CN203164592U - 一种接触式曝光掩膜版 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种接触式曝光掩膜版。包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜，光刻工艺得到铬薄膜图案，铬薄膜图案上覆一层导电膜。当接触式曝光时，避免掩膜版与涂有光刻胶的基片接触摩擦产生静电对曝光结果产生的影响，降低了掩膜版上灰尘颗粒的吸附，从而降低光刻缺陷，通过光学曝光，将掩膜版上的图形转移到基片上，本实用新型提高了曝光质量。
Description
技术领域
本实用新型适用于半导体光刻技术领域，涉及一种光刻工艺中接触式曝光掩膜版。
技术背景
光刻技术一直在集成电路(IC)工业的发展中起着至关重要的作用。接触式光刻在光刻技术的发展过程中,由于成本低、操作简单、分辨率也能达到较高水平而被广泛使用，也有着非常重要的地位, 在国内目前也有着广泛的应用。
接触式曝光技术是七、八十年代普遍采用的一种光学光刻技术, 接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩膜与基片间相对关系是贴紧还是分开,接触式曝光时掩膜版压在光刻胶的衬底基片上，接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点，但由于涂覆光刻胶的基片与掩膜的接触会产生静电吸附灰尘及其它颗粒，每一次接触过程，会在基片和掩膜上都造成一定的缺陷，影响成品率和掩膜版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。因此，接触式光刻机一般用于能容忍较高缺陷水平的器件研究和其他应用方面,一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。
接触式曝光有极好的分辨率, 但存在图形尺寸难于控制、对准精度低和掩膜容易划伤等严重问题,为了克服这些缺点,对接触式曝光***作了很多改进，本实用新型能够有效减少接触式曝光时掩膜和基板紧密接触容易擦伤掩膜，以及摩擦产生静电吸附灰尘和颗粒的作用，完成更精确的图形转移过程。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对已有技术存在的缺陷，提供一种接触式曝光掩膜版，提高曝光质量。为达到目的，本实用新型采用下述技术方案：
一种接触式曝光掩膜版，包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜，光刻工艺得到铬薄膜图案，铬薄膜图案上覆一层导电膜。
上述玻璃基板是正方形，边长为200mm，厚度3-8mm。
上述铬薄膜是溅射或沉积在玻璃基板上的，厚度为100-200nm。
上述导电膜为透明导电膜，该透明导电膜为透明铟锡金属氧化物ITO薄膜，透明导电膜是正方形，边长为200mm，厚度为50-100nm。
本实用新型与现有技术相比较，具有如下显而易见的实质性特点和进步：本实用新型提供的接触式曝光掩膜版，可以设计成不同的图案，能够适用于各种待曝光器件，它主要应用在接触式曝光中，在掩膜版的铬薄膜图案上镀一层透明导电膜，可以降低掩膜版与基板接触摩擦产生的静电，降低掩膜版上灰尘颗粒的吸附，降低光刻缺陷，提高工艺质量。
附图说明
图1 是玻璃上镀有一层铬薄膜；
图2 是经过光刻工艺得到的铬图案的流程图；
图3 是镀有铬图案的掩膜版；
图4 是本实用新型提供的铬图案上镀有一层透明导电膜的掩膜版；
图5 是本实用新型优化设计在铬图案上生长一层防反射膜；
附图标记：1-石英玻璃 2-铬薄膜图案
3-透明导电膜 4-防反射膜。
具体实施方式
为使本实用新型的技术方案和目的更加清楚，下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式结合进一步详细描述。
实施例一：参加图4，本接触式曝光掩膜版，包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板1，所述玻璃基板1的上面镀有金属铬薄膜，光刻工艺得到铬薄膜图案2，铬薄膜图案2上覆一层导电膜3。
实施例二：本实施例与实施例一基本相同，特别之处如下：所述玻璃基板是正方形，边长为200mm，厚度3-8mm；所述铬薄膜是溅射或沉积在玻璃上的，厚度为10-10000nm，最优为100-200nm；所述导电膜为透明导电膜，该透明导电膜为透明铟锡金属氧化物（ITO）薄膜，透明导电膜是正方形，边长为200mm，厚度为10-2000nm，最优为50-100nm。
实施例三：首先在玻璃基板上淀积一层铬薄膜见图1所示，最优的沉积方法是溅射沉积。
本实施例的接触式曝光掩膜版的制备如下：接着在铬薄膜上旋涂一层均匀的光刻胶，烘烤坚固光刻胶，然后采用激光或电子束直接将图案描绘到光刻胶上，显影将被光照射的光刻胶去除，再进行刻蚀去除铬，结合本实施例，优选湿法刻蚀得到铬薄膜图案，最后剥离光刻胶得到图3所示的掩膜版示意图，铬薄膜厚度为100-200nm。
本实用新型提供的掩膜版上的透明导电膜优选为透明ITO膜，导电膜是正方形，边长为200mm，厚度50-100nm，需要平整的贴附在前述的掩膜版上，ITO膜粘贴在掩膜版上，需防止ITO膜与掩膜版间带有气泡，以及任何灰尘及杂质，避免曝光时产生衍射现象，见图4所示，本实施例中还可以在铬薄膜图案上生长一层防反射膜（4），然后再将ITO膜贴到防反射膜（4）上，更利于优化本实用新型的效果，见图5所示。
以上所述仅为本实用新型的技术方案，并不用以限制本实用新型内容，凡在本实用新型的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换和改进优化设计方案等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种接触式曝光掩膜版，包括一块苏打玻璃或石英玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板的上面镀有金属铬薄膜，光刻工艺得到铬薄膜图案，铬薄膜图案上覆一层导电膜。
2.如权利要求1所述的接触式曝光掩膜版，其特征在于所述玻璃基板是正方形，边长为200mm，厚度3-8mm。
3.如权利要求1所述的接触式曝光掩膜版，其特征在于所述铬薄膜是溅射或沉积在玻璃基板上的，厚度为100-200nm。
4.如权利要求1所述的接触式曝光掩膜版，其特征在于：所述导电膜为透明导电膜，该透明导电膜为透明铟锡金属氧化物ITO薄膜，透明导电膜是正方形，边长为200mm，厚度为50-100nm。
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