TWI640435B

TWI640435B - 折射率匹配膜及ｉｔｏ導電膜

Info

Publication number: TWI640435B
Application number: TW106114531A
Authority: TW
Inventors: 王平; 張玉春; 尹錚杰
Original assignee: 張家港康得新光電材料有限公司
Priority date: 2016-12-21
Filing date: 2017-05-02
Publication date: 2018-11-11
Also published as: CN106601340A; TW201823007A

Abstract

本發明公開了一種折射率匹配膜及ITO導電膜。該折射率匹配膜包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層、基材、防粘連硬化層，第一低折射光學匹配層的材料包括含氟化合物和金屬氧化物的混合物。本發明還公開了在該折射率匹配膜上依次層疊設置第二低折射光學匹配層和ITO導電層形成ITO導電膜。本發明的折射率匹配膜通過第一低折射匹配層的材料的優化，既維持了產品性能，又顯著降低成本，並且兼顧油墨印刷、黃光和雷射工藝；同時利用基材本身高折射特性，塗布第一低折射光學匹配層可以降低後續鍍層厚度，提高鍍膜走速，有效降低了ITO導電膜的成本。

Description

折射率匹配膜及ITO導電膜

本發明屬於光學技術領域，具體涉及一種折射率匹配膜及ITO導電膜。

在當前手機和平板電腦的電容式觸控面板中，使用最廣泛的透明導電膜是ITO(氧化銦錫)導電膜。在導電膜實際生產中，按照基材可以分為兩類製程：第一類是基於玻璃的ITO膜(下稱ITO Glass)，如in-cell or OGS(One Glass Solution)，在玻璃上直接濺鍍ITO膜；第二類是基於柔性塑膠基材(PET)的ITO導電膜(下稱ITO film)。第二種工藝路線由於其基於柔性基材，適合卷對卷大規模快速生產，在基材和製程的成本上較ITO Glass更低，且有良好的光電和機械特性，在當前智慧手機和平板電腦上得到廣泛的應用。

ITO film的常見PET基材膜分為兩種：Hard-coated-PET和Index-Matched PET，稱為雙面硬化膜和折射率匹配膜，下面簡稱HC-PET和IM-PET，可參見本申請人之前申請的專利CN103756383A和CN104485156A。一般來說，HC-PET基材結構為在基材兩側分別塗布硬化層和防粘連硬化層，硬化層的厚度為 4~4.5μm，折射率為1.5~1.52；防粘連硬化層的厚度為2~4μm，折射率為1.5~1.52。IM-PET基材結構為在基材一面塗布硬化層，另一面塗布折射率匹配層，該折射率匹配層的厚度為0.8~1.5μm，折射率為1.6~1.75；硬化層的厚度為4~4.5μm，折射率為1.5~1.52。

兩種基材都能滿足現有觸控式螢幕用ITO film的基本需求，差異在於因為基材不同的光學折射率，導致為了實現透明導電的效果，後續鍍層中匹配光學層的不同。基於上述兩種基材的PVD鍍膜具體結構詳見本申請人之前提交的專利申請CN104240799A和CN104485156A。比如HC-PET表面折射率較低(約1.52)，上面的物理氣相沉積鍍膜(下稱PVD鍍膜)膜層為「高折層+低折層+ITO層」，鍍層總厚度約100nm，蝕刻紋不明顯，常用於油墨印刷和黃光工藝，鍍膜厚度較厚，鍍膜走速較慢；而IM-PET表面折射率相對HC-PET表層折射率較高(約1.66)，上面PVD鍍膜膜層為「低折層+ITO層」，鍍層總厚度約42nm，使用寬線寬蝕刻工藝的蝕刻紋明顯，常用於線寬較窄的黃光和雷射工藝，鍍層厚度較薄，可以用更高的速度生產。一般，蝕刻紋的明顯程度與ITO蝕刻通道和ITO非蝕刻區的可見光透射和反射全光譜差值有關，差值越小，蝕刻紋越不明顯。

2013年以來，電容面板平均單價下降了20%以上，毛利率下降明顯。要在已成紅海的ITO film市場中站穩腳跟，控制產品成本尤為關鍵。PET基材占了ITO film成本的40%左右，另外所使用的高端進口設備折舊也占了成本的10%以上，如能降低基材的成本，提高鍍膜速度，將可以有效地降低成本，提高ITO film產品的市場競爭力。

從以上現有技術可看出，基於HC-PET的ITO film成本主要來自於塗布硬化層和鍍層，缺點是PVD鍍膜總厚度在100nm左右，鍍膜走速慢，鍍膜成本較高；優點是ITO蝕刻區和非蝕刻區光譜和顏色差異較小，蝕刻紋幾乎不可見，適用於油墨印刷和黃光工藝。基於IM-PET的ITO film成本主要來自於塗布硬化層和折射率匹配層，優點是鍍層總厚度不到50nm，鍍膜走速快；缺點是折射匹配層成本高，ITO蝕刻區和非蝕刻區光譜和顏色差異較大，常用於蝕刻線寬較窄的黃光和雷射蝕刻工藝。

以上兩種基材及所製備的ITO導電膜的成本均較高，並且難以兼顧油墨印刷、黃光和雷射工藝。因此，有必要提出一種新的折射率匹配膜和ITO導電膜。

本發明的一個目的在於提供一種折射率匹配膜，以降低成本，又兼顧油墨印刷、黃光和雷射工藝，且利用基材本身的高折射率特性，在基材上塗布一層第一低折射光學匹配層可以降低後續鍍層厚度，提高鍍膜走速。

為了實現上述目的，本發明提供了一種折射率匹配膜，包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層、基材、防粘連硬化層，第一低折射光學匹配層的材料包括含氟化合物和金屬氧化物的混合物。

進一步地，第一低折射光學匹配層的厚度為10~50nm，折射率為1.3~1.55。

進一步地，金屬氧化物占混合物重量的20~40%，優選地，金屬氧化物占混合物重量的20~30%。

進一步地，含氟化合物為六氟丙烯酸酯、十二氟丙烯酸酯、含氟聚氨酯丙烯酸酯其中的一種或多種。

進一步地，金屬氧化物為二氧化鋯、三氧化二鋁、氧化鋅和氧化銻其中的一種或多種。

進一步地，防粘連硬化層20的厚度為1~5μm，折射率為1.5~1.52。

進一步地，基材10包括聚酯膜層11以及形成於聚酯膜層11兩側側面的預塗層12。

進一步地，聚酯膜層11的厚度為50~125μm，位於聚酯膜層11的一側側面上預塗層12的厚度為60~120nm。

進一步地，聚酯膜層11的折射率為1.63~1.65，預塗層12的折射率為1.575~1.58。

本發明的另一目的在於提供一種厚度較薄，鍍膜速度較快的低成本ITO導電膜。

為了實現上述目的，本發明提供了一種ITO導電膜，在上述的折射率匹配膜的第一低折射光學匹配層上依次層疊設置第二低折射光學匹配層和ITO導電層。

進一步地，第二低折射光學匹配層的厚度為5~40nm，折射率為1.3~1.6，材料為SiOx。

進一步地，ITO導電層的厚度為19~22nm，折射率為2.0。

進一步地，ITO導電膜還包括設置於第一低折射光學匹配層3與第二低折射光學匹配層之間的高折射光學匹配層。

進一步地，高折射光學匹配層的厚度為2~10nm，折射率為2.0~2.5，材料為SiNx和Nb2O5。

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：

1、本發明的折射率匹配膜，在基材上直接塗布一層第一低折射光學匹配層，通過減少第一低折射光學匹配層的厚度以及該層材料的優化，相對原先的HC-PET和IM-PET基材，既維持了產品性能，又顯著降低了折射率匹配膜的成本；同時利用基材本身的高折射率特性，在基材上塗布一層第一低折射光學匹配層可以降低後續鍍層的厚度，提高了鍍膜走速，有效地降低了ITO導電膜的成本。

2、本發明折射率匹配膜既可適用於窄線寬的雷射和黃光工藝，又可以適用寬線寬的黃光和油墨印刷工藝。。

1‧‧‧折射率匹配膜

2‧‧‧第二低折射光學匹配層

3‧‧‧ITO導電層

4‧‧‧高折射光學匹配層

10‧‧‧基材

11‧‧‧聚酯膜層

12‧‧‧預塗層

20‧‧‧防粘連硬化層

30‧‧‧第一低折射光學匹配層

圖1示出了本發明折射率匹配膜示意圖。

圖2示出了本發明一種實施方式中ITO導電膜結構示意圖。

圖3示出了本發明另一種實施方式中ITO導電膜結構示意圖。

圖4示出了本發明實施例4的ITO導電膜蝕刻前後的反射光譜圖。

圖5示出了本發明實施例7的ITO導電膜蝕刻前後的反射光譜圖。

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬於本發明保護的範圍。

需要說明的是，本發明的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”、“上”、“下”等是用於區別類似的物件，而不必用於描述特定的順序或先後次序。應該理解這樣使用的資料在適當情況下可以互換，以便這裡描述的本發明的實施例。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在於覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統、產品或設備不必限於清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對於這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。

由背景技術可知，現有技術中HC-PET和IM-PET兩種基材膜的整體厚度較厚，成本較高，並且難以兼顧油墨印刷、黃光和雷射工藝。本發明的發明人針對上述問題進行研究，提出了一種新的折射率匹配膜，如圖1所示，該折射率匹配膜1包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層30、基材10、防粘連硬化層20，第一低折射光學匹配層30的材料為含氟化合物和金屬氧化物的混合物。該折射率匹配膜1能夠兼顧油墨印刷、黃光和雷射工藝，且利用基材10本身的高折射率特性，在基材10上塗布一層第一低折射光學匹配層30可以降低後續鍍層厚度，提高鍍膜走速，有效地降低了ITO導電膜的成本。

上述折射率匹配膜1中，第一低折射光學匹配層30的厚度優選為10~50nm，折射率為1.3~1.55，相對原先的HC-PET和IM-PET基材膜，產品性能優異，又減少了折射率匹配膜1的厚度，更顯著降低了折射率匹配膜1的成本。

上述折射率匹配膜1中，金屬氧化物占混合物重量的20~40%，優選地，金屬氧化物占混合物重量的20~30%，金屬氧化物的重量限制在上述範圍內，既可以保證第一低折射光學匹配層30足夠低的折射率，又能維持折射率匹配膜1表面性能。其中，第一低折射光學匹配層30中的含氟化合物，主要提供低折射特性，例如可以為六氟丙烯酸酯、十二氟丙烯酸酯、含氟聚氨酯丙烯酸酯的一種或多種。金屬氧化物可以採用本領域中常見的材料，主要用來調節折射率匹配膜1的表面特性以及增加後續鍍層的接著性。優選地，金屬氧化物選自二氧化鋯、三氧化二鋁、氧化鋅和氧化銻的任一種或多種。當然，金屬氧化物的類型並不限於上述優實施方式。

上述折射率匹配膜1中，防粘連硬化層20可以為任何用於防止粘連的硬化塗層，其厚度和折射率可以根據實際需求進行設定。在一種優選的實施方式中，防粘連硬化層20的厚度為1~5μm，折射率為1.5~1.52。

上述折射率匹配膜1中，基材10可以包括聚酯膜層11以及形成於聚酯膜層11的兩側側面的預塗層12。其中，聚酯膜層11為聚酯類樹脂，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂。預塗層12可以為粘合劑，例如由熱熔膠或有機高分子低溫樹脂組成。本領域的技術人員可以根據實際需求設定上述基材10的厚度和折射率。優選地，聚酯膜層11的厚度為50~125μm，位於聚酯膜層11的一側側面上的預塗層12的厚度為60~120nm，聚酯膜層11的折射率為1.63~1.65，預塗層12的折射率為1.575~1.58。

同時，本發明還提供了一種基於上述折射率匹配膜的ITO導電膜，該ITO導電膜整體厚度較薄，鍍膜速度較快，成本較低。

在一種優選地實施方式中，本發明的ITO導電膜，請參閱圖1、圖2所示，在上述折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次層疊設置第二低折射光學匹配層2和ITO導電層3。通過在第一低折射光學匹配層30上再設置第二低折射光學匹配層2，主要目的是降低第一低折射光學匹配層30的粗糙度以及調節蝕刻色差。由此製備的ITO導電膜可以用於線寬較窄的黃光和雷射蝕刻工藝。

上述ITO導電膜中，第二低折射光學匹配層2的厚度和折射率可以根據實際需求進行設定。優選地，第二低折射光學匹配層2的厚度為5~40nm，折射率為1.3~1.6，材料為SiOx。

上述ITO導電膜中，ITO導電層3的厚度和折射率可以根據實際需求進行設定。優選地，ITO導電層3的厚度為19~22nm，折射率為2.0。

在另一種優選地實施方式中，本發明的ITO導電膜，請參閱圖1、圖3所示，還包括設置於第一低折射光學匹配層30與第二低折射光學匹配層2之間的高折射光學匹配層4。由此構成了兩對高低折射率匹配層，該ITO導電膜蝕刻區和非蝕刻區光譜和顏色差異較小，蝕刻紋幾乎不可見，可以用於線寬較寬的油墨印刷和黃光工藝。

上述ITO導電膜中，高折射光學匹配層4的材料為SiNx和 Nb₂O₅，第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx。高折射光學匹配層4、第二低折射光學匹配層2的厚度和折射率可以根據實際需求進行設定。優選地，高折射光學匹配層4的厚度為2~10nm，折射率為2.0~2.5；第二低折射光學匹配層2的厚度為5~40nm，折射率為1.3~1.6。將厚度限制在上述範圍內，相對原先基於HC-PET基材的ITO導電膜來說，減少了鍍層厚度，鍍膜走速變快，鍍膜成本降低。

上述ITO導電膜中，在折射率匹配膜1上設置高折射光學匹配層4、第二低折射光學匹配層2、ITO導電層3的工藝可以為蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、電鍍法及化學氣相沉積法，其工藝為本領域現有技術，在此不再贅述。

以下將結合實施例和對比例，進一步說明本發明的有益效果。顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

實施例1

本實施例提供了一種折射率匹配膜1，如圖1所示，包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層30、基材10、防粘連硬化層20，且基材10包括聚酯膜層11以及形成於聚酯膜層11的兩側側面的預塗層12。其中，第一低折射光學匹配層30的材料為十二氟丙烯酸酯和金屬氧化物的混合物，金屬氧化物占所述混合物重量的20%，該第一低折射光學匹配層30的厚度為10nm，折射率為1.3；聚酯膜層11的厚度為50μm，折射率為1.65；預塗層12由酚醛樹脂組成，其厚度為60nm，折射率為1.575；防粘連硬化層20的厚度為1μm，折射率為1.5。

實施例2

本實施例提供了一種折射率匹配膜1，如圖1所示，包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層30、基材10、防粘連硬化層20，且基材10包括聚酯膜層11以及形成於聚酯膜層11的兩側側面的預塗層12。其中，第一低折射光學匹配層30的材料為六氟丙烯酸酯和金屬氧化物的混合物，金屬氧化物占所述混合物重量的40%，該第一低折射光學匹配層30的厚度為50nm，折射率為1.55；聚酯膜層11的厚度為125μm，折射率為1.63；預塗層12由酚醛樹脂組成，其厚度為120nm，折射率為1.575；防粘連硬化層20的厚度為5μm，折射率為1.52。

實施例3

本實施例提供了一種折射率匹配膜1，如圖1所示，包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層30、基材10、防粘連硬化層20，且基材10包括聚酯膜層11以及形成於聚酯膜層11的兩側側面的預塗層12。其中，第一低折射光學匹配層30的材料為含氟聚氨酯丙烯酸酯和金屬氧化物的混合物，金屬氧化物占所述混合物重量的30%，該層的厚度為30nm，折射率為1.4；聚酯膜層11的厚度為100μm，折射率為1.64；預塗層12由酚醛樹脂組成，其厚度為80nm，折射率為1.58；防粘連硬化層20的厚度為3μm，折射率為1.51。

實施例4

本實施例提供了一種ITO導電膜，如圖1、圖2所示，在實施例1折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次鍍上5nm的第二低折射光學匹配層2、19nm的ITO導電層3。其中，第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx，折射率為1.3；ITO導電層3的折射率為2.0。

實施例5

本實施例提供了一種ITO導電膜，如圖1、圖2所示，在實施例1折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次鍍上40nm的第二低折射光學匹配層2、22nm的ITO導電層3。其中，第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx，折射率為1.5；ITO導電層3的折射率為2.0。

實施例6

本實施例提供了一種ITO導電膜，如圖1、圖2所示，在實施例1折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次鍍上20nm的第二低折射光學匹配層2、20nm的ITO導電層3。其中，第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx，折射率為1.3；ITO導電層3的折射率為2.0。

實施例7

本實施例提供了一種ITO導電膜，如圖1、圖3所示，在實施例1折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次鍍上2nm的高折射光學匹配層4、5nm的第二低折射光學匹配層2，19nm的 ITO導電層3。其中，高折射光學匹配層4的材料為SiNx和Nb₂O₅，折射率為2.0；第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx，折射率為1.3；ITO導電層3的折射率為2.0。

實施例8

本實施例提供了一種ITO導電膜，如圖1、圖3所示，在實施例1的折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次鍍上10nm的高折射光學匹配層4、40nm的第二低折射光學匹配層2、22nm的ITO導電層3。其中，高折射光學匹配層4的材料為SiNx和Nb₂O₅，折射率為2.5；第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx，折射率為1.6；ITO導電層3的折射率為2.0。

實施例9

本實施例提供了一種ITO導電膜，如圖1、圖3所示，在實施例1的折射率匹配膜1的第一低折射光學匹配層30上依次鍍上5nm的高折射光學匹配層4、10nm的第二低折射光學匹配層2、20nm的ITO導電層3。其中，高折射光學匹配層4的材料為SiNx和Nb₂O₅，折射率為2.2；第二低折射光學匹配層2的材料為SiOx，折射率為1.6；ITO導電層3的折射率為2.0。

對比例1

本對比例提供了一種HC-PET膜，包括依次層疊設置的硬化層、基材、防粘連硬化層，且基材包括聚酯膜層以及形成於聚酯膜層的兩側側面的預塗層。其中，硬化層的厚度為4um，折射率為1.5；聚酯膜層的厚度為125μm，折射率為1.65；預塗層由酚醛樹脂組成，其厚度為120nm，折射率為1.58；防粘連硬化層的厚度為3μm，折射率為1.5。

在本對比例的HC-PET膜的硬化層上依次設置10nm的高折射光學匹配層、70nm的低折射光學匹配層、20nm的ITO導電層。其中，高折射光學匹配層的材料為SiNx和Nb₂O₅，折射率為2.0；低折射光學匹配層的材料為SiOx，折射率為1.3；ITO導電層的折射率為2.0。

對比例2

本對比例提供了一種IM-PET膜，包括依次層疊設置的折射率匹配層、基材、防粘連硬化層，且基材包括聚酯膜層以及形成於聚酯膜層的兩側側面的預塗層。其中，折射率匹配層的厚度為1μm，折射率為1.65；聚酯膜層的厚度為125μm，折射率為1.65；預塗層由酚醛樹脂組成，其厚度為120nm，折射率為1.58；防粘連硬化層的厚度為4μm，折射率為1.5。

在本對比例的IM-PET膜的折射率匹配層上依次設置20nm的低折射光學匹配層、20nm的ITO導電層。其中，低折射光學匹配層的材料為SiOx，折射率為1.3；ITO導電層的折射率為2.0。

採用Hunterlab公司的色度儀ColorQuest XE對本發明實施例4和7的ITO導電膜進行反射光譜測試。測試結果如圖4和5所示，其中，實線表示含ITO導電層蝕刻前的反射光譜，虛線表示ITO導電層蝕刻後的反射光譜。由此可看出，圖5的反射光譜相對圖4來說，蝕刻前後的反射率差值更小，蝕刻紋不明顯。因此，本發明實施例4所示的ITO導電膜結構可以適用於窄線寬的雷射和黃光工藝，而實施例5所示的ITO導電膜結構可以適應於寬線寬的黃光和油墨印刷工藝。

由以上實施例可以看出本發明的折射率匹配膜利用基材本身的高折射率，塗布了一層第一低折射層，通過第一低折射匹配層的材料的優化，既維持了產品性能，並且能夠兼顧油墨印刷、黃光和雷射工藝。由實施例1~3可以明顯看出本發明折射率匹配膜中第一低折射匹配層的厚度相對於對比例1中HC-PET基材膜硬化層的厚度由4um降到50nm以下，相對於對比例2中IM-PET基材膜的折射率匹配層的厚度由1um降到50nm以下。本發明的折射率匹配膜的成本下降了30%以上。由實施例7~9可以進一步看出，本發明的ITO導電膜相對於對比例1的ITO導電膜，鍍層厚度由100nm降至70nm以下。由上可看出，本發明的折射率匹配膜和ITO導電膜的厚度明顯降低，鍍膜走速能夠從3m/min提高到5.5m/min，ITO導電膜整體成本下降了20~30%。

需要注意的是，具體實施方式僅僅是對本發明技術方案的解釋說明，不應將其理解為對本發明技術方案的限定，任何採用本發明實質發明內容而僅作局部改變的，仍應落入本發明的保護範圍內。。

Claims

一種折射率匹配膜，其特徵在於：該折射率匹配膜包括依次層疊設置的第一低折射光學匹配層、基材、防粘連硬化層，該第一低折射光學匹配層的材料包括含氟化合物和金屬氧化物的混合物，該基材的折射率高於該第一低折射光學匹配層的折射率。
如申請專利範圍第1項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該第一低折射光學匹配層的厚度為10~50nm，折射率為1.3~1.55。
如申請專利範圍第1項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該金屬氧化物占該混合物重量的20~40%。
如申請專利範圍第1項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該含氟化合物為六氟丙烯酸酯、十二氟丙烯酸酯、含氟聚氨酯丙烯酸酯其中的一種或多種。
如申請專利範圍第1項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該金屬氧化物為二氧化鋯、三氧化二鋁、氧化鋅和氧化銻其中的一種或多種。
如申請專利範圍第1項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該防粘連硬化層的厚度為1~5μm，折射率為1.5~1.52。
如申請專利範圍第1項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該基材包括聚酯膜層以及形成於該聚酯膜層兩側側面的預塗層。
如申請專利範圍第7項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該聚酯膜層的厚度為50~125μm，位於該聚酯膜層的一側側面上之該預塗層的厚度為60~120nm。
如申請專利範圍第7項所述之折射率匹配膜，其特徵在於：該聚酯膜層的折射率為1.63~1.65，該預塗層的折射率為1.575~1.58。
一種ITO導電膜，其特徵在於：在如申請專利範圍第1項至第9項中任一項之該折射率匹配膜的該第一低折射光學匹配層上依次層疊設置第二低折射光學匹配層和ITO導電層。
如申請專利範圍第10項所述之ITO導電膜，其特徵在於：該第二低折射光學匹配層的厚度為5~40nm，折射率為1.3~1.6，材料為SiOx。
如申請專利範圍第10項所述之ITO導電膜，其特徵在於：該ITO導電層的厚度為19~22nm，折射率為2.0。
如申請專利範圍第10項至第12項中任一項之ITO導電膜，其特徵在於：該ITO導電膜還包括設置於該第一低折射光學匹配層與該第二低折射光學匹配層之間的高折射光學匹配層。
如申請專利範圍第13項所述之ITO導電膜，其特徵在於：該高折射光學匹配層的厚度為2~10nm，折射率為2.0~2.5，材料為SiNx和Nb₂O₅。