CN101805889B - 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备 - Google Patents

磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101805889B
CN101805889B CN200910078077XA CN200910078077A CN101805889B CN 101805889 B CN101805889 B CN 101805889B CN 200910078077X A CN200910078077X A CN 200910078077XA CN 200910078077 A CN200910078077 A CN 200910078077A CN 101805889 B CN101805889 B CN 101805889B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnet
utmost point
peripheral
target
magnetron sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200910078077XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101805889A (zh
Inventor
赵鑫
张文余
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Gaochuang Suzhou Electronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN200910078077XA priority Critical patent/CN101805889B/zh
Priority to US12/703,302 priority patent/US8388819B2/en
Publication of CN101805889A publication Critical patent/CN101805889A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101805889B publication Critical patent/CN101805889B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术领域，用以改善靶材区域性消耗严重的问题。本发明实施例提供的磁靶，包括固定板和磁铁，而且所述固定板的板面上枢接有绕枢接轴转动的连杆，所述枢接轴排成阵列，且每个连杆的自由端连接有磁铁；所述磁铁包括间插排布的***S极磁铁和***N极磁铁。本发明实施例提供的磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备适用于改善磁控溅射设备中靶材区域性消耗严重的问题。

Description

磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备
技术领域
本发明涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备。
背景技术
在磁控溅射过程中，为了得到较高的靶材原子沉积速率需要较高的起辉气体电离度，而为了得到较高的起辉气体电离度就必须保证电子与起辉气体分子有足够大的碰撞几率，因此磁控溅射设备中采用附着磁靶来控制电子的运动轨迹，使其运动轨迹呈螺线形(如图1所示)。
其中，电子在磁场中运动时，由于电子的运动速度与磁场方向存在一定夹角，电子受到洛仑兹力的作用，呈圆周运动；又由于电场的作用，使得电子在电场线反方向上具有加速度，因此电子在磁场和电场的共同作用下螺旋前进，延长了运动路径，同时提高了电子与起辉气体分子的碰撞几率。
目前的磁靶大多采用固定的条形永磁铁来为溅射提供磁场，具体如图2和图3所示，所述磁靶中的多个条形永磁铁并排固定在固定板3上，所述条形永磁铁包括间插排布的内部N极、***S极的条形永磁铁1和内部S极、***N极的条形永磁铁2。由于固定磁靶中条形永磁铁本身磁场分布的特点，不能在磁控溅射区域产生平行于靶材的磁感应强度均匀的磁场；位于这样的非均匀磁场中不同位置的电子受到洛仑兹力的影响也不同：在磁感应强度较大的地方，电子做圆周运动的周期较小，因此会呈现出更为明显的螺旋运动，此处的电子与起辉气体分子碰撞使起辉气体分子电离的几率也就比较大；因此，如图4所示，磁感应强度较大区域对应的靶材受到起辉气体离子轰击的几率比其它部分的靶材受到起辉气体离子轰击的几率要大，从而导致靶材区域性消耗严重，降低靶材寿命。
由于磁铁做匀速运动的时候，其运动轨迹所覆盖的区域内单位时间里所产生的磁感应强度基本相同；因此基于这一原理，现有技术中存在多种通过运动磁靶来提高磁感应强度均匀性，从而解决磁控溅射设备中靶材区域性消耗严重问题的方案，其中一种改进方案是：
如图5和图6所示，将多个内部N极、***S极的条形永磁铁1和多个内部S极、***N极的条形永磁铁2间插并排固定到两个与所述永磁铁垂直的条形固定板3上，使所述固定板3在平行于靶材的平面上做往复运动，从而改善磁控溅射区域中磁感应强度的均匀性；但是，由于在磁靶运动的过程中，磁靶运动速率会不断变化，其在运动路径的中间部分速率最大、边缘部分速率最小，因此只能够稍微改善靶材中央区域的磁感应强度均匀性，对靶材边缘部分的磁感应强度均匀性改善却非常有限。因此，通过实施该改进方案，也只能改善靶材中部的区域性消耗严重的问题，而靶材边缘部分的区域性消耗还是很严重。
相对于上述改进方案，还存在另外一种更优的方案来改善靶材区域性消耗严重的问题，具体如下：
如图7和图8所示，将多个内部N极、***S极的条形永磁铁1和多个内部S极、***N极的条形永磁铁2间插并排固定到匀速转动的履带4上，使条形永磁铁平行于靶材平面做周期性运动，从而在磁控溅射区域内形成磁感应强度比较均匀的磁场。该方案不仅改善了靶材中央区域的磁感应强度均匀性，而且可以改善靶材边缘部分的磁感应强度均匀性；但是，该方案对磁场均匀度的改善主要体现在靶材运动的方向上，对于垂直于运动方向上的磁场均匀度基本上没有改进。
发明内容
本发明的实施例提供一种磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备，能够改善靶材区域性消耗严重的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种磁靶，包括固定板和磁铁，其中，所述固定板的板面上枢接有绕枢接轴转动的连杆，所述枢接轴排成阵列，且每个连杆的自由端连接有磁铁；所述磁铁包括间插排布的***S极磁铁和***N极磁铁。
一种磁控溅射设备，包括靶材、背板以及磁靶，所述背板的一侧固设有靶材，所述背板的另一侧设有磁靶，且所述磁靶包括固定板和磁铁；其中，所述磁靶的固定板的板面上枢接有绕枢接轴转动的连杆，所述枢接轴排成阵列，且每个连杆的自由端连接有磁铁；所述磁铁包括间插排布的***S极磁铁和***N极磁铁。
本发明实施例提供的磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备，通过设置可绕固定点匀速率转动的磁铁来为磁控溅射区域提供磁场，使每个磁铁转动时所覆盖的区域在单位时间内的平均磁感应强度保持不变，这样在磁控溅射区域可以形成磁感应强度相对均匀的磁场；而且，本发明实施例提供的磁靶中的磁铁做匀速圆周运动，使得平行于靶材的平面中相互垂直的两个方向上磁感应强度均匀度都能得到改善。相对于现有技术，本发明实施例提供的磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备，可以明显改善磁控溅射设备中靶材区域性消耗严重的问题。
附图说明
图1为磁控溅射设备中电子运动轨迹示意图；
图2为现有技术中固定磁靶结构的平面图；
图3为图2所示磁靶结构沿A-A线的剖视图；
图4为现有磁控溅射设备中靶材区域性消耗的示意图；
图5为现有技术中可往复运动的磁靶结构的平面图；
图6为图5所示磁靶结构沿B-B线的剖视图；
图7为现有技术中履带式磁靶结构的平面图；
图8为图7所示磁靶结构沿C-C线的剖视图；
图9为本发明实施例中的磁靶结构的局部平面图；
图10为本发明实施例中磁铁阵列的示意图；
图11为本发明实施例中磁控溅射设备的结构示意图；
附图标记：1-内部N极、***S极的条形永磁铁；2-内部S极、***N极的条形永磁铁；3-固定板；4-履带；5-固定板；6-连杆；7-圆形磁铁；71-***S极磁铁；72-***N极磁铁；8-枢接轴；9-靶材；10-背板；11-磁靶；12-驱动装置。
具体实施方式
为了能够更好地改善磁控溅射设备中靶材区域性消耗严重的问题，本发明的实施例提供一种磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备。下面结合附图对本发明实施例提供的磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备进行详细描述。
实施例一：
图9所示为本发明实施例提供的磁控溅射设备中磁靶结构的局部示意图。本发明实施例提供的磁控溅射设备的磁靶，包括固定板5、连杆6以及磁铁7；在所述固定板5的板面上枢接有绕枢接轴8转动的连杆6，所述枢接轴8在固定板5的板面上排成阵列，且每个连杆6的自由端连接有磁铁；所述磁铁包括间插排布的中心N极、***S极的磁铁(以下简称***S极磁铁)和中心S极、***N极的磁铁(以下简称***N极磁铁)。
其中，所述磁铁7优选为圆形磁铁；这样，上述***S极磁铁就是中心N极、***S极的圆形磁铁，上述***N极磁铁就是中心S极、***N极的圆形磁铁。
而且，所述连杆6与所述圆形磁铁7之间的连接方式可以是直接焊接，也可以是通过枢接轴8进行枢接。由于本发明实施例中所用的磁铁为圆形磁铁，因此这里只要将圆形磁铁7焊接到所述连杆6上即可。
由于所述枢接轴8在固定板5上呈阵列形式排布，那么在连杆6的自由端上连接的圆形磁铁7也就形成了一个如图10所示的磁铁阵列，在该磁铁阵列的每一行中至少包括：一个***S极磁铁71和一个***N极磁铁72；同样，在该磁铁阵列的每一列中至少包括：一个***S极磁铁71和一个***N极磁铁72。
为了能够为磁控溅射设备的磁控溅射区域提供磁感应强度更均匀的磁场，就需要使本发明实施例提供的磁靶中每个圆形磁铁7绕一固定点做匀速圆周运动，所述固定点就是所述连杆6与固定板5进行连接的枢接轴8所在的位置。这样可以使每个磁铁在其转动所覆盖的区域内单位时间里所产生磁场的磁感应强度基本相同，从而在磁控溅射区域形成磁感应强度相对均匀的磁场。
其中，所有圆形磁铁对应的连杆的初始位置都是一样的，从而保证在匀速转动的过程中所有圆形磁铁对应的连杆能够始终保持同步。
在本发明实施例中，固定板5的尺寸、圆形磁铁7的半径、连杆6的长度以及每两个圆形磁铁的间距都需要根据靶材尺寸以及靶材材质进行综合考虑，不过所有参数一定要保证在磁靶的圆形磁铁做匀速圆周运动的过程中靶材能够始终位于所述磁靶提供的磁场范围内。
本发明实施例提供的磁靶，通过控制圆形磁铁绕一个固定点做匀速圆周运动，运动过程中同一个圆形磁铁上各点的速率保持不变，使得每个圆形磁铁在其转动所覆盖的区域内单位时间里所产生的磁感应强度基本相同，从而可以为磁控溅射区域提供更为均匀的磁场；而且，本发明实施例提供的磁靶中的磁铁做匀速圆周运动，使得平行于靶材的平面中相互垂直的两个方向上磁感应强度均匀度都能得到改善。
实施例二：
本发明实施例提供的磁靶，在实施例一提供的磁靶的基础上，进一步以圆形电磁铁来代替传统磁靶中所使用的永磁铁，且所述圆形电磁铁包括间插排布的中心N极、***S极的圆形电磁铁(以下简称***S极电磁铁)和中心S极、***N极的圆形电磁铁(以下简称***N极电磁铁)。
所述圆形电磁铁焊接在连杆6的自由端；由于所述枢接轴8在固定板5上呈阵列形式排布，那么在连杆6的自由端上连接的圆形电磁铁也就形成了一个电磁铁阵列，在该电磁铁阵列的每一行中至少包括：一个***S极电磁铁和一个***N极电磁铁；同样，在该电磁铁阵列的每一列中至少包括：一个***S极电磁铁和一个***N极电磁铁。
在上述电磁铁阵列中，所有圆形电磁铁的控制线分别由独立电源控制；这样可以方便地对每个圆形电磁铁单独进行控制，比如调节其中某一个圆形电磁铁的电流，从而可以调节靶材上某个区域对应的磁感应强度的大小。
在本发明实施例中，固定板的尺寸、圆形电磁铁的半径、连杆的长度、每两个圆形电磁铁的间距以及圆形电磁铁线圈的初始电流大小都需要根据靶材尺寸以及靶材材质进行综合考虑，不过所有参数一定要保证在磁靶的圆形电磁铁做匀速圆周运动的过程中靶材能够始终位于所述磁靶提供的磁场范围内。
本发明实施例提供的磁靶，利用圆形电磁铁来为磁控溅射区域提供磁场，通过控制圆形电磁铁绕一个固定点做匀速圆周运动，运动过程中同一个圆形电磁铁上各点的速率保持不变，使得每个圆形电磁铁在其转动所覆盖的区域内单位时间里所产生的磁感应强度基本相同，从而可以为磁控溅射区域提供更为均匀的磁场；在此基础上，本发明实施例提供的磁靶，还可以通过调节某个圆形电磁铁的线圈电流来控制该圆形电磁铁产生的磁感应强度，这样不仅能更好地调节磁控溅射区域的磁场分布，使其更加趋向于磁感应强度均匀的磁场，达到靶材均匀消耗，提高靶材使用寿命的效果，而且能够根据当前沉积膜层的均匀度来调节某个区域内的圆形电磁铁的线圈电流，从而消除由溅射腔内部靶材与玻璃基板之间距离不均或溅射腔内起辉气体分布不均等引起的膜层均匀性的差异，进而达到提高产品性能的效果。
实施例三：
本发明实施例还提供一种具有上述磁靶的磁控溅射设备，如图11所示，包括：靶材9、背板10以及磁靶11，背板10的一侧固设有靶材9，另一侧设有磁靶11；现结合图9和图10，对本发明实施例提供的磁控溅射设备的结构做进一步详述：在磁靶11的固定板5的板面上枢接有绕枢接轴8转动的连杆6，所述枢接轴8在固定板5的板面上排成阵列，且每个连杆6的自由端连接有磁铁7；所述磁铁7包括间插排布的中心N极、***S极的磁铁71(以下简称***S极磁铁)和中心S极、***N极的磁铁72(以下简称***N极磁铁)。
其中，所述磁铁7优选为圆形磁铁；这样，上述***S极磁铁71就是中心N极、***S极的圆形磁铁，上述***N极磁铁72就是中心S极、***N极的圆形磁铁。
而且，所述连杆6与所述圆形磁铁7之间的连接方式可以是直接焊接，也可以是通过枢接轴进行枢接。由于本发明实施例中所用的磁铁为圆形磁铁，因此这里只要将圆形磁铁焊接到所述连杆上即可。
由于所述枢接轴8在固定板5上呈阵列形式排布，那么在连杆6的自由端上连接的圆形磁铁7也就形成了一个磁铁阵列，在该磁铁阵列的每一行中至少包括：一个***S极磁铁71和一个***N极磁铁72；同样，在该磁铁阵列的每一列中至少包括：一个***S极磁铁71和一个***N极磁铁72。
为了能够为磁控溅射设备的磁控溅射区域提供磁感应强度更均匀的磁场，就需要本发明实施例提供的磁控溅射设备控制磁靶中每个圆形磁铁绕一固定点做匀速圆周运动，所述固定点就是所述磁靶中的连杆与固定板进行连接的枢接轴8所在的位置。这样，每个磁铁在其转动所覆盖的区域内单位时间里所产生磁场的磁感应强度基本相同，从而在磁控溅射区域形成磁感应强度相对均匀的磁场。
此外，本发明实施例提供的磁控溅射设备中所有连杆的初始位置都是一样的；而且，本发明实施例提供的磁控溅射设备还包括一个驱动装置12，该驱动装置12用于控制所有的连杆的转动方向及转动速率，使其在转动的时候始终保持同步。
本发明实施例提供的磁控溅射设备，通过控制其磁靶中的圆形磁铁绕一个固定点做匀速圆周运动，运动过程中同一个圆形磁铁上各点的速率保持不变，使得每个圆形磁铁在其转动所覆盖的区域内单位时间里所产生的磁感应强度基本相同，从而为磁控溅射区域提供更为均匀的磁场；而且，本发明实施例提供的磁控溅射设备的磁靶中的磁铁做匀速圆周运动，使得平行于靶材的平面中相互垂直的两个方向上磁感应强度均匀度都能得到改善。
实施例四：
本发明实施例提供的磁控溅射设备，在实施例三提供的磁控溅射设备的基础上，进一步以圆形电磁铁代替传统磁控溅射设备中所使用的永磁铁来提供磁场，且所述圆形电磁铁包括间插排布的***S极电磁铁和***N极电磁铁。
本发明实施例提供的磁控溅射设备中，其磁靶中的圆形电磁铁焊接在连杆6的自由端；由于所述枢接轴8在磁靶的固定板5上呈阵列形式排布，那么在连杆6的自由端上连接的圆形电磁铁也就形成了一个电磁铁阵列，在该电磁铁阵列的每一行中至少包括：一个***S极电磁铁和一个***N极电磁铁；同样，在该电磁铁阵列的每一列中至少包括：一个***S极电磁铁和一个***N极电磁铁。
在上述电磁铁阵列中，所有圆形电磁铁的控制线分别连接到独立的电源输出端，这样可以方便地对每个圆形电磁铁单独进行控制，比如调节其中某一个圆形电磁铁的电流，从而可以调节靶材上某个区域对应的磁感应强度的大小。
本发明实施例提供的磁控溅射设备，其磁靶利用圆形电磁铁来为磁控溅射区域提供磁场，通过控制圆形电磁铁绕一个固定点做匀速圆周运动，运动过程中同一个圆形电磁铁上各点的速率保持不变，使得每个圆形电磁铁在其转动所覆盖的区域内单位时间里所产生的磁感应强度基本相同，从而可以为磁控溅射区域提供更为均匀的磁场；在此基础上，本发明实施例提供的磁控溅射设备，还可以通过调节磁靶中某个圆形电磁铁的线圈电流来控制该圆形电磁铁产生的磁感应强度，这样不仅能更好地调节磁控溅射区域的磁场分布，使其更加趋向于磁感应强度均匀的磁场，达到靶材均匀消耗，提高靶材使用寿命的效果，而且能够根据当前沉积膜层的均匀度来调节磁靶中某个区域内的圆形电磁铁的线圈电流，从而消除由溅射腔内部靶材与玻璃基板之间距离不均或溅射腔内起辉气体分布不均等引起的膜层均匀性的差异，进而达到提高产品性能的效果。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种磁靶，包括固定板和磁铁，其特征在于，所述固定板的板面上枢接有绕枢接轴转动的连杆，所述枢接轴排成阵列，且每个连杆的自由端连接有磁铁，所有磁铁对应的连杆的初始位置都一样且在所有磁铁通过所述连杆绕所述枢接轴匀速转动的过程中所有磁铁对应的连杆保持同步；所述磁铁包括间插排布的***S极磁铁和***N极磁铁。
2.根据权利要求1所述的磁靶，其特征在于，所述磁铁为圆形磁铁，所述***S极磁铁为中心N极、***S极的圆形磁铁，所述***N极磁铁为中心S极、***N极的圆形磁铁。
3.根据权利要求2所述的磁靶，其特征在于，所述磁铁焊接到连杆的自由端。
4.根据权利要求1所述的磁靶，其特征在于，所述连杆排成至少两行、至少两列的阵列。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁靶，其特征在于，所述磁铁为电磁铁。
6.一种磁控溅射设备，包括靶材、背板以及磁靶，所述背板的一侧固设有靶材，所述背板的另一侧设有磁靶，且所述磁靶包括固定板和磁铁；其特征在于，所述磁靶的固定板的板面上枢接有绕枢接轴转动的连杆，所述枢接轴排成阵列，且每个连杆的自由端连接有磁铁，所有磁铁对应的连杆的初始位置都一样且在所有磁铁通过所述连杆绕所述枢接轴匀速转动的过程中所有磁铁对应的连杆保持同步；所述磁铁包括间插排布的***S极磁铁和***N极磁铁。
7.根据权利要求6所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁铁为圆形磁铁，所述***S极磁铁为中心N极、***S极的圆形磁铁，所述***N极磁铁为中心S极、***N极的圆形磁铁。
8.根据权利要求6所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁铁焊接到连杆的自由端。
9.根据权利要求6所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述连杆排成至少两行、至少两列的阵列。
10.根据权利要求6至9中任意一项所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁铁为电磁铁。
11.根据权利要求10所述的磁控溅射设备，其特征在于，所有电磁铁的控制线分别连接到独立的电源输出端。
CN200910078077XA 2009-02-13 2009-02-13 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备 Active CN101805889B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910078077XA CN101805889B (zh) 2009-02-13 2009-02-13 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备
US12/703,302 US8388819B2 (en) 2009-02-13 2010-02-10 Magnet target and magnetron sputtering apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910078077XA CN101805889B (zh) 2009-02-13 2009-02-13 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101805889A CN101805889A (zh) 2010-08-18
CN101805889B true CN101805889B (zh) 2012-01-11

Family

ID=42558977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910078077XA Active CN101805889B (zh) 2009-02-13 2009-02-13 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8388819B2 (zh)
CN (1) CN101805889B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2211966A4 (en) * 2007-10-16 2011-02-23 Inmotion Medical Ltd LUMENSONDENGERÄTE AND APPLICATION METHOD THEREFOR
CN101988189B (zh) * 2009-08-07 2012-10-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置
CN103924200B (zh) * 2013-12-30 2017-07-04 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种薄膜沉积装置
US10332731B2 (en) 2014-10-10 2019-06-25 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method of and magnet assembly for high power pulsed magnetron sputtering
CN104357803B (zh) * 2014-11-20 2017-02-22 昆山国显光电有限公司 磁控溅射磁铁***及其控制方法和磁控溅射装置
CN104711529B (zh) * 2015-04-01 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 一种成膜设备
US10844477B2 (en) * 2017-11-08 2020-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electromagnetic module for physical vapor deposition
CN108611616B (zh) * 2018-07-20 2020-10-16 江西沃格光电股份有限公司 线圈机构及磁控溅射装置
CN114908325A (zh) * 2022-04-29 2022-08-16 宣城开盛新能源科技有限公司 一种提高平面硫化镉靶材溅射膜厚均匀性的装置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1693532A (zh) * 2004-05-05 2005-11-09 应用薄膜有限责任与两合公司 带有可转动的磁控管的大面积组件的镀膜机
CN1861836A (zh) * 2005-04-05 2006-11-15 应用薄膜有限公司 用于平面磁控管的磁体装置
CN201068469Y (zh) * 2007-05-15 2008-06-04 北京京东方光电科技有限公司 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶
CN201162043Y (zh) * 2008-03-21 2008-12-10 北京京东方光电科技有限公司 磁控溅射靶结构及设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
JPS63125675A (ja) 1986-11-13 1988-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロンスパツタ装置
JPS63307270A (ja) 1987-06-08 1988-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング装置
JPH02205673A (ja) * 1989-01-31 1990-08-15 Daido Steel Co Ltd マグネトロンカソード構造
KR930700695A (ko) 1990-06-16 1993-03-15 원본미기재 금속화 장치
US5417833A (en) * 1993-04-14 1995-05-23 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus having a rotating magnet array and fixed electromagnets
JP4137198B2 (ja) 1997-09-06 2008-08-20 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
KR20000014681A (ko) 1998-08-24 2000-03-15 구자홍 스퍼터링 장치의 자석 이송장치
JP3803520B2 (ja) 1999-02-22 2006-08-02 忠弘 大見 マグネット回転スパッタ装置
US6440282B1 (en) * 1999-07-06 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron
KR100345924B1 (ko) 2000-01-24 2002-07-27 한전건 평판 마그네트론 스퍼터링 장치
JP4685228B2 (ja) 2000-02-01 2011-05-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スパッタリング装置および成膜方法
US20050274610A1 (en) 2004-05-25 2005-12-15 Victor Company Of Japan, Limited Magnetron sputtering apparatus
JP2005336520A (ja) 2004-05-25 2005-12-08 Victor Co Of Japan Ltd マグネトロンスパッタリング装置
JP4984211B2 (ja) 2006-03-06 2012-07-25 大日本印刷株式会社 スパッタ装置およびスパッタ方法
JP5268483B2 (ja) * 2007-08-23 2013-08-21 株式会社東芝 合金微粒子担持装置
US10043642B2 (en) * 2008-02-01 2018-08-07 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Magnetron sputtering source and arrangement with adjustable secondary magnet arrangement

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1693532A (zh) * 2004-05-05 2005-11-09 应用薄膜有限责任与两合公司 带有可转动的磁控管的大面积组件的镀膜机
CN1861836A (zh) * 2005-04-05 2006-11-15 应用薄膜有限公司 用于平面磁控管的磁体装置
CN201068469Y (zh) * 2007-05-15 2008-06-04 北京京东方光电科技有限公司 可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶
CN201162043Y (zh) * 2008-03-21 2008-12-10 北京京东方光电科技有限公司 磁控溅射靶结构及设备

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2000-309867A 2000.11.07
JP特开2001-288566A 2001.10.19
JP特开2005-336520A 2005.12.08
JP特开2007-238978A 2007.09.20
JP特开平11-80948A 1999.03.26

Also Published As

Publication number Publication date
CN101805889A (zh) 2010-08-18
US20100206726A1 (en) 2010-08-19
US8388819B2 (en) 2013-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101805889B (zh) 磁靶及具有该磁靶的磁控溅射设备
KR100967278B1 (ko) 마그네트론 코팅 기판의 제조 방법 및 마그네트론 스퍼터소스
US7785449B2 (en) Magnetron unit, magnetron sputtering apparatus, and method of manufacturing electronic device
CN103374705B (zh) 一种磁控溅射装置
US20090277779A1 (en) Magnetic field generating apparatus, magnetic field generating method, sputtering apparatus, and method of manufacturing device
EP2739763A2 (en) Rotary cathodes for magnetron sputtering system
KR100345924B1 (ko) 평판 마그네트론 스퍼터링 장치
CN105568240B (zh) 磁控溅射装置及磁控溅射方法
CN113755809A (zh) 磁控溅射装置及其控制方法
KR20160124809A (ko) 고 자성체 용 스퍼터링 시스템 및 방법
KR20100051867A (ko) 자석 유닛, 및 마그네트론 스퍼터링 장치
CN102789941A (zh) 一种磁控管、磁控管的制造方法及物理沉积室
KR20130112057A (ko) 마그네트론 소스, 마그네트론 스퍼터링 장치 및 마그네트론 스퍼터링 방법
CN110791742A (zh) 一种磁控溅射阴极的磁源结构及其调节磁场的方法
CN110911263B (zh) 用于磁控溅射工艺腔室的磁场分布均匀化装置
CN103668096B (zh) 条形磁铁、磁靶及磁控溅射设备
CN103882394B (zh) 磁控管以及磁控管溅射设备
JPH1046334A (ja) スパッタ成膜装置
CN211170860U (zh) 一种复合扫描弧源磁场装置
TWI576455B (zh) 磁控管源及製造方法
KR101913791B1 (ko) 타겟 어레인지먼트, 그를 구비한 프로세싱 장치 및 그의 제조 방법
JP2000319780A (ja) スパッタリングカソード及びこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置
CN101988188A (zh) 溅镀用磁控装置
CN103177917A (zh) 一种磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备
KR20000014681A (ko) 스퍼터링 장치의 자석 이송장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20150626

Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY

Effective date: 20150626

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150626

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee after: BOE Technology Group Co., Ltd.

Patentee after: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd.

Address before: 100176 No. 8 West Central Road, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing

Patentee before: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201209

Address after: 215200 No. 1700 Zhongshan North Road, Wujiang Economic and Technological Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Gaochuang (Suzhou) Electronics Co.,Ltd.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100015 No. 10, Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right