圈靠所述第一方向上的一侧，所述第二线圈部位于比该第三线圈靠该第一方向上的另一侧，

所述第二线圈包含第三线圈部以及第四线圈部，所述第三线圈部位于比所述第三线圈靠所述第一方向上的一侧，所述第四线圈部位于比该第三线圈靠该第一方向上的另一侧。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述第一线圈以及所述第二线圈相互并行地环绕，

每当该第一线圈以及该第二线圈环绕一周时，所述第一线圈的直径以及所述第二线圈的直径变化为第一直径和比该第一直径大的第二直径。

5.根据权利要求2或权利要求3所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述多个基材层包含第一基材层以及第二基材层，

所述第一线圈以及所述第二线圈相互并行地环绕，

所述第一线圈包含多个第一线圈导体层以及将该多个第一线圈导体层进行连接的一个以上的第一层间连接导体，

所述第二线圈包含多个第二线圈导体层以及将该多个第二线圈导体层进行连接的一个以上的第二层间连接导体，

所述多个第一线圈导体层以及所述多个第二线圈导体层具有1/2周的量的长度，

设置在所述第一基材层上的一个所述第一线圈导体层与一个所述第二线圈导体层的第一组合、和设置在所述第二基材层上的一个所述第一线圈导体层与一个所述第二线圈导体层的第二组合在所述第一方向上交替地排列，

在所述第一组合中，所述第二线圈导体层以位于比所述第一线圈导体层靠内周侧的状态进行环绕，

在所述第二组合中，所述第二线圈导体层以位于比所述第一线圈导体层靠外周侧的状态进行环绕。

6.根据权利要求2或权利要求3所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述第三线圈包含隔着所述基材层对置的两个第三线圈导体层，

所述第一电容器是形成在所述两个第三线圈导体层之间的电容。

7.根据权利要求6所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述第三线圈包含具有第一端部以及第二端部的两个第三线圈导体层和第三层间连接导体，

所述第三层间连接导体通过在所述第一方向上贯通所述基材层，从而将所述两个第三线圈导体层的所述第一端部彼此进行连接，

所述两个第三线圈导体层的所述第二端部的宽度比该两个第三线圈导体层的除所述第一端部以及该第二端部以外的部分的宽度大，

所述两个第三线圈导体层的所述第二端部隔着所述基材层对置。

8.根据权利要求7所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述第一线圈以及所述第二线圈构成具有在所述第一方向上延伸的卷绕轴的螺旋状，

在从所述第一方向观察时，所述第二端部不与被所述第一线圈以及所述第二线圈所包围的区域的中心重叠。

9.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述主电路包含在所述第一线圈与所述第二线圈之间产生的寄生电容，

所述第一谐振频率由所述第一线圈、所述第二线圈以及所述寄生电容决定。

10.根据权利要求1所述的共模扼流线圈，其特征在于，

所述共模扼流线圈具有两个衰减极，所述两个衰减极具有相互不同的频率。

11.一种电子设备，其特征在于，具备：

电路；以及

共模扼流线圈，

所述共模扼流线圈具备：

差动传输线路，包含与所述电路电连接的第一信号线路以及第二信号线路；

主电路，包含第一线圈以及第二线圈，所述第一线圈设置在所述第一信号线路，所述第二线圈设置在所述第二信号线路，且与所述第一线圈进行磁场耦合；以及

并联谐振电路，包含第三线圈以及第一电容器，所述第三线圈与所述第一线圈以及所述第二线圈进行磁场耦合，所述第一电容器与该第三线圈以电方式并联连接，

所述主电路的第一谐振频率与所述并联谐振电路的第二谐振频率大致相等。