CN205985285U - 柔性基板及电子设备 - Google Patents

Abstract

提供一种能抑制弯曲部分的柔性基板的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动的柔性基板及电子设备。本实用新型的柔性基板包括：主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；以及线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体，其特征在于，所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。

Description

柔性基板及电子设备

技术领域

本实用新型涉及柔性基板及电子设备，特别涉及在具有可挠性的主体内设置有线状导体的柔性基板及电子设备。

背景技术

作为现有的与柔性相关的实用新型，已知有例如专利文献1所记载的高频信号线路。该高频信号线路包括电介质坯体、信号线以及两个接地导体。电介质坯体由多个电介质片材层叠而构成。信号线设置在电介质坯体内。两个接地导体在电介质坯体中沿层叠方向将信号线夹在中间。由此，信号线与两个接地导体形成带状线结构。

而且，一个接地导体设有沿层叠方向俯视时与信号线重合的多个开口。由此，信号线与一个接地导体之间就不易形成电容。因此，能缩短信号线与一个接地导体在层叠方向上的距离，从而能实现高频信号线路的薄型化。上述这种高频信号线路例如可用于两个电路基板的连接。

现有技术文献

专利文献

特许文献1:专利文献1:国际公开第2012/073591号刊物

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

然而，专利文献1所记载的高频信号线路中，电介质坯体具有可挠性，因而可弯曲使用。图12是专利文献1中所记载的高频信号线路510中弯曲部分的剖面结构图。图12中，仅示出了电介质坯体512及信号线520。

如图12所示，若高频信号线路510呈L字形弯曲，则信号线520中弯曲部分的左侧部分与信号线520中弯曲部分的下侧部分相接近。因而，在信号线520中弯曲部分的左侧部分与信号线520中弯曲部分的下侧部分之间形成寄生电容。该寄生电容成为高频信号线路510弯曲部分的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动的原因。

因而，本实用新型的目的在于，提供一种能抑制弯曲部分的柔性基板的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动的柔性基板及电子设备。

解决技术问题所采用的技术手段

本实用新型的一实施方式所涉及的柔性基板包括：主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体；第一接地导体，该第一接地导体设置于所述线状导体与所述第一主面之间；以及第二接地导体，该第二接地导体设置于所述线状导体与所述第二主面之间，其特征在于，所述第一接地导体与所述线状导体之间的距离小于所述第二接地导体与所述线状导体之间的距离，所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。

本实用新型的第一实施方式所涉及的电子设备的特征在于，包括：壳体；以及收纳于所述壳体中的柔性基板，所述柔性基板包括：主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体；以及与 所述主体中进行山折的区间中的所述第二主面相接触的金属体，所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。

本实用新型的第二实施方式所涉及的电子设备的特征在于，包括：壳体；以及收纳于所述壳体中的柔性基板，所述柔性基板包括：主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体；第一接地导体，该第一接地导体设置于所述线状导体与所述第一主面之间；以及第二接地导体，该第二接地导体设置于所述线状导体与所述第二主面之间，所述第一接地导体与所述线状导体之间的距离小于所述第二接地导体与所述线状导体之间的距离，所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。

实用新型效果

根据本实用新型，能抑制在弯曲部分中柔性基板的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。

附图说明

图1是本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的外观立体图。

图2是图1的高频信号线路的电介质坯体的分解图。

图3是图2的A-A处的剖面结构图。

图4是图2的B-B处的剖面结构图。

图5是高频信号线路的连接器的外观立体图。

图6是高频信号线路的连接器的剖面结构图。

图7是从y轴方向俯视使用了高频信号线路的电子设备而得到的图。

图8是从z轴方向俯视使用了高频信号线路的电子设备而得到的图。

图9是图7中C处的放大图。

图10是弯曲高频信号线路时的工序图。

图11是比较例的高频信号线路的弯曲部分的剖面结构图。

图12是专利文献1中所记载的高频信号线路的弯曲部分的剖面结构图。

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路及电子设备进行说明。

(高频信号线路的结构)

以下，参照附图对本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2是图1的高频信号线路10的电介质坯体12的分解图。图3是图2的A-A处的剖面结构图。图4是图2的B-B处的剖面结构图。以下，将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路10的长边方向定义为x轴方向，将与x轴方向及z轴方向正交的方向定义为y轴方向。

高频信号线路10例如是用于在移动电话等电子设备内连接两个高频电路的柔性基板。如图1至图3所示，高频信号线路10包括电介质坯体12、外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22、辅助接地导体24、过孔导体b1、b2、B1～B4及连接器100a、100b。

如图1所述，从z轴方向俯视时，电介质坯体12是在x轴方向延伸的具有可挠性的板状构件，具有线路部12a、连接部12b、12c。如图2至图6所示，电介质坯体12是将保护层14、电介质片材18a～18c从z轴方向的正方向侧向负方向侧按该顺序依次层叠而构成的层叠体。以下，将电介质坯体12的z轴 方向的正方向侧的主面称为表面(第二主面)，将电介质坯体12的z轴方向的负方向侧的主面称为背面(第一主面)。

如图1所述，线路部12a沿x轴方向延伸。连接部12b、12c分别与线路部12a的x轴方向负方向侧的端部及x轴方向正方向侧的端部相连接，呈矩形。连接部12b、12c在y轴方向上的宽度大于线路部12a在y轴方向上的宽度。

如图2所示，从z轴方向俯视时，电介质片材18a～18在x轴方向上延伸，呈与电介质坯体12相同的形状。电介质片材18a～18c是由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有可挠性的热塑性树脂构成的片材。下面，将电介质片材18a～18c的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18a～18c的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。

如图3及图4所示，电介质片材18a的厚度T1要大于电介质片材18b的厚度T2。在将电介质片材18a～18c进行层叠后，厚度T1例如为50μm～300μm。在本实施方式中，厚度T1为150μm。此外，厚度T2例如为10μm～100μm。在本实施方式中，厚度T2为50μm。电介质片材18c的厚度为25μm。

如图2所示，电介质片材18a由线路部18a-a及连接部18a-b，18a-c构成。如图2所示，电介质片材18b由线路部18b-a及连接部18b-b，18b-c构成。电介质片材18c由线路部18c-a及连接部18c-b、18c-c构成。线路部18a-a、18b-a、18c-a构成线路部12a。连接部18a-b、18b-b、18c-b构成连接部12b。连接部18a-c、18b-c、18c-c构成连接部12c。

如图2至图4所示，信号线路20传输高频信号，是设置于电介质坯体12内的线状导体。本实施方式中，信号线路20形成于电介质片材18b的表面上，是沿x方向延伸的直线状导体。另外，如图3及图4所示，信号线路20位于相比电介质坯体12的表面更靠近背面的位置。

如图2所示，线路导体20的x轴方向的负方向侧端部位于连接部18b-b的中央。如图2所示，线路导体20的x轴方向的正方向侧端部位于连接部18b-c的中央。信号线路20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。这里，信号线路20形成于电介质片材18b的表面是指在电介质片材18b的表面通过镀敷而形成金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成信号线路20，或者在电介质片材18b的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成信号线路20。另外，由于对信号线路20的表面实施平滑化处理，因此，信号线路20与电介质片材18b相接触的面的表面粗糙度要大于信号线路20的没有与电介质片材18b相接触的面的表面粗糙度。

如图2至图4所示，基准接地导体(第二接地导体)22是设置于信号线路20与电介质坯体12的表面之间的实心状的导体层。更具体而言，基准接地导体22形成于电介质片材18a的表面，且隔着电介质片材18a与信号线路20相对。基准接地导体22中与信号线路20相重合的位置处未设置开口。基准接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料形成。

这里，基准接地导体22形成于电介质片材18a的表面是指在电介质片材18a的表面通过镀敷而形成金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成基准接地导体22，或者在电介质片材18a的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成基准接地导体22。另外，由于对基准接地导体22的表面实施平滑化处理，因此，基准接地导体22中与电介质片材18a相接触的面的表面粗糙度要大于基准接地导体22中没有与电介质片材18a相接触的面的表面粗糙度。

此外，如图2所示，基准接地导体22由主要导体22a以及端子导体22b、22c构成。主要导体22a设置在线路部18a-a的表面，且沿x轴方向延伸。端子导体22b设置在连接部18a-b的表面，且呈矩形的环。端子导体22b与主要导体22a的x轴方向的负方向侧端部相连接。端子导体22c设置在连接部18a-c的表面，且呈矩形的环。端子导体22c与主要导体22a的x轴方向的正 方向侧端部相连接。

高频信号线路10的特性阻抗主要取决于信号线路20与基准接地导体22的相对面积和距离、以及电介质片材18a～18c的相对介电常数。因此，在将高频信号线路10的特性阻抗设定为50Ω的情况下，例如，利用信号线路20和基准接地导体22将高频信号线路10的特性阻抗设计为比50Ω稍高的55Ω。然后，对在下文中叙述的辅助接地导体24的形状(开口30的大小等)、位置进行调整，使得高频信号线路10的特性阻抗因信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24而成为50Ω。如上所述，基准接地导体22起到作为基准接地导体的作用。

如图2所示，辅助接地导体(第一接地导体)24是设置于信号线路20与电介质坯体12的背面之间的导体层。更详细而言，辅助接地导体24形成于电介质片材18c的表面，且隔着电介质片材18b与信号线路20相对。辅助接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。

这里，辅助接地导体24形成于电介质片材18c的表面是指在电介质片材18c的表面上通过镀敷而形成金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成辅助接地导体24，或者在电介质片材18c的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成辅助接地导体24。另外，由于对辅助接地导体24的表面实施平滑化处理，因此，辅助接地导体24中与电介质片材18c相接触的面的表面粗糙度要大于辅助接地导体24中没有与电介质片材18c相接触的面的表面粗糙度。

此外，如图2所示，辅助接地导体24由主要导体24a以及端子导体24b、24c构成。主要导体24a设置在线路部18c-a的表面，且沿x轴方向延伸。端子导体24b设置在连接部18c-b的表面，且呈矩形的环。端子导体24b与主要导体24a的x轴方向的负方向侧端部相连接。端子导体24c设置在连接部18c-c的表面，且呈矩形的环。端子导体24c与主要导体24a的x轴方向的正 方向侧端部相连接。

另外，如图2所示，主要导体24a中设置有沿x轴方向排列且呈长方形的多个开口30。由此，主要导体24a呈梯子状。辅助接地导体24中，将被相邻开口30夹持的部分称为桥接部60。桥接部60沿y轴方向延伸。从z轴方向俯视时，多个开口30及多个桥接部60与信号线路20交替地重合。于是，在本实施方式中，信号线路20在x轴方向上横切开口30及桥接部60的y轴方向的中央。

辅助接地导体24是具有屏蔽体功能的辅助接地导体。此外，如上所述，设计辅助接地导体24是为了进行最终调整以使得高频信号线路10的特性阻抗成为50Ω。

如上所述，在基准接地导体22中未设置有开口，在辅助接地导体24中设置有开口30。因而，辅助接地导体24与信号线路20相对的面积小于基准接地导体22与信号线路20相对的面积。

如图2所示，外部端子16a是形成在连接部18a-b表面上的中央的矩形导体。由此，从z轴方向俯视时，外部端子16a与信号线路20的x轴方向的负方向侧端部重合。如图2所示，外部端子16b是形成在连接部18a-c表面上的中央的矩形导体。由此，从z轴方向俯视时，外部端子16b与信号线路20的x轴方向的正方向侧端部重合。外部端子16a、16b通过在以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料的表面实施Ni/Au镀敷来形成。

这里，外部端子16a、16b形成于电介质片材18a的表面是指在电介质片材18a的表面通过镀敷而形成金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成外部端子16a、16b，或者在电介质片材18a的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成，由此来形成外部端子16a、16b。另外，由于对外部端子16a、16b的表面实施平滑化处理，因此，外部端子16a、16b与电介质片材 18a相接触的面的表面粗糙度要大于外部端子16a、16b没有与电介质片材18a相接触的面的表面粗糙度。

外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24具有大致相等的厚度。外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24的厚度例如为10μm～20μm。

如上所述，信号线路20从z轴方向的两侧被基准接地导体22及辅助接地导体24夹住。即，信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24形成三板型带状线结构。此外，如图3及图4所示，信号线路20与基准接地导体22之间的间隔(z轴方向上的距离)与电介质片材18a的厚度T1基本相等，例如为50μm～300μm。在本实施方式中，信号线路20与基准接地导体22之间的间隔为150μm。另一方面，如图3及图4所示，信号线路20与辅助接地导体24之间的间隔(z轴方向上的距离)与电介质片材18b的厚度T2基本相等，例如为10μm～100μm。在本实施方式中，信号线路20与辅助接地导体24之间的间隔为50μm。即，辅助接地导体24与信号线路20在z轴方向上的距离被设计成小于基准接地导体22与信号线路20在z轴方向上的距离。

如图2所示，多个过孔导体B1在比信号线路20更靠近y轴方向的正方向侧沿z轴方向贯通电介质片材18a，在x轴方向上等间隔地排列为一列。如图2所示，多个过孔导体B2在比信号线路20更靠近y轴方向的正方向侧沿z轴方向贯通电介质片材18b，在x轴方向上等间隔地排列为一列。过孔导体B1、B2相互连接而形成一个过孔导体。另外，过孔导体B1的z轴方向的正方向侧的端部与基准接地导体22相连接。过孔导体B2的z轴方向的负方向侧的端部与辅助接地导体24相连接，更具体而言，在相对于桥接部60的y轴方向的正方向侧与辅助接地导体24相连接。过孔导体B1、B2通过对形成于电介质片材18a、18b的过孔填充以银、锡、铜等为主要成分的导电性糊料并进行固化而形成。

如图2所示，多个过孔导体B3在比信号线路20更靠近y轴方向的负方向侧沿z轴方向贯通电介质片材18a，在x轴方向上等间隔地排列为一列。如图2所示，多个过孔导体B4在比信号线路20更靠近y轴方向的负方向侧沿z轴方向贯通电介质片材18b，在x轴方向上等间隔地排列为一列。过孔导体B3、B4相互连接而形成一个过孔导体。另外，过孔导体B3的z轴方向的正方向侧的端部与基准接地导体22相连接。过孔导体B4的z轴方向的负方向侧的端部与辅助接地导体24相连接，更详细而言，在相对于桥接部60的y轴方向的负方向侧与辅助接地导体24相连接。过孔导体B3、B4通过对形成于电介质片材18a、18b的过孔填充以银、锡、铜等为主要成分的导电性糊料并进行固化而形成。

如图2所示，过孔导体b1在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a-b，将外部端子16a和线路导体20的x轴方向的负方向侧端部相连接。如图2所示，过孔导体b2在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a-c，对外部端子16b与线路导体20的x轴方向的正方向侧端部进行连接。由此，信号线路20连接在外部端子16a、16b之间。过孔导体b1、b2通过对形成于电介质片材18a、18b的过孔填充以银、锡、铜等为主要成分的导电性糊料并进行固化而形成。

保护层14是设置于电介质片材18a表面上的绝缘膜，覆盖电介质片材18a的大致整个表面。由此，保护层14覆盖基准接地导体22，并成为电介质坯体12的表面。保护层14例如由抗蚀剂材料等可挠性树脂构成，具有比电介质片材18a～18c(即，电介质坯体12的保护层14以外的部分)要高的相对介电常数。保护层14的厚度为30μm。

此外，如图2所示，保护层14由线路部14a及连接部14b、14c构成。线路部14a覆盖线路部18a-a的整个表面，从而覆盖主要导体22a。

连接部14b与线路部14a的x轴方向的负方向侧的端部相连接，覆盖连接 部18a-b的表面。其中，在连接部14b上设有开口Ha～Hd。开口Ha是设置在连接部14b中央的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha露出至外部。此外，开口Hb是设置于相对于开口Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设置于比开口Ha更靠x轴方向的负方向侧的矩形开口。开口Hd是设置于比开口Ha更靠x轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22b经由开口Hb～Hd露出至外部，从而起到外部端子的作用。

连接部14c与线路部14a的x轴方向的正方向侧的端部相连接，覆盖连接部18a-c的表面。其中，在连接部14c上设有开口He～Hh。开口He是设置在连接部14c的中央的矩形开口。外部端子16b经由开口He露出至外部。此外，开口Hf是设置于比开口He更靠y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hg是设置于比开口He更靠x轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hh是设置于比开口He更靠y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22c经由开口Hf～Hh露出至外部，从而起到外部端子的作用。

在具有上述结构的高频信号线路10中，高频信号线路10的特性阻抗在阻抗Z1和阻抗Z2之间周期性地变化。更详细而言，在信号线路20的与开口30重合的区间A1中，在信号线路20与辅助接地导体24之间形成了相对较小的电容。因而，区间A1中的高频信号线路10的特性阻抗为相对较高的阻抗Z1。

另一方面，在信号线路20的与桥接部60重合的区间A2中，在信号线路20与辅助接地导体24之间形成了相对较大的电容。因而，区间A2中的高频信号线路10的特性阻抗为相对较低的阻抗Z2。区间A1和区间A2沿x轴方向相互交替排列。因此，高频信号线路10的特性阻抗在阻抗Z1与阻抗Z2之间周期性地变化。阻抗Z1例如为55Ω，阻抗Z2例如为45Ω。于是，高频信号线路10整体的平均特性阻抗例如为50Ω。

如图1所示，连接器100a、100b分别安装在连接部12b、12c的表面上。 由于连接器100a、100b的结构相同，因此，以下以连接器100b的结构为例进行说明。图5是高频信号线路10的连接器100b的外观立体图。图6是高频信号线路10的连接器100b的剖面结构体。

如图1、图5及图6所示，连接器100b由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110构成。连接器主体102是在矩形的板状构件上连结圆筒构件而得到的形状，由树脂等绝缘材料制作而成。

外部端子104设置在连接器主体102的板状构件的z轴方向的负方向侧的面中与外部端子16b相对的位置。外部端子106设置在连接器主体102的板状构件的z轴方向的负方向侧的面中与经由开口Hf～Hh而露出的端子导体22c相对的位置。

中心导体108设置在连接器主体102的圆筒构件的中心，且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒构件的内周面，且与外部端子106相连接。外部导体110是保持接地电位的接地端子。

如图5及图6所示，具有如上结构的连接器100b以外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子导体22c相连接的方式安装在连接部12c的表面上。由此，信号线路20与中心导体108进行电连接。此外，基准接地导体22和辅助接地导体24与外部导体110进行电连接。

高频信号线路10按照以下所说明的那样来使用。图7是从y轴方向俯视使用了高频信号线路10的电子设备200而得到的图。图8是从z轴方向俯视使用了高频信号线路10的电子设备200而得到的图。图9是图7中C处的放大图。

电子设备200包括高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a 、204b、电池组(金属体)206及壳体210。

如图7、图8所示，壳体210是收纳有高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b以及电池组206的金属体。在电路基板202a上设置有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b设有例如供电电路。电池组206例如是锂离子充电电池，具有其表面被金属盖板覆盖的结构。电路基板202a、电池组206及电路基板202b从x轴方向的负方向侧向正方向侧按该顺序依次排列。

插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向的负方向侧的主面上。插座204a、204b分别与连接器100a、100b相连接。

如上所述，若插座204a、204b分别与连接器100a、100b相连接，则在电路基板202a、202b之间传输的例如具有2GHz频率的高频信号经由插座204a、204b施加到连接器100a、100b的中心导体108。此外，经由电路基板202a、202b及插座204a、204b，将连接器100a、100b的外部导体110保持在接地电位。由此，高频信号线路10连接在电路基板202a、202b之间。

然而，线路部12a按照以下方式进行弯曲。如图7、图8所示，线路部12a的相比x轴方向的中央位于正方向侧的部分在与信号线路20相交叉(本实施方式中为正交)的山折线处相对于电介质坯体12的背面进行山折。由此，电介质坯体12沿着电池组206的z轴方向的负方向侧的表面及电池组206的x轴方向的正方向侧的侧面。以下，如图9所示，将电介质坯体12进行山折的区间称为区间A11。

如图7、图8所示，线路部12a的相比区间A11更靠近x轴方向的正方向侧的部分在与信号线路20相交叉(本实施方式中为正交)的谷折线处相对于电介质坯体12的背面进行谷折。由此，电介质坯体12从电池组206的x轴方向的正方向侧的侧面起，向电路基板202b的z轴方向的负方向侧的主面上引 出。以下，如图9所示，将电介质坯体12进行谷折的区间称为区间A12。

此处，如图9所示，电介质坯体12中区间A12的曲率半径R2的平均大于电介质坯体12中区间A11的曲率半径R1的平均。本实施方式中，所谓曲率半径是指通过电介质坯体12在z轴方向上的中央的假想线L的曲率半径。由于高频信号线路10具有相关的结构，如后述那样，能抑制在弯曲部分(区间A11、A12)中高频信号线路10的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。

另外，线路部12a的相比x轴方向的中央更靠近的负方向的一侧，与线路部12a的相比x轴方向的中央更靠近的正方向的一侧相同，也相对于电介质坯体12的背面形成山折及谷折。但是，对于在线路部12a的x轴方向的负方向侧的端部附近的弯曲方式，由于其与线路部12a的x轴方向的正方向侧的端部附近的弯曲方式相同，因而省略说明。

此处，电池组206在电介质坯体12的背面进行谷折的两个区间A12之间，与区间中的电介质坯体12的表面(更正确而言为保护层14)相接触。由此，电池组206与区间A11中的电介质坯体12的表面相接触。而且，电介质坯体12与电池组206通过粘接剂等进行固定。由此，在信号线路20与电池组206之间存在有未设置有开口的实心状的基准接地导体22。

(高频信号线路的制造方法)

以下，参照附图说明高频信号线路10的制造方法。图10是弯曲高频信号线路10时的工序图。以下，以制作一个高频信号线路10的情况为例进行说明，但实际上，通过将大尺寸的电介质片材进行层叠及切割，能同时制作多个高频信号线路10。

首先，准备电介质片材18a～18c，该电介质片材18a～18c由一个主面上的整个面形成有铜箔的热塑性树脂形成。具体而言，电介质片材18a～18c的一个主面上贴有铜箔。并且，对电介质片材18a～18c的铜箔的表面实施 例如用于防锈的镀锌，并进行平滑化。电介质片材18a～18c是液晶聚合物。此外，铜箔厚度为10μm～20μm。

接着，对形成在电介质片材18a表面上的铜箔进行图案形成，由此如图2所示在电介质片材18a的表面上形成外部端子16a、16b以及基准接地导体22。具体而言，在电介质片材18a表面的铜箔上印刷形状与图2所示的外部端子16a、16b及基准接地导体22相同的抗蚀剂。接着，对铜箔实施蚀刻处理，从而去除未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。之后，喷淋洗净液(抗蚀剂去除液)来去除抗蚀剂。由此，利用光刻工序在电介质片材18a的表面上形成图2所示那样的外部端子16a、16b及基准接地导体22。

接着，如图2所示，在电介质片材18b的表面上形成信号线路20。接着，如图2所示，在电介质片材18c的表面上形成辅助接地导体24。另外，信号线路20及辅助接地导体24的形成工序与外部端子16a、16b、信号线路20及基准接地导体22的形成工序相同，因此省略说明。

接着，向电介质片材18a～18c的要形成过孔导体b1、b2、B1～B4的位置照射激光束，从而形成贯通孔。然后，向贯通孔填充导电性糊料。

接着，如图2所示，从z轴方向的正方向侧起向负方向侧依次重叠电介质片材18a～18c，并进行压接处理及加热处理。通过对电介质片材18a～18c进行加热处理及加压处理，从而电介质片材18a～18c发生软化，并且贯通孔内的导电性糊料发生固化。由此，电介质片材18a～18c进行接合，并且形成过孔导体b1、b2、B1～B4。

接着，如图2所示，通过丝网印刷来涂布树脂(抗蚀剂)糊料，从而在电介质片材18a的表面上形成覆盖基准接地导体22的保护层14。

接在，利用焊料将连接器100a、100b安装到连接部12b、12c上的外部 端子16a、16b以及端子导体22b、22c上。

接着，如图10所示，利用压接工具T1、T2从z轴方向的两侧夹住线路部12a，从而对线路部12a的x轴方向的两端附近进行山折及谷折。具体而言，压接工具T1是与线路部12a的背面相接触的工具，具有用于对线路部12a实施山折及谷折的阶差。下文中，将压接工具T1的谷侧的角称为角C1，将压接工具T1的山侧的角称为角C2。角C1,C2从x轴方向的负方向侧起向正方向侧依次排列。对角C1，C2进行倒角处理。角C1的曲率半径为曲率半径r1。角C2的曲率半径为曲率半径r2。

压接工具T2是与线路部12a的表面相接触的工具，具有用于对线路部12a实施山折及谷折的阶差。下文中，将压接工具T2的山侧的角称为角C3，将压接工具T2的谷侧的角称为角C4。角C3,C4从x轴方向的负方向侧起向正方向侧依次排列。对角C3，C4进行倒角处理。角C3的曲率半径为曲率半径r3。曲率半径r2的平均大于曲率半径r3的平均。角C4的曲率半径为曲率半径r4。曲率半径r4的平均大于曲率半径r1的平均。

将采用上述构造的压接工具T1、T2配置为，在z轴方向上角C1和角C3大致一致，且角C2和角C4大致一致。利用压接工具T1、T2从z轴方向的两侧夹住线路部12a。压接工具T1、T2中内置有加热器，利用压接工具T1、T2对线路部12a进行加热。由此，对线路部12a实施山折及谷折。电介质坯体12进行谷折的区间A12的曲率半径R2的平均大于电介质坯体12进行山折的区间A11的曲率半径R1的平均。如上所述实施了山折和谷折的高频信号线路10与插座204a、204b相连接。

(效果)

根据采用上述结构的高频信号线路10，能抑制区间A11、A12中的高频信号线路10的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。更具体而言，在高频信号线路10中，电介质坯体12的背面进行山折及谷折。此时，电介质坯体12 进行谷折的区间A12的曲率半径R2的平均大于电介质坯体12进行山折的区间A11的曲率半径R1的平均。在假设信号线路20设置于假想线L上的情况下，区间A11中的信号线路20的曲率半径小于区间A12中的信号线路20的曲率半径。其结果是，相比区间A12，区间A11更易在信号线路20中产生寄生电容。

因而，在高频信号线路10中，信号线路20设置在相比表面更靠近背面的位置。由此，如图9所示，在容易发生寄生电容的区间A11中，信号线路20位于假想线L的外周侧。因而，区间A11中的信号线路20的曲率半径增加，能抑制区间A11中信号线路20产生寄生电容。其结果是，能抑制高频信号线路10的区间A11中的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。

此外，在区间A12中，信号线路20位于假想线L的内周侧。但是由于区间A12的曲率半径R2较大，因而是信号线路20不易发生寄生电容的区间。因而，区间A12中信号线路20中产生的寄生电容仅存在稍许，因而区间A12中的特性阻抗几乎与目标特性阻抗不发生变动。

对于高频信号线路10，基于以下理由能抑制区间A11中的高频信号线路10的特性阻抗不从目标特性阻抗发生变动。更具体而言，金属体即电池组206与区间A11中的电介质坯体12的表面相接触。区间A11中，信号线路20设置于假想线L的外周侧，位于远离电池组206的位置。因而，能抑制在信号线路20与电池组206之间形成寄生电容。其结果是，能抑制区间A11中高频信号线路10的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。

另外，高频信号线路10中，在电介质坯体12的z轴方向的最靠近正方向的一侧，设置有保护层14。由此，保护层14位于区间A11中最靠近内周侧的位置。保护层14的相对介电常数高于电介质片材18a～18c的相对介电常数，因此，区间A11中的信号线路20中发生的寄生电容可能会增大。但是，高频信号线路10中，如上述，能抑制区间A11中信号线路20中产生寄生电容的 情况，因此即使设置有保护层14，信号线路20中产生的寄生电容也几乎不会增大。

另外，根据高频信号线路10，能抑制区间A11、A12中高频信号线路10的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动，并能抑制高频信号线路10的***损耗发生增大。图11是比较例的高频信号线路610的弯曲部分的剖面结构图。

比较例所涉及的高频信号线路610包括电介质坯体612、信号线路620a～620c、及过孔导体b50、b51。信号线路620a、620c设置于电介质坯体612的层叠方向的中央。对于信号线路620b，其在电介质坯体612弯曲的部分，相比于电介质坯体612的层叠方向的中央而设置于外周侧。过孔导体b50连接信号线路620a和信号线路620b。过孔导体b51连接信号线路620b和信号线路620c。根据上述高频信号线路610，在高频信号线路610弯曲的部分，信号线路620b相比层叠方向的中央而位于外周侧，因而不易在信号线路620b中产生寄生电容。因而，在弯曲部分能抑制高频信号线路610的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。

但是，过孔导体b50、b51的材料的电阻率一般高于信号线路620a～620c的材料的电阻率。因而，高频信号线路610中，存在***损耗增大的问题。

高频信号线路10中，不像高频信号线路610那样利用过孔导体b50、b51来引出信号线路620b，能抑制区间A11、A12中高频信号线路10的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。因而，能抑制高频信号线路10的***损耗的增加。

此外，根据高频信号线路10，能够实现薄型化。更具体而言，在高频信号线路10中，在从z轴方向进行俯视时，在区间A1中，信号线路20与辅助接地导体24不重合。由此，信号线路20与辅助接地导体24之间不易形成电容。因此，即使信号线路20与辅助接地导体24之间在z轴方向上的距离变小 ，信号线路20与辅助接地导体24之间形成的电容也不会过大。由此，高频信号线路10的特性阻抗不易偏离规定的特性阻抗(例如，50Ω)。其结果是，根据高频信号线路10，能将高频信号线路10的特性阻抗维持在规定的特性阻抗，并能实现薄型化。

此外，根据高频信号线路10，在高频信号线路10贴附于电池组206等金属体的情况下，能够抑制高频信号线路10的特性阻抗发生变动。更详细而言，高频信号线路10以实心状的基准接地导体22位于信号线路20与电池组206之间的方式贴附于电池组206。由此，信号线路20与电池组206就不会经由开口相对，从而能够抑制信号线路20与电池组206之间形成电容。其结果是，通过将高频信号线路10粘贴于电池组206，可抑制高频信号线路10的特性阻抗的下降的情况。

(其它实施方式)

本实用新型所涉及的柔性基板及电子设备并不限于高频信号线路10及电子设备200，可以在其主旨范围内进行变更。

保护层14通过丝网印刷来形成，但也可以通过光刻工序来形成。

电介质坯体12也可以进一步包含设置于电介质片材18c的背面上的保护层。

保护层14的相对介电常数高于电介质片材18a～18c的相对介电常数，但是也可以与电介质片材18a～18c的相对介电常数相同，或低于电介质片材18a～18c的相对介电常数。

另外，在高频信号线路10中，也可以不安装连接器100a、100b。这种情况下，高频信号线路10的端部通过焊料等与电路基板相连接。此外，也可以仅将连接器100a或连接器100b安装于高频信号线路10的一个端部。

连接器100a、100b安装于高频信号线路10的表面，但也可以安装于高频信号线路10的背面。另外，也可以使得连接器100a安装于高频信号线路10的表面，连接器100b安装于高频信号线路10的背面。

高频信号线路10中，也可以不设置基准接地导体22或辅助接地导体24中的一方，或两者皆不设置。

此外，高频信号线路10也可用作为天线前端模块等RF电路基板中的高频信号线路。

此外，信号线路20也可以不是传输高频信号的信号线路，而是例如用于供电的电源线、保持接地电位的接地线等。

工业上的实用性

因而，本实用新型能用于柔性基板及电子设备，其优点在于，能抑制弯曲部分的柔性基板的特性阻抗从目标特性阻抗发生变动。

标号说明

A1、A2、A11、A12 区间

10 高频信号线路

12 电介质坯体

20 信号线路

22 基准接地导体

24 辅助接地导体

30 开口

60 桥接部

200 电子设备

210 壳体。

Claims (7)

1.一种柔性基板，包括:

主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体；第一接地导体，该第一接地导体设置于所述线状导体与所述第一主面之间；以及第二接地导体，该第二接地导体设置于所述线状导体与所述第二主面之间，其特征在于，

所述第一接地导体与所述线状导体之间的距离小于所述第二接地导体与所述线状导体之间的距离，

所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，

所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。

2.如权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，

所述第一接地导体与所述线状导体相对的面积小于所述第二接地导体与该线状导体相对的面积。

3.如权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，

所述主体由热塑性树脂制作而成。

4.如权利要求2所述的柔性基板，其特征在于，

所述主体由热塑性树脂制作而成。

5.如权利要求1至4的任一项所述的柔性基板，其特征在于，

所述主体包含构成所述第二主面的保护层，

所述保护层的相对介电常数高于该主体的该保护层以外的部分的相对介电常数。

6.一种电子设备，其特征在于，包括：

壳体；以及

收纳于所述壳体中的柔性基板，

所述柔性基板包括：

主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；

线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体；以及

与所述主体中进行山折的区间中的所述第二主面相接触的金属体，

所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，

所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。

7.一种电子设备，其特征在于，包括：

壳体；以及

收纳于所述壳体中的柔性基板，

所述柔性基板包括：

主体，该主体具有第一主面和第二主面，且具有可挠性；

线状导体，该线状导体以位于相比所述第二主面更靠近所述第一主面的方式设置于所述主体；

第一接地导体，该第一接地导体设置于所述线状导体与所述第一主面之间；以及

第二接地导体，该第二接地导体设置于所述线状导体与所述第二主面之间，

所述第一接地导体与所述线状导体之间的距离小于所述第二接地导体与所述线状导体之间的距离，

所述主体在与所述线状导体相交叉的谷折线上相对于所述第一主面进行谷折，并且在与该线状导体相交叉的山折线上相对于该第一主面进行山折，

所述主体中进行谷折的区间的曲率半径的平均大于该主体中进行山折的区间的曲率半径的平均。