CN201068469Y - 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 - Google Patents
可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201068469Y CN201068469Y CNU2007201491434U CN200720149143U CN201068469Y CN 201068469 Y CN201068469 Y CN 201068469Y CN U2007201491434 U CNU2007201491434 U CN U2007201491434U CN 200720149143 U CN200720149143 U CN 200720149143U CN 201068469 Y CN201068469 Y CN 201068469Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- target
- pole piece
- target material
- conductive pole
- adjusting pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000013077 target material Substances 0.000 title abstract description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title description 11
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000003245 working effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 abstract 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种可提高靶材利用率，延长靶材使用寿命的磁控溅射靶，适用于物理气象沉积磁控溅射真空镀膜技术。所述磁控溅射靶包括靶材、靶背板、绝缘垫、靶阴极框架、阴极挡板，磁铁和导磁极靴调整垫，可移动的磁铁和导磁调整垫可调整靶材表面磁场的均匀性和等离子体的均匀性，使等离子体刻蚀靶材的速率降低，使靶材端部和中间部位被刻蚀之差减小，从而提高靶材利用率，大幅度降低生产产品的成本，节约生产资源，提高产品竞争力。
Description
技术领域
本实用新型适用于一种磁控溅射靶，特别是一种可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶。
背景技术
磁控溅射技术广泛应用于材料表面装饰、材料表面改性，光学器件制造、电子等多种领域。磁控溅射靶在当前现有技术中，从结构上分平面磁控溅射靶和圆柱磁控溅射靶，从磁场分布上分平衡靶和非平衡靶。平面磁控溅射靶所用的靶材具有加工简单，安装方便等优点，适于批量生产镀膜产品。通常溅射靶材的材料价格是十分昂贵的，像金属钛、银、铂等，这无疑就使生产成本比较高。
在传统工艺中，磁控溅射镀膜过程如图1所示。在真空状态下，当靶材5被施加一个负电位，被镀膜的工件加正电位时，在靶材5所在真空室内形成电场1，然后向真空室内冲入工艺载气(Ar)，在一定压力和温度下，正电位和负电位之间会产生放电现象，电子e沿环形轨道运动，撞击工艺载气(Ar)分子，产生等离子体放电，同时磁控溅射靶上的磁铁产生磁场2，磁场施加于电场之中，可增强气相沉积及等离子体放电，等离子体中的阳离子飞向阴极，在电场和磁场作用下撞击阴极表面，使得阴极靶材的原子被溅射出附着在阳极表面上。其中靶阴极框架和阴极挡板用于挡住靶材5的非溅射区域，使其不产生等离子体放电作用，这样使得阴极靶材的原子向未被挡住的方向溅射出，在阳极表面(被镀膜的工件)就形成了阴极材料的一层薄膜，从而使得阳极上的工件被涂层。但此时阴极表面等离子体的均匀性受等离子体电子跑道转弯处的端头效应影响，在等离子体电子跑道两端，等离子体较强，溅射效果好，溅射靶材被刻蚀的多，而在溅射靶材中间部位靶材被刻蚀得较少，这样就形成了靶材中间和端部刻蚀不均匀的现象，使靶材的使用寿命降低，靶材消耗刻蚀图形如图2所示。
本实用新型技术是建立在真空条件下气体放电特性的基础上，是对磁控溅射技术的应用和发展。改变磁场强度，控制气体放电产生的刻蚀效果是本实用新型需要解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有磁控溅射镀膜技术中溅射靶材被刻蚀不均匀、靶材利用率低、使用寿命短的问题，提供一种平面磁控溅射靶，通过调整磁控溅射靶磁场的均匀性，调整靶材端部表面的等离子体均匀性，使靶材端部和中间部位被刻蚀的速率差减小，这样就使得靶材端部和中间部位的靶材刻蚀之差减小，从而延长靶材使用寿命。
为了实现上述目的，本实用新型提供了一种平面磁控溅射靶，包括依次叠放在一起的靶材、靶背板、绝缘垫和靶阴极框架，并排设置一个或一个以上的磁铁；在绝缘垫与磁铁之间放置一个或一个以上的导磁极靴调整垫。
导磁极靴调整垫可以设置在靶阴极框架与磁铁之间，或者绝缘垫与靶阴极框架之间，或者在两处同时设置。
进一步的，当导磁极靴调整垫设置在靶阴极框架与磁铁之间时，导磁极靴调整垫可以固定在磁铁上表面，或者固定在靶阴极框架与所述磁铁相对的一面，或者在上述两个表面同时设置一个或一个以上的导磁极靴调整垫，可相对放置也可以交错放置。
进一步的，当导磁极靴调整垫设置在绝缘垫与靶阴极框架之间时，导磁极靴调整垫可以固定在靶阴极框架上，或者固定在绝缘垫上，或者在上述两个表面均设置一个或一个以上的导磁极靴调整垫。
本实用新型的技术方案改善了磁控溅射靶材刻蚀不均匀的缺陷，可提高靶材的利用率，延长其使用寿命。所述磁控溅射靶还适用于薄膜晶体管液晶显示器(Thin-film transistor liquid crystal display，简称TFT-LCD)多靶磁控溅射镀膜机。
附图说明
图1为磁控溅射靶材表面电子运动轨迹和等离子体形态原理示意图；
图2为使用本实用新型前靶材蚀刻状态形貌断面示意图；
图3为本实用新型实施例1平面磁控溅射靶示意图；
图4为本实用新型实施例2平面磁控溅射靶示意图；
图5为本实用新型实施例3平面磁控溅射靶示意图；
图6为本实用新型实施例4平面磁控溅射靶示意图；
图7为本实用新型实施例5平面磁控溅射靶示意图；
图8为本实用新型实施例5靶阴极框架上导磁极靴调整垫分布示意图；
图9为使用本实用新型靶材蚀刻状态形貌断面示意图。
附图标记说明：1电场E 2磁场 3电子运动轨迹 4等离子体刻蚀区域
5靶材 6靶背板 7绝缘垫 8靶阴极框架
9阴极挡板(target mask shield) 10磁铁
11导磁极靴调整垫
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
实施例1
如图3所示，本实用新型提供的靶材5与靶背板6叠放在一起，靶背板6与绝缘垫7叠放在一起；靶阴极框架8用于承载叠放在一起的靶材、靶背板和绝缘垫；阴极挡板9安装在靶阴极框架8上；一个或一个以上的磁铁10并排放置，通过传动轴与靶阴极框架8相连接，且可以在一定范围内移动；导磁极靴调整垫11位于靶阴极框架8与磁铁10之间，固定在可移动磁铁的上表面。
实施例2
如图4所示，本实施例与实施例1所描述的平面磁控溅射靶整体设置相同，不同之处在于，导磁极靴调整垫11还可以固定于靶阴极框架8表面上。
实施例3
如图5所示，本实施例与上述实施例不同之处在于，导磁极靴调整垫11位于绝缘垫7与靶阴极框架8之间，既可以固定于绝缘垫7上，又可以固定于靶阴极框架8上。
实施例4
由于在上述实施方式中采用的是单一位置放置导磁极靴调整垫，通过实验发现其对磁铁10产生的磁场的调整作用并不明显。在本实施例中，如图6所示，与上述实施例的不同之处在于，导磁极靴调整垫11位于靶阴极框架8与磁铁10之间，既固定在可移动磁铁的上表面，又固定在靶阴极框架8表面上，所述一个或一个以上导磁极靴调整垫11可相对放置或者交错放置。采用此种实施方式，导磁极靴调整垫对磁铁10产生的磁场均匀性的调整作用更加明显。
实施例5
本实施例在实施例4的基础上，在绝缘垫7与靶阴极框架8之间又增加了导磁极靴调整垫11，如图7所示，此时，增加的导磁极靴调整垫会对磁场产生更加精细的调整作用，使靶材5所在真空室内的磁场更加均匀，从而改善了靶材消耗的不均匀性。导磁极靴调整垫11在靶阴极框架上的分布如图8所示。
通过上述实施例所述装置，在一定温度、一定压力下，通过在平面磁控溅射靶上放置导磁极靴调整垫11，来改变磁铁10产生磁场的均匀性，控制靶材5的溅射速率，使靶材5刻蚀均匀，提高其利用率。
经实验，得到的靶材5消耗刻蚀图形如图9所示，可以看出溅射靶材的消耗比较平均，靶材局部被刻蚀过度的现象得到了抑制，从而延长了溅射靶材的使用寿命。
最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，包括依次叠设的绝缘垫、靶阴极框架、一个或一个以上并排设置的磁铁；其特征在于：还包括一个或一个以上的导磁极靴调整垫，所述导磁极靴调整垫设置在所述绝缘垫与所述磁铁之间。
2.根据权利要求1所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述导磁极靴调整垫设置在所述靶阴极框架与磁铁之间。
3.根据权利要求1或2所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述导磁极靴调整垫固定在所述磁铁上表面。
4.根据权利要求1或2所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述导磁极靴调整垫固定在所述靶阴极框架与所述磁铁相对的一面。
5.根据权利要求4所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述磁铁上表面还进一步固定导磁极靴调整垫。
6.根据权利要求1所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述导磁极靴调整垫设置在所述绝缘垫与所述靶阴极框架之间。
7.根据权利要求1或6所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述导磁极靴调整垫固定在靶阴极框架与所述绝缘垫相对的一面。
8.根据权利要求1或6所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述导磁极靴调整垫固定在所述绝缘垫与靶阴极框架相对的一面。
9.根据权利要求8所述的可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶，其特征在于：所述靶阴极框架与绝缘垫相对的一面还进一步固定导磁极靴调整垫。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007201491434U CN201068469Y (zh) | 2007-05-15 | 2007-05-15 | 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 |
| US12/098,167 US20080283394A1 (en) | 2007-05-15 | 2008-04-04 | Magnetron sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007201491434U CN201068469Y (zh) | 2007-05-15 | 2007-05-15 | 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201068469Y true CN201068469Y (zh) | 2008-06-04 |
Family
ID=39489846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2007201491434U Expired - Lifetime CN201068469Y (zh) | 2007-05-15 | 2007-05-15 | 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080283394A1 (zh) |
| CN (1) | CN201068469Y (zh) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101805889B (zh) * | 2009-02-13 | 2012-01-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备 |
| CN102352486A (zh) * | 2011-11-16 | 2012-02-15 | 东莞市润华光电有限公司 | 一种可调节磁靴的磁控溅射靶 |
| CN101928928B (zh) * | 2009-06-25 | 2013-07-31 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 磁控溅射靶座及具有该磁控溅射靶座的磁控溅射装置 |
| CN103290377A (zh) * | 2012-06-13 | 2013-09-11 | 成都天马微电子有限公司 | 磁控管溅射方法、磁控溅射电极及其装置 |
| RU2500834C2 (ru) * | 2011-08-29 | 2013-12-10 | Закрытое акционерное общество "Ферри Ватт" | Распылительный узел плоского магнетрона |
| CN105256281A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射镀膜装置及其靶装置 |
| CN105463390A (zh) * | 2014-09-12 | 2016-04-06 | 安泰科技股份有限公司 | 旋转靶材及其制造方法 |
| CN105568240A (zh) * | 2016-02-16 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
| CN106854752A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控溅射设备 |
| CN107002229A (zh) * | 2014-12-03 | 2017-08-01 | 株式会社爱发科 | 靶组件 |
| CN108396299A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-08-14 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种磁控溅射平面阴极 |
| CN108578913A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-28 | 上海联影医疗科技有限公司 | 一种x射线靶组件及放疗设备 |
| CN111020510A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-17 | 上海子创镀膜技术有限公司 | 一种新型磁钢可调节平面阴极 |
| CN111424246A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 磁石溅射设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103132038A (zh) * | 2013-02-27 | 2013-06-05 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种消除阴极背面辉光放电装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69937948D1 (de) * | 1999-06-21 | 2008-02-21 | Bekaert Advanced Coatings N V | Magnetron mit beweglicher Magnetanordnung zur Kompensation des Erosionsprofils |
| US6372098B1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-16 | The Boc Group, Inc. | High target utilization magnet array and associated methods |
| JP2003141719A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Anelva Corp | スパッタリング装置及び薄膜形成方法 |
-
2007
- 2007-05-15 CN CNU2007201491434U patent/CN201068469Y/zh not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-04-04 US US12/098,167 patent/US20080283394A1/en not_active Abandoned
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101805889B (zh) * | 2009-02-13 | 2012-01-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备 |
| US8388819B2 (en) | 2009-02-13 | 2013-03-05 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Magnet target and magnetron sputtering apparatus having the same |
| CN101928928B (zh) * | 2009-06-25 | 2013-07-31 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 磁控溅射靶座及具有该磁控溅射靶座的磁控溅射装置 |
| RU2500834C2 (ru) * | 2011-08-29 | 2013-12-10 | Закрытое акционерное общество "Ферри Ватт" | Распылительный узел плоского магнетрона |
| CN102352486A (zh) * | 2011-11-16 | 2012-02-15 | 东莞市润华光电有限公司 | 一种可调节磁靴的磁控溅射靶 |
| CN103290377A (zh) * | 2012-06-13 | 2013-09-11 | 成都天马微电子有限公司 | 磁控管溅射方法、磁控溅射电极及其装置 |
| CN103290377B (zh) * | 2012-06-13 | 2015-05-06 | 成都天马微电子有限公司 | 磁控管溅射方法、磁控溅射电极及其装置 |
| CN105463390B (zh) * | 2014-09-12 | 2018-12-04 | 安泰科技股份有限公司 | 旋转靶材及其制造方法 |
| CN105463390A (zh) * | 2014-09-12 | 2016-04-06 | 安泰科技股份有限公司 | 旋转靶材及其制造方法 |
| CN107002229A (zh) * | 2014-12-03 | 2017-08-01 | 株式会社爱发科 | 靶组件 |
| CN107002229B (zh) * | 2014-12-03 | 2019-05-07 | 株式会社爱发科 | 靶组件 |
| CN105256281A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 磁控溅射镀膜装置及其靶装置 |
| CN106854752A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控溅射设备 |
| CN106854752B (zh) * | 2015-12-08 | 2019-07-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁控溅射设备 |
| CN105568240A (zh) * | 2016-02-16 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
| CN105568240B (zh) * | 2016-02-16 | 2018-11-23 | 武汉华星光电技术有限公司 | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
| CN108578913A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-28 | 上海联影医疗科技有限公司 | 一种x射线靶组件及放疗设备 |
| CN108396299A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-08-14 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种磁控溅射平面阴极 |
| CN111020510A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-17 | 上海子创镀膜技术有限公司 | 一种新型磁钢可调节平面阴极 |
| CN111424246A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 磁石溅射设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080283394A1 (en) | 2008-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201068469Y (zh) | 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶 | |
| KR101708194B1 (ko) | 기판 코팅 방법 및 코팅 장치 | |
| KR100848851B1 (ko) | 플라즈마 데미지 프리 스퍼터 건 및 이를 구비한 스퍼터장치와 이를 이용한 플라즈마 처리장치 및 성막 방법 | |
| EP2855729B1 (en) | Method for coating a substrate and coater | |
| KR102192566B1 (ko) | 스퍼터 증착 소스, 스퍼터 증착 장치, 및 기판 상에 층을 증착하는 방법 | |
| CN112575301B (zh) | 用于涂布基板的方法及涂布机 | |
| US11624110B2 (en) | Method of coating a substrate and coating apparatus for coating a substrate | |
| CN110106481A (zh) | 镀膜装置及物理气相沉积设备 | |
| CN102953038A (zh) | 具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射***、及其使用方法 | |
| CN108754444A (zh) | 一种pvd镀膜装置 | |
| CN111809157B (zh) | 半导体工艺设备及其磁控管机构 | |
| CN109841468B (zh) | 磁控管组件、磁控溅射腔室及半导体加工设备 | |
| JP3798037B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| CN220224312U (zh) | 一种磁控溅射镀膜装置 | |
| JP2022544641A (ja) | 基板上に材料を堆積する方法 | |
| JPH11350123A (ja) | 薄膜製造装置および液晶表示基板の製造方法 | |
| WO2017088212A1 (zh) | 磁控溅射镀膜装置及其靶装置 | |
| KR20090087680A (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| CN109750267A (zh) | 一种磁控溅射装置 | |
| CN111910162A (zh) | 磁控溅射装置及方法 | |
| KR20230084282A (ko) | 스퍼터 증착 소스, 증착 장치, 및 기판을 코팅하는 방법 | |
| JP2000160337A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| TWI244677B (en) | A sputtering system for semiconductor manufacture | |
| CN112626458A (zh) | 磁控溅射装置 | |
| WO2009075393A1 (en) | Plasma damage free sputter gun, sputter, plasma process apparatus and film-forming method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20150617 Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20150617 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150617 Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee after: BOE Technology Group Co., Ltd. Patentee after: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8 Patentee before: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080604 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |