CN203871360U - 一种抛光铝基板cob封装结构 - Google Patents
一种抛光铝基板cob封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203871360U CN203871360U CN201420022595.6U CN201420022595U CN203871360U CN 203871360 U CN203871360 U CN 203871360U CN 201420022595 U CN201420022595 U CN 201420022595U CN 203871360 U CN203871360 U CN 203871360U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum substrate
- metal layer
- aluminium base
- polishing
- aluminum metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 24
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 28
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 8
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000019635 sulfation Effects 0.000 description 3
- 238000005670 sulfation reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种抛光铝基板COB封装结构,包括铝基板,所述铝基板由经过抛光镜面化处理的铝金属层、及设于铝金属层上部的绝缘层和电路层组成,所述铝金属层的中间部分设有通过固晶胶固定的多个发光晶片,所述电路层上设有表面电极,所述发光晶片和表面电极之间使用金线连接,所述铝基板上还设有用于密封保护所述发光晶片的封装胶体,所述封装胶体覆盖在发光晶片和电路层上部。本实用新型是一种具有抗硫化、热电分离、散热快、光效高、低成本、安装方便的抛光铝基板COB封装结构,可以提高LED的光效和使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种COB封装结构,尤其涉及一种抗硫化、热电分离、散热快、光效高、低成本、安装方便的抛光铝基板COB封装结构。
背景技术
从LED封装发展阶段来看,LED有分立和集成两种封装形式。LED分立器件属于传统封装形式,广泛应用于各个相关的领域,经过近四十年的发展,已形成一系列的主流产品形式。LED的COB模块属于个性化封装形式,主要为一些个性化案例的应用产品而设计和生产。目前应用企业对COB集成封装的需求少。由于上一轮的投入失败,很多照明应用企业不敢轻易使用这一封装方式。COB封装技术的瓶颈在于如何提高光源的可靠性,硫化,及其环境的试用度,目前市场上能量产COB光源的封装企业不多,大多数普通铝基板绝缘层具有很小的热传导性,这样使得热量不能从LED传导到散热片,无法实现整个散热通道畅通,LED的热累积很快就会导致LED失效,铝基板固晶区镀银封装后不久容易出现硫化现象进而导致芯片封装后会发黄,最终影响光衰和死灯。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对已有技术方案的不足,提供抗硫化、热电分离、散热快、光效高、低成本、安装方便的抛光铝基板COB封装结构。
为实现上述目的,本实用新型提供的技术方案为:提供一种抛光铝基板COB封装结构,包括铝基板,所述铝基板由经过抛光镜面化处理的铝金属层、及设于铝金属层上部的绝缘层和电路层组成,所述铝金属层的中间部分设有通过固晶胶固定的多个发光晶片,所述电路层上设有表面电极,所述发光晶片和表面电极之间使用金线连接,所述铝基板上还设有用于密封保护所述发光晶片的封装胶体,所述封装胶体覆盖在发光晶片和电路层上部。
所述发光晶片为蓝色LED晶片。
所述整个铝基板的长度为19毫米,宽度为19毫米。
所述铝基板的两端具有正负极连接线。
本实用新型的有益效果在于,所述铝基板的铝金属层经过抛光镜面化处理,芯片直接贴在抛光镜面铝上,可以把20%的光反射出来,提高出光效率,获得较高的光通量和光电转换效率,铝基板表面光亮度增大,达到镜面效果,还能克服LED软硅胶的封装内长久使用一段时间后,有铝基板镀银层硫化变黑现象造成光衰及相关色温(色坐标)飘移等可靠性问题;芯片发出的热量直接垂直通过铝基板导出去,散热性能显著提高,降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长产品使用寿命。整体来看,采用热电分离技术,不仅能很好的解决封装的散热问题,而且还可以完美克服COB的硫化现象,提高光效,整个COB封装结构耐高压、出光均匀、无眩光,极大满足了人们的高品质照明生活。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图;
图2为本实用新型实施例铝基板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
参考图1-2所示,本实用新型实施例提供了一种抛光铝基板COB封装结构,结构简单,低热阻,可以提高LED的光效和使用寿命,包括铝基板100,所述铝基板100由经过抛光镜面化处理的铝金属层104、及设于铝金属层104上部的绝缘层105和电路层107组成,所述铝金属层104的中间部分设有通过固晶胶101固定的多个发光晶片102,所述电路层107上设有表面电极109,所述发光晶片102和表面电极109之间使用金线103连接,所述铝基板100上还设有用于密封保护所述发光晶片102的封装胶体106,所述封装胶体106覆盖在发光晶片102上部。
具体地,所述发光晶片102为蓝色LED晶片,所述整个铝基板100的长度为19毫米,宽度为19毫米,且所述铝基板100的两端具有正负极连接线108。
结合图1和图2,,本实用新型所述铝基板的铝金属层经过抛光镜面化处理,LED发光晶片直接贴在抛光镜面铝上,可以把20%的光反射出来,提高出光效率,获得较高的光通量和光电转换效率,铝基板表面光亮度增大,达到镜面效果,还能克服LED软硅胶的封装内长久使用一段时间后,有铝基板镀银层硫化变黑现象造成光衰及相关色温(色坐标)飘移等可靠性问题;芯片发出的热量直接垂直通过铝基板导出去,散热性能显著提高,降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长产品使用寿命。整体来看,采用热电分离技术,不仅能很好的解决封装的散热问题,而且还可以完美克服COB的硫化现象,提高光效,整个COB封装结构耐高压、出光均匀、无眩光,极大满足了人们的高品质照明生活,应用于照明行业,可以填补国内外有此类需求的市场空白。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种抛光铝基板COB封装结构,其特征在于,包括铝基板,所述铝基板由经过抛光镜面化处理的铝金属层、及设于铝金属层上部的绝缘层和电路层组成,所述铝金属层的中间部分设有通过固晶胶固定的多个发光晶片,所述电路层上设有表面电极,所述发光晶片和表面电极之间使用金线连接,所述铝基板上还设有用于密封保护所述发光晶片的封装胶体,所述封装胶体覆盖在发光晶片和电路层上部。
2.如权利要求1所述的一种抛光铝基板COB封装结构,其特征在于,所述发光晶片为蓝色LED晶片。
3.如权利要求1所述的一种抛光铝基板COB封装结构,其特征在于,所述整个铝基板的长度为19毫米,宽度为19毫米。
4.如权利要求1所述的一种抛光铝基板COB封装结构,其特征在于,所述铝基板的两端具有正负极连接线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420022595.6U CN203871360U (zh) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 一种抛光铝基板cob封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420022595.6U CN203871360U (zh) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 一种抛光铝基板cob封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203871360U true CN203871360U (zh) | 2014-10-08 |
Family
ID=51652285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420022595.6U Expired - Lifetime CN203871360U (zh) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 一种抛光铝基板cob封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203871360U (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105355758A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-02-24 | 海盐丽光电子科技有限公司 | 一种大功率led的cob封装 |
CN105440964A (zh) * | 2016-01-09 | 2016-03-30 | 厦门煜明光电有限公司 | 一种cob镜面铝基板的镜面区域保护方法 |
CN106025039A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-10-12 | 储世昌 | 一种led封装结构 |
CN110246932A (zh) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 深圳市聚能达业光电科技有限公司 | 一种led封装线光源的陶瓷镜面铝cob支架及制作方法 |
-
2014
- 2014-07-10 CN CN201420022595.6U patent/CN203871360U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105355758A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-02-24 | 海盐丽光电子科技有限公司 | 一种大功率led的cob封装 |
CN105440964A (zh) * | 2016-01-09 | 2016-03-30 | 厦门煜明光电有限公司 | 一种cob镜面铝基板的镜面区域保护方法 |
CN105440964B (zh) * | 2016-01-09 | 2018-03-30 | 厦门煜明光电有限公司 | 一种cob镜面铝基板的镜面区域保护方法 |
CN106025039A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-10-12 | 储世昌 | 一种led封装结构 |
CN110246932A (zh) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 深圳市聚能达业光电科技有限公司 | 一种led封装线光源的陶瓷镜面铝cob支架及制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN203871360U (zh) | 一种抛光铝基板cob封装结构 | |
TWI644454B (zh) | Light-emitting diode structure | |
CN103872224A (zh) | 新型led发光元件 | |
CN204088315U (zh) | Mcob led荧光粉分离封装结构 | |
CN102913787A (zh) | 一种新型的led光源及采用此光源制造的灯泡 | |
CN102664229B (zh) | 一种发光二极体光源结构 | |
CN204857783U (zh) | 一种侧面发光的led | |
CN103775858A (zh) | 芯片倒装于透明陶瓷管的4π出光LED发光管及照明灯 | |
CN204045633U (zh) | 发光二极管板上芯片封装结构 | |
CN203071136U (zh) | 一种圆片级led封装结构 | |
CN204045626U (zh) | 多族阵列的发光二极管板上芯片封装结构 | |
CN103343891A (zh) | 一种4π发光的LED光源模组 | |
CN203023841U (zh) | 芯片倒装于透明陶瓷管的4π出光LED发光管及照明灯 | |
CN202868390U (zh) | 一种新型的led光源及采用此光源制造的灯泡 | |
CN203225277U (zh) | 大功率led封装结构 | |
CN104851953A (zh) | 可调光led封装结构 | |
CN106025041A (zh) | 一种led封装结构及其形成方法 | |
CN202721186U (zh) | 具有多层式结构的一体化高效率照明装置 | |
CN203312364U (zh) | 一种方形陶瓷cob封装结构 | |
CN107123713A (zh) | 一种适合单色光led晶元级封装的器件结构 | |
CN204361095U (zh) | 一种基于远程荧光粉激发的hv-cob led光源 | |
CN203707172U (zh) | 一种大功率铝基板cob封装结构 | |
KR20200142202A (ko) | 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법 | |
KR20200134465A (ko) | 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법 | |
CN203895502U (zh) | 一种长条mcob引脚封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20141008 |