CN203616717U - 一种双晶体管的单片机上电复位电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双晶体管的单片机上电复位电路，包括电阻R1~R3、三极管Q1~Q2、电容C1~C2和二极管D1；R1的一端和R2的一端连接在一起后接到VCC上，R1的另一端和C1的一端连接后接到Q1的基极，C1的另一端接地，R2的另一端接到Q1的集电极，Q1的发射极接到地，Q2的基极接到Q1的集电极，Q2的发射极接到地，R3和D1并联，D1的阳极接到Q2的集电极，D1的阴极接到VDD上，C2并联在Q2的发射极和集电极之间，D1的阳极接单片机的复位脚。本实用新型电路结构简单，稳定性高，可靠性高，成本低等优点，是一种适合应用于小家电控制器上的单片机上电复位电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及单片机控制电路技术领域，更具体地，涉及一种双晶体管的单片机上电复位电路。
背景技术
复位是单片机的初始化操作，其主要功能是把单片机中的程序计数器PC初始化为初始值，使单片机从内存的起始地址单元开始执行程序。除了进入***的正常初始化之外，当由于程序运行出错或操作错误使***处于死锁状态时，为了摆脱这种情况，也需要按复位键以重新启动。另外复位操作还会对一些特殊功能寄存器进行初始化，使单片机内有关功能部件回到初始化状态。
单片机的复位方式分很多种，有外部复位电路复位，内部低电压复位等方式。
发明内容：
本实用新型的目的在于提供一种稳定性高，实用性强，成本低，可靠性高的双晶体管的单片机外部上电复位电路。
本实用新型的目的可以通过采用以下技术方案达到：
一种双晶体管的单片机上电复位电路，其特征在于，包括电阻R1~R3、晶体三极管Q1~Q2、电容C1~C2和二极管D1；
电阻R1的一端和电阻R2的一端连接在一起后接到VCC上，电阻R1的另一端和电容C1的一端连接后接到三极管Q1的基极，电容C1的另一端接地，电阻R2的另一端接到三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接到地，三极管Q2的基极接到三极管Q1的集电极，三极管Q2的发射极接到地，电阻R3和二极管D1并联，二极管D1的阳极接到三极管Q2的集电极，二极管D1的阴极接到VDD上，电容C2并联在三极管Q2的发射极和集电极之间，二极管D1的阳极接单片机的复位脚。
当外部上电时，由于电容C1两端的电压不能够突变，从而使三极管Q1的基极和发射极之间的电压低于三极管Q1的开启电压Ube1,故三极管Q1截止，三极管Q2的基极通过电阻R2连接到VCC，使得三极管的Q2基极和发射极之间的电压高于三极管Q2的开启电压Ube2，故三极管Q2导通，三极管Q2的集电极的电位被拉低，单片机获得低电平，处于复位状态。经过T1时间后，当电容C1被充满电后，三极管Q1的基极电位被拉高，三极管Q1导通，从而使得三极管Q2的基极被拉低，三极管Q2截止，又由于C2两端的电压不能够突变，故三极管Q2的集电极的电位仍然为低电平，经过T2时间后，VDD将电容C2充满电后，三极管Q2的集电极的电位被拉高，此时，单片机获得高电平，复位结束，整个过程持续的时间为T1+T2，这就保证了单片机能够很好的复位，其中的电阻R3和二极管D1是上拉和放电的作用，断电时将电容C2俩端的电荷放完，为下一次单片机更好的复位做好准备。
本实用新型具有如下突出的有益效果：
1、该复位电路采用俩级电容充放电产生复位信号，稳定性高，可靠性高；
2、该复位电路适合在小家电控制器的应用场合，实用性强，成本低。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，但本实用新型的实施方式并不限于此。
参照图1，本实施例中，所述的双晶体管上电复位电路由3个电阻R1~R3，2个晶体三极管Q1~Q2，2个电容C1~C2，一个二极管D1和单片机MCU组成。电阻R1的一端和电阻R2的一端连接在一起后接到VCC上，电阻R1的另一端和电容C1的一端连接后接到三极管Q1的基极，电容C1的另一端接地，电阻R2的另一端接到三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接到地，三极管Q2的基极接到三极管Q1的集电极，三极管Q2的发射极接到地，电阻R3和二极管D1并联，二极管D1的阳极接到三极管Q2的集电极，二极管D1的阴极接到VDD上，电容C2并联在三极管Q2的发射极和集电极之间，单片机MCU的复位脚接到二极管D1的阳极。
本实施例的工作原理：
参照图1，当外部上电时，由于电容C1的俩端电压不能够突变，从而使三极管Q1的基极和发射极之间的电压低于Q1的开启电压Ube1,故Q1截止，三极管Q2的基极通过电阻R2连接到VCC，使得Q2基极和发射极之间的电压高于Q2的开启电压Ube2，故三极管Q2导通，A点电位被拉低，单片机获得低电平，处于复位状态。经过T1时间后，当电容C1被充满电后，三极管Q1的基极电位被拉高，Q1导通，从而使得三极管Q2的基极被拉低，Q2截止，又由于C2俩端电压不能够突变，故A电电位仍然为低电平，经过T2时间后，VDD将电容C2充满电后，A点电位被拉高，此时，单片机获得高电平，复位结束，整个过程持续的时间为T1+T2，这就保证了单片机能够很好的复位，其中的电阻R3和二极管D1是上拉和放电的作用，断电时将电容C2俩端的电荷放完，为下一次单片机更好的复位做好准备。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施例，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等 同替换或改变，都属于本实用新型的保护范围。
Claims (1)
1.一种双晶体管的单片机上电复位电路，其特征在于，包括电阻R1~R3、晶体三极管Q1~Q2、电容C1~C2和二极管D1；
电阻R1的一端和电阻R2的一端连接在一起后接到VCC上，电阻R1的另一端和电容C1的一端连接后接到三极管Q1的基极，电容C1的另一端接地，电阻R2的另一端接到三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接到地，三极管Q2的基极接到三极管Q1的集电极，三极管Q2的发射极接到地，电阻R3和二极管D1并联，二极管D1的阳极接到三极管Q2的集电极，二极管D1的阴极接到VDD上，电容C2并联在三极管Q2的发射极和集电极之间，二极管D1的阳极接单片机的复位脚。
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