CN203644815U - 一种led封装结构 - Google Patents

一种led封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN203644815U
CN203644815U CN201320835533.2U CN201320835533U CN203644815U CN 203644815 U CN203644815 U CN 203644815U CN 201320835533 U CN201320835533 U CN 201320835533U CN 203644815 U CN203644815 U CN 203644815U
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
metal level
led chip
led
insulating barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320835533.2U
Other languages
English (en)
Inventor
张黎
赖志明
陈栋
陈锦辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangyin Changdian Advanced Packaging Co Ltd
Original Assignee
Jiangyin Changdian Advanced Packaging Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangyin Changdian Advanced Packaging Co Ltd filed Critical Jiangyin Changdian Advanced Packaging Co Ltd
Priority to CN201320835533.2U priority Critical patent/CN203644815U/zh
Priority to PCT/CN2013/090483 priority patent/WO2015089873A1/zh
Priority to US15/104,200 priority patent/US20160322539A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN203644815U publication Critical patent/CN203644815U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（110）和LED芯片（200），硅基本体（110）的正面设置不连续的金属反光层（410、420），硅通孔（111）内设置不连续的金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820），LED芯片电极（210）、金属块/柱（321）、金属反光层（410）、金属层Ⅰ（810）实现电气连接，LED芯片电极（220）、金属块/柱（322）、金属反光层（420）、金属层Ⅱ（820）实现电气连接；金属层Ⅲ（830）位于硅基本体（110）的背面的绝缘层Ⅱ（520）的表面且位于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间。本实用新型封装结构依靠圆片级封装技术获得全角度出光的LED封装结构，能够降低热阻、提高可靠性、使出光角度不受限、且能降低设计和制造成本。

Description

一种LED封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种LED封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术
一般的，发光二极管（Light-Emitting Diode，简称LED，下同）的封装有多种封装形式。早期的，采用引线框为基板进行封装，将LED芯片通过导热膏（或导电胶）贴装至引线框上，通过引线键合的方式实现电流加载从而使其发光；随着技术进步，一些新的、高性能的基板材料出现，在大功率LED的应用中起到了引领作用，如陶瓷基板、AlN基板等。但作为商用化的产品而言，现有的LED封装技术还存在如下问题：①热阻高。由于LED芯片发光是通过电子复合过程所激发，因而在产生光的同时产生大量的热。众所周知，热的产生反过来影响着电转化为光的效率，降低了LED本身的发光性能。②LED芯片通过贴装工艺与金属反光层连接，由于LED芯片的自身重量越来越轻，其电极与焊锡的润湿力常存在不平衡，在回流时就可能发生的漂移、立碑或旋转等不良连接方式，影响LED封装的可靠性；                                                
Figure 79626DEST_PATH_IMAGE001
出光角度受限。现有的LED灯珠，其LED芯片坐落于下凹的反光杯罩内, 出光角度最大不超过150度，受限的出光角度导致LED灯珠使用范围受限，在某些需要超大角度甚至全角度的场合，必须辅以二次光学设计结构；由于出光角度大小不一致，二次光学设计结构需要考虑具体的出光角度有针对性地进行设计，不仅增加了二次光学设计难度，而且增加了LED结构的复杂性，同时，设计和制造成本也相应增加。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种能够降低热阻、提高可靠性、使出光角度不受限、并且能降低设计和制造成本的LED封装结构。
本实用新型的目的是这样实现的：
本实用新型一种LED封装结构，包括背面开设若干个硅通孔的硅基本体和带有LED芯片电极的LED芯片，所述硅基本体的正面设置绝缘层Ⅰ，所述硅通孔的内壁设置绝缘层Ⅱ，
所述绝缘层Ⅰ的表面设置不连续的金属反光层，所述硅通孔的顶部设置贯穿绝缘层Ⅰ和绝缘层Ⅱ的绝缘层开口，所述绝缘层Ⅱ的表面设置不连续的金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，所述金属层Ⅰ、金属层Ⅱ一端分别通过绝缘层开口与金属反光层连接，另一端沿硅通孔向外延展至硅基本体的背面并向相反方向延展，所述LED芯片通过金属块/柱倒装至金属反光层，所述LED芯片电极、金属块/柱、金属反光层、金属层Ⅰ实现电气连接，所述LED芯片电极、金属块/柱、金属反光层、金属层Ⅱ实现电气连接；
本实用新型一种LED封装结构，还包括金属层Ⅲ，所述金属层Ⅲ位于硅基本体的背面的绝缘层Ⅱ的表面且位于金属层Ⅰ、金属层Ⅱ之间，所述金属层Ⅲ与金属层Ⅰ、金属层Ⅱ均不连接。
可选地，所述金属块/柱材质为铜，其高度为5-15um。
可选地，所述金属块/柱和/或金属块/柱的个数至少两个以上。
可选地，所述金属块/柱与LED芯片电极之间分别设置金属连接层。
可选地，所述金属连接层材质为锡或锡合金，高度在8-20um。
可选地，所述金属层Ⅲ通过若干个金属柱与金属反光层连接，所述金属柱贯穿绝缘层Ⅱ，部分或全部进入硅基本体。
可选地，还包括透光层，所述透光层通过粘合剂设置于LED芯片的上方。
可选地，所述粘合剂填充透光层与硅基本体之间的空间。
可选地，所述LED芯片与金属反光层的间隙填充填充剂。
可选地，所述LED芯片的***涂覆荧光粉胶层。
本实用新型结构旨在通过圆片级封装方式提升LED灯珠的出光性能、散热性能，降低设计和封装成本。LED芯片落座于平展的反射层上，四周无遮挡，LED光线能够全角度出射；针对实际使用需要的LED出光角度，后续的二次光学设计结构均可在LED光线全角度出射的基础上加以优化；LED芯片通过铜/锡栅结构与金属反光层实现倒装连接，提升了倒装工艺的稳定性和可操作性；特意设置于硅基本体背面的大比例的金属反光层Ⅱ快速地传导LED芯片工作时产生的热，有效地降低LED封装结构的热阻，有助于提升LED性能。
本实用新型有益效果是： 
1、LED芯片落座于平展的反射层上，四周无遮挡，LED光线能够全角度出射；
2、针对实际使用需要的LED出光角度，后续的二次光学设计结构均可在LED光线全角度出射的基础上加以优化；
3、LED芯片通过金属栅结构与金属反光层实现倒装连接，提升了倒装工艺的稳定性和可操作性；
4、特意设置于硅基本体背面的大比例的金属反光层快速地传导LED芯片工作时产生的热，有效地降低LED封装结构的热阻，有助于提升LED性能。
附图说明
图1为本实用新型一种LED封装结构的实施例的示意图；
图2为图1的实施例的LED芯片与金属反光层Ⅱ的位置关系示意图；
图3为图1的实施例的LED芯片与金属反光层Ⅱ的位置关系示意图；
图4为图1的变形实施例一的示意图；
图5和图6为图1的变形实施例二的示意图；
图7为图1的变形实施例三的示意图；
图中：
硅基本体110
硅通孔111
LED芯片200
LED芯片电极210、220
金属连接层311、312
金属块/柱321、322
金属反光层410、420
绝缘层Ⅰ510 
绝缘层Ⅱ520
绝缘层开口501、502
填充剂610
粘合剂620
荧光粉胶层630
透光层700
金属层Ⅰ810
金属层Ⅱ820
金属层Ⅲ830
金属柱831。
具体实施方式
参见图1，本实用新型一种LED封装结构，在硅基本体110的背面开设若干个硅通孔111，LED芯片200带有LED芯片电极210、220，硅基本体110的正面设置绝缘层Ⅰ510，硅通孔111的内壁设置绝缘层Ⅱ520。
绝缘层Ⅰ510的表面设置银、铝等材质的金属反光层410、420，金属反光层410和金属反光层420不连续，其之间的间隔小于LED芯片电极210与LED芯片电极220之间的间隔。利用银、铝等材质的高反射率性质，金属反光层410、420可以作为LED芯片200的反射层。由于LED芯片200坐落于平展的反射层上，可以实现了LED光线的全角度出射。LED芯片200与金属反光层410与金属反光层420之间可以无任何物质，也可以设置硅胶等填充剂610，提高其可靠性。
硅通孔111的顶部设置贯穿绝缘层Ⅰ510和绝缘层Ⅱ520的绝缘层开口501、502，所述绝缘层Ⅱ520的表面设置不连续的金属层Ⅰ810、金属层Ⅱ820，所述金属层Ⅰ810、金属层Ⅱ820一端分别通过绝缘层开口501、502与金属反光层410、420连接，另一端沿硅通孔111向外延展至硅基本体110的背面并向相反方向延展，金属层Ⅰ810、金属层Ⅱ820之间存在间隙。金属层Ⅰ810、金属层Ⅱ820在硅基本体110的背面可以延展呈矩形，如图2所示；也可以延展呈带有凸起801的矩形，凸起801的个数不少于硅通孔111的个数，一个凸起801至少对应一个硅通孔111，如图3所示。
LED芯片200通过金属块/柱321、322倒装至金属反光层410、420， LED芯片电极210、金属块/柱321、金属反光层410、金属层Ⅰ810实现电气连接，LED芯片电极220、金属块/柱322、金属反光层420、金属层Ⅱ820实现电气连接。在硅基本体110的背面绝缘层Ⅱ520的表面且位于金属层Ⅰ810、金属层Ⅱ820之间设置金属层Ⅲ830，所述金属层Ⅲ830与金属层Ⅰ810、金属层Ⅱ820均不连接。金属层Ⅲ830能够有效地将LED芯片200工作时传导至硅基本体110上的热量散出。
在LED芯片200的上方通过硅胶等粘合剂620固定玻璃、有机树脂等材质的透光层700，粘合剂620填充透光层700与硅基本体110之间的空间。其中，耐候性较好的玻璃材质的透光层700有助于延长LED灯珠在户外环境的寿命。
本实用新型一种LED封装结构，根据实际需要，也可以作如下结构变形。
变形实施例一，如图7所示
金属层Ⅰ810和金属层Ⅱ820之间的间隙可以大于LED芯片电极210、220之间的间距，以便最大限度地扩大金属层Ⅲ830的面积。在金属反光层410下方设置若干个金属柱831，金属柱831贯穿绝缘层Ⅱ520，与硅基本体110直接接触；也可以部分或全部进入硅基本体110，以增大接触面积。通过金属柱831可以将LED芯片200工作时产生的热快速地传导至硅基本体110背面的金属层Ⅲ830，实现LED芯片200温度节点到封装引脚的低热阻，有助于提升LED性能。
变形实施例二，如图5、图6和图7所示
金属块/柱321的个数至少两个以上，平行排列，形成金属栅结构，其材质为铜，其上设置锡或锡合金的金属连接层311。另一边的金属块/柱322的个数也可以至少两个以上，平行排列，也可以形成铜质金属栅结构，其上设置锡或锡合金的金属连接层312。LED芯片200通过金属栅与金属反光层410、420实现倒装连接，提升了倒装工艺的稳定性和可操作性，克服了LED芯片200在回流工艺中可能发生的漂移、立碑或旋转等不良连接方式，保证了圆片级工艺过程中LED芯片200连接的一致性与均匀性。其中金属块/柱321和金属块/柱322的厚度范围为5-15um，锡或锡合金的厚度范围为8-20um，能在实现可靠连接的同时，最大限度的降低热阻。金属栅也可以应用于传统的设置有LED反射杯的LED灯珠，或其他微小金属部件与金属面/块的连接。
变形实施例三，如图4、图5和图7所示
单色的LED芯片200一般只能激发R（红）、G（绿）、B（蓝）三色光。而在人们的实际生活中，更需要地是使用白光，为了得到白光LED灯珠，可以选择蓝色LED芯片200激发分布于其周围的荧光粉，该荧光粉制成的荧光粉胶层630可以涂覆于蓝色LED芯片200的发光面，荧光粉也可以与硅胶等粘合剂620混合，填充于透光层700与硅基本体110之间的空间。
本实用新型一种LED封装结构，变形结构的实施例一、实施例二、实施例三可以根据实际需要自由组合，以提高LED封装结构的各项性能。
本实用新型的LED封装结构不限于上述实施例，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本实用新型权利要求所界定的保护范围内。

Claims (10)

1.一种LED封装结构，包括背面开设若干个硅通孔（111）的硅基本体（110）和带有LED芯片电极（210、220）的LED芯片（200），所述硅基本体（110）的正面设置绝缘层Ⅰ（510），所述硅通孔（111）的内壁设置绝缘层Ⅱ（520 ），
其特征在于：所述绝缘层Ⅰ（510）的表面设置不连续的金属反光层（410、420），所述硅通孔（111）的顶部设置贯穿绝缘层Ⅰ（510）和绝缘层Ⅱ（520 ）的绝缘层开口（501、502），所述绝缘层Ⅱ（520 ）的表面设置不连续的金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820），所述金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）一端分别通过绝缘层开口（501、502）与金属反光层（410、420）连接，另一端沿硅通孔（111）向外延展至硅基本体（110）的背面并向相反方向延展，所述LED芯片（200）通过金属块/柱（321、322）倒装至金属反光层（410、420），所述LED芯片电极（210）、金属块/柱（321）、金属反光层（410）、金属层Ⅰ（810）实现电气连接，所述LED芯片电极（220）、金属块/柱（322）、金属反光层（420）、金属层Ⅱ（820）实现电气连接；
还包括金属层Ⅲ（830），所述金属层Ⅲ（830）位于硅基本体（110）的背面的绝缘层Ⅱ（520 ）的表面且位于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间，所述金属层Ⅲ（830）与金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）均不连接。
2.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述金属块/柱（321、322）材质为铜，其高度为5-15um。
3.根据权利要求2所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述金属块/柱（321）和/或金属块/柱（322）的个数至少两个以上。
4.根据权利要求3所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述金属块/柱（321、322）与LED芯片电极（210、220）之间分别设置金属连接层（311、312）。
5.根据权利要求4所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述金属连接层（311、312）材质为锡或锡合金，高度在8-20um。
6.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述金属层Ⅲ（830）通过若干个金属柱（831）与金属反光层（410）连接，所述金属柱（831）贯穿绝缘层Ⅱ（520 ），部分或全部进入硅基本体（110）。
7.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于：还包括透光层（700），所述透光层（700）通过粘合剂（620）设置于LED芯片（200）的上方。
8.根据权利要求7所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述粘合剂（620）填充透光层（700）与硅基本体（110）之间的空间。
9.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片（200）与金属反光层（410、420）的间隙填充填充剂（610）。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片（200）的***涂覆荧光粉胶层（630）。
CN201320835533.2U 2013-12-18 2013-12-18 一种led封装结构 Expired - Lifetime CN203644815U (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320835533.2U CN203644815U (zh) 2013-12-18 2013-12-18 一种led封装结构
PCT/CN2013/090483 WO2015089873A1 (zh) 2013-12-18 2013-12-26 一种led封装结构
US15/104,200 US20160322539A1 (en) 2013-12-18 2013-12-26 Led packaging structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320835533.2U CN203644815U (zh) 2013-12-18 2013-12-18 一种led封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203644815U true CN203644815U (zh) 2014-06-11

Family

ID=50876039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320835533.2U Expired - Lifetime CN203644815U (zh) 2013-12-18 2013-12-18 一种led封装结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160322539A1 (zh)
CN (1) CN203644815U (zh)
WO (1) WO2015089873A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037305A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 江阴长电先进封装有限公司 一种低热阻的晶圆级led封装方法及其封装结构
CN105742458A (zh) * 2014-12-24 2016-07-06 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN109390455A (zh) * 2018-11-20 2019-02-26 广东晶科电子股份有限公司 一种白光发光二极管及其制作方法
CN110324956A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 广州市信宏洗衣机械有限公司 一种多层电路板的散热装置
CN110707198A (zh) * 2019-09-20 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170036243A (ko) * 2015-09-24 2017-04-03 삼성전자주식회사 발광 소자 실장 기판 및 이를 이용한 발광 패키지, 상기 발광 소자 실장 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치 제조 방법
CN109285974B (zh) * 2017-07-20 2021-08-03 宁德时代新能源科技股份有限公司 二次电池顶盖组件及二次电池
CN108533990A (zh) * 2018-02-01 2018-09-14 陈广明 一种低成本灯杯
CN110516382B (zh) * 2019-08-30 2022-08-12 贵州大学 一种基于硅直通孔的三维集成***热解析方法
TWI759049B (zh) * 2020-12-31 2022-03-21 李宛儒 一種可降低出光面溫度的晶片級封裝之發光晶片結構的製備方法
CN112635646B (zh) * 2021-01-14 2021-10-01 深圳市科润光电股份有限公司 一种应用于低热阻的晶圆级led封装结构

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027278A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US20080251927A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Texas Instruments Incorporated Electromigration-Resistant Flip-Chip Solder Joints
CN103022307B (zh) * 2012-12-27 2015-01-07 江阴长电先进封装有限公司 一种圆片级led封装方法
CN203071136U (zh) * 2012-12-27 2013-07-17 江阴长电先进封装有限公司 一种圆片级led封装结构
CN103296174B (zh) * 2013-05-03 2016-06-01 华中科技大学 一种led倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037305A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 江阴长电先进封装有限公司 一种低热阻的晶圆级led封装方法及其封装结构
CN105742458A (zh) * 2014-12-24 2016-07-06 晶元光电股份有限公司 发光装置
US10340431B2 (en) 2014-12-24 2019-07-02 Epistar Corporation Light-emitting device with metal bump
CN105742458B (zh) * 2014-12-24 2021-06-04 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN110324956A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 广州市信宏洗衣机械有限公司 一种多层电路板的散热装置
CN110324956B (zh) * 2018-03-30 2022-05-20 广州市信宏洗衣机械有限公司 一种多层电路板的散热装置
CN109390455A (zh) * 2018-11-20 2019-02-26 广东晶科电子股份有限公司 一种白光发光二极管及其制作方法
CN109390455B (zh) * 2018-11-20 2024-05-17 广东晶科电子股份有限公司 一种白光发光二极管及其制作方法
CN110707198A (zh) * 2019-09-20 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
US11309470B2 (en) 2019-09-20 2022-04-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and fabrication method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015089873A1 (zh) 2015-06-25
US20160322539A1 (en) 2016-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203644815U (zh) 一种led封装结构
KR20120118692A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 발광 장치
CN101696790A (zh) 一种大功率led散热封装结构
CN103335226A (zh) 一种全方向出光的led球泡灯
CN103022307A (zh) 一种圆片级led封装方法
CN201732785U (zh) 一种led模组及led照明装置
CN103633237B (zh) 一种led封装结构及其圆片级封装方法
CN204857783U (zh) 一种侧面发光的led
CN203503708U (zh) 蓝宝石基led封装结构
CN103545436B (zh) 蓝宝石基led封装结构及其封装方法
CN205303505U (zh) 三面出光的csp封装结构及基于csp封装结构的灯条
CN207602616U (zh) 一种新型led封装结构
CN203071136U (zh) 一种圆片级led封装结构
CN102280563A (zh) 一种高功率led柔性封装
CN206236704U (zh) Led倒装基板的结构
CN203674260U (zh) 一种esd保护的led封装结构
CN103715190B (zh) 发光器件
CN103117352B (zh) 一种led封装结构及基于其实现荧光粉保形涂覆的方法
CN205752229U (zh) 一种高功率led的封装结构
CN102194962A (zh) 侧向发光之半导体组件封装结构
CN108447967A (zh) 一种大功率led器件的封装结构
CN211654852U (zh) 发光装置、载体
CN104716252B (zh) 发光装置及背光模组
CN203384679U (zh) 一种全方向出光的led球泡灯
CN206921861U (zh) 一种倒装红光led晶片

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140611