CN202729812U - 管状硅芯 - Google Patents

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孙勇
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Sino Si Advanced Material Wuxi Co ltd
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WUXI SINO SI-TECH Co Ltd
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Abstract

本实用新型公布了一种管状硅芯，其特征在于：其形状为中空管状。其进一步特征在于：所述管状硅芯外形为圆形或方形。所述管状硅芯长度为10mm-4000mm，壁厚为0.5mm-20mm。本实用新型具备了圆硅芯和方硅芯的优点，在直径和截面积相同的情况下，使用的硅原料相对较少，降低了硅芯的原料使用量和成本，使用同样数量的硅料，可制造出更大直径和截面积的硅芯。由于直径和截面积加大，管状硅芯的外表面积也加大，有利于增加沉积速度和降低能耗。

Description

管状硅芯
技术领域
本实用新型属于多晶硅生产技术领域，特别是涉及一种在硅烷法和西门子法多晶硅生产中作为还原炉中进行还原反应沉积（CVD）多晶硅的热载体。
背景技术
在多晶硅的生产中，热载体从最初的钼丝或钽管到区熔法生产的硅芯，再到线切方硅芯，历经了数代的改进和进步，每一次进步都给多晶硅的质量和工艺带来提升。用钼丝或钽管做热载体，使用方便设备简单，但高温下金属原子扩散影响多晶硅纯度和品质，这一工艺很快被硅芯热载体取而代之。硅是半导体，具有温度越高电阻越低的负阻效应，用区熔法拉制的硅芯作为热载体在还原炉内进行CVD生长多晶硅，生产的多晶硅质量明显提高。随着线切技术的日趋成熟，线切方硅芯应运而生，用多晶硅棒进行线切割加工，一次可以切出一百多根方硅芯，生产效率比区熔法拉制的圆硅芯更上一层楼。目前多晶硅生产采用的热载体全部为圆硅芯和方硅芯，钼丝或钽管已不再使用。
作为多晶生产过程中的沉积载体，表面积对沉积速度和能耗起着至关重要的作用，不管是圆硅芯还是方硅芯，直径或截面积越大，沉积速度就越快，高压击穿的时间就越短，生产的能耗相对也会降低，但基于成本考虑，圆硅芯或方硅芯的横截面太大，使用的原料就会相应增加，成本就会增加，所以截面积不可能做的太大。
发明内容
本实用新型目的在于针对现有技术的缺陷提供一种用料少、沉积速度快的管状硅芯。
本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案：
管状硅芯，其特征在于：其形状为中空管状。
其进一步特征在于：所述管状硅芯外形为圆形或方形。
所述管状硅芯长度为10mm-4000mm，壁厚为0.5mm-20mm。
本实用新型具备了圆硅芯和方硅芯的优点，在直径和截面积相同的情况下，使用的硅原料相对较少，降低了硅芯的原料使用量和成本，使用同样数量的硅料，可制造出更大直径和截面积的硅芯。由于直径和截面积加大，管状硅芯的外表面积也加大，有利于增加沉积速度和降低能耗。
附图说明
图 1 为圆形管状硅芯示意图；
图 2 为方形管状硅芯示意图。
具体实施方式
如图1、2所示一种管状硅芯，其形状为中空管状。所述管状硅芯用太阳能级纯硅制作外形为圆形或方形。所述管状硅芯长度为10mm-4000mm，壁厚为0.5mm-20mm。

Claims (3)

1.管状硅芯，其特征在于：其形状为中空管状。
2.根据权利要求1所述的管状硅芯，其特征在于：所述管状硅芯外形为圆形或方形。
3.根据权利要求1或2所述的管状硅芯，其特征在于：其长度为10mm-4000mm，壁厚为0.5mm-20mm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105417542A (zh) * 2016-01-06 2016-03-23 洛阳金诺机械工程有限公司 一种空心硅芯及其硅芯组件
CN110272049A (zh) * 2018-03-16 2019-09-24 新特能源股份有限公司 空心硅芯的制备方法和制备装置

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Owner name: WUXI SINO SILICON NEW MATERIAL CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: WUXI SINO SI-TECH CO., LTD.

Effective date: 20140122

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140122

Address after: 214000, No. 261, Singapore Industrial Park, New District, Jiangsu, Wuxi

Patentee after: Wuxi Zhongsi New Materials Co.,Ltd.

Address before: 214000, 1321, Xicheng Road, industrial district, Qingyang Town, Wuxi, Jiangsu, Jiangyin

Patentee before: WUXI SINO SI TECH Co.,Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SINO-SI ADVANCED MATERIAL WUXI CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: WUXI SINO SILICON NEW MATERIAL CO., LTD.

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Patentee after: SINO-SI ADVANCED MATERIAL WUXI Co.,Ltd.

Address before: 214000, No. 261, Singapore Industrial Park, New District, Jiangsu, Wuxi

Patentee before: Wuxi Zhongsi New Materials Co.,Ltd.

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