CN205504473U - 一种真空离子镀膜用智能送气装置 - Google Patents
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Abstract
一种真空离子镀膜用智能送气装置，包括混气室，所述混气室底端连接有若干进气装置，所述进气装置包括第一气瓶和第二气瓶，所述第一气瓶和第二气瓶均通过进气管与混气室相连通，所述第一气瓶与进气管的连接处设有第一电磁阀，第二气瓶与进气管的连接处设有第二电磁阀，第一电磁阀和第二电磁阀的内部均设置有压力传感器，第一电磁阀和第二电磁阀均电连接控制装置；所述混气室下部设有转轴，所述转轴上对称设有两个扇叶，所述扇叶上开设有若干小孔。本实用新型的有益效果是通过第一气瓶和第二气瓶的自动切换，保证了真空镀膜设备用气的稳定性，避免了由于气瓶内气体容量或气压过低而对镀膜质量带来的不利影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及镀膜技术领域，具体涉及一种真空离子镀膜用智能送气装置。
背景技术
真空离子镀膜是一种利用物理气相沉积的方法，通过等离子体促进化学合成反应，在产品表面做改性的技术。随着真空离子镀膜产品的精度、镜面级别、颜色Lab值的要求越来越高甚至苛刻，除了离化源、电源、真空抽气***、自动控制外，送气***也同样严重的影响了产品的稳定性和均匀性。真空镀膜装置中设置有气管，用以输送工作气体和反应气体于镀膜室中，现有技术中对于气体的输送大多采用单独的阀门和管道进行控制，使得其没有进行预混和，导致其作用效果较差；此外，当单个气瓶内的气体耗尽或气体压力低于供气标准时，就需要人工更换气瓶，更换过程中会影响整个镀膜的稳定性，现有进气装置的自动化程度较低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种真空离子镀膜用智能送气装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种真空离子镀膜用智能送气装置，包括混气室，所述混气室底端连接有若干进气装置，所述进气装置包括第一气瓶和第二气瓶，所述第一气瓶和第二气瓶均通过进气管与混气室相连通，所述第一气瓶与进气管的连接处设有第一电磁阀，第二气瓶与进气管的连接处设有第二电磁阀，第一电磁阀和第二电磁阀的内部均设置有压力传感器，第一电磁阀和第二电磁阀均电连接控制装置；所述混气室下部设有转轴，所述转轴上对称设有两个扇叶，所述扇叶上开设有若干小孔；所述扇叶上方设有两块右挡板和两块左挡板，所述右挡板的右端与混气室固定连接，右挡板的左端与混气室的左侧壁之间留有气体通道，所述左挡板的左端与混气室固定连接，左挡板的右端与混气室的左侧壁之间留有气体通道，所述右挡板和左挡板交错设置；所述混气室的顶部设有出气口。
作为本实用新型进一步的方案：所述转轴与位于混气室底部的电机相连接。
作为本实用新型再进一步的方案：所述出气口处设有若干出气管，所述出气管上设有出气控制阀。
作为本实用新型再进一步的方案：所述出气管设有四根。
本实用新型的有益效果是通过第一气瓶和第二气瓶的自动切换，保证了真空镀膜设备用气的稳定性，避免了由于气瓶内气体容量或气压过低而对镀膜质量带来的不利影响，自动化程度高；电机带动扇叶转动，对进入到混气室内的气体进行扰乱，部分气体从扇叶上的小孔穿过，气体形成紊流，混合效果更好；右挡板和左挡板的设置使得气体在混气室内的运动路径延长，充分气体的混合效果进一步提升。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1-混气室、2-进气管、3-第一电磁阀、4-第一气瓶、5-第二电磁阀、6-第二气瓶、7-电机、8-转轴、9-扇叶、10-小孔、11-右挡板、12-左挡板、13-气体通道、14-出气口、15-出气管、16-出气控制阀。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型实施例中，一种真空离子镀膜用智能送气装置，包括混气室1，所述混气室1左端连接有若干进气装置，所述进气装置包括第一气瓶4和第二气瓶6，所述第一气瓶4和第二气瓶6均通过进气管2与混气室1相连通，所述第一气瓶4与进气管2的连接处设有第一电磁阀3，第二气瓶6与进气管2的连接处设有第二电磁阀5，第一电磁阀3和第二电磁阀5的内部均设置有压力传感器，第一电磁阀3和第二电磁阀5均电连接控制装置，工作时，设置第一电磁阀3先开启，第一气瓶4向真空镀膜设备供气，工作一段时间后，当第一电磁阀3内的压力传感器检测到第一气瓶4内气体不足，气压偏低时，控制装置发出指令，关闭第一电磁阀3，开启第二电磁阀5，供气装置自动切换到第二气瓶6供气，而后一段时间操作工人可将第一气瓶3更换为充满气体的新气瓶，从而有效地保证了一定工作时间内用气的稳定，有利于提高镀膜质量；
所述混气室1下部设有转轴8，所述转轴8与位于混气室1底部的电机7相连接，所述转轴8上对称设有两个扇叶9，所述扇叶9上开设有若干小孔10，电机7带动扇叶9转动，对进入到混气室1内的气体进行扰乱，部分气体从扇叶9上的小孔穿过，气体形成紊流，混合效果更好；
所述扇叶9上方设有两块右挡板11和两块左挡板12，所述右挡板11的右端与混气室1固定连接，右挡板11的左端与混气室1的左侧壁之间留有气体通道13，所述左挡板12的左端与混气室1固定连接，左挡板12的右端与混气室1的左侧壁之间留有气体通道13，所述右挡板11和左挡板12交错设置；所述混气室1的顶部设有出气口14，右挡板11和左挡板12的设置使得气体在混气室1内的运动路径延长，充分气体的混合效果进一步提升。
所述出气口14处设有若干出气管15，所述出气管15上设有出气控制阀16，所述出气管15设有四根。
本实用新型的工作过程是：工作时，设置第一电磁阀3先开启，第一气瓶4向真空镀膜设备供气，工作一段时间后，当第一电磁阀3内的压力传感器检测到第一气瓶4内气体不足，气压偏低时，控制装置发出指令，关闭第一电磁阀3，开启第二电磁阀5，供气装置自动切换到第二气瓶6供气，而后一段时间操作工人可将第一气瓶3更换为充满气体的新气瓶，从而有效地保证了一定工作时间内用气的稳定，有利于提高镀膜质量；电机7带动扇叶9转动，对进入到混气室1内的气体进行扰乱，部分气体从扇叶9上的小孔穿过，气体形成紊流，混合效果更好；右挡板11和左挡板12的设置使得气体在混气室1内的运动路径延长，充分气体的混合效果进一步提升。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (4)
1.一种真空离子镀膜用智能送气装置，包括混气室，其特征在于，所述混气室底端连接有若干进气装置，所述进气装置包括第一气瓶和第二气瓶，所述第一气瓶和第二气瓶均通过进气管与混气室相连通，所述第一气瓶与进气管的连接处设有第一电磁阀，第二气瓶与进气管的连接处设有第二电磁阀，第一电磁阀和第二电磁阀的内部均设置有压力传感器，第一电磁阀和第二电磁阀均电连接控制装置；所述混气室下部设有转轴，所述转轴上对称设有两个扇叶，所述扇叶上开设有若干小孔；所述扇叶上方设有两块右挡板和两块左挡板，所述右挡板的右端与混气室固定连接，右挡板的左端与混气室的左侧壁之间留有气体通道，所述左挡板的左端与混气室固定连接，左挡板的右端与混气室的左侧壁之间留有气体通道，所述右挡板和左挡板交错设置；所述混气室的顶部设有出气口。
2.根据权利要求1所述的一种真空离子镀膜用智能送气装置，其特征在于，所述转轴与位于混气室底部的电机相连接。
3.根据权利要求1所述的一种真空离子镀膜用智能送气装置，其特征在于，所述出气口处设有若干出气管，所述出气管上设有出气控制阀。
4.根据权利要求3所述的一种真空离子镀膜用智能送气装置，其特征在于，所述出气管设有四根。
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|---|---|---|---|---|
| CN108728820A (zh) * | 2017-04-19 | 2018-11-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 混气结构、工艺腔室及半导体加工设备 |
| CN110699652A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种薄片晶圆背金层的制备方法及晶体管器件 |
| CN112162060A (zh) * | 2020-09-07 | 2021-01-01 | 天地（常州）自动化股份有限公司 | 煤矿气体传感器的智能化干扰测试装置及方法 |
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2016
- 2016-01-19 CN CN201620047797.5U patent/CN205504473U/zh not_active Expired - Fee Related
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