CN201430161Y - 一种led器件的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种LED器件的封装结构，包括支架(1)，该支架(1)具有一自支架上表面下凹的碗杯状凹槽(11)，并且所述支架(1)上设置有金属引线层，LED晶片(2)胶固在支架(1)的碗杯状凹槽(11)的内表面上，LED晶片(2)通过焊线(3)与支架(1)上的金属引线层连接，其特征在于：所述支架(1)的碗杯状凹槽(11)内设有一圆环台阶(12)，LED晶片表面与圆环台阶(12)面之间涂敷混合荧光粉的硅胶层(4)，而圆环台阶(12)面与支架上表面之间涂敷环氧树脂层(5)。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：可以较好的解决环氧树脂与硅胶层之间因无结合力而导致两者交界面处产生空气层的问题，从而使LED灯具有较高的光效和较低的光衰；本实用新型结构简单，成本低，能够有效解决LED分层问题。

Description

一种LED器件的封装结构
技术领域
本实用新型涉及LED封装技术，具体是涉及一种LED器件的封装结构。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，简称LED，中文名为发光二极管)灯被称为***照明光源或绿色光源，具有节能、环保、体积小、可靠性高等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。随着LED晶片的整体水平的不断提高，LED灯整体光效不断提升，使得其照明领域的应用不断得以扩大，然而传统的LED灯在封装时采用环氧树脂作为封装胶体，环氧树脂导热系数极低，LED晶片正常工作时所产生的热量无法快速导出，热量聚集，以致LED晶片结温上升，发光效率降低；同时，环氧树脂耐温差，与LED晶片接触的环氧树脂在高温下易黄变，透光性大受影响。普通的白光LED连续点亮1000小时后，光衰高达40-60％。随着技术的发展，性能优异的硅胶被引入LED封装行业，与环氧树脂相比，硅胶耐热、抗黄变、透光性更好，用硅胶封装的白光LED光衰大大减低，可达1000小时内无衰减，但硅胶价格昂贵，在普通LAMP或食人鱼LED封装上成本太高，无法大量使用；因此，现今低衰白光LED(直插式)的主要封装方式为：用混合荧光粉的硅胶作为白光胶，外封环氧树脂。但这种方式成型的LED又会出现分层现象，分层的主要原因是：环氧树脂与硅胶之间无结合力，外封的环氧树脂固化时，由内应力导致两者交界面处产生一空气层，使得LED的色温偏低，产生“黄变”现象，光效及可靠性无法得到保证。如何解决分层这一难题，近年来各大封装厂已进行大量研究，然而，硅胶与环氧树脂本身相斥，两者表面无法形成较强的结合力，单单从材料上进行改进，问题依然不能得到有效解决，分层问题已严重制约小功率LED在照明领域的应用。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种能够有效解决LED分层问题的、低光衰高光效的LED器件的封装结构。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：该LED器件的封装结构，包括支架，该支架具有一自支架上表面下凹的碗杯状凹槽，并且所述支架上设置有金属引线层，LED晶片胶固在支架的碗杯状凹槽的内表面上，LED晶片通过焊线与支架上的金属引线层连接，其特征在于：所述支架的碗杯状凹槽内设有一圆环台阶，LED晶片表面与圆环台阶面之间涂敷混合荧光粉的硅胶层，而圆环台阶面与支架上表面之间涂敷环氧树脂层。
经过实验证明，结合适当的烘烤工艺，支架的碗杯状凹槽内的圆环台阶作为混合荧光粉的硅胶层与环氧树脂层的分界处，可以较好的解决环氧树脂与硅胶层之间因无结合力而导致两者交界面处产生空气层的问题，从而使LED灯具有较高的光效和较低的光衰。
较好的，所述LED晶片通过硅胶点固在支架的碗杯状凹槽内表面上。
所述圆环台阶宽度为0.2～1.5mm为好，而所述环氧树脂层厚度为0.1～2mm较好。
所述混合荧光粉的硅胶层中硅胶占85～95％，荧光粉占5％～15％，并且硅胶采用折射率为1.41以上的硅胶。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：在支架的碗杯状凹槽内设置圆环台阶，圆环台阶面作为混合荧光粉的硅胶层与环氧树脂层的分界面，可以较好的解决环氧树脂与硅胶层之间因无结合力而导致两者交界面处产生空气层的问题，从而使LED器件具有较高的光效和较低的光衰；本实用新型结构简单，成本低，能够有效解决LED分层问题。
附图说明
图1为本实用新型实施例的附视图；
图2为图1中A-A向剖面图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1和2所述的LED器件的封装结构，包括表面呈方形的支架1，支架1为铜支架且表面镀银层，该支架1具有一自支架上表面下凹的碗杯状凹槽11，碗杯状凹槽11内设有一圆环台阶12，支架1上设置有上设置有金属引线，LED晶片通过硅胶点固在支架1的碗杯状凹槽11的下表面上，LED晶片2通过焊线3与金属引线连接，碗杯状凹槽11的大小根据LED晶片数量而定，本实施例中，LED晶片有四颗，LED晶片表面与圆环台阶12面之间涂敷混合荧光粉的硅胶层4，而圆环台阶12面与支架上表面之间涂敷环氧树脂层5，圆环台阶12面即为混合荧光粉的硅胶层4与环氧树脂层5的交界面。支架1外包裹环氧树脂层外封层6。
本实施例中混合荧光粉的硅胶层4中硅胶占94％，荧光粉占6％，并且硅胶采用折射率为1.51的硅胶。其中圆环台阶12宽度为1mm，环氧树脂层6的厚度为1mm。
本实施例的LED灯的封装方法，包括以下步骤：
点固晶硅胶：在支架碗杯状凹槽11的下表面上点涂适量固晶硅胶；
固晶及固化：将LED晶片放置在涂有固晶硅胶的支架碗杯状凹槽11的下表面上，并送入烘箱内烘烤，烤干固晶胶；
焊线：将金线两端分别与晶片的焊盘以及支架的金属引线焊接；
荧光粉点涂及固化：将混合荧光粉的硅胶涂敷在LED晶片表面直至圆环台阶12面，并送入烘箱内烘烤，使得混合荧光粉的硅胶涂固化；
环氧树脂点涂及固化：在已固化的硅胶层上点涂一层环氧树脂，并送入烘箱内烘烤，烤干环氧树脂层；
封装成型：将支架***模条，灌注环氧树脂，固化脱模成型。

Claims (4)

1、一种LED器件的封装结构，包括支架(1)，该支架(1)具有一自支架上表面下凹的碗杯状凹槽(11)，并且所述支架(1)上设置有金属引线层，LED晶片(2)胶固在支架(1)的碗杯状凹槽(11)的内表面上，LED晶片(2)通过焊线(3)与支架(1)上的金属引线层连接，其特征在于：所述支架(1)的碗杯状凹槽(11)内设有一圆环台阶(12)，LED晶片表面与圆环台阶(12)面之间涂敷混合荧光粉的硅胶层(4)，而圆环台阶(12)面与支架上表面之间涂敷环氧树脂层(5)。
2、根据权利要求1所述的LED器件的封装结构，其特征在于：所述LED晶片(2)通过硅胶点固在支架(1)的碗杯状凹槽(11)内表面上。
3、根据权利要求1所述的LED器件的封装结构，其特征在于：所述圆环台阶(12)宽度为0.2-1.5mm。
4、根据权利要求1所述的LED器件的封装结构，其特征在于：所述环氧树脂层(5)厚度为0.1-2mm。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807658A (zh) * 2010-03-25 2010-08-18 福建中科万邦光电股份有限公司 一种大功率led封装方法
CN102064244A (zh) * 2010-11-09 2011-05-18 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
CN102456770A (zh) * 2010-10-14 2012-05-16 禧通科技股份有限公司 聚光型太阳能电池封装结构的制作方法及其封装结构
CN103247748A (zh) * 2012-02-14 2013-08-14 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管及其制作方法
CN104518070A (zh) * 2014-11-17 2015-04-15 浙江英特来光电科技有限公司 一种高灰度高对比度smd led及其点胶工艺
TWI484667B (zh) * 2011-07-22 2015-05-11 Fusheng Electronics Corp 發光二極體的支架結構
CN105514248A (zh) * 2016-01-06 2016-04-20 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种高白光低光衰led及其制备方法
CN107525025A (zh) * 2017-09-22 2017-12-29 宁波升谱光电股份有限公司 一种led封装方法和结构
CN107768503A (zh) * 2017-10-25 2018-03-06 江苏稳润光电科技有限公司 一种Lamp白光产品封装结构
CN108735874A (zh) * 2018-08-09 2018-11-02 东莞市欧思科光电科技有限公司 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807658B (zh) * 2010-03-25 2012-11-21 福建中科万邦光电股份有限公司 一种大功率led封装方法
CN101807658A (zh) * 2010-03-25 2010-08-18 福建中科万邦光电股份有限公司 一种大功率led封装方法
CN102456770A (zh) * 2010-10-14 2012-05-16 禧通科技股份有限公司 聚光型太阳能电池封装结构的制作方法及其封装结构
CN102064244A (zh) * 2010-11-09 2011-05-18 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
CN102064244B (zh) * 2010-11-09 2012-08-22 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
TWI484667B (zh) * 2011-07-22 2015-05-11 Fusheng Electronics Corp 發光二極體的支架結構
CN103247748A (zh) * 2012-02-14 2013-08-14 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管及其制作方法
CN104518070A (zh) * 2014-11-17 2015-04-15 浙江英特来光电科技有限公司 一种高灰度高对比度smd led及其点胶工艺
CN105514248A (zh) * 2016-01-06 2016-04-20 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种高白光低光衰led及其制备方法
CN107525025A (zh) * 2017-09-22 2017-12-29 宁波升谱光电股份有限公司 一种led封装方法和结构
CN107768503A (zh) * 2017-10-25 2018-03-06 江苏稳润光电科技有限公司 一种Lamp白光产品封装结构
CN108735874A (zh) * 2018-08-09 2018-11-02 东莞市欧思科光电科技有限公司 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺
CN108735874B (zh) * 2018-08-09 2024-02-13 东莞市欧思科光电科技有限公司 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺

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