CN203787450U - 覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构，该发光二极管由内向外包含：一蓝宝石基板、一N型欧姆接触层、一发光层、P型欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层、至少二不同极的外露电极部及至少一覆盖在最外层的多层式反光层，该多层式反光层包含非导电性反光层或其与导电性反光层的组合，其是利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在该发光二极管元件除该外露电极部以外的外表面上，以避免背景技术须利用须多个不同光罩及多次PVD制作方式且容易产生材料高温劣化而造成光衰及电性等问题，达成制程简化及成本效益。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构，尤指一种覆晶式发光二极管包含至少一多层式反光层覆盖在该发光二极管晶粒的最外层，且该多层式反光层是利用PVD真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上。
背景技术
在有关覆晶式发光二极管（flip-chip LED）如氮化镓LED结构或发光二极管的反光层的制造方法或覆晶式封装结构等技术领域中，目前已存在多种现有技术，如：中国台湾专利公告第I423482号（案号098116606、公开号201042782）、第573330号、新型第M350824号；美国专利US8,211,722、US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US7,939,832、US7,713,353、US7,642,121、US7,462,861、US7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US6,497,944、US6,791,119；及美国专利公开号US2011/0014734、US2002/0163302、US2004/0113156等。上述这些现有技术大都是针对一发光二极管（LED）晶粒结构或其封装（package）结构，在发光效率、散热功能、使用寿命、制造成本、组装合格率、制程简化、光衰等方面所产生的问题与缺失，而提出可解决该些问题与缺失的不同的技术手段。
以中国台湾公告第I423482号（案号098116606、公开号201042782）、美国专利US8,211,722（US2011/0294242）及US2011/0014734（案号12/505,991）为例说明，US2011/0014734（已放弃）是中国台湾公告第I423482号的美国专利申请案，US8,211,722是US2011/0014734（已放弃）的部分连续案（continuation-in-part）。中国台湾公告第I423482及US8,211,722都是揭示一种覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法（FLIP-CHIP GAN FABRICATIONMETHOD），其中凭借其所揭示的制造方法所制成的覆晶式氮化镓发光二极管晶粒的主要结构包含：一蓝宝石基板、一N型（负极）氮化镓欧姆接触层、一发光层、一P型（正极）氮化镓欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层（如氧化铟锡）、二不同极（如正、负极）的外露电极部（或衬垫）及一覆盖在该发光二极管晶粒最外层的多层式反光层，其中该多层式反光层一般是利用PVD真空镀膜工法形成；然而，其中该多层式（如三层）反光层是利用多个（如三个）不同光罩以先设立该多层式反光层的成形图案（pattern）如确定光阻层的设立位置，并再利用制程分开成多次（如三次）的PVD制作方式以在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上依序形成一多层式反光层如由一氧化硅（SiO2）膜、一铝膜及一氧化硅（SiO2）膜所构成的多层式反光层，也就是，该氧化硅（SiO2）膜、该铝膜及该氧化硅（SiO2）膜是利用三次PVD制作方式即三次真空镀膜工法来完成，即其中每一次PVD制作方式都须使用一光罩并利用一次抽真空及破真空的制作流程才完成一次真空镀膜工法，如此利用多个（如三个）不同光罩及多次（三次）PVD制作方式来制成一多层式反光层，相对会增加制作时间及成本，不利于量产化及产业竞争。
由上可知，上述该些背景技术的结构及制程实难以符合实际使用时的需求，因此在覆晶式氮化镓发光二极管结构、发光二极管的反光层的制造方法及其覆晶式封装结构等相关领域，仍存在进一步改进的需要性。
实用新型内容
本实用新型主要目的乃在于提供一种覆晶式发光二极管，达成制程简化及成本效益，并避免现有技术利用多个不同光罩且多次PVD制作方式始能完成一多层式反光层的问题及缺点的目的。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案包括：
一种覆晶式发光二极管，其特征在于，包含：
一蓝宝石基板；
一N型欧姆接触层，其形成且设置在该元件基板上；
一P型欧姆接触层，其形成且设置在该N型欧姆接触层上，其中该P型欧姆接触层与该N型欧姆接触层的交界面形成一发光层；
一透明导电金属氧化物层，其形成且设置在该P型欧姆接触层上；
二不同极的外露电极部，包含一负极电极部及一正极电极部；及
一覆盖在最外层的多层式反光层；
该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该发光二极管除该外露电极部以外的外表面上依序形成。
其中：该多层式反光层是由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及另一非导电性氧化硅膜所构成，其中该导电性铝膜是形成在二非导电性氧化硅膜之间。
其中：该多层式反光层上进一步设有一电极分界区，以使该多层式反光层凭借该电极分界区而分隔成二分开且形成电性绝缘的半部反光层以分别电性连接于二不同极的外露电极部。
其中：该多层式反光层是由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
其中：该多层式反光层上进一步设有一导电性反光层，其中该导电性反光层是再利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式形成在该多层式反光层的外表面上。
其中：该导电性反光层由铝膜或银膜所构成的金属反光层。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案包括：
一种覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构，其包含一覆晶式发光二极管晶粒及一导热基板；
其中该覆晶式发光二极管晶粒包含一蓝宝石基板、一N型欧姆接触层、一发光层、P型欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层、二不同极的外露电极部及一覆盖在最外层的多层式反光层；其特征在于：
其中该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同光罩且一次制作方式以在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上形成该多层式反射层；
其中该发光二极管晶粒凭借晶粒粘着及回焊作业以对准对位覆晶于该导热基板上具有导电胶体的接点上。
其中：该多层式反光层是由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及另一非导电性氧化硅膜所构成，其中该导电性铝膜形成在二非导电性氧化硅膜之间。
其中：该多层式反光层是由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
其中：该多层式反光层上进一步设有一导电性反光层，其中该导电性反光层是再利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该多层式反光层的外表面上形成该导电性反光层。
其中：该导电性反光层由铝膜或银膜所构成的金属反光层。
与现有技术相比较，本实用新型具有的有益效果是：能够避免现有技术须利用多个不同光罩及多次PVD制作方式且容易产生材料高温劣化而造成光衰及电性等问题，达成制程简化及降低成本的效益。
附图说明
图1A～图1D是本实用新型覆晶式发光二极管的制造方法的流程示意图及该发光二极管的结构示意图。
图2A～图2D是图1D所示本实用新型覆晶式发光二极管晶粒的封装流程示意图及该发光二极管的封装结构示意图；
图3A～图3C是图1D所示本实用新型覆晶式发光二极管晶粒的另一封装流程示意图及该发光二极管的封装结构示意图；
图4A～图4D是本实用新型覆晶式发光二极管另一实施例的制造方法的流程示意图及该发光二极管的结构示意图；
图5A～图5D是图4D所示本实用新型覆晶式发光二极管晶粒的另一封装流程示意图及该发光二极管的封装结构示意图。
附图标记说明：1-覆晶式发光二极管；1a-发光二极管晶粒；2-晶圆；3-发光二极管晶粒；4-（发光二极管）封装；4a-（发光二极管）封装；4b-（发光二极管）封装；10-蓝宝石基板；20-N型欧姆接触层；30-发光层；40-P型欧姆接触层；50-透明导电金属氧化物层；60-负极电极部；70-正极电极部；80-多层式反光层；81-电极分界区；82-半部反光层；83-半部反光层；90-光阻层；91-光阻层；92-光阻层；100-锡垫；110-导热基板；111-接点；120-导电胶体；130-导电性反光层；131-电极分界区。
具体实施方式
为使本实用新型更加明确详实，兹列举较佳实施例并配合下列图示，将本实用新型的结构及其技术特征详述如后：
请参考图1D所示，其是本实用新型覆晶式发光二极管的结构示意图。本实用新型的覆晶式发光二极管1，如覆晶式氮化镓发光二极管但不限制，包含：一蓝宝石基板10；一N型欧姆接触层20，其形成且设置在该元件基板上；一发光层30；一P型欧姆接触层40其形成且设置在该N型欧姆接触层上，其中该P型欧姆接触层与该N型欧姆接触层的交界面形成该发光层30；一透明导电金属氧化物层50；二不同极的外露电极部如负极电极部60及正极电极部70；及一覆盖在最外层的多层式反光层80，其中该多层式反光层包含非导电性反光层或非导电性反光层与导电性反光层的组合；其中该多层式反光层80是利用PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在该发光二极管元件除该外露电极部以外的外表面上。
上述该同一光罩且一次制作方式是指在进行PVD真空镀膜工法时，先以同一光罩来设立该多层式反光层的成形图案（pattern），以使该二不同极的外露电极部60、70的表面各设有一光阻层90如图1D所示，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程来依序完成该多层式反光层80中各层的真空镀膜制程，如此达成制程简化及成本效益。
其实，以本领域现有技术而言，利用一光罩以设立一层反光层的成形图案（pattern）的技术或利用一次抽真空及破真空的制作流程以完成一层反光层的真空镀膜技术而言，在本领域中都可视为现有技术，然而，本实用新型是利用同一光罩以设立一多层式反光层的成形图案（pattern），并再利用一次抽真空及破真空的制作流程以完成一多层式反光层中各层的真空镀膜制程，在本领域中则可视为创新；又由于本实用新型能避免背景技术利用多个不同光罩且多次PVD制作方式始能完成一多层式反光层的问题及缺点，至少能达成制程简化及成本效益，故应具有进步性。
在本实用新型一实施例中如图1D所示，该多层式反光层80是一由一非导电性氧化硅（SiO2）膜、一导电性铝膜及一非导电性氧化硅（SiO2）膜所构成的多层式反光层结构，也就是该导电性铝膜是形成在位于内侧的该非导电性氧化硅（SiO2）膜与位于外侧的该非导电性氧化硅（SiO2）膜之间；其中该多层式反光层80上得进一步设有一电极分界区81如图1D所示，使该多层式反光层80能凭借该电极分界区81而分隔成二分开且形成电性绝缘的半部反光层82、83以分别电性连接于二不同极的外露电极部60、70；也就是，该电极分界区81是用来避免该多层式反光层80会因其中该导电性铝膜而形成导通状态。
在本实用新型另一实施例中（可参考图1D所示），该多层式反光层80也可由非导电性的分散型布拉格反光膜DBR（distributed Bragg reflector）以构成一多层式反光层结构，其中该DBR（分散型布拉格反光膜）本身为一多层式结构，其一般是由多层的氧化硅（SiO2）膜与氧化钛（Ti3O5）膜（如共16层）所构成，而凭借DBR多层式反光层80可增加LED晶粒的发光亮度。因为该DBR多层式反光层80本身为一非导电性的多层式反光层，因此当该多层式反光层80是由DBR（distributed Bragg reflector）所构成时，该DBR多层式反光层80即能形成为一一体式反光层结构，也就是，该DBR多层式反光层80上可以不设任何电极分界区81（可参考），因为该DBR多层式反光层80为一非导电性的多层式反光层，因此不必设立任何电极分界区（81）以分隔成二分开且电性绝缘的半部反光层（82、83）。
上述该同一光罩且一次制作方式是指在进行PVD真空镀膜工法时，是以同一光罩来设立该多层式反光层80的成形图案（pattern）如设立光阻层90及/或光阻层91，并再利用一次抽真空及破真空的制作流程来依序完成该多层式反光层80中各层的真空镀膜制程，其中该多层式反光层80中各层的真空镀膜即是指由一非导电性氧化硅（SiO2）膜、一导电性铝膜及一非导电性氧化硅（SiO2）膜所构成的多层式反光层结构，或是指由一DBR（本身为一非导电性的多层式反光层）所构成的多层式反光层结构，也就是该多层式反光层包含非导电性反光层（如DBR的各层非导电性膜或氧化硅膜）或非导电性反光层（如氧化硅膜）与导电性反光层（如铝膜）的组合。
请再参考图1A～图1D所示，其是本实用新型覆晶式发光二极管的制造方法的流程示意图。本实用新型覆晶式发光二极管的制造方法包含步骤如下：
步骤1：如图1A所示，提供一具有多个发光二极管（LED）晶粒1a（如氮化镓是发光二极管但不限制）的晶圆2，其中各发光二极管晶粒1a已形成具有：一蓝宝石基板10、一N型欧姆接触层20、一发光层30、一P型欧姆接触层40、一透明导电金属氧化物层50及二不同极的外露电极部如负极电极部60及正极电极部70。
步骤2：如图1B所示，利用同一光罩来设立一多层式反光层（80）的成形图案（pattern），以使该二不同极的外露电极部60、70的表面各设有一光阻层90或光阻层91。
步骤3：如图1C所示，利用PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）的真空镀膜工法并以一次制作方式以在各发光二极管晶粒1a的外表面上形成一多层式反光层80，其中该一次制作方式是指在进行PVD真空镀膜工法时是利用一次抽真空及破真空的制作流程来完成该多层式反光层80中各层的真空镀膜制程。
步骤4：如图1D所示，再除去光阻层90或光阻层91，如各外露电极部，即负极电极部60及正极电极部70，的表面上所设的光阻层90，以制造完成多个具有一多层式反光层80的发光二极管晶粒1。
在上述步骤2中如图1B所示，当所形成的多层式反光层80由一非导电性氧化硅（SiO2）膜、一导电性铝膜及一非导电性氧化硅（SiO2）膜构成时，则在利用同一光罩来设立一多层式反光层（80）的成形图案（pattern）时，除了使该二不同极的外露电极部60、70的表面各设一光阻层90之外，另外也须在该多层式反光层（80）的成形图案（pattern）中电极分界区（81）的预定位置设一光阻层91如图1B、图1C所示；进而在步骤4除去各外露电极部部60、70的表面上所设的光阻层90也能同时除去该电极分界区（81）的预定位置上所设的光阻层91，以在该多层式反光层80上形成一电极分界区81如图1D所示，以使该多层式反光层80能凭借该电极分界区81而分隔成二分开且形成电性绝缘的半部反光层82、83以分别电性连接于二不同极的外露电极部60、70。
此外，在上述步骤2中如图1B所示，当所形成的多层式反光层80由一DBR（本身为一非导电性的多层式反光层）构成时，则在利用同一光罩来设立一多层式反光层（80）的成形图案（pattern）时，即不须在该多层式反光层（80）的成形图案（pattern）中另设该光阻层91。
请参考图4D所示，其是本实用新型覆晶式发光二极管明另一实施例的发光二极管。本实用新型的发光二极管1的该多层式反光层80上进一步可再利用PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）的真空镀膜工法并利用如同该多层式反光层80的制作方式以同一光罩且一次制作方式以在该多层式反光层80的外表面上再形成一导电性反光层130；其中该导电性反光层130由铝（Al）膜、银（Ag）膜中之一种所构成的单层金属反光层（130）或由其组合所构成的双层金属反光层（130），以增进导热或散热的面积及功能，供适用于较高功率的发光二极管晶粒或其封装。
请参考图4A～图4D所示，其是本实用新型覆晶式发光二极管另一实施例的制造方法的流程示意图及该发光二极管的结构示意图。本实施例是一种的覆晶式发光二极管制造方法，其是于上述的步骤4之后进一步包含一步骤5，其进一步可分为下列步骤：
步骤5-1：针对上述步骤4所制造完成多个具有一多层式反光层80的发光二极管晶粒1如图4A所示，利用同一光罩来设立另一导电性反光层（130）的成形图案（pattern），由于欲增设的该导电性反光层（130）具导电性，故其中该二不同极的外露电极部60、70的表面可以不必再设光阻层（90），只须在该导电性反光层（130）的成形图案（pattern）中一电极分界区（131）的预定位置处，即在该已完成的多层式反光层80的表面上预定位置处设一光阻层92如图4B所示。
步骤5-2：如图4C所示，利用PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）的真空镀膜工法并以一次制作方式以在该已完成的多层式反光层80的表面上再形成一导电性反光层130；其中该一次制作方式是指在进行PVD真空镀膜工法时是利用一次抽真空及破真空的制作流程来完成该导电性反光层130或其中各层的真空镀膜制程；其中该导电性反光层130由铝膜、银膜中之一种所构成的单层金属反光层，或由铝膜、银膜的组合所构成的双层金属反光层。
步骤5-3：如图4D所示，再除去该光阻层92以在该导电性反光层130中形成一电极分界区131，即在晶圆2上制造完成多个具有一多层式反光层80及一导电性反光层130的发光二极管晶粒3。
请参考图2A～图2D所示，其是图1D所示本实用新型覆晶式氮化镓发光二极管晶粒覆晶于一发光二极管导热基板上的流程示意图及所完成的发光二极管封装结构示意图。针对上述本实用新型覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法的步骤1～4，其于步骤4之后进一步可包含下列步骤：
步骤6：参考图2A所示，于各外露电极部，即负极电极部60及正极电极部70，的表面上各设置一锡垫（solder bumping）100。
步骤7：参考图2B所示，凭借研磨、激光切割、劈裂及晶粒分类（或晶粒光电特性筛选）以形成分离独立的发光二极管晶粒1。
步骤8：参考图2C、图2D所示，凭借晶粒粘着（die bonding）及回焊（reflow）作业将该分离独立的发光二极管晶粒1对准对位以覆晶于一具导电胶体（如助焊剂flux或锡膏solder paste）120的发光二极管导热基板110的已设定的对应接点111上，以完成该发光二极管1的封装4。
此外，请参考图3A～图3C所示，其是图1D所示本实用新型覆晶式发光二极管晶粒的另一封装流程示意图及该发光二极管的封装结构示意图。针对前述步本实用新型覆晶式发光二极管的制造方法的步骤1～4，其于步骤4之后进一步可包含下列步骤：
步骤6a：参考图3A所示，凭借研磨、激光切割、劈裂及晶粒分类（或晶粒光电特性筛选），将如图1D所示的具有多个发光二极管晶粒1的晶圆分解成多个分离独立的发光二极管晶粒1。
步骤7a：参考图3B、图3C所示，凭借晶粒粘着（die bonding）及回焊（reflow）作业将该分离独立的发光二极管晶粒1对准对位以覆晶于一具导电胶体（如锡膏solder paste）120的发光二极管导热基板110的已设定的对应接点111上，以完成该发光二极管的封装4a。
图3A～图3C所示流程与图2A～图2D所示流程比较，图3A～图3C所示流程省去了图2A～图2D所示流程的步骤6如图2A所示。
此外，请参考图5A～图5C所示，其是图4D所示本实用新型覆晶式发光二极管晶粒的另一封装流程示意图及该发光二极管的封装结构示意图。针对前述步本实用新型覆晶式发光二极管的制造方法的步骤5（包含步骤5-1～5-3），其于步骤5之后进一步可包含下列步骤：
步骤6b：参考图5A、图5B所示，凭借研磨、激光切割、劈裂及晶粒分类（或晶粒光电特性筛选），将如图4D所示的具有多个发光二极管晶粒3的晶圆2分解成多个分离独立的发光二极管晶粒3。
步骤7b：参考图5B、图5C所示，凭借晶粒粘着（die bonding）及回焊（reflow）作业将该分离独立的发光二极管晶粒63对准对位以覆晶于一具导电胶体（如锡膏solder paste）120的发光二极管导热基板110的已设定的对应接点111上，以完成该发光二极管的封装4b。
此外，在制作该多层式反光层80或该导电性反光层130时，本实用新型都是利用同一光罩以设立该反光层（如多层式反光层80或导电性反光层130）的成形图案（pattern）并再利用一次抽真空及破真空的制作流程以完成该反光层中各层的真空镀膜制程，其中，制作该多层式反光层80所用的光罩与制作该导电性反光层130所用的光罩可为相同的光罩或不同的光罩，其中以使用不同的光罩为佳，因为若使用不同的光罩，则二不同的光罩上可以设具不同的成形图案（pattern），即利用该光罩所设立的二光阻层91、92也可设在不同的位置，以使该电极分界区81在该多层式反光层80中的位置与该电极分界区131在该导电性反光层130中的位置形成上下错位状态，因为该电极分界区81、131主要是使二电极能电性绝隔缘，但所占面积越小越好以避免影响该多层式反光层80及该导电性反光层130的反光效果，因此若能呈现上下错位状态，有利于该多层式反光层80与该导电性反光层130迭置组合后的反光效果。
以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种覆晶式发光二极管，其特征在于，包含：
一蓝宝石基板；
一N型欧姆接触层，其形成且设置在该元件基板上；
一P型欧姆接触层，其形成且设置在该N型欧姆接触层上，其中该P型欧姆接触层与该N型欧姆接触层的交界面形成一发光层；
一透明导电金属氧化物层，其形成且设置在该P型欧姆接触层上；
二不同极的外露电极部，包含一负极电极部及一正极电极部；及
一覆盖在最外层的多层式反光层；
该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该发光二极管除该外露电极部以外的外表面上依序形成。
2.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其特征在于：该多层式反光层是由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及另一非导电性氧化硅膜所构成，其中该导电性铝膜是形成在二非导电性氧化硅膜之间。
3.如权利要求2所述的覆晶式发光二极管，其特征在于：该多层式反光层上进一步设有一电极分界区，以使该多层式反光层凭借该电极分界区而分隔成二分开且形成电性绝缘的半部反光层以分别电性连接于二不同极的外露电极部。
4.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其特征在于：该多层式反光层是由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
5.如权利要求1所述的覆晶式发光二极管，其特征在于：该多层式反光层上进一步设有一导电性反光层，其中该导电性反光层是再利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式形成在该多层式反光层的外表面上。
6.如权利要求5所述的覆晶式发光二极管，其特征在于：该导电性反光层由铝膜或银膜所构成的金属反光层。
7.一种覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构，其特征在于：其包含一覆晶式发光二极管晶粒及一导热基板；
该覆晶式发光二极管晶粒包含一蓝宝石基板、一N型欧姆接触层、一发光层、P型欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层、二不同极的外露电极部及一覆盖在最外层的多层式反光层；
该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同光罩且一次制作方式以在该发光二极管晶粒除该外露电极部以外的外表面上形成该多层式反射层；
该发光二极管晶粒凭借晶粒粘着及回焊作业以对准对位覆晶于该导热基板上具有导电胶体的接点上。
8.如权利要求7所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构，其特征在于：该多层式反光层是由一非导电性氧化硅膜、一导电性铝膜及另一非导电性氧化硅膜所构成，其中该导电性铝膜形成在二非导电性氧化硅膜之间。
9.如权利要求7所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构，其特征在于：该多层式反光层是由非导电性的分散型布拉格反光膜所构成。
10.如权利要求7所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构，其特征在于：该多层式反光层上进一步设有一导电性反光层，其中该导电性反光层是再利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该多层式反光层的外表面上形成该导电性反光层。
11.如权利要求10所述的覆晶式发光二极管的覆晶式封装结构，其特征在于：该导电性反光层由铝膜或银膜所构成的金属反光层。
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