CN204361241U - 高频信号传输线路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种高频信号传输线路及电子设备，能在降低无意义的辐射的同时抑制特性阻抗偏离规定的特性阻抗。电介质主体(12)层叠电介质片材(18a～18c)而构成。信号线(20)设于电介质主体(18b)的背面上。辅助接地导体(24)相对于信号线(20)设置于z轴方向负方向侧，并设有沿着信号线(20)排列的多个开口(30)。设置于z轴方向最靠负方向侧的电介质片材(18c)的背面上，从z轴方向俯视时，与开口(30)相重叠的区域内设有凹凸部。

Description

高频信号传输线路及电子设备

技术领域

本实用新型涉及高频信号传输线路及电子设备，尤其涉及用于高频信号传输中的高频信号传输线路及电子设备。

背景技术

作为现有的涉及高频信号传输线路的实用新型例如已知有专利文献1所记载的高频信号线路。图37是专利文献1所记载的高频信号线路500的剖面结构图。

高频信号线路500具备电介质主体512、高介电常数层515、信号线520以及接地导体522、524。电介质主体512层叠多个电介质片材而构成。信号线520设于电介质主体512内。接地导体522设于信号线520的z轴方向的正方向侧。接地导体524设于信号线520的z轴方向的负方向侧。接地导体524设有开口530。高介电常数层515设置于电介质主体512的z轴方向的负方向侧的主面上。高介电常数层515的相对介电常数高于电介质主体512的相对介电常数。

如上那样构成的高频信号线路500中，高介电常数层515与开口530重叠。由此，在高介电常数层515与空气层之间的界面，有较多的从信号线520反射出的电磁场在高频信号线路500内被反射。其结果是，无意义的辐射得以减少。

在高频信号线路500中，若增大高介电常数层515的相对介电常数，则高频信号线路500的特性阻抗可能偏离规定的特性阻抗(例如50Ω)。更具体而言，从降低无意义的辐射的观点来看，优选高介电常数层515的相对介电常数较大。然而，在高介电常数层515的相对介电常数较大的情况下，当开口530附近存在金属物等时，信号线520与金属物等之间将形成较大的电容。其结果是，高频信号线路500的特性阻抗将会低于规定的特性阻抗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/074100号刊物

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

因此，本实用新型的目的在于提供一种高频信号传输线路以及电子设备，其能降低无意义的辐射，并且能抑制特性阻抗偏离规定的特性阻抗。

解决技术问题的技术方案

本实用新型的第1方式所涉及的高频信号传输线路包括：层叠多个电介质层而构成的电介质主体；设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，在设置于最靠层叠方向的一端侧的所述电介质层的层叠方向上的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口相重叠的区域内设有凹凸部。

本实用新型的第1方式所涉及的电子设备包括高频信号传输线路以及收纳所述高频信号传输线路的壳体，所述高频信号传输线路包括：层叠多个电介质层而构成的电介质主体；设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，在设置于最靠层叠方向的一端侧的所述电介质层的层叠方向上的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口相重叠的区域内设有凹凸部。

本实用新型的第2方式所涉及的高频信号传输线路包括：层叠多个电介质层而构成的电介质主体；设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，在所述电介质主体的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口相重叠的区域内设有凹凸部。

本实用新型的第2方式所涉及的电子设备包括高频信号传输线路以及收纳所述高频信号传输线路的壳体，所述高频信号传输线路包括：层叠多个电介质层而构成的电介质主体；设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，在所述电介质主体的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口相重叠的区域内设有凹凸部。

实用新型效果

根据本实用新型，能降低无意义的辐射，并且能抑制特性阻抗偏离规定的特性阻抗。

附图说明

图1是本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号传输线路的外观立体图。

图2是图1的高频信号传输线路的层叠体的分解图。

图3是高频信号传输线路的线路部的分解立体图。

图4是俯视高频信号传输线路的线路部的图。

图5是图3的A-A上的剖视结构图。

图6是图3的B-B上的剖视结构图。

图7是高频信号传输线路的连接器的外观立体图。

图8是高频信号传输线路的连接器的剖视结构图。

图9是从y轴方向俯视使用了高频信号传输线路的电子设备的图。

图10是从z轴方向俯视使用了高频信号传输线路的电子设备的图。

图11是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图12是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图13是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图14是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图15是变形例1所涉及的高频信号传输线路的线路部的剖视结构图。

图16是变形例2所涉及的高频信号传输线路的层叠体的分解图。

图17是俯视高频信号传输线路的线路部的图。

图18是线路部的桥接部上的剖视结构图。

图19是线路部的开口上的剖视结构图。

图20是沿着线路部的信号线的剖视结构图。

图21是变形例3所涉及的高频信号传输线路的分解图。

图22是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图23是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图24是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图25是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图26是变形例4所涉及的高频信号传输线路的外观立体图。

图27是图26的高频信号传输线路的电介质主体的分解图。

图28是图26的高频信号传输线路的区间A11、A13、A15、A17、A19的剖视结构图。

图29是图26的高频信号传输线路的区间A12、A14、A16、A18的剖视结构图。

图30是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图31是高频信号传输线路压接时的工序剖视图。

图32是变形例5所涉及的高频信号传输线路的外观立体图。

图33是图32的高频信号传输线路的电介质主体的分解图。

图34是图32的高频信号传输线路的区间A11、A13、A15、A17、A19的剖视结构图。

图35是图32的高频信号传输线路的区间A12、A14、A16、A18的剖视结构图。

图36是变形例6所涉及的高频信号传输线路的剖视结构图。

图37是专利文献1所记载的高频信号传输线路的剖视结构图。

具体实施方式

下面，参照附图对本实用新型的实施方式所涉及的高频信号传输线路及电子设备进行说明。

(高频信号传输线路的结构)

下面，参照附图，对本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号传输线路的结构进行说明。图1是本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号传输线路10的外观立体图。图2是图1的高频信号传输线路10的电介质主体12的分解图。图3是高频信号传输线路10的线路部12a的分解立体图。图4是俯视高频信号传输线路10的线路部12a的图。图5是图3的A－A的剖视结构图。图6是图3的B－B的剖视结构图。以下，将高频信号传输线路10的层叠方向定义为z轴方向。另外，将高频信号传输线路10的长边方向定义为x轴方向、将正交于x轴方向及z轴方向的方向定义为y轴方向。

高频信号传输线路10例如是用于在移动电话等电子设备内将2个高频电路相连接的扁平电缆。如图1至图3所示，高频信号传输线路10包括电介质主体12、外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22、辅助接地导体24、过孔导体b1～b4、B1～B6及连接器100a、100b。

如图1所示，从z轴方向俯视时，电介质主体12是沿x轴方向延伸且具有可挠性的板状构件，且包含线路部12a、连接部12b、12c。电介质主体12是如图2所示将保护层14、电介质片材18a～18c以及保护层15从z轴方向的正方向侧朝向负方向侧依次进行层叠而构成的层叠体。以下，将电介质主体12的z轴方向的正方向侧主面称作表面，将电介质主体12的z轴方向的负方向侧主面称作背面。

如图1所示，线路部12a在x轴方向上延伸。连接部12b、12c分别连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧端部及x轴方向的正方向侧端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要宽。

如图2所示，从z轴方向俯视时，电介质片材18a～18c沿x轴方向延伸，且其形状与电介质主体12相同。电介质片材18a～18c是由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有可挠性的热塑性树脂来构成的片材。下面，将电介质片材18a～18c的z轴方向的正方向侧主面称作表面，将电介质片材18a～18c的z轴方向的负方向侧主面称作背面。

如图5及图6所示，电介质片材18a的厚度D1与电介质片材18b的厚度D2之和大于电介质片材18c的总厚度D3。层叠电介质片材18a～18c之后，厚度D1与厚度D2之和例如为50μm～300μm。本实施方式中，厚度D1与厚度D2之和为150μm。此外，厚度D1为75μm。厚度D2为75μm。另外，厚度D3例如为10μm～100μm。本实施方式中，厚度D3为50μm。

另外，如图2所示，电介质片材18a由线路部18a－a及连接部18a－b、18a－c构成。如图2所示，电介质片材18b由线路部18b－a及连接部18b－b、18b－c构成。电介质片材18c由线路部18c－a及连接部18c－b、18c－c构成。线路部18a-a、18b-a、18c-a构成线路部12a。连接部18a-b、18b-b、18c-b构成连接部12b。连接部18a-c、18b-c、18c-c构成连接部12c。

如图2、图3、图5及图6所示，信号线路20是传输高频信号，设置于电介质主体12内的导体。本实施方式中，信号线路20是形成在电介质片材18b的背面上，在x轴方向上延伸的直线状导体。信号线路20的x轴方向负方向侧的端部如图2所示，位于连接部18b－b的中央。信号线路20的x轴方向正方向侧的端部如图2所示，位于连接部18b－c的中央。信号线路20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制成。此处，信号线路20形成于电介质片材18b的背面是指，通过镀覆形成在电介质片材18b背面的金属箔形成图案，从而形成信号线路20，或者贴附在电介质片材18b表面的金属箔形成图案，从而形成信号线路20。另外，由于对信号线路20的表面实施了平滑化，因此在信号线路20上与电介质片材18b相接的面的表面粗糙度要大于在信号线路20上未与电介质片材18b相接的面的表面粗糙度。

基准接地导体(第2接地导体)22如图2、图3、图5以及图6所示，是相比于信号线路20设置于更靠z轴方向正方向侧的面状导体层。更详细而言，基准接地导体22形成于电介质片材18a的表面，隔着电介质片材18a、18b与信号线路20相对。基准接地导体22上、与信号线路20重叠的位置上未设有开口。基准接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制成。此处，基准接地导体22形成于电介质片材18a的表面是指，通过镀覆形成在电介质片材18a表面的金属箔形成图案，从而形成基准接地导体22，或者贴附在电介质片材18a表面的金属箔形成图案，从而形成基准接地导体22。另外，由于对基准接地导体22的表面实施了平滑化，因此在基准接地导体22上与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度要大于在基准接地导体22上未与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度。

另外，如图2所示，基准接地导体22由主要导体22a及端子导体22b、22c构成。主要导体22a设置在线路部18a-a的表面上，且沿x轴方向延伸。端子导体22b设置在线路部18a-b的表面上，呈矩形环状。端子导体22b连接至主要导体22a的x轴方向的负方向侧端部。端子导体22c设置在连接部18a-c的表面上，呈矩形环状。端子导体22c连接至主要导体22a的x轴方向的正方向侧端部。

如图2所示，辅助接地导体(第1接地导体)24是相比信号线路20设置于更靠z轴方向负方向侧的导体层。更详细而言，辅助接地导体24形成于电介质片材18c的背面，隔着电介质片材18c与信号线路20相对。辅助接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制成。此处，辅助接地导体24形成于电介质片材18c的背面是指，通过镀覆形成在电介质片材18c背面的金属箔形成图案，从而形成辅助接地导体24，或者贴附在电介质片材18c背面的金属箔形成图案，从而形成辅助接地导体24。另外，由于对辅助接地导体24的表面实施了平滑化，因此在辅助接地导体24上与电介质片材18c相接的面的表面粗糙度要大于在辅助接地导体24上未与电介质片材18c相接的面的表面粗糙度。

另外，如图2、图3、图5及图6所示，辅助接地导体24由主要导体24a及端子导体24b、24c构成。主要导体24a设置在线路部18c-a的背面上，且沿x轴方向延伸。端子导体24b设置在线路部18c-b的背面上，呈矩形环状。端子导体24b连接至主要导体24a的x轴方向的负方向侧端部。端子导体24c设置在连接部18c-c的背面上，呈矩形环状。端子导体24c连接至主要导体24a的x轴方向的正方向侧端部。

另外，如图2及图3所示，主要导体24a设有沿着x轴方向排列，且呈长方形的多个开口30。由此，主要导体24a呈梯子状。另外，辅助接地导体24中，将夹持于相邻开口30的部分称作桥接部60。桥接部60在y轴方向上延伸。多个开口30及多个桥接部60在从z轴方向俯视时与信号线路20交替重叠。此外，本实施方式中，信号线路20在x轴方向上横切开口30及桥接部60的y轴方向的中央。

如上所述，不在基准接地导体22设置开口，而在辅助接地导体24设置开口。由此，基准接地导体22与信号线路20相重叠的面积要大于辅助接地导体24与信号线路20相重叠的面积。

如图2所示，外部端子16a是形成在连接部18a－b表面上的中央处的矩形导体。由此，在从z轴方向俯视时，外部端子16a与信号线路20的x轴方向的负方向侧端部相重叠。如图2所示，外部端子16b是形成在连接部18a－c表面上的中央处的矩形导体。由此，在从z轴方向俯视时，外部端子16b与信号线路20的x轴方向的正方向侧端部相重叠。外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制成。另外，在外部端子16a、16b的表面上实施Ni/Au的镀覆。此处，外部端子16a、16b形成于电介质片材18a的表面是指，通过镀覆形成在电介质片材18a表面的金属箔形成图案，从而形成外部端子16a、16b，或者贴附在电介质片材18a表面的金属箔形成图案，从而形成外部端子16a、16b。另外，由于对外部端子16a、16b的表面实施了平滑化，因此外部端子16a、16b与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度要大于基准接地导体16未与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度。

外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22以及辅助接地导体24具有大致相等的厚度。外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22以及辅助接地导体24的厚度例如为10μm～20μm。

如上所述，基准接地导体22以及辅助接地导体24从z轴方向的两侧夹持信号线路20。也就是说，信号线路20、基准接地导体22以及辅助接地导体24形成为三板型带状线结构。另外，信号线路20与基准接地导体22之间的间隔(z轴方向上的距离)如图5及图6所示，大致等于电介质片材18a的厚度D1与电介质片材18b的厚度D2之和，例如为50μm～300μm。本实施方式中，信号线路20与基准接地导体22的间隔为150μm。另外，如图5及图6所示，信号线路20与辅助接地导体24的间隔(z轴方向上的距离)大致等于电介质片材18c的厚度D3，例如为10μm～100μm。本实施方式中，信号线路20与辅助接地导体24的间隔为50μm。由此，信号线路20与基准接地导体22在z轴方向的距离大于信号线路20与辅助接地导体24在z轴方向的距离。

如图2所示，多个过孔导体B1相比信号线路20在更靠y轴方向正方向侧在z轴方向贯通电介质片材18a，在x轴方向上等间隔地排列成一列。如图2所示，多个过孔导体B2相比信号线路20在更靠y轴方向正方向侧在z轴方向贯通电介质片材18b，在x轴方向上等间隔地排列成一列。如图2所示，多个过孔导体B3相比信号线路20在更靠y轴方向正方向侧在z轴方向上贯通电介质片材18c，在x轴方向上等间隔地排列成一列。通过将过孔导体B1～B3互相连接来构成一根过孔导体。另外，过孔导体B1的z轴方向正方向侧的端部与基准接地导体22相连。过孔导体B3的z轴方向负方向侧的端部与辅助接地导体24相连，更详细而言，相比桥接部60在更靠y轴方向正方向侧，与辅助接地导体24相连。通过对于形成于电介质片材18a～18c的过孔填充以银、锡或铜等为主要成分的导电性糊料，并使其固化，从而形成过孔导体B1～B3。

如图2所示，多个过孔导体B4相比信号线路20在更靠y轴方向负方向侧在z轴方向贯通电介质片材18a，在x轴方向上等间隔地排列成一列。如图2所示，多个过孔导体B5相比信号线路20在更靠y轴方向负方向侧在z轴方向贯通电介质片材18b，在x轴方向上等间隔地排列成一列。如图2所示，多个过孔导体B6相比信号线路20在更靠y轴方向负方向侧在z轴方向贯通电介质片材18c，在x轴方向上等间隔地排列成一列。通过将过孔导体B4～B6互相连接来构成一根过孔导体。另外，过孔导体B4的z轴方向正方向侧的端部与基准接地导体22相连。过孔导体B6的z轴方向负方向侧的端部与辅助接地导体24相连，更详细而言，相比桥接部60在更靠y轴方向负方向侧，与辅助接地导体24相连。通过对于形成于电介质片材18a～18c的过孔填充以银、锡或铜等为主要成分的导电性糊料，并使其固化，从而形成过孔导体B4～B6。

如图2所示，过孔导体b1在z轴方向贯通电介质片材18a的连接部18a－b。如图2所示，过孔导体b3在z轴方向贯通电介质片材18b的连接部18b－b。通过将过孔导体b1、b3互相连接来构成一根过孔导体。另外，过孔导体b1的z轴方向正方向侧的端部与外部端子16a相连接。过孔导体b3的z轴方向负方向侧的端部与信号线路20的x轴方向负方向侧的端部相连接。

如图2所示，过孔导体b2在z轴方向贯通电介质片材18a的连接部18a－c。如图2所示，过孔导体b4在z轴方向贯通电介质片材18b的连接部18b－c。通过将过孔导体b2、b4互相连接来构成一根过孔导体。另外，过孔导体b2的z轴方向正方向侧的端部与外部端子16b相连接。过孔导体b4的z轴方向负方向侧的端部与信号线路20的x轴方向正方向侧的端部相连接。由此，信号线路20连接在外部端子16a、16b之间。通过对于形成于电介质片材18a、18b的过孔填充以银、锡或铜等为主要成分的导电性糊料，并使其固化，从而形成过孔导体b1～b4。

保护层14是设置于电介质片材18a的表面上的绝缘膜，该电介质片材18a设置于最靠z轴方向的正方向一侧，是几乎覆盖电介质片材18a的整个表面的绝缘膜。由此，保护层14覆盖基准接地导体22。保护层14具有比电介质片材18a～18c的相对介电常数ε1要大的相对介电常数ε2。保护层14由例如抗蚀材料等可挠性树脂形成。

此外，如图2所示，保护层14由线路部14a及连接部14b、14c构成。线路部14a通过覆盖线路部18a-a的整个表面从而覆盖主要导体22a。

连接部14b连接至线路部14a的x轴方向的负方向侧端部，且覆盖连接部18a－b的表面。其中，连接部14b中设有开口Ha～Hd。开口Ha是设置在连接部14b中央处的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha露出至外部。此外，开口Hb是设置在相比开口Ha更靠y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设置在相比开口Ha更靠x轴方向的负方向侧的矩形开口。开口Hd是设置在相比开口Ha更靠y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22b经由开口Hb～Hd露出至外部，从而起到外部端子的作用。

连接部14c连接至线路部14a的x轴方向的正方向侧端部，且覆盖连接部18a－c的表面。其中，连接部14c中设有开口He～Hh。开口He是设置在连接部14c中央处的矩形开口。外部端子16b经由开口He露出至外部。另外，开口Hf是设置在相比开口He更靠y轴方向正方向侧的矩形开口。开口Hg是设置在相比开口He更靠x轴方向正方向侧的矩形开口。开口Hh是设置在相比开口He更靠y轴方向负方向侧的矩形开口。端子导体22c经由开口Hf～Hh露出至外部，从而起到作为外部端子的作用。

保护层15是设置于电介质片材18c的背面上的绝缘膜，该电介质片材18c设置于最靠z轴方向的负方向一侧，是几乎覆盖电介质片材18c的整个背面的绝缘膜。由此，保护层15覆盖辅助接地导体24。保护层15具有大于电介质片材18a～18c的相对介电常数ε1的相对介电常数ε2。保护层15由例如抗蚀材料等可挠性树脂形成。

在高频信号传输线路10中，如图3至图6所示，设置于z轴方向最靠负方向一侧的电介质片材18c的背面上，从z轴方向俯视时，与开口30重叠的区域内设有凹凸部。更详细而言，沿着信号线路20在x轴方向上延伸的槽部G1、G2设置于电介质片材18c的背面，由此在电介质片材18c的背面形成凹凸部。槽部G1通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向负方向侧，且电介质片材18c的背面往z轴方向的正方向侧凹陷。槽部G2通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向正方向侧，且电介质片材18c的背面往z轴方向的正方向侧凹陷。从z轴方向俯视时，槽部G1、G2未与信号线路20相重叠。也就是说，从z轴方向俯视时，槽部G1、G2相比于信号线路20设置于更靠y轴方向(信号线路20的线宽方向)的两侧。

另外，如上所述，槽部G1、G2在x轴方向上延伸，因此如图4所示，在从z轴方向俯视时，与辅助接地导体24的桥接部60相重叠。由此，与电介质片材18c相同，桥接部60上也形成有凹凸部。由此，如图5所示，在桥接部60，从z轴方向俯视时不与信号线路20相重叠的部分(与槽部G1、G2重叠的部分)相比在从z轴方向俯视时与信号线路20重叠的部分要往z轴方向正方向侧更突出。

如上述那样构成的高频信号传输线路10上，信号线路20的特性阻抗周期性地在阻抗Z1与阻抗Z2之间变动。更详细而言，在信号线路20与开口30重叠的区间A1上，在信号线路20与辅助接地导体24之间形成有相对较小的电容。因此，区间A1上的信号线路20的特性阻抗成为相对较高的阻抗Z1。

另一方面，在信号线路20与开口60重叠的区间A2上，在信号线路20与辅助接地导体24之间形成有相对较大的电容。因此，区间A2上的信号线路20的特性阻抗成为相对较低的阻抗Z2。此外，区间A1与区间A2在x轴方向上交替排列。由此，信号线路20的特性阻抗周期性地在阻抗Z1与阻抗Z2之间变动。阻抗Z1例如为55Ω，阻抗Z2例如为45Ω。此外，信号线路20整体的平均特性阻抗例如为50Ω。

如图1所示，连接器100a、100b分别安装在连接部12b、12c的表面上。连接器100a、100b的结构相同，因此，下面以连接器100b的结构为例进行说明。图7是高频信号传输线路10的连接器100b的外观立体图。图8是高频信号传输线路10的连接器100b的剖视结构图。

如图1、图7及图8所示，连接器100b由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110构成。连接器主体102形成矩形板构件上连结有圆筒构件的形状，且由树脂等绝缘材料制成。

在连接器主体102的板构件的z轴方向负方向侧的表面上，将外部端子104设置在与外部端子16b相对的位置处。外部端子106在连接器主体102的板构件的z轴方向负方向侧的面上，设置在与经由开口Hf～Hh而露出的端子导体22c相对应的位置。

中心导体108设置在连接器主体102的圆筒构件的中心，且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒构件的内周面上，且与外部端子106相连接。外部导体110是保持在接地电位的接地端子。

如图7及图8所示，具有上述结构的连接器100b以外部端子104与外部端子16b相连接，外部端子106与端子导体22c相连接的方式，安装在连接部12c的表面上。由此，信号线路20与中心导体108电连接。另外，基准接地导体22及辅助接地导体24与外部导体110电连接。

高频信号传输线路10按如下所说明的那样来使用。图9是从y轴方向俯视使用了高频信号传输线路10的电子设备200的图。图10是从z轴方向俯视使用了高频信号传输线路10的电子设备200的图。

电子设备200包括高频信号传输线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组(金属体)206及壳体210。

壳体210收纳高频信号传输线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、及电池组206。在电路基板202a上设置有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设置有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池，具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。从x轴方向的负方向侧往正方向侧依次排列有电路基板202a、电池组206及电路基板202b。

插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向的负方向侧主面上。插座204a、204b分别与连接器100a、100b连接。由此，经由插座204a、204b，向连接器100a、100b的中心导体108施加在电路基板202a、202b之间传输的例如具有2GHz频率的高频信号。此外，经由电路基板202a、202b及插座204a、204b，将连接器100a、100b的外部导体110保持在接地电位。由此，高频信号传输线路10连接在电路基板202a、202b之间。

这里，电介质主体12的表面(更确切而言，保护层14)与电池组206相接触。而且，电介质主体12与电池组206通过粘接剂等固定。由此，信号线路20与电池组206之间存在未设有开口的面状的基准接地导体22。

(高频信号传输线路的制造方法)

下面，参照附图，对高频信号传输线路10的制造方法进行说明。图11至图14是高频信号传输线路10在压接时的工序剖视图。下面，以制作一个高频信号传输线路10的情形为示例进行说明，但实际上，通过层叠和切割大型电介质片材来同时制作多个高频信号传输线路10。

首先，准备电介质片材18a～18c，该电介质片材18a～18c由一个主面的整个表面形成有铜箔(金属膜)的热塑性树脂组成。具体而言，在电介质片材18a～18c的一个主面贴附铜箔。然后，在电介质片材18a～18c的铜箔表面例如实施用于防锈的镀锌，从而平滑化。电介质片材18a～18c为液晶聚合物。另外，铜箔的厚度为10μm～20μm。

接下来，通过使形成在电介质片材18a表面上的铜箔形成图案，从而如图2所示那样，在电介质片材18a的表面上形成外部端子16a、16b以及基准接地导体22。具体而言，在电介质片材18a表面的铜箔上印刷其形状与图2所示的外部端子16a、16b及基准接地导体22相同的抗蚀剂。然后，通过对铜箔实施蚀刻处理，从而将未被抗蚀剂覆盖的部分铜箔去除。之后，喷涂抗蚀剂液去除抗蚀剂。由此，通过光刻工序，在电介质片材18a的表面上形成如图2所示的外部端子16a、16b及基准接地导体22。

接下来，如图2所示，在电介质片材18b的背面上形成信号线路20。另外，如图2所示，在电介质片材18c的背面上形成辅助接地导体24。此外，由于信号线路20及辅助接地导体24的形成工序与外部端子16a、16b、信号线路20及基准接地导体22的形成工序相同，因此省略说明。

接着，通过对电介质片材18a～18c上要形成过孔导体b1～b4、B1～B6的位置照射激光束，从而形成贯通孔。然后，对贯通孔填充导电性糊料，来形成过孔导体b1～b4、B1～B6。

接着，如图11及图12所示，从z轴方向的正方向侧向负方向侧依次层叠电介质片材18a～18c，利用压接工具T1、T2来对电介质片材18a～18c实施压接处理以及加热处理。以下，对压接工具T1、T2进行说明。

压接工具T1如图13及图14所示，与电介质片材18a的表面相接触。压接工具T1与电介质片材18a的表面的接触面为平坦面。另一方面，压接工具T2如图13及图14所示，与电介质片材18c的背面相接触。压接工具T2与电介质片材18c的背面的接触面为凹凸面。更详细而言，压接工具T2的接触面设有朝向z轴方向突出，且在x轴方向上延伸的突起P1、P2。设有突起P1的位置对应于形成槽部G1的位置，设有突起P2的位置对应于形成槽部G2的位置。上述压接工具T1、T2内置有加热器。然后，通过利用压接工具T1、T2来对电介质片材18a～18c实施加热处理及加压处理，从而电介质片材18a～18c软化。由此，如图13及图14所示，电介质片材18a～18c相接合，并且在电介质片材18c的背面形成与突起P1、P2相匹配的槽部G1、G2。

接下来，如图2所示，通过利用丝网印刷涂布树脂(抗蚀剂)糊料，从而在电介质片材18a的表面上形成覆盖了基准接地导体22的保护层14。

接下来，如图2所示，通过利用丝网印刷涂布树脂(抗蚀剂)糊料，从而在电介质片材18c的背面上形成覆盖了辅助接地导体24的保护层15。此外，保护层15的背面未形成有凹凸部。

最后，连接部12b、12c上的外部端子16a、16b及端子导体22b、22c上利用焊料来安装连接器100a、100b。由此，得到图1所示的高频信号传输线路10。

(效果)

根据如上述那样构成的高频信号传输线路10，能降低无意义的辐射。更详细而言，在高频信号传输线路10中，在电介质片材18c的背面形成有凹凸部，因此在电介质片材18c的背面的凹凸部电磁场发生漫反射，回到高频信号传输线路10内。由此，漫反射出的电磁场能量被基准接地导体22或辅助接地导体24、电介质片材12消耗。其结果是，在高频信号传输线路10中，无意义的辐射降低。

另外，在高频信号传输线路10中，保护层15具有比电介质片材18a～18c的相对介电常数ε1要高的相对介电常数ε2。由此，在保护层15与空气层的界面上，从信号线路20射出的电磁场在高频信号传输线路10内反射得更多。其结果是，在高频信号传输线路10中，无意义的辐射降低。此外，在高频信号传输线路10中，通过在电介质片材18c的背面形成凹凸部，从而无意义的辐射降低。因此，高频信号传输线路10中的保护层15的相对介电常数ε2也可以低于或等于高频信号传输线路500的高介电常数层515的相对介电常数。

另外，能够抑制高频信号传输线路10的特性阻抗偏离规定的特性阻抗。更详细而言，在高频信号传输线路10中，通过在电介质片材18c的背面形成凹凸部，从而无意义的辐射降低。因此，高频信号传输线路10中的保护层15的相对介电常数ε2也可以低于或等于高频信号传输线路500的高介电常数层515的相对介电常数。由此，在高频信号传输线路10的开口30附近存在电子设备的壳体等金属体的情况下，能抑制信号线路20与金属体之间形成的电容过大。其结果是，能够抑制高频信号传输线路10的特性阻抗偏离规定的特性阻抗。另外，即使因制造偏差而使得高频信号传输线路10与金属体之间的距离产生偏差，信号线路20与金属体之间形成的电容也较小，因此该电容偏差也较小。其结果是，能抑制高频信号传输线路10的特性阻抗产生偏差。

另外，根据高频信号传输线路10，能够实现薄型化。更详细而言，在高频信号传输线路10的区间A1中，信号线路20在从z轴方向俯视时不与辅助接地导体24相重叠。因此，信号线路20与辅助接地导体24之间难以形成电容。因此，即使缩小信号线路20与辅助接地导体24之间在z轴方向的距离，信号线路20与辅助接地导体24之间形成的电容也不会过大。由此，信号线路20的特性阻抗难以偏离规定的特性阻抗(例如50Ω)。其结果是，根据高频信号传输线路10，能将信号线路20的特性阻抗维持在规定的特性阻抗，并实现薄型化。

另外，根据高频信号传输线路10，在高频信号传输线路10贴附于电池组206等金属体的情况下，能够抑制信号线路20的特性阻抗发生变动。更详细而言，高频信号传输线路10贴附于电池组206，以使得面状的基准接地导体22位于信号线路20与电池组206之间。由此，信号线路20与电池组206并不隔着开口相对，能够抑制信号线路20与电池组206之间形成电容。其结果是，通过将高频信号传输线路10贴附于电池组206，从而能抑制信号线路20的特性阻抗降低。

另外，在高频信号传输线路10中，能降低***损失。更详细而言，若电流流过信号线路20，则基准接地导体22与信号线路20之间产生电力线。该电力线在距离越小的地方，电流密度越高。由此，基准接地导体22上有电流流过的区域变窄，电流难以流至基准接地导体22。

因此，如图5所示，槽部G1、G2在从z轴方向俯视时，设置于信号线路20的y轴方向的两侧。由此，在基准接地导体22上与信号线路20几乎等距离的区域变大。其结果是，电流流过基准接地导体22上更大的区域，使得电流易于流过信号线路20。如上所述，高频信号传输线路10上的***损失降低。

另外，根据高频信号传输线路10，能抑制特性阻抗因x轴方向的位置而发生变动。更详细而言，在高频信号传输线路10中，在整个线路部12a上设置槽部G1、G2。因此，线路部12a的剖面结构近似于均匀。其结果是，高频信号传输线路10中，能抑制特性阻抗因x轴方向的位置而发生变动。

另外，电介质主体12上沿着信号线路20设有槽部G1、G2，因此能在信号线路20的长度方向上使得电介质主体12不易弯曲。

(第1变形例)

下面，参照附图，对变形例1所涉及的高频信号传输线路进行说明。图15是变形例1所涉及的高频信号传输线路10a的线路部12a的剖视结构图。图1示出了高频信号传输线路10a的外观立体图。

高频信号传输线路10a在槽部的数量上与高频信号传输线路10不同。更详细而言，高频信号传输线路10a上，设有四条槽部G1～G4，从而从z轴方向俯视时，在电介质片材18c的背面，在与开口30重叠的区域内设有凹凸部。此外，从z轴方向俯视时，槽部G2、G3与信号线路20相重叠。

如上述那样构成的高频信号传输线路10a中，设有比高频信号传输线路10要多的槽部G1～G4，因此电磁场容易在电介质片材18c的背面发生漫反射。其结果是，在高频信号传输线路10a中，能更有效地降低无意义的辐射。

此外，高频信号传输线路10a能以与高频信号传输线路10相同的制造方法制成。其中，在高频信号传输线路10a中，信号线路20与槽部G2、G3重叠。信号线路20比电介质片材18a～18c更容易变形。因此，在高频信号传输线路10a中，与槽部G1、G4相比难以形成槽部G2、G3。换言之，在高频信号传输线路10中，槽部G1、G2不与信号线路20相重叠，因此能容易地形成凹凸部。另外，在高频信号传输线路10中，槽部G1、G2不与信号线路20相重叠，因此即使在槽部G1、G2的凹凸部的大小等上产生制造偏差，高频信号传输线路10的特性阻抗也不易发生变动。

(第2变形例)

下面，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号传输线路进行说明。图16是变形例2所涉及的高频信号传输线路10b的电介质主体12的分解图。图17是俯视高频信号传输线路10b的线路部12a的图。图18是线路部12a的桥接部60的剖视结构图。图19是线路部12a的开口的剖视结构图。图20是线路部12a沿着信号线路20的剖视结构图。图1示出了高频信号传输线路10b的外观立体图。

高频信号传输线路10b如图16至图19所示，与高频信号传输线路10的不同之处在于，信号线路20的线宽不均匀。更详细而言，如图20所示，区间A2上设有桥接部60，因此区间A2上的高频信号传输线路10b的z轴方向的厚度比区间A1上的高频信号传输线路10b的z轴方向的厚度要厚与桥接部60的厚度相应的量。由此，在压接时，区间A2上的信号线路20被桥接部60朝向z轴方向的正方向侧按压。其结果是，如图20所示，信号线路20在xz剖面蜿蜒前进。具体而言，信号线路20与桥接部60相重叠的部分与基准接地导体22之间在z轴方向的距离D5比信号线路20与开口30相重叠的部分与基准接地导体22之间在z轴方向的距离D4要小。由此，在区间A1中相比于区间A2更不易在信号线路20与基准接地导体22之间形成电容。

因此，如图16至图19所示，使信号线路20与开口30相重叠的部分(区间A1中的信号线路20)的线宽设置得比信号线路20与桥接部60相重叠的部分(区间A2中的信号线路20)的线宽要宽。由此，能减小信号线路20的电阻值，而不会增大形成于信号线路20与基准接地导体22之间的电容。也就是说，能够降低高频信号传输线路10b的***损失，而不会使高频信号传输线路10b的特性阻抗从规定的特性阻抗变动。

(第3变形例)

下面，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号传输线路10c及其制造方法进行说明。图21是变形例3所涉及的高频信号传输线路10c的分解图。图1示出了高频信号传输线路10c的外观立体图。

如图21所示，在高频信号传输线路10c中与高频信号传输线路10的不同之处在于，设有增强接地导体40、42。更详细而言，增强接地导体40形成于电介质片材18b的背面，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，增强接地导体40相比信号线路20设置于更靠y轴方向正方向侧，不与开口30及桥接部60相重叠，而与辅助接地导体24相重叠。

另外，增强接地导体42形成于电介质片材18b的背面，在x轴方向上延伸。从z轴方向俯视时，增强接地导体42相比信号线路20设置于更靠y轴方向负方向侧，不与开口30及桥接部60相重叠，而与辅助接地导体24相重叠。

参照附图对如上述那样构成的高频信号传输线路10c的制造方法进行说明。图22至图25是高频信号传输线路10c在压接时的工序剖视图。下面，以制作一个高频信号传输线路10c的情形为示例进行说明，但实际上，通过层叠和切割大型电介质片材来同时制作多个高频信号传输线路10c。

在压接工序中，高频信号传输线路10c的制造方法不同于高频信号传输线路10的制造方法。因此，以下对压接工序进行说明。

首先，如图22及图23所示，从z轴方向的正方向侧朝向负方向侧依次层叠电介质片材18a～18c，利用压接工具T3、T4来对电介质片材18a～18c实施压接处理以及加热处理。压接工具T3用于按压电介质片材18a的表面。压接工具T3与电介质片材18a的表面的接触面为平坦面。另一方面，压接工具T4隔着缓冲构件C1对电介质片材18c的背面进行按压。压接工具T4与缓冲构件C1的接触面为平坦面。缓冲构件C1是由橡胶等弹性体构成的片材。上述压接工具T3、T4内置有加热器。

若利用上述压接工具T3、T4来对电介质片材18a～18c实施加热处理及加压处理，则电介质片材18a～18c软化。这里，在电介质片材18b的背面上设有信号线路20及增强接地导体40、42。由此，从z轴方向俯视时，电介质片材18c与开口30重叠的部分比从z轴方向俯视时电介质片材18c与信号线路20及增强接地导体40、42相重叠的部分更容易变形。其结果是，如图24及图25所示，缓冲构件C1发生变形，在电介质片材18c的背面形成槽部G1、G2。

在如上述那样构成的高频信号传输线路10c中，从信号线路20辐射的电磁场被增强接地导体40、42吸收。其结果是，在高频信号传输线路10c中，能更有效地降低无意义的辐射。

(第4变形例)

下面，参照附图，对变形例4所涉及的高频信号传输线路的结构进行说明。图26是变形例4所涉及的高频信号传输线路10d的外观立体图。图27是图26的高频信号传输线路10d的电介质主体12的分解图。图28是图26的高频信号传输线路10d的区间A11、A13、A15、A17、A19的剖视结构图。图29是图26的高频信号传输线路10d的区间A12、A14、A16、A18的剖视结构图。

高频信号传输线路10d与高频信号传输线路10的不同之处在于，不设置槽部G1、G2，而设置槽部G11、G12、G21～G23。以下，以上述不同之处为主对高频信号传输线路10d进行说明。对于高频信号传输线路10d的结构中与高频信号传输线路10相同的结构标注相同的参照标号。

高频信号传输线路10d的电介质主体12以从z轴方向正方向侧朝向负方向侧依次排列电介质片材18d、18a～18c、18e的方式层叠而成。电介质片材18d、18e具有与电介质片材18a～18c相同的形状。另外，在电介质片材18d设有开口Ha～Hh。电介质片材18d的开口Ha～Hh与保护层14的开口Ha～Hh相同，因此省略说明。

另外，如图26所示，电介质主体12中，区间A11～A19设置成从x轴方向的负方向侧朝向正方向侧依次排列。区间A11、A13、A15、A17、A19是在使用时不弯折的区间。另一方面，区间A12、A14、A16、A18是在使用时弯折的区间。

在高频信号传输线路10d中，如图27至图29所示，设置于z轴方向最靠负方向一侧的电介质片材18e的z轴方向负方向侧的主面(背面)上，从z轴方向俯视时，与开口30重叠的区域内设有凹凸部。更详细而言，沿着信号线路20在x轴方向上延伸的槽部G11、G12设置于电介质片材18e的背面，由此在电介质片材18e的背面形成凹凸部。电介质片材18e的背面构成电介质主体12的背面，因此槽部G11、G12设置于电介质主体12的背面。

槽部G11通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向负方向侧，且电介质片材18e的背面往z轴方向的正方向侧凹陷。槽部G12通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向正方向侧，且电介质片材18e的背面往z轴方向的正方向侧凹陷。从z轴方向俯视时，槽部G11、G12未与信号线路20相重叠。也就是说，从z轴方向俯视时，槽部G11、G12相比于信号线路20设置于更靠y轴方向(信号线路20的线宽方向)的两侧。

另外，如上所述，槽部G11、G12在x轴方向上延伸，因此如图27所示，在从z轴方向俯视时，与辅助接地导体24的桥接部60相重叠。其中，高频信号传输线路10d与高频信号传输线路10不同，未在桥接部60形成凹凸部。

另外，如图27至图29所示，槽部G21～G23设置于电介质片材18d的z轴方向正方向侧的主面(表面)，该电介质片材18d设置于z轴方向最靠正方向一侧。电介质片材18d的表面构成电介质主体12的表面，因此槽部G11、G12设置于电介质主体12的表面。

槽部G21通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向负方向侧，且电介质片材18d的表面往z轴方向的负方向侧凹陷。槽部G22通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，与信号线路20相重叠，且电介质片材18d的表面往z轴方向的负方向侧凹陷。槽部G23通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向正方向侧，且电介质片材18d的表面往z轴方向的负方向侧凹陷。

另外，如图26所示，槽部G21～G23设置于区间A11、A13、A15、A17、A19，未设置于区间A12、A14、A16、A18。由此，如后述那样，电介质主体12的区间A11、A13、A15、A17、A19构成为相比于电介质主体12的区间A12、A14、A16、A18更不易弯曲。高频信号传输线路10d的其它结构与高频信号传输线路10相同，因此省略说明。

下面，参照附图，对高频信号传输线路10d的制造方法进行说明。图30及图31是高频信号传输线路10在压接时的工序剖视图。

在电介质主体12的压接工序中，高频信号传输线路10d的制造方法不同于高频信号传输线路10的制造方法。因此，以下对电介质主体12的压接工序进行说明，其它工序的说明省略。

如图30所示，从z轴方向的正方向侧朝向负方向侧依次层叠电介质片材18d、18a～18c、18e，如图31所示，利用压接工具T11、T12来对电介质片材18d、18a～18c、18e实施压接处理以及加热处理。以下，对压接工具T11、T12进行说明。

如图31所示，压接工具T11与电介质片材18d的表面相接触。压接工具T11与电介质片材18d的表面的接触面为凹凸面。更详细而言，压接工具T11的接触面设有朝向z轴方向负方向侧突出，且在x轴方向延伸的突起P21～P23。设有突起P21的位置与形成槽部G21的位置相对应，设有突起P22的位置与形成槽部G22的位置相对应，设有突起P23的位置与形成槽部G23的位置相对应。另一方面，如图31所示，压接工具T12与电介质片材18e的背面相接触。压接工具T12与电介质片材18e的背面的接触面为凹凸面。更详细而言，压接工具T12的接触面设有朝向z轴方向正方向侧突出，且在x轴方向延伸的突起P11、P12。设有突起P11的位置对应于形成槽部G11的位置，设有突起P12的位置对应于形成槽部G12的位置。上述压接工具T11、T12内置有加热器。然后，通过利用压接工具T11、T12来对电介质片材18a～18e实施加热处理及加压处理，从而电介质片材18a～18e软化。由此，如图31所示，电介质片材18a～18e相接合，在电介质片材18d的表面形成形状与突起P21～P23相匹配的槽部G21～G23，在电介质片材18e的背面形成形状与突起P11、P12相匹配的槽部G11、G12。

根据如上述那样构成的高频信号传输线路10d，与高频信号传输线路10相同，能降低无意义的辐射。更详细而言，在高频信号传输线路10d中，在电介质片材18e的背面形成有凹凸部，因此在电介质片材18e的背面的凹凸部电磁场发生漫反射，回到高频信号传输线路10d内。由此，漫反射出的电磁场能量被基准接地导体22或辅助接地导体24、电介质主体12消耗。其结果是，在高频信号传输线路10d中，无意义的辐射降低。

另外，在高频信号传输线路10d中，电介质主体12在区间A11、A13、A15、A17、A19不易弯曲。更详细而言，在高频信号传输线路10d中，在压接电介质主体12时，使用设置有突起P21～P23的压接工具T11。压接时，突起P21～P23相对于电介质片材18d的表面凹陷。由于压接工具T11中内置有加热器，因此电介质片材18d被加热，从而软化并流动。突起P21～P23凹陷的部分的电介质材料朝向突起P21～P23的y轴方向的两侧移动。由此，在电介质主体12未设有槽部G21～G23的部分的z轴方向的厚度变大。其结果是，电介质主体12的截面二阶矩变大。槽部G21～G23设置于区间A11、A13、A15、A17、A19。由此，在高频信号传输线路10d中，电介质主体12在区间A11、A13、A15、A17、A19不易弯曲。

此外，电介质主体12的区间A12、A14、A16、A18未设置沟槽G21～G23。因此，如图9所示，能够弯曲高频信号传输线路10d来使用。

(第5变形例)

下面，参照附图，对变形例5所涉及的高频信号传输线路的结构进行说明。图32是变形例5所涉及的高频信号传输线路10e的外观立体图。图33是图32的高频信号传输线路10e的电介质主体12的分解图。图34是图32的高频信号传输线路10e的区间A11、A13、A15、A17、A19的剖视结构图。图35是图32的高频信号传输线路10e的区间A12、A14、A16、A18的剖视结构图。

高频信号传输线路10e与高频信号传输线路10d的不同之处在于，设有保护层14、15以代替电介质片材18d、18e。以下，以上述不同之处为主、对高频信号传输线路10d进行说明。对于高频信号传输线路10e的结构中与高频信号传输线路10d相同的结构标注相同的参照标号。

高频信号传输线路10e的电介质主体12以从z轴方向正方向侧朝向负方向侧依次排列保护层14、电介质片材18a～18c以及保护层15的方式层叠而成。高频信号传输线路10e的保护层14、15与高频信号传输线路10的保护层14、15相同，因此省略说明。

如图32至图35所示，高频信号传输线路10e中,在电介质主体12的z轴方向负方向侧的主面(背面)上，从z轴方向俯视时与开口30相重叠的区域内设有凹凸部。更详细而言，沿着信号线路20在x轴方向上延伸的槽部G11、G12设置于保护层15的背面，由此在保护层15的背面形成凹凸部。保护层15的背面构成电介质主体12的背面，因此槽部G11、G12设置于电介质主体12的背面。

槽部G11通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向负方向侧，且保护层15的背面往z轴方向的正方向侧凹陷。槽部G12通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向正方向侧，且保护层15的背面往z轴方向的正方向侧凹陷。从z轴方向俯视时，槽部G11、G12未与信号线路20相重叠。也就是说，从z轴方向俯视时，槽部G11、G12相比于信号线路20设置于更靠y轴方向(信号线路20的线宽方向)的两侧。

另外，如图32至图35所示，高频信号传输线路10e中,在电介质主体12的z轴方向正方向侧的主面(背面)上，从z轴方向俯视时设有凹凸部。更详细而言，沟槽G21～G23如图32至图35所示，设置于保护层14的z轴方向正方向侧的主面(背面)。保护层14的表面构成电介质主体12的表面，因此槽部G11、G12设置于电介质主体12的表面。

槽部G21通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向负方向侧，且保护层14的表面往z轴方向的负方向侧凹陷。槽部G22通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，与信号线路20相重叠，且保护层14的表面往z轴方向的负方向侧凹陷。槽部G23通过如下方式来形成：从z轴方向俯视时，相比信号线路20设置于更靠y轴方向正方向侧，且保护层14的表面往z轴方向的负方向侧凹陷。

另外，如图32所示，槽部G21～G23设置于区间A11、A13、A15、A17、A19，未设置于区间A12、A14、A16、A18。由此，电介质主体12的区间A11、A13、A15、A17、A19构成为相比于电介质主体12的区间A12、A14、A16、A18更不易弯曲。高频信号传输线路10e的其它结构与高频信号传输线路10d相同，因此省略说明。

根据如上述那样构成的高频信号传输线路10e，与高频信号传输线路10d相同，能降低无意义的辐射。

另外，在高频信号传输线路10e中，与高频信号传输线路10相同，电介质主体12在区间A11、A13、A15、A17、A19不易弯曲。另外，电介质主体12的区间A12、A14、A16、A18未设置沟槽G21～G23。因此，如图9所示，能够弯曲高频信号传输线路10e来使用。

(第6变形例)

下面，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号传输线路的结构进行说明。图36是变形例6所涉及的高频信号传输线路10f的剖视结构图。图1示出了高频信号传输线路10f的外观立体图。

高频信号传输线路10f与高频信号传输线路10e的不同之处在于未设置槽部G21～G23。高频信号传输线路10f中，在无需设置不易弯折的区间的情况下，无需槽部G21～G23。

(其它的实施方式)

本实用新型所涉及的高频信号传输线路不限于高频信号传输线路10、10a～10f，可以在本实用新型思想的范围内进行改变。

此外，也可以采用高频信号传输线路10、10a～10f的结构或制造方法的各工序的组合。

保护层14、15通过丝网印刷来形成，但也可以通过光刻工序来形成。

此外，在高频信号传输线路10、10a～10f中，也可以不安装连接器100a、100b。该情况下，高频信号传输线路10、10a～10f的端部与电路基板通过焊料来连接。此外，也可以仅在高频信号传输线路10、10a～10f中的一个端部安装有连接器100a。

另外，连接器100a、100b安装于高频信号传输线路10、10a～10f的表面，但也可以安装于高频信号传输线路10、10a～10f的背面。另外，也可为，连接器100a安装于高频信号传输线路10、10a～10f的表面，而连接器100b安装于高频信号传输线路10、10a～10f的背面。

另外，高频信号传输线路10、10a～10f中也可以不设置基准接地导体22。

另外，辅助接地导体24也可以设置于电介质片材18b的表面。

另外，在高频信号传输线路10、10a～10f中，通过在电介质片材18c、18e或保护层15的背面形成槽部G1、G2、槽部G1～G4、或槽部G11、G12，从而在电介质片材18c、18e或保护层15的背面的、从z轴方向俯视时与开口30相重叠的区域内内置凹凸部。然而，在电介质片材18c的背面，在从z轴方向俯视时与开口30相重叠的区域内设有凹凸部的方法并不限于此。槽部G1、G2也可以在y轴方向上延伸，也可以在相对于x轴方向或y轴方向倾斜的方向上延伸。另外，也可以使多个槽部在2个方向上延伸来构成网格状。另外，也可以形成点状的多个凹陷来代替槽部，来设置凹凸部。

此外，高频信号传输线路10、10a～10f也可用作为天线前端模块等RF电路基板中的高频信号传输线路。

此外，高频信号传输线路10、10a～10d、10f中，也可以在压接电介质片材18a～18c(或电介质片材18a～18e)之后，通过刮擦电介质片材18c或电介质片材18e的背面，来形成槽部G1～G4、G11、G12。同样地，高频信号传输线路10e中，也可以通过刮擦保护层15的背面，来形成槽部G11、G12。

此外，保护层14、15的相对介电常数ε2也可以不一定大于电介质片材18a～18c(或电介质片材18a～18e)的相对介电常数ε1。

此外，高频信号传输线路10、10b～10f中，在信号线路20的y轴方向的两侧设置槽部G11、G12，但也可以在信号线路20的y轴方向的某一侧设置槽部G11、G12。

此外，高频信号传输线路10a～10f与高频信号传输线路10相同，也可以用于电子设备。

工业上的实用性

如上所述，本实用新型适用于高频信号传输线路以及电子设备，尤其在如下方面较有利，即能在降低无意义的辐射的同时还能抑制特性阻抗偏离规定的特性阻抗。

标号说明

G1～G4,G11,G12,G21～G23 槽部

10,10a～10f 高频信号传输线路

12 电介质主体

14,15 保护层

20 信号线路

22 基准接地导体

24 辅助接地导体

30 开口

40,42 增强接地导体

Claims (12)

1.一种高频信号传输线路，其特征在于，包括：

层叠多个电介质层而构成的电介质主体；

设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及

相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，

在设置于最靠层叠方向的一端侧的所述电介质层的层叠方向上的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口相重叠的区域内设有凹凸部。

2.如权利要求1所述的高频信号传输线路，其特征在于，

通过使沿着所述信号线路延伸的槽部设置于最靠层叠方向的一端侧所设置的所述电介质层的层叠方向上的一侧主面上，从而形成所述凹凸部。

3.如权利要求2所述的高频信号传输线路，其特征在于，

所述槽部设置于从层叠方向俯视时相比所述信号线路更靠该信号线路的线宽方向的一侧或两侧。

4.如权利要求2或3所述的高频信号传输线路，其特征在于，

通过在相邻的所述开口之间设置桥接部，从而使所述第1接地导体构成为梯子状，

所述槽部在从层叠方向俯视时与所述桥接部相重叠。

5.如权利要求1至3的任一项所述的高频信号传输线路，其特征在于，

还具备第2接地导体，该第2接地导体相对于所述信号线路设置于层叠方向的另一侧，

所述信号线路与所述第1接地导体之间在层叠方向的距离比该信号线路与所述第2接地导体之间在层叠方向的距离要小。

6.如权利要求5所述的高频信号传输线路，其特征在于，

通过在相邻的所述开口之间设置桥接部，从而使所述第1接地导体构成为梯子状，

所述信号线路上与所述桥接部相重叠的部分与所述第2接地导体之间在层叠方向上的距离比该信号线路上与所述开口相重叠的部分与该第2接地导体之间在层叠方向上的距离要小。

7.如权利要求6所述的高频信号传输线路，其特征在于，

所述信号线路上与所述开口相重叠的部分的线宽比该信号线路上与所述桥接部相重叠的部分的线宽要大。

8.如权利要求1至3、6、7的任一项所述的高频信号传输线路，其特征在于，

所述层叠体主体设置于层叠方向上最靠一端侧所设置的所述电介质层的层叠方向上的一侧主面上，且包含相对介电常数比该电介质层的相对介电常数要大的抗蚀剂层。

9.如权利要求1至3、6、7的任一项所述的高频信号传输线路，其特征在于，

所述电介质层的层叠方向上的一侧主面设有凹凸部。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

高频信号传输线路；以及

收纳所述高频信号传输线路的壳体，

所述高频信号传输线路包括：

层叠多个电介质层而构成的电介质主体；

设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及

相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，

在设置于最靠层叠方向的一端侧的所述电介质层的层叠方向上的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口相重叠的区域内设有凹凸部。

11.一种高频信号传输线路，其特征在于，包括：

层叠多个电介质层而构成的电介质主体；

设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及

相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，

在所述电介质主体的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口重叠的区域内设有凹凸部。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

高频信号传输线路；以及

收纳所述高频信号传输线路的壳体，

所述高频信号传输线路包括：

层叠多个电介质层而构成的电介质主体；

设置于所述电介质主体且呈线状的信号线路；以及

相对于所述信号线路设置于层叠方向的一侧，并设有沿着该信号线路排列的多个开口的第1接地导体，

在所述电介质主体的一侧主面上，从层叠方向俯视时与所述开口重叠的区域内设有凹凸部。