CN202917489U - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括：多条栅线、多条数据线、每两条彼此相邻的栅线和每两条彼此相邻的数据线限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极和薄膜晶体管，与所述数据线处于同一层公共电极线，其中所述公共电极线与所述数据线不相交，在所述公共电极线上设有钝化层，其中所述公共电极线通过形成在所述钝化层上的过孔与所述公共电极相连接，并且所述公共电极与所述数据线不交叠。本实用新型的方案可以避免数据线与公共电极线之间的交叠电容，从而可以在高频率驱动下，大大降低Greenish现象。

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及显示装置。

背景技术

如图1所示，为现有技术中阵列基板的平面图，阵列基板包括：衬底基板上的栅线10，与所述栅线10垂直排列的数据线20，栅线10和数据线20限定出像素区域，像素区域中包括并排排列的像素电极40、块状公共电极线30以及薄膜晶体管；该种结构的阵列基板的像素区域的长边是数据线20，短边是栅线10，所述公共电极线30平行于像素区域的短边且位于远离薄膜晶体管的一侧；数据线40与其下方的公共电极线30之间存在交叠电容。

目前大尺寸TV（电视）产品及3D产品是目前电视制造领域的发展趋势。然而要想实现大尺寸产品及3D产品的顺利开发，如产品驱动频率从60Hz提高至120Hz甚至是240Hz。

然而上述结构图1所示的阵列基板，由于数据线20与公共电极线30之间的交叠电容的存在，在高频率驱动时，会引起公共电极的电压受影响，从而使产品的画面产生Greenish（绿附）问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示装置，避免数据线与公共电极线之间的交叠电容，从而可以在高频率驱动下，大大降低Greenish现象。

本实用新型的实施例提供一种阵列基板，包括多条栅线、多条数据线、每两条彼此相邻的栅线和每两条彼此相邻的数据线限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极和薄膜晶体管，还包括与所述数据线处于同一层公共电极线，其中所述公共电极线与所述数据线不相交，在所述公共电极线上设有钝化层，其中所述公共电极线通过形成在所述钝化层上的过孔与所述公共电极相连接，并且所述公共电极与所述数据线不交叠。

其中，所述栅线与所述数据线垂直交叠，所述像素区域为长方形，所述数据线构成所述像素区域的短边，所述栅线构成所述像素区域的长边。

其中，所述栅线与所述数据线垂直交叠的位置具有薄膜晶体管，所述数据线通过所述薄膜晶体管与所述像素电极连接。

其中，所述像素电极为狭缝结构。

其中，所述像素电极的狭缝结构具有交叉部位，所述公共电极线在所述像素电极所在层上的投影落在所述交叉部位上。

其中，所述公共电极具有与所述像素电极的狭缝相匹配的结构并且所述公共电极在所述像素电极上的投影能够覆盖所述像素电极的狭缝。

其中，所述公共电极在所述像素电极上的投影还能覆盖所述像素电极的狭缝附近的部分区域。

本实用新型的实施例还提供一种显示装置，包括上所述阵列基板。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：

上述方案中，通过公共电极线与所述数据线处于同一层，且公共电极线与所述数据线不相交，避免数据线与公共电极线之间的交叠电容的产生，从而可以在高频率驱动下，有效地避免数据线电压对公共电极电压信号的影响，大大降低Greenish现象的发生。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的平面示意图；

图2为本实用新型的阵列基板的平面示意图；

图3－图7为本实用新型的阵列基板的制作过程示意图；

图8为本实用新型的阵列基板的公共电极的电压变化示意图。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图2－图7所示，本实用新型的实施例提供一种阵列基板，衬底基板（未示出），若干栅线1、若干数据线2、每两条彼此相邻的栅线1和每两条彼此相邻的数据线2限定出的像素区域，其中所述像素区域设有公共电极7，像素电极4和薄膜晶体管5；还包括与所述数据线2处于同一层的公共电极线3，其中所述公共电极线3与所述数据线2不相交，在所述公共电极线3上设有钝化层，其中所述公共电极线3通过形成在所述钝化层上的过孔与所述公共电极7相连接，并且所述公共电极7与所述数据线2不交叠。

本实用新型的该实施例通过将公共电极7与公共电极线3设置成与数据线2不相交叠的结构，避免数据线3与公共电极线2之间的交叠电容的产生，从而可以在高频率驱动下，有效地避免数据线电压对公共电极电压信号的影响，大大降低Greenish现象的发生率。

在上述实施例中，所述衬底基板上的栅线1与数据线2垂直交叠，并限定出像素区域；该像素区域的平面为长方形，数据线2构成所述像素区域的短边，栅线1构成所述像素区域的长边。

所述像素区域中设有像素电极4，该像素电极4是利用在衬底基板上沉积的第一层ITO制作，且该像素电极4制作成狭缝结构。

另外，栅线1与数据线2垂直交叠的位置具有薄膜晶体管（TFT）5，所述数据线2通过所述薄膜晶体管5与所述像素电极4连接。

在所述阵列基板上还设置有位于所述数据线2上方的钝化层以及位于所述钝化层上方的公共电极7，所述公共电极7通过所述钝化层上的过孔6与所述公共电极线3连接。

在上述实施例中，所述公共电极7具有与所述像素电极4的狭缝相匹配的结构并且所述公共电极7在所述像素电极4所在层上的投影能够覆盖所述像素电极4的狭缝，或者进一步能够覆盖狭缝附近的部分区域。上述结构可以保证形成边缘电场的同时，由此产生的存储电容大大降低，有利于高频驱动产品达到充电率要求。但所述公共电极7也可以为其他的形状例如条形。

再如图3－图7所示，为上述实施例的阵列基板的具体制作过程，包括：

提供一衬底基板（图中未示出该衬底基板）；在所述衬底基板上形成像素电极4（如图3所示，具体的，在衬底基板上沉积第一层氧化铟锡ITO时，经过曝光显影后，得到如图3所示的像素电极）；在形成有所述像素电极4的衬底基板上，形成栅线1（如图4所示）；在形成有所述栅线1的衬底基板上形成栅绝缘层（图中未示出）；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成数据线2以及公共电极线3，且所述公共电极线3与所述数据线2不相交（如图5所示，该步骤中还可以同时在所述栅线1与所述数据线2垂直交叠的位置有薄膜晶体管（TFT）5，所述数据线2通过所述薄膜晶体管与所述像素电极4连接）；在形成有所述数据线2以及公共电极线3的衬底基板上形成钝化层及所述钝化层上的过孔6（如图6所示）；在形成有所述钝化层的衬底基板上形成公共电极7，所述公共电极7通过所述钝化层上的过孔6与所述公共电极线3连接（如图7所示）。

当显示面板上某一列打开时，当数据线2上电压信号由0V转化至最高电压，通过薄膜晶体管5对像素电极4进行充电，由于如图8所示，公共电极线3（）的电压会产生一个跳变后又逐渐回落的过程，△Vcom为公共电极线3的电压变化量，该值越高，对公共电极线3的电压的影响越难恢复，从而将产生Greenish现象。

对应单个像素结构而言，数据线2对公共电极线3的电压信号的影响可以体现为：

$\mathrm{\ΔVcom}=a\×\frac{\mathrm{Cdc}+\mathrm{Clateral}}{\mathrm{\ΣC}\_\mathrm{dot}}\×\mathrm{\ΔVdata}$

其中，a为常数系数，Cdc为数据线2与公共电极线3间的交叠电容，Clateral为数据线2与右侧的透明公共电极7之间的侧向电容，ΔVdαtα为数据线的电压变化量，C_dot为一个亚像素内电容的总和。

由此可知；当Cdc及Clateral降低时就可以降低公共电极的电压信号的变化；本发明上述的实施例中，由于将公共电极线3与数据线2同层制作并且与数据线2不相交，因此，避免了二者交叠电容Cdc的存在；

此外，由于将公共电极7制备成与所述像素电极4的狭缝相一致的结构，与之前传统的像素结构相比，由于数据线2设计于短边位置，因此数据线与公共电极7的侧向电容值大大降低，因此有效的避免了Greenish现象的产生；并且有效地降低了与像素电极的存储电容值，使得高频率驱动条件下，产品能够达到充电率要求；且其它具有类似功能的公共电极7的设计也可以实现。

本实用新型还提供一种包括上述图2所示阵列基板的显示装置。该显示装置可以是：液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括多条栅线、多条数据线、每两条彼此相邻的栅线和每两条彼此相邻的数据线限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，

还包括与所述数据线处于同一层公共电极线，其中所述公共电极线与所述数据线不相交，在所述公共电极线上设有钝化层，其中所述公共电极线通过形成在所述钝化层上的过孔与所述公共电极相连接，并且所述公共电极与所述数据线不交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述数据线垂直交叠，所述像素区域为长方形，所述数据线构成所述像素区域的短边，所述栅线构成所述像素区域的长边。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述数据线垂直交叠的位置具有薄膜晶体管，所述数据线通过所述薄膜晶体管与所述像素电极连接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为狭缝结构。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的狭缝结构具有交叉部位，所述公共电极线在所述像素电极所在层上的投影落在所述交叉部位上。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极具有与所述像素电极的狭缝相匹配的结构并且所述公共电极在所述像素电极上的投影能够覆盖所述像素电极的狭缝。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极在所述像素电极上的投影还能覆盖所述像素电极的狭缝附近的部分区域。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述阵列基板。

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